一種液態(tài)金屬多層電路制作方法及裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及柔性電路制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液態(tài)金屬多層電路制作方法及
目.0
【背景技術(shù)】
[0002]隨著印刷電子技術(shù)的不斷進步，以液態(tài)金屬為代表的導(dǎo)電流體使得直寫、打印等電路直印技術(shù)成為了可能。在現(xiàn)有的液態(tài)金屬直寫和打印中，液態(tài)金屬墨水浸潤和粘附在有機聚合物基材表面實現(xiàn)導(dǎo)電線路的印制。但是，如果在封裝前翻轉(zhuǎn)基底材料，則很容易破壞之前印制好的電路，因而在完成單面電路的印制后，難以直接在基底材料的反面再印制電路，也無法直接將兩張或多張電路進行直接堆疊，因而令雙面或多層液態(tài)金屬電路的加工遇到了挑戰(zhàn)。
[0003]鑒于上述【背景技術(shù)】的問題，本發(fā)明提供了一種液態(tài)金屬多層電路制作方法及裝置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004](一)要解決的技術(shù)問題
[0005]本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供了一種液態(tài)金屬多層電路制作方法及裝置，能通過融合封裝材料準(zhǔn)確、有效地制作雙面或多層液態(tài)金屬電路，避免了直接翻轉(zhuǎn)或堆疊液態(tài)金屬電路時容易破壞線路的問題，大大提高了液態(tài)金屬電路的適用范圍。
[0006](二)技術(shù)方案
[0007]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種液態(tài)金屬多層電路制作裝置，包括:
[0008]多組基底，均用于承載由液態(tài)金屬印制的電路，多組所述基底分別通過封裝材料封裝，且相鄰的兩組所述基底相對設(shè)置；
[0009]融合機構(gòu)，設(shè)置于相鄰兩組所述基底之間，用于將相鄰兩組所述基底之間的封裝材料融合；
[0010]配準(zhǔn)機構(gòu)，用于為多組所述基底之間的位置配準(zhǔn)定位；
[0011 ]打孔機構(gòu)，用于使相鄰兩組所述基底的預(yù)設(shè)位置貫穿連接；
[0012]分離機構(gòu)，用于將所述基底與封裝材料分離，以設(shè)置元器件。
[0013]進一步的，還包括:
[0014]印制機構(gòu)，用于在所述基底上通過液態(tài)金屬印制電路；
[0015]多組固定機構(gòu)，分別用于固定多組所述基底；
[0016]層厚控制機構(gòu)，設(shè)置于相鄰兩組所述固定機構(gòu)之間，用于調(diào)整相鄰兩組所述固定機構(gòu)的間距。
[0017]進一步的，所述印制機構(gòu)包括液態(tài)金屬打印機、液態(tài)金屬電路手寫筆或液態(tài)金屬電路掩膜噴涂裝置；
[0018]所述固定機構(gòu)通過嵌入、壓緊、膠黏或負壓吸附的方式固定所述基底的邊緣或底部；
[0019]所述層厚控制機構(gòu)包括層數(shù)可調(diào)的多層調(diào)控片和/或升降臺控制單元。
[0020]進一步的，所述配準(zhǔn)機構(gòu)通過標(biāo)記配準(zhǔn)的方式將多層電路對齊，所述標(biāo)記包括十字形或米字形。
[0021]進一步的，所述融合機構(gòu)通過等離子鍵合或粘合的方式融合兩層所述基底之間的封裝材料。
[0022]進一步的，所述打孔機構(gòu)將導(dǎo)電材料貫穿設(shè)置于兩層所述基底之間的預(yù)設(shè)厚度的封裝材料上，以使兩層所述基底上的電路之間連接，所述導(dǎo)電材料包括所述液態(tài)金屬。
[0023]進一步的，所述液態(tài)金屬的組分包括熔點在200°C以下的低熔點金屬單質(zhì)或金屬合金，或者是所述金屬單質(zhì)或金屬合金分別與具有導(dǎo)電作用的納米或微米顆粒的混合物。
[0024]進一步的，所述基底包括聚乙烯、聚氯乙烯、聚丙烯、聚酰亞胺、聚苯乙烯、聚碳酸酯、聚醚醚酮、聚甲基丙烯酸甲酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環(huán)氧樹脂或丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物的一種或幾種。
[0025]進一步的，所述封裝材料為聚二甲基硅氧烷、硅膠、乳膠、硫橡膠或聚合物漆的一種或幾種。
