本實(shí)用新型涉及廚房用具，具體地，涉及一種線圈盤組件及電磁加熱廚具。

背景技術(shù)：

隨著經(jīng)濟(jì)社會(huì)的發(fā)展，IH(induction heat)加熱技術(shù)的應(yīng)用越來越廣泛，其中，IH加熱技術(shù)是指通過電磁線圈接通交變電流，直接對(duì)容器(例如鍋具)進(jìn)行加熱，具體的是，電流通過線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)，磁場(chǎng)內(nèi)的磁力線穿過鍋具底部，從而產(chǎn)生渦流對(duì)鍋具進(jìn)行加熱。

IH加熱技術(shù)應(yīng)用在線圈盤結(jié)構(gòu)時(shí)，根據(jù)物理學(xué)磁場(chǎng)定律，線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度與線圈的匝數(shù)成正比關(guān)系，為了提高加熱效果及能效，一般采用增加線圈盤繞線圈數(shù)的方法實(shí)現(xiàn)，但由于線圈盤外徑的限制(線圈盤外徑無法無限制的大)，在線圈盤外徑一定的條件下，只能增加線圈層數(shù)，但線圈層數(shù)的增加，會(huì)使得線圈盤的散熱不是很理想，這是因?yàn)?，IH加熱用線圈盤一般包括線圈、磁性材料及線圈盤支架，線圈本身存在電阻，磁性材料在高頻下也存在功率損耗，同時(shí)線圈與端子鉚接還存在接觸電阻，所以IH加熱線圈盤在使用上將存在較大的工作熱量，從而導(dǎo)致線圈盤溫度升高，而如果線圈層數(shù)增加，處于中間層的導(dǎo)線由于上下兩層導(dǎo)線的阻擋而非常難散熱，這樣隨著加熱時(shí)間的推移，線圈盤的溫度會(huì)越來越高甚至?xí)龤Ь€圈盤，造成整機(jī)可靠性下降。

也就是說，傳統(tǒng)IH加熱線圈盤加熱效果及能效與線圈盤的散熱本身就是一對(duì)矛盾體，加熱效果及能效好的線圈盤，其線圈盤散熱比較差，線圈盤工作溫度高，整機(jī)可靠性不高。有鑒于此，需要提供一種既能夠保證線圈盤的加熱效果及能效，又能夠保證散熱效果的線圈盤組件。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種線圈盤組件，該線圈盤組件既能夠保證線圈盤的加熱能效，又能夠保證散熱效果。另外，本實(shí)用新型還提供一種包括所述線圈盤組件的電磁加熱廚具。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種線圈盤組件，所述線圈盤組件包括線圈盤支架以及纏繞在所述線圈盤支架上的線圈，所述線圈盤支架包括支架內(nèi)圈部和與所述支架內(nèi)圈部形成階梯臺(tái)階的支架外圈部，所述支架內(nèi)圈部能夠纏繞的所述線圈的層數(shù)大于所述支架外圈部能夠纏繞的所述線圈的層數(shù)，所述線圈盤組件的底部形成有具有高度差的底面。

優(yōu)選地，所述線圈盤支架中安裝有磁性材料，所述磁性材料的上方纏繞所述線圈，所述線圈盤支架的底部形成有具有高度差的底面。

優(yōu)選地，所述線圈盤支架的所述底面包括第一平面部以及與所述第一平面部連接并與所述第一平面部具有高度差的斜面部。

優(yōu)選地，所述線圈盤支架的所述底面包括第二平面部，所述斜面部位于所述第一平面部與所述第二平面部之間，所述第一平面部的位置高度低于所述第二平面部的位置高度。

優(yōu)選地，所述第一平面部對(duì)應(yīng)位于所述支架內(nèi)圈部的下方，所述斜面部至少部分地對(duì)應(yīng)位于所述支架外圈部的下方。

