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發(fā)光元件、顯示裝置、發(fā)光元件的制造方法與流程

文檔序號(hào):42041714發(fā)布日期:2025-05-30 17:40閱讀:14來源:國知局

本公開涉及發(fā)光元件和具備該發(fā)光元件的顯示裝置。


背景技術(shù):

1、專利文獻(xiàn)1公開了依次具備陽極、空穴傳輸層、含有量子點(diǎn)的發(fā)光層、電子傳輸層以及陰極的發(fā)光元件。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-88276號(hào)


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開所要解決的技術(shù)問題

2、在專利文獻(xiàn)1公開的在發(fā)光層具有量子點(diǎn)的發(fā)光元件中,在包含空穴傳輸層、電子傳輸層的電荷傳輸層的電荷傳輸材料之間,有時(shí)包含陰離子或陽離子的離子能夠通過的空間沿著發(fā)光元件的層疊方向形成。這種情況下,通過驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件,與包含電子和空穴的載流子一起,從電荷傳輸層向發(fā)光層注入離子,有時(shí)會(huì)發(fā)生與離子接觸的量子點(diǎn)的劣化。

3、用于解決技術(shù)問題的技術(shù)方案

4、本公開的一方式的發(fā)光元件具備:第一電極;第二電極;發(fā)光層,其位于所述第一電極與所述第二電極之間,并具有多個(gè)量子點(diǎn);第一電荷傳輸層,其位于所述第一電極與所述發(fā)光層之間以及所述第二電極與所述發(fā)光層之間中的至少一方,并與所述發(fā)光層接觸,所述第一電荷傳輸層具有多個(gè)第一電荷傳輸材料和填充在所述多個(gè)第一電荷傳輸材料之間的第一無機(jī)填充材料。

5、本公開的其他方式的發(fā)光元件的制造方法中,發(fā)光元件具備:第一電極;第二電極;發(fā)光層,其位于所述第一電極與所述第二電極之間,并具有多個(gè)量子點(diǎn);以及第一電荷傳輸層,其位于所述第一電極與所述發(fā)光層之間以及所述第二電極與所述發(fā)光層之間中的至少一方,所述制造方法的特征在于,所述制造方法包括:混合溶液的涂布,混合了多個(gè)第一電荷傳輸材料和無機(jī)前驅(qū)體;以及通過加熱所涂布的所述混合溶液使所述無機(jī)前驅(qū)體改性為第一無機(jī)填充材料。

6、有益效果

7、通過抑制離子從電荷傳輸層到達(dá)發(fā)光層,抑制量子點(diǎn)的劣化,從而改善發(fā)光元件的發(fā)光效率和可靠性。



技術(shù)特征:

1.一種發(fā)光元件,其特征在于,其具備:

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其特征在于,

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一電荷傳輸材料包含組成彼此不同的多種材料。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述發(fā)光層具有第二配體,所述第二配體能夠配位于所述量子點(diǎn)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第二配體包含有機(jī)配體。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一電荷傳輸材料和第二配體含有相同的硫族元素。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述發(fā)光元件具有第二無機(jī)填充材料,所述第二無機(jī)填充材料填充在多個(gè)所述量子點(diǎn)之間。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一無機(jī)填充材料和所述第二無機(jī)填充材料包含同一無機(jī)材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一無機(jī)填充材料的帶隙為所述第二無機(jī)填充材料的帶隙以下。

10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一無機(jī)填充材料的帶隙為所述第二無機(jī)填充材料的帶隙以上。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一電荷傳輸層是第一電子傳輸層,所述第一電荷傳輸材料是電子傳輸材料。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光元件,其特征在于,在比所述第一電子傳輸層更靠所述發(fā)光層的相反側(cè)具備第二電子傳輸層,所述第二電子傳輸層含有所述電子傳輸材料。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一電荷傳輸層為第一空穴傳輸層,所述第一電荷傳輸材料為空穴傳輸材料。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光元件,其特征在于,在比所述第一空穴傳輸層更靠所述發(fā)光層的相反側(cè)具備第二空穴傳輸層,所述第二空穴傳輸層含有所述空穴傳輸材料。

15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,在所述第一電極與所述發(fā)光層之間具備所述第一電荷傳輸層,

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件,其特征在于,所述第一無機(jī)填充材料和所述第三無機(jī)填充材料含有相同的無機(jī)材料。

17.一種顯示裝置,其特征在于,其包括權(quán)利要求1至16中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件。

18.一種發(fā)光元件的制造方法,所述發(fā)光元件具有:


技術(shù)總結(jié)
發(fā)光元件(20)具備:第一電極(21);第二電極(25);發(fā)光層(23),其位于第一電極與第二電極之間,并具有多個(gè)量子點(diǎn)(40);以及第一電荷傳輸層(24),其位于第一電極與發(fā)光層之間以及第二電極與發(fā)光層之間的至少一方,并與發(fā)光層接觸。第一電荷傳輸層具有多個(gè)第一電荷傳輸材料(30)和填充在多個(gè)第一電荷傳輸材料之間的第一無機(jī)填充材料(31)。

技術(shù)研發(fā)人員:山本悟,上田吉裕
受保護(hù)的技術(shù)使用者:夏普顯示科技株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2025/5/29
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