[0026]本發(fā)明還提供了一種液態(tài)金屬多層電路制作方法，是基于如上所述的液態(tài)金屬多層電路制作裝置提出的，該方法包括如下步驟:
[0027]S1、分別在多層基底上印制底層電路和鏡像印制中間層電路，并分別封裝印制有所述底層電路和中間層電路的基底；
[0028]S2、在印制有所述底層電路的基底上相對的固定一層鏡像印制有所述中間層電路的基底；
[0029]S3、通過配準(zhǔn)機構(gòu)配準(zhǔn)定位兩層分別印制有所述底層電路和中間層電路的基底，以使所述底層電路和中間層電路定位；
[0030]S4、通過融合機構(gòu)融合印制有所述底層電路和中間層電路的基底之間的封裝材料；
[0031]S5、通過打孔機構(gòu)貫穿打通印制有所述底層電路和中間層電路的基底之間的封裝材料，以使所述底層電路與中間層電路之間連接；
[0032]S6、通過分離機構(gòu)將印制有所述中間層電路的基底與覆蓋其外部的封裝材料之間分離，以使印制有所述中間層電路的基底與印制有底層電路的基底組成多層電路基底；
[0033]S7、以步驟S6中形成的多層電路基底為印制有底層電路的基底，返回步驟S2，直至所述多層電路基底拼裝完成；
[0034]S8、所述多層電路基底拼裝完成后，將印制有所述底層電路的基底與覆蓋其外部的封裝材料之間分離；
[0035]S9、確定拼裝完成的所述多層電路基底中的一層為元器件層，在所述元器件層的電路上設(shè)置元器件并封裝，即得。
[0036](三)有益效果
[0037]本發(fā)明的上述技術(shù)方案具有以下有益效果:本發(fā)明的液態(tài)金屬多層電路制作方法及裝置能將電路分層印制和封裝，通過配準(zhǔn)機構(gòu)配準(zhǔn)對齊各層電路后，通過融合機構(gòu)融合各層電路之間的封裝材料，并按要求通過打孔機構(gòu)打孔連接各層電路，避免了直接翻轉(zhuǎn)或堆疊液態(tài)金屬電路時容易破壞線路的問題，能準(zhǔn)確、有效地制作多層液態(tài)金屬電路，大大提高了液態(tài)金屬電路的適用范圍，有效保證了封裝厚度、配準(zhǔn)精度、打孔準(zhǔn)確度，避免發(fā)生電路錯位、連接錯誤或不慎打穿電路等問題。整個方法使用簡單，對應(yīng)裝置具有組裝方便、成本低廉、無污染等優(yōu)點。
【附圖說明】
[0038]圖1為本發(fā)明實施例的液態(tài)金屬多層電路制作裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明實施例的液態(tài)金屬多層電路制作方法的流程框架圖。
[0040]其中，1、印制機構(gòu);2、基底;3、固定機構(gòu);4、層厚控制機構(gòu);5、配準(zhǔn)機構(gòu);6、融合機構(gòu);7、分離機構(gòu);8、打孔機構(gòu);9、液態(tài)金屬;1、封裝材料。
【具體實施方式】
[0041]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明的實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不能用來限制本發(fā)明的范圍。
[0042]在本發(fā)明的描述中，除非另有說明，“多個”的含義是兩個或兩個以上。術(shù)語“上”、“下”、“左”、“右”、“內(nèi)”、“外”、“前端”、“后端”、“頭部”、“尾部”等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0043]在本發(fā)明的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規(guī)定和限定，術(shù)語“安裝”、“相連”、“連接”應(yīng)做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接;可以是機械連接，也可以是電連接;可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連。對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以具體情況理解上述術(shù)語在本發(fā)明中的具體含義。
[0044]如圖1所示，本實施例提供的液態(tài)金屬多層電路制作裝置包括多層基底2、印制機構(gòu)1、多組固定機構(gòu)3、配準(zhǔn)機構(gòu)5、融合機構(gòu)6、打孔機構(gòu)8、層厚控制機構(gòu)4和分離機構(gòu)7。
[0045]多組基底2均用于承載由液態(tài)金屬9印制的電路，多組基底2分別通過封裝材料1封裝，且相鄰的兩組基底2相對設(shè)置。為了便于快速制作多層電路以其中一個基底2作為印制底層電路的基底2，其余基底2作為印制中間層電路的