蓋板結(jié)構(gòu)及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種蓋板結(jié)構(gòu),特別是涉及一種具有防電磁干擾(electro-magneticinterference, EMI)的蓋板結(jié)構(gòu)及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]集成電路芯片(integrated circuit chip, IC chip)通常會經(jīng)由電路板與主機板(motherboard)電連接，以使得電子信號可以在集成電路芯片與主機板之間傳遞。然而，當(dāng)集成電路芯片的時鐘脈沖(clock)頻率越高時，電子信號就越容易受到電磁干擾(Electro-Magnetic Interference, EMI)。由于電磁干擾常中斷、阻礙、降低或限制電子裝置或整體電路系統(tǒng)的效能表現(xiàn)，因此需要有效的電磁干擾屏蔽，以確保電子裝置或系統(tǒng)的效率與安全操作。為了避免電磁干擾的問題影響集成電路芯片使用時的穩(wěn)定性，通常會將金屬蓋體裝配至電路板的上方，用來防止電磁波的外泄或是避免外部電磁波滲入而造成干擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種蓋板結(jié)構(gòu)，其具有防電磁干擾的功能。
[0004]本發(fā)明的再一目的在于提供一種蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法，用以制作上述的蓋板結(jié)構(gòu)。
[0005]為達上述目的，本發(fā)明提供的蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法，其包括下述步驟。在承載板上配置金屬基材。承載板具有表面，而金屬基材具有多個暴露出承載板的部分表面的開口。金屬基材上已形成有第一金屬層，而第一金屬層與金屬基材共形設(shè)置。第一金屬層覆蓋開口所暴露出的承載板的部分表面。壓合絕緣層及位于絕緣層上的第二金屬層在金屬基材上。絕緣層位于第一金屬層與第二金屬層之間，且覆蓋第一金屬層并填滿開口。移除金屬基材與承載板，以暴露出第一金屬層，并定義出多個凹穴區(qū)與多個連接凹穴區(qū)的連接區(qū)，其中凹穴區(qū)的位置對應(yīng)金屬基材的位置，而連接區(qū)的位置分別對應(yīng)開口的位置。
[0006]在本發(fā)明的一實施例中，上述的移除部分位于連接區(qū)的第一金屬層的步驟包括:在移除金屬基材與承載板之后，形成干膜層在第二金屬層及位于連接區(qū)的部分第一金屬層上；以干膜層為電鍍掩模進行電鍍制作工藝，以電鍍第三金屬層在干膜層所暴露出的部分第一金屬層上；移除干膜層，以暴露出第二金屬層與部分位于連接區(qū)的第一金屬層；以第三金屬層為蝕刻掩模，移除暴露在第三金屬層之外的第二金屬層與部分位于連接區(qū)的第一金屬層，而暴露出絕緣層的上表面與下表面的部分；以及移除第三金屬層，以暴露出第一金屬層。
[0007]在本發(fā)明的一實施例中，上述的移除金屬基材與承載板的步驟包括:移除承載板，以暴露出金屬基材的底面與位于連接區(qū)的部分第一金屬層；形成第三金屬層在金屬基材的底面與位于連接區(qū)的部分第一金屬層上；形成多個貫穿連接區(qū)的導(dǎo)電柱，其中導(dǎo)電柱貫穿第二金屬層、絕緣層、第一金屬層與第三金屬層；分別形成第四金屬層與第五金屬層在第二金屬層上與第三金屬層上，其中第四金屬層與第五金屬層分別覆蓋導(dǎo)電柱的相對兩端；移除部分第四金屬層與部分第二金屬層，以暴露出絕緣層的上表面的部分；形成增層線路結(jié)構(gòu)在被暴露出的絕緣層上；移除部分第五金屬層、部分第三金屬層、金屬基材以及部分位于連接區(qū)的第一金屬層，以暴露出部分位于凹穴區(qū)的第一金屬層與位于連接區(qū)的絕緣層的下表面的部分。
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述的增層線路結(jié)構(gòu)包括至少一介電層、至少一圖案化導(dǎo)電層以及至少一貫穿介電層的導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)。至少一介電層與至少一圖案化導(dǎo)電層依序疊置在絕緣層上，且至少一圖案化導(dǎo)電層通過至少一導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)及第四金屬層與導(dǎo)電柱電連接。
[0009]在本發(fā)明的一實施例中，上述的承載板包括核心介電層與銅箔層。核心介電層位于銅箔層與金屬基材之間。
[0010]在本發(fā)明的一實施例中，上述的蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法還包括:在壓合絕緣層及第二金屬層在金屬基材上之后，形成多個貫穿第二金屬層、絕緣層、第一金屬層、核心介電層與銅箔層的導(dǎo)電柱；分別形成第四金屬層與第五金屬層在第二金屬層上與銅箔層上，其中第四金屬層與第五金屬層分別覆蓋導(dǎo)電柱的相對兩端；移除部分第四金屬層與部分第二金屬層，以暴露出絕緣層的上表面的部分；形成增層線路結(jié)構(gòu)在被暴露出的絕緣層上；以及移除部分第五金屬層、部分核心介電層、部分銅箔層、金屬基材與部分位于連接區(qū)的第一金屬層，以暴露出部分位于凹穴區(qū)的第一金屬層與位于連接區(qū)的絕緣層的下表面的部分。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，上述的增層線路結(jié)構(gòu)包括至少一介電層、至少一圖案化導(dǎo)電層以及至少一貫穿介電層的導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)。至少一介電層與至少一圖案化導(dǎo)電層依序疊置在絕緣層上，且至少一圖案化導(dǎo)電層通過至少一導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)及第四金屬層與導(dǎo)電柱電連接。
