一種led驅(qū)動(dòng)芯片及buck型led驅(qū)動(dòng)電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，特別涉及一種LED驅(qū)動(dòng)芯片及BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED驅(qū)動(dòng)技術(shù)的逐漸成熟，在保證性能的前提下，追求低成本與越來越少的外圍元件成為業(yè)界的共識(shí)。
[0003]圖1給出了現(xiàn)有技術(shù)的一種BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路，所述LED驅(qū)動(dòng)電路包括整流橋
10、穩(wěn)壓電容20、現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)芯片30和輸出級(jí)40。所述現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)芯片30有4個(gè)引腳，分別是VIN引腳、VCC引腳、CS引腳和VSS引腳。
[0004]采用這種現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)芯片30構(gòu)成的BUCK型LED驅(qū)動(dòng)方案，除了現(xiàn)有驅(qū)動(dòng)芯片30需要額外的VCC引腳外，還需要外圍VCC穩(wěn)壓電容20。所述VCC穩(wěn)壓電容20容值一般來說很大，起到穩(wěn)定驅(qū)動(dòng)芯片電源VCC的作用。故所述VCC穩(wěn)壓電容20既耗費(fèi)成本還占用電路板空間。
[0005]因而現(xiàn)有技術(shù)還有待改進(jìn)和提尚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的在于提供一種LED驅(qū)動(dòng)芯片及BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路，而無需VCC引腳及外接VCC穩(wěn)壓電容來維持內(nèi)部電源電壓。
[0007]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采取了以下技術(shù)方案:
一種LED驅(qū)動(dòng)芯片，包括低壓MOS管、高壓MOS管、內(nèi)部電源模塊、比較控制模塊、驅(qū)動(dòng)模塊和限流模塊；
所述內(nèi)部電源模塊為比較控制模塊和驅(qū)動(dòng)模塊供電；所述比較控制模塊比較第一參考電壓、第二參考電壓和LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓，在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓低于第二參考電壓時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管導(dǎo)通，LED驅(qū)動(dòng)芯片的VIN端和CS端導(dǎo)通；所述比較控制模塊在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓高于第一參考電壓時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管關(guān)斷，LED驅(qū)動(dòng)芯片的VIN端和CS端斷開。
[0008]所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片，其中，所述比較控制模塊包括第一比較器、第二比較器；
帶隙基準(zhǔn)，用于產(chǎn)生參考電壓輸出給電阻分壓器；
電阻分壓器，用于將帶隙基準(zhǔn)產(chǎn)生的參考電壓分壓成第一參考電壓和第二參考電壓，并將第一參考電壓輸出給第一比較器，將第二參考電壓輸出給第二比較器；
邏輯單元，用于接收第一比較器和第二比較器輸出的電平信號(hào)，在第一比較器和第二比較器輸出的電平信號(hào)均為高電平時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管導(dǎo)通；在第一比較器和第二比較器輸出的電平信號(hào)均為低電平時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管關(guān)斷；
所述帶隙基準(zhǔn)的輸入端為比較控制模塊的電源輸入端、連接第一比較器的電源輸入端和第二比較器的電源輸入端，所述帶隙基準(zhǔn)的輸出端通過電阻分壓器連接LED驅(qū)動(dòng)芯片的VSS端，所述電阻分壓器的第一輸出端連接第一比較器的同相輸入端，所述電阻分壓器的第二輸出端連接第二比較器的同相輸入端；所述第一比較器的反向輸入端和第二比較器的反向輸入端為比較控制模塊的輸入端、連接LED驅(qū)動(dòng)芯片的CS端，所述第一比較器的輸出端連接邏輯單元的第一輸入端，所述第二比較器的輸出端連接邏輯單元的第二輸入端，所述邏輯單元的輸出端為比較控制模塊的輸出端、連接驅(qū)動(dòng)模塊的輸入端。
[0009]所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片，其中，所述限流模塊包括限流電阻。
[0010]所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片，其中，所述低壓MOS管和高壓MOS管為N溝道MOS管。
[0011]所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片，其中，所述內(nèi)部電源模塊包括低壓差高速線性穩(wěn)壓器。
[0012]所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片，其中，所述第一參考電壓為0.5V，所述第二參考電壓為67mV0
[0013]一種BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路，包括如上所述的LED驅(qū)動(dòng)芯片。
[0014]所述的BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路，其中，所述BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路還包括:整流橋、第一電容、第一二極管、第一電阻、電感和LED燈組；外部交流電通過整流橋連接第一電容的一端和LED驅(qū)動(dòng)芯片的VIN端，所述第一電容的另一端接地；所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的CS端連接第一二極管的負(fù)極和第一電阻的一端，所述第一二極管的正極接地，所述第一電阻的另一端連接LED驅(qū)動(dòng)芯片的VSS端和電感的一端，所述電感的另一端通過LED燈組接地。
[0015]相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明提供的LED驅(qū)動(dòng)芯片及BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路，通過比較控制模塊比較第一參考電壓、第二參考電壓和LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓，在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓低于第二參考電壓時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管導(dǎo)通；在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓高于第一參考電壓時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管關(guān)斷；從而實(shí)現(xiàn)了根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓來控制LED驅(qū)動(dòng)芯片VIN端和CS端的通斷，而無需VCC引腳及外接VCC穩(wěn)壓電容來維持內(nèi)部電源電壓在較高值，從而節(jié)省了電路板空間，降低了成本。
