印刷電路基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及印刷電路基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來,伴隨著電子設(shè)備的小型化和高性能化的趨勢,印刷電路基板的微細(xì)布線 化非常重要。利用對絕緣層的表面用高猛酸鹽液實施粗趟化處理后,進行鍛覆形成導(dǎo)體層 的半加成法(semiadditiveprocess,SAP)的情況下,如果增大絕緣層的粗趟度,則絕緣層 與化學(xué)鍛覆層之間的剝離強度(peelstrength)增加,但存在微細(xì)布線化變得困難的問題, 面臨必須W盡可能低的粗趟度提高層間的剝離強度的狀況,表面粗趟度和剝離強度處于相 互權(quán)衡的關(guān)系。
[0003] 作為改善如前所述的層間粘合性的嘗試,一般利用物理方法或化學(xué)方法對樹脂基 材的表面實施粗趟化處理,W使樹脂基材的表面粗趟度(Ra)達到y(tǒng)m。
[0004] 然而,基于粗趟化的表面粗趟度不僅降低了金屬圖案的精度,而且成為了電路基 板中的電信號中產(chǎn)生噪聲(noise)的原因,而近年的表面粗趟度接近lOOnm的水平。
[0005] 為了在如此低的表面粗趟度下實現(xiàn)高的剝離強度,也提出了在實施了粗趟化處理 的電絕緣層上涂布含有橡膠和樹脂等高分子成分的非電解鍛用粘結(jié)劑的方法(日本特開 2001-192844號公報、日本特開2001-123137號公報W及日本特開1999-4069號公報),但 形成了電絕緣層后,溫度和濕度發(fā)生變化時,得不到足夠的粘合性,有時還會產(chǎn)生層間剝離 現(xiàn)象而導(dǎo)致縮短基板的壽命。
[0006] 另一方面,在專利文獻1中,已提出了如下方法:通過在絕緣層上形成有導(dǎo)體電路 的內(nèi)層基板上W覆蓋所述導(dǎo)體電路的方式層疊硫醇化合物層,并在其上形成含有脂環(huán)式帰 姪聚合物的絕緣層,從而改善內(nèi)層基板與形成于其上的絕緣層之間的粘合性,但硫醇化合 物與銅(化)之間的粘合力有限。另外,雖然對樹脂基材的表面不實施粗趟化處理而得到樹 脂基材與銅層的高粘合性的方法被大量掲示,但在溫度和濕度發(fā)生變化的條件下,也無法 期待足夠的粘合力。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0008] 專利文獻
[0009] 專利文獻1 ;日本特開2001-160689號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010] 本發(fā)明是為了解決上述的現(xiàn)有技術(shù)的問題而提出的,本發(fā)明的一個目的在于提供 一種通過在絕緣層與非電解鍛覆層之間包含咪哇系烷氧基娃焼層而提高了剝離強度的印 刷電路基板。
[0011] 本發(fā)明的另一個目的在于提供一種在濕式除膠渣(wetdesmear)工序中形成的絕 緣層上導(dǎo)入上述咪哇系烷氧基娃焼層的印刷電路基板的制造方法。
[0012] 基于本發(fā)明的一個目的的印刷電路基板,包含;形成在基板上,且具有通孔的絕緣 層;形成于上述絕緣層的表面的咪哇系烷氧基娃焼層;形成于上述咪哇系烷氧基娃焼層上 的電路層,其中,上述電路層可W包含形成于上述咪哇系烷氧基娃焼層的表面的非電解鍛 覆層、形成于上述非電解鍛覆層上的電解鍛覆層。
[0013] 在上述印刷電路基板中,上述絕緣層可W具有l(wèi)OOnmW下的表面粗趟度。
[0014] 在上述印刷電路基板中,上述絕緣層可W為絕緣膜、預(yù)浸料或者增層膜中的任一 種。
[0015] 在上述印刷電路基板中,上述絕緣層可W含有無機填料、玻璃纖維或者它們的混 合物。
[0016] 在上述印刷電路基板中,上述無機填料可W為選自二氧化娃(Si化)、氧化鉛 (Al2〇3)、硫酸頓炬aS〇4)、滑石、云母粉、氨氧化鉛(AlOHs)、氨氧化鎮(zhèn)(Mg(0H)2)、碳酸巧 (CaC〇3)、碳酸鎮(zhèn)(MgC〇3)、氧化鎮(zhèn)(MgO)、氮化測伽)、測酸鉛(A1B03)、鐵酸頓(BaTi〇3)W及 鉛酸巧(CaZr〇3)中的一種W上的物質(zhì)。
[0017] 在上述印刷電路基板中,上述玻璃纖維為選自E玻璃、T玻璃、S玻璃W及肥玻璃 中的一種W上的物質(zhì)。
[0018] 在上述印刷電路基板中,上述咪哇系烷氧基娃焼層可W由下述化學(xué)式1表示。
[001引[化學(xué)式^
[0020]
【主權(quán)項】
1. 一種印刷電路基板,包含: 絕緣層,形成在基板上,且具有通孔; 咪唑系烷氧基硅烷層,形成于所述絕緣層的表面; 電路層,形成在所述咪唑系烷氧基硅烷層上, 所述電路層包含形成于所述咪唑系烷氧基硅烷層的表面的非電解鍍覆層、形成在所述 非電解鍍覆層上的電解鍍覆層。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路基板,其中,所述絕緣層具有IOOnm以下的表面粗糙 度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路基板,其中,所述絕緣層為絕緣膜、預(yù)浸料或增層膜 中的任一種。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路基板,其中,所述絕緣層含有無機填料、玻璃纖維或 者它們的混合物。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷電路基板,其中,所述無機填料為選自二氧化硅、氧化 鋁、硫酸鋇、滑石、云母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化硼、硼酸鋁、鈦 酸鋇以及鋯酸鈣中的一種以上的物質(zhì)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的印刷電路基板,其中,所述玻璃纖維為選自E玻璃、T玻璃、S 玻璃以及NE玻璃中的一種以上的物質(zhì)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路基板,其中,所述咪唑系烷氧基硅烷層由下述化學(xué) 式1表示, 化學(xué)式1
