本發(fā)明涉及一種包括具有貫通型芯通孔的基板的電子部件用基板、所述電子部件用基板的制造方法、包括所述電子部件用基板的顯示裝置及半導體裝置。
背景技術(shù)：
1、作為以半導體裝置、顯示裝置等為代表的多種電子設(shè)備的基礎(chǔ)材料的基板(substrate)，以利用2.5d或3d集成電路技術(shù)在小面積上層疊多個芯片為目標，因此要求實現(xiàn)半導體裝置的超小型化、工藝的簡化以及系統(tǒng)化的方法。
2、貫通型芯通孔(基板-貫通孔(through?via)，通孔(via?hole)等)在物理電子電路或芯片中提供層與層之間的電連接。例如，在三維堆疊集成電路中，貫通型芯通孔能夠?qū)㈦娮硬考诖怪狈较蚝退椒较蛏线M行整合(integration)。通常，貫通型芯通孔使用于硅基板。韓國授權(quán)專利公報第10-1459597號公開了一種貫通型硅通孔(tsv)基板的制造方法。然而，從經(jīng)濟層面來看，由于玻璃比硅更便宜，近來玻璃基板在電子裝置中被更廣泛使用。玻璃基板還能夠提供提高的電磁損耗特性、提高的介電特性、定制型熱膨脹系數(shù)以及能夠?qū)崿F(xiàn)可擴展(scalable)形態(tài)因素的能力。
3、韓國授權(quán)專利公報第10-1685578號中提供了一種無電解鈀鍍金方法，包括：提供無電解鈀鍍金液的步驟；向所述無電解鈀鍍金液中投入惰性氣體的步驟；將基板浸入所述無電解鈀鍍金液中的步驟；以及利用所述鍍金液對所述基板進行無電解鍍金的步驟。但是，即使應(yīng)用所述鍍金方法，也可能會出現(xiàn)無法確保鍍金膜具有足夠的密接力和可靠性的問題。這會對電信號和電力的傳遞產(chǎn)生影響，最終可能與裝置的性能直接相關(guān)，因此，現(xiàn)需要開發(fā)一種不僅能夠降低工藝中的不良發(fā)生率以提高良率，即使在嚴苛條件下也不發(fā)生電極翹起的情況，而且制作工藝得到簡化的電子部件用基板及其制造方法。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、技術(shù)問題
2、為了解決上述問題，本發(fā)明的目的在于，提供一種電子部件用基板及其制造方法，該電子部件用基板在對具有貫通型芯通孔的基板進行鍍金的工藝中，鍍金密接力得到提高。
3、本發(fā)明的目的在于，提供一種電子部件用基板及其制造方法，該電子部件用基板不僅能夠調(diào)整鍍金層的厚度，即使嚴苛條件下也不會發(fā)生電極翹起的情況，而且與現(xiàn)有的電子部件用基板相比，制作工藝能夠得到簡化。
4、此外，本發(fā)明的目的在于，提供一種包括所述電子部件用基板的顯示裝置及半導體裝置。
5、但是，本發(fā)明所要解決的課題并不局限于以上提及的課題，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將能夠從以下記載中清楚地理解未提及的其他課題。
6、技術(shù)方案
7、本發(fā)明涉及一種電子部件用基板，包括：基板，其包括一個以上的貫通型芯通孔；以及密接增進層，其設(shè)于所述基板的表面及所述貫通型芯通孔，所述貫通型芯通孔的上面及下面中的一個以上的孔徑比孔內(nèi)部的一點的孔徑大。
8、在本發(fā)明中，在所述貫通型芯通孔的垂直截面上，連接上面或下面的芯通孔的一點和通孔內(nèi)部的孔徑最小的點的線與從上面或下面的芯通孔的一點向垂直方向連接的線的角度可以為1°至25°以下。
9、在本發(fā)明中，所述貫通型芯通孔的垂直截面可以是對稱型或非對稱型的。
10、在本發(fā)明中，貫通型芯通孔的內(nèi)側(cè)的壁面可以是包括凹凸的形態(tài)。
11、本發(fā)明的特征可以在于，所述基板為玻璃或石英。
12、在本發(fā)明中，所述密接增進層可以是包括選自由具有丙烯酸基的uv固化樹脂和聚酰亞胺系熱固化樹脂組成的組中的一種以上的，或者是涂布有金屬、氧化物或陶瓷氧化物的膜。
13、在本發(fā)明中，所述密接增進層的厚度可以為250至
14、在本發(fā)明中，所述基板的每個貫通型通孔的上面及下面中一個以上的孔徑的平均可以為5至190μm。
15、本發(fā)明涉及一種電子部件用基板的制造方法，包括：(a)在包括一個以上的貫通型芯通孔的基板表面上形成密接增進層的步驟；以及(b)在形成有所述密接增進層的基板表面上鍍金金屬的步驟，所述貫通型芯通孔的上面及下面中的一個以上的孔徑比孔內(nèi)部的一點的孔徑大，所述(b)的鍍金步驟是通過選自電解鍍金和無電解鍍金中的一種以上的方法來執(zhí)行的。
16、在本發(fā)明中，上述步驟(a)還可以包括表面改性工藝。
17、在本發(fā)明中，所述表面改性可以是通過選自由皂化處理、等離子體處理、電暈處理、底漆處理方式組成的組中的一種以上的方法來執(zhí)行的。
18、在本發(fā)明中，在上述步驟(a)之前，還可以包括通過調(diào)整基板的上面及下面的蝕刻速度，制造上面及下面中的一個以上的孔徑比孔內(nèi)部的一點的孔徑大的貫通型芯通孔的工藝。
19、在本發(fā)明中，可以進一步執(zhí)行上述步驟(b)一次以上。
20、此外，本發(fā)明可以涉及一種包括所述電子部件用基板的顯示裝置及半導體裝置。
21、發(fā)明的效果
22、根據(jù)本發(fā)明的電子部件用基板及其制造方法，在制造具有貫通型芯通孔的基板時，包括通過濕法涂覆方式形成的密接增進層，從而提高金屬鍍金層的密接力，防止不良的發(fā)生，由此能夠提供高質(zhì)量的電子部件用基板。
23、此外，根據(jù)本發(fā)明的電子部件用基板及其制造方法，能夠通過追加工藝調(diào)整鍍金層的厚度，并且與以往的電子部件用基板相比，制造工藝能夠得到簡化。
24、根據(jù)本發(fā)明的電子部件用基板及其制造方法，貫通型芯通孔的上面及下面中一個以上的孔徑可以比孔內(nèi)部的一點的孔徑大。此外，相應(yīng)地，當貫通型芯通孔的內(nèi)部金屬的體積膨脹/收縮時，可以防止對鍍金于芯通孔內(nèi)部的金屬在孔的上面或下面中的任一側(cè)方向上產(chǎn)生沖擊集中，從而能夠防止在嚴苛條件下電極翹起。
25、通過應(yīng)用本發(fā)明的電子部件用基板，可以提供可靠性優(yōu)異的顯示裝置及半導體裝置。
1.一種電子部件用基板，其特征在于，包括：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子部件用基板，其特征在于，
9.一種電子部件用基板的制造方法，其特征在于，包括：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件用基板的制造方法，其特征在于，
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子部件用基板的制造方法，其特征在于，
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件用基板的制造方法，其特征在于，
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電子部件用基板的制造方法，其特征在于，
14.一種顯示裝置，其特征在于，
15.一種半導體裝置，其特征在于，