【附圖說明】
[0016]圖1為現(xiàn)有的BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
[0017]圖2為本發(fā)明提供的LED驅(qū)動(dòng)芯片的電路圖。
[0018]圖3為本發(fā)明提供的BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路的電路圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本發(fā)明提供一種LED驅(qū)動(dòng)芯片及BUCK型LED驅(qū)動(dòng)電路，通過比較控制模塊比較第一參考電壓、第二參考電壓和LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓，進(jìn)而控制低壓MOS管的通斷，即，根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓來控制LED驅(qū)動(dòng)芯片VIN端和CS端的通斷，無需VCC引腳及外接VCC穩(wěn)壓電容來維持內(nèi)部電源電壓在較高值，從而節(jié)省了電路板空間，降低了成本。
[0020]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及效果更加清楚、明確，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0021 ] 請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明提供的LED驅(qū)動(dòng)芯片，包括高壓MOS管Ml、低壓MOS管M2、內(nèi)部電源模塊60、比較控制模塊70、限流模塊80和驅(qū)動(dòng)模塊90。所述高壓MOS管Ml用于承受高輸入電壓，保護(hù)低壓MOS管M2。
[0022]所述內(nèi)部電源模塊60為比較控制模塊70和驅(qū)動(dòng)模塊90供電；所述比較控制模塊70比較第一參考電壓Vrefl、第二參考電壓Vref2和LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓，在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓低于第二參考電壓Vref2時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊90將低壓MOS管M2導(dǎo)通，LED驅(qū)動(dòng)芯片的VIN端和CS端導(dǎo)通；所述比較控制模塊70在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓高于第一參考電壓Vrefl時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊90將低壓MOS管M2關(guān)斷，LED驅(qū)動(dòng)芯片的VIN端和CS端斷開。
[0023]換而言之，所述內(nèi)部電源模塊60，用于為所述LED驅(qū)動(dòng)芯片提供工作電源。其中，所述內(nèi)部電源模塊60包括低壓差高速線性穩(wěn)壓器。
[0024]所述比較控制模塊70，用于比較第一參考電壓Vrefl、第二參考電壓Vref2和LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓，在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓低于第二參考電壓Vref2時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊90將低壓MOS管M2導(dǎo)通；在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓高于第一參考電壓Vrefl時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊90將低壓MOS管M2關(guān)斷。其中，所述第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2可以根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定，優(yōu)選的，所述第一參考電壓為0.5V，所述第二參考電壓小于10mV,本實(shí)施例中，所述第二參考電壓為67mV。
[0025]驅(qū)動(dòng)模塊90，用于驅(qū)動(dòng)低壓MOS管M2導(dǎo)通；
限流模塊80，用于限流。所述限流模塊80包括限流電阻R。
[0026]所述LED驅(qū)動(dòng)芯片的VIN端連接內(nèi)部電源模塊60的輸入端和高壓MOS管M2的漏極，所述內(nèi)部電源模塊60的第一輸出端連接比較控制模塊70的電源輸入端，所述比較控制模塊70的輸入端連接LED驅(qū)動(dòng)芯片的CS端，所述比較控制模塊70的輸出端連接驅(qū)動(dòng)模塊90的輸入端，所述驅(qū)動(dòng)模塊90的輸出端連接低壓MOS管M2的柵級(jí)，所述低壓MOS管M2的源極連接LED驅(qū)動(dòng)芯片的CS端；所述內(nèi)部電源模塊60的第二輸出端連接驅(qū)動(dòng)模塊90的電源輸入端、還通過限流模塊80連接高壓MOS管Ml的柵級(jí)，所述高壓MOS管Ml的源極連接低壓MOS管M2的漏極。
[0027]本發(fā)明提供的LED驅(qū)動(dòng)芯片，通過比較控制模塊比較第一參考電壓、第二參考電壓和LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓，在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓低于第二參考電壓時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管導(dǎo)通；在LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓高于第一參考電壓時(shí)，控制驅(qū)動(dòng)模塊將低壓MOS管關(guān)斷；從而實(shí)現(xiàn)了根據(jù)LED驅(qū)動(dòng)芯片CS端的電壓來控制LED驅(qū)動(dòng)芯片VIN端和CS端的通斷，而無需VCC引腳及外接VCC穩(wěn)壓電容來維持內(nèi)部電源電壓在較高值，從而節(jié)省了電路板空間，降低了成本。
[0028]請(qǐng)繼續(xù)參閱圖2，所述比較控制模塊70包括第一比較器Q1、第二比較器Q2、帶隙基準(zhǔn)710、電阻分壓器720和邏輯單元730。
[0029]所述帶隙基準(zhǔn)710，用于產(chǎn)生參考電壓輸出給電阻分壓器720。優(yōu)選的，所述參考電壓為1.2V。
[0030]所述電阻分壓器720，用于將帶隙基準(zhǔn)710產(chǎn)生的參考電壓分壓成第一參考電壓Vrefl和第二參考電壓Vref2，并將第一參考電壓Vrefl輸出給第一比較器Ql，將第二參考電壓Vref2輸出給第二比較器Q2。
[0031]所述邏輯單元730，用于接收第一比較器Ql和第二比較器Q2輸出的電平信號(hào)，在第一比較器Ql和第二比較器Q