其中,所述R1為烷基或者芳基,R2為具有或不具有雜原子的C1~C 5的烷基,R3~R5各 自獨立地為H或者CH3。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路基板,其中,所述咪唑系烷氧基硅烷層含有具有化 學(xué)式2、化學(xué)式3或化學(xué)式4中的任一個化學(xué)結(jié)構(gòu)的咪唑系烷氧基硅烷, 化學(xué)式2 化學(xué)式3
化學(xué)式4
其中,R3~R5各自獨立地為H或者CH3。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的印刷電路基板,其中,所述非電解鍍覆層和電解鍍覆層含有 銅。
10. -種印刷電路基板的制造方法,包含: 準(zhǔn)備基板的步驟; 在所述基板上形成具有通孔的絕緣層的步驟; 在所述絕緣層上形成液態(tài)的咪唑系烷氧基硅烷層的步驟; 在所述咪唑系烷氧基硅烷層上形成電路層的步驟, 其中,所述電路層包含形成在所述咪唑系烷氧基硅烷層上的非電解鍍覆層、形成在所 述非電解鍍覆層上的電解鍍覆層。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述絕緣層為絕緣膜、預(yù) 浸料或增層膜中的任一種。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中形成具有所述通孔的絕緣 層的步驟包括; 在所述基板上形成絕緣層的步驟; 在所述絕緣層形成通孔的步驟; 對形成有所述通孔的絕緣層實施除膠渣處理的步驟。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述絕緣層具有IOOnm以 下的表面粗糙度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述絕緣層含有無機填 料、玻璃纖維或者它們的混合物。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述無機填料為選自二 氧化硅、氧化鋁、硫酸鋇、滑石、云母粉、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、氧化鎂、氮化 硼、硼酸鋁、鈦酸鋇以及鋯酸鈣中的一種以上的物質(zhì)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述玻璃纖維為選自E玻 璃、T玻璃、S玻璃以及NE玻璃中的一種以上的物質(zhì)。
17. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,形成所述液態(tài)的咪唑系 烷氧基硅烷層的步驟通過噴涂法、浸涂法或者旋涂法而進行。
18. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述咪唑系烷氧基硅烷 層由下述化學(xué)式1表示, 化學(xué)式1
其中,所述R1為烷基或者芳基,R2為具有或不具有雜原子的C1~C 5的烷基,R3~R5各 自獨立地為H或者CH3。
19. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述咪唑系烷氧基硅烷 層含有具有化學(xué)式2、化學(xué)式3或者化學(xué)式4中的任一個化學(xué)結(jié)構(gòu)的咪唑系烷氧基硅烷,
其中,R3~R5各自獨立地為H或者CH3。20. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的印刷電路基板的制造方法,其中,所述非電解鍍覆層和電 化學(xué)式2 化學(xué)式3 化學(xué)式4 解鍍覆層含有銅。
【專利摘要】本發(fā)明提供印刷電路基板及其制造方法。根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的印刷電路基板,通過在絕緣層與非電解鍍覆層之間包含咪唑系烷氧基硅烷層,能夠提高剝離強度。另外,根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的印刷電路基板的制造方法,通過對在濕式除膠渣(wet desmear)工序中形成的絕緣層上導(dǎo)入上述咪唑系烷氧基硅烷層,即使在溫度和濕度變化的環(huán)境下也能提高可靠性。另外,利用上述咪唑系烷氧基硅烷層,即使在高溫條件下也能夠抑制絕緣層與非電解鍍覆層之間的層間剝離現(xiàn)象。
【IPC分類】H05K1-02, H05K3-38
【公開號】CN104768320
【申請?zhí)枴緾N201410282834
【發(fā)明人】金俊永, 徐永官
【申請人】三星電機株式會社
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2014年6月23日