優(yōu)選地，所述斜面部位于所述支架外圈部的下方，所述第二平面部部分地對(duì)應(yīng)位于所述支架外圈部的下方。

優(yōu)選地，所述線圈盤組件的所述底面的最大高度差大于等于0.78mm。

優(yōu)選地，所述支架內(nèi)圈部的外徑與所述支架外圈部的外徑的比值大于等于0.28且小于等于0.75。

優(yōu)選地，所述線圈盤支架包括多個(gè)用于纏繞所述線圈的凹槽，所述凹槽的槽寬與所述線圈盤支架的所述階梯臺(tái)階的高度的比值小于等于0.96。

本實(shí)用新型還提供一種電磁加熱廚具，所述電磁加熱廚具包括所述線圈盤組件以及位于所述線圈盤組件下方并與所述線圈盤組件的底部具有間隙的底座外殼。

優(yōu)選地，所述電磁加熱廚具為電磁爐。

在本實(shí)用新型中，通過使支架內(nèi)圈部和與支架外圈部形成階梯臺(tái)階，從而使線圈盤組件中部區(qū)域(即支架內(nèi)圈部區(qū)域a)的線圈層數(shù)多于線圈盤組件外緣區(qū)域(即支架外圈部區(qū)域b)的線圈層數(shù)，根據(jù)物理學(xué)磁場(chǎng)定律，B＝uN×I/Le(N為勵(lì)磁線圈的匝數(shù)；I為勵(lì)磁電流(測(cè)量值)，單位為A；Le為測(cè)試樣品的有效磁路長(zhǎng)度，單位為m，u為鐵芯的磁導(dǎo)率)，線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度B與線圈的匝數(shù)N成正比關(guān)系，所以線圈盤支架中部區(qū)域?qū)⒛芗ぐl(fā)更強(qiáng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而形成“聚能芯”，提高了能效和加熱效果，從而大大提高烹飪效果和用戶體驗(yàn)。而且，由于所述線圈盤組件的底部形成有具有高度差的底面，這樣在應(yīng)用于電磁加熱廚具時(shí)，電磁加熱廚具的底座外殼與線圈盤組件的底部就會(huì)存在比較大的空氣立體空間，從而改善散熱效果。

本實(shí)用新型的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的具體實(shí)施方式部分予以詳細(xì)說明。

附圖說明

附圖是用來提供對(duì)本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實(shí)施方式一起用于解釋本實(shí)用新型，但并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制。在附圖中：

圖1是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式提供的線圈盤組件的剖視圖。

圖2是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式提供的電磁加熱廚具的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖3是圖1所示的線圈盤組件的另一方向的示意圖(俯視)。

附圖標(biāo)記說明

10：線圈盤支架； 11：支架內(nèi)圈部；

12：支架外圈部； 20：線圈；

31：第一平面部； 32：斜面部；

33：第二平面部； 40：磁性材料；

50：引風(fēng)口； 100：底座外殼；

a：支架內(nèi)圈部區(qū)域； b：支架外圈部區(qū)域；

d：線圈盤支架的底面的最大高度差；

φl：支架內(nèi)圈部的外徑； φL：支架外圈部的外徑；

H：階梯臺(tái)階的高度； h：凹槽的槽寬。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實(shí)施方式僅用于說明和解釋本實(shí)用新型，并不用于限制本實(shí)用新型。

在本實(shí)用新型中，在未作相反說明的情況下，使用的方位詞如“上、下、左、右”通常是指參考附圖所示的上、下、左、右；“內(nèi)、外”是指相對(duì)于各部件本身的輪廓的內(nèi)、外。

基于現(xiàn)有技術(shù)中的線圈盤加熱組件的加熱效果及能效與線圈盤的散熱不能同時(shí)達(dá)到想要的效果(加熱效果及能效好的線圈盤，其線圈盤散熱比較差)的問題，本實(shí)用新型提供一種能夠解決上述技術(shù)問題的線圈盤組件及包括該線圈盤組件的電磁加熱廚具，下文將通過具體的實(shí)施方式并結(jié)合相應(yīng)的附圖對(duì)該線圈盤組件及電磁加熱廚具進(jìn)行詳細(xì)的描述。

根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式的一個(gè)方面，適當(dāng)?shù)貐⒖紙D1，本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式提供的線圈盤組件包括線圈盤支架10以及纏繞在線圈盤支架10上的線圈20，所述線圈盤支架10包括支架內(nèi)圈部11和與支架內(nèi)圈部11形成階梯臺(tái)階的支架外圈部12，所述支架內(nèi)圈部11能夠纏繞的線圈20的層數(shù)大于支架外圈部12能夠纏繞的線圈20的層數(shù)(即，該線圈盤組件內(nèi)厚外薄)，所述線圈盤組件的底部形成有具有高度差的底面。