[0012]在本發(fā)明的一實施例中，上述的蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括:移除金屬基材與承載板之后，進行單體化制作工藝，以形成多個各自獨立的蓋板結(jié)構(gòu)。
[0013]本發(fā)明的蓋板結(jié)構(gòu)，其適于遮蓋承載有至少一電子元件的電路板。蓋板結(jié)構(gòu)包括絕緣層與金屬層。絕緣層具有彼此相對的上表面與下表面以及至少一位于下表面上的凹穴。金屬層配置在絕緣層上，且覆蓋至少一凹穴與部分下表面。電路板與位于絕緣層的下表面上的金屬層電連接，而電子元件位于電路板與金屬層之間。
[0014]在本發(fā)明的一實施例中，上述的蓋板結(jié)構(gòu)還包括至少一導(dǎo)電柱以及增層線路結(jié)構(gòu)。至少一導(dǎo)電柱貫穿絕緣層，且內(nèi)埋在絕緣層內(nèi)。增層線路結(jié)構(gòu)配置在絕緣層上，且包括至少一介電層、至少一圖案化導(dǎo)電層以及至少一貫穿介電層的導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)。至少一介電層與至少一圖案化導(dǎo)電層依序疊置在絕緣層上，且至少一圖案化導(dǎo)電層通過至少一導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)與導(dǎo)電柱電連接。
[0015]基于上述，本發(fā)明的蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法是通過金屬基材的設(shè)計來形成凹穴區(qū)的結(jié)構(gòu)。由于本發(fā)明的蓋板結(jié)構(gòu)具有凹穴，且凹穴上配置有金屬層。因此，當(dāng)蓋板結(jié)構(gòu)定位于電路板上時，電路板上的電子元件可位于凹穴中，且金屬層可作為電磁波遮蔽層，可有效降低來自外界的電磁波干擾，以保護電路板上的電子元件免受信號干擾。
【附圖說明】
[0016]圖1A至圖1J為本發(fā)明的一種蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。
[0017]圖2為圖1J的蓋板結(jié)構(gòu)配置在一承載有一電子元件的電路板上的剖面示意圖。
[0018]圖3A至圖3G為本發(fā)明的另一種蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。圖4A至圖4E為本發(fā)明的另一種蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。符號說明
[0019]10a、llb:承載板
[0020]Ila:表面
[0021]12:核心介電層
[0022]14:銅箔層
[0023]20a、20b:金屬基材
[0024]22a、22b:開口
[0025]24b:底表面
[0026]30:電路板
[0027]32:接點
[0028]40:電子元件
[0029]100a、100b、10c:蓋板結(jié)構(gòu)
[0030]110:第一金屬層
[0031]120:絕緣層
[0032]122:上表面
[0033]124:下表面
[0034]126:凹穴
[0035]130:第二金屬層
[0036]140:干膜層
[0037]150a、150b:第三金屬層
[0038]160:導(dǎo)電柱
[0039]162:電鍍籽晶層
[0040]164:導(dǎo)電材料
[0041]170:第四金屬層
[0042]180:第五金屬層
[0043]190:增層線路結(jié)構(gòu)
[0044]192:介電層
[0045]194:圖案化導(dǎo)電層
[0046]196:導(dǎo)電通孔結(jié)構(gòu)
[0047]Cl、Cl’:凹穴區(qū)
[0048]C2、C2，:連接區(qū)
[0049]L:切割線
【具體實施方式】
[0050]圖1A至圖1J為本發(fā)明的一種蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法的剖面示意圖。請先參考圖1A，依照本實施例的蓋板結(jié)構(gòu)的制作方法，首先，在承載板1a上配置金屬基材20a，其中承載板1a具有表面I Ia,而金屬基材20a具有多個暴露出承載板1a的部分表面Ila的開口22a。在本實施例中，金屬基材20a的材質(zhì)例如是鋁，但并不以此為限，而這些開口 22a是通過進行涂布光致抗蝕劑(未繪示)、對光致抗蝕劑曝光與顯影以及蝕刻光致抗蝕劑外的金屬基材20a所構(gòu)成。在此，這些開口 22a的孔徑并非一致，其是朝著承載板1a的表面Ila逐漸縮小，但在此并不以此為限。在其他實施例中，可通過圖案化光致抗蝕劑層(未繪示)的形態(tài)或蝕刻時所采用的能量來決定這些開口 22a的形狀。
[0051]接著，請參考圖1B，通過電鍍的方式，形成有第一金屬層110在金屬基材20a上，其中第一金屬層110與金屬基材20a共形設(shè)置，