根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式的另一個(gè)方面，如圖2所示，本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式提供的電磁加熱廚具包括上述線圈盤組件以及位于所述線圈盤組件下方并與線圈盤組件的底部具有間隙的底座外殼100。其中，所述電磁加熱廚具可以為電磁爐。當(dāng)然，所述電磁加熱廚具也可以為其他利用IH加熱技術(shù)的產(chǎn)品，例如，電飯煲等。

在本實(shí)用新型中，通過使支架內(nèi)圈部11與支架外圈部12形成階梯臺(tái)階，從而使線圈盤組件中部區(qū)域(即圖2和圖3中的支架內(nèi)圈部區(qū)域a)的線圈層數(shù)多于線圈盤外緣區(qū)域(即圖2和圖3中的支架外圈部區(qū)域b)的線圈層數(shù)，根據(jù)物理學(xué)磁場(chǎng)定律，B＝uN×I/Le(N為勵(lì)磁線圈的匝數(shù)；I為勵(lì)磁電流(測(cè)量值)，單位為A；Le為測(cè)試樣品的有效磁路長(zhǎng)度，單位為m，u為鐵芯的磁導(dǎo)率)，線圈的磁場(chǎng)強(qiáng)度B與線圈的匝數(shù)N成正比關(guān)系，所以線圈盤支架中部區(qū)域?qū)⒛芗ぐl(fā)更強(qiáng)的磁場(chǎng)強(qiáng)度，從而形成“聚能芯”，提高了能效和加熱效果，從而大大提高烹飪效果和用戶體驗(yàn)。而且，由于所述線圈盤組件的底部形成有具有高度差的底面，這樣在應(yīng)用于電磁加熱廚具時(shí)，電磁加熱廚具的底座外殼100與線圈盤組件的底部就會(huì)存在比較大的空氣立體空間，從而改善散熱效果。因此，本實(shí)用新型提供的線圈盤組件既能夠保證能效和加熱效果，同時(shí)又能夠提高散熱效果。

其中，所述線圈盤支架10中安裝有磁性材料40，對(duì)于“所述線圈盤組件的底部形成有具有高度差的底面”可以包括多種理解，例如，所述線圈盤組件的底部可以是磁性材料40的底部，這樣磁性材料40就具有高度差的底面，再比如所述線圈盤組件的底部也可以是線圈盤支架10的底部，這樣線圈盤支架10就具有高度差的底面，無論是哪個(gè)部件的底部只要能夠起到改善散熱效果的目的即可。在本實(shí)施方式中，所述線圈盤組件的底部也是線圈盤支架10的底部，具體的，如圖1所示，所述磁性材料40的上方纏繞線圈20，所述線圈盤支架10的底部形成有具有高度差的底面。

具體的，結(jié)合圖2所示，所述線圈盤支架10的底面包括第一平面部31以及與第一平面部31連接并與第一平面部31具有高度差的斜面部32。這里可以理解的是，第一平面部31可以位于線圈盤支架10的外側(cè)，而對(duì)應(yīng)地斜面部32位于線圈盤支架10的內(nèi)側(cè)。當(dāng)然，優(yōu)選地，正如圖2所示出的，第一平面部31位于線圈盤支架10的內(nèi)側(cè)，而對(duì)應(yīng)地斜面部32位于線圈盤支架10的外側(cè)。

進(jìn)一步地，所述線圈盤支架10的底面還可以包括第二平面部33，所述斜面部32位于第一平面部31與第二平面部33之間，所述第一平面部31的位置高度低于第二平面部33的位置高度，這樣在應(yīng)用于具體的產(chǎn)品(例如，電磁爐)時(shí)可以在線圈盤支架10的外側(cè)形成引風(fēng)口50，從而在產(chǎn)品散熱風(fēng)機(jī)的作用下，外部的冷空氣通過引風(fēng)口50很好的進(jìn)入線圈盤組件與產(chǎn)品的底座外殼100之間(也可以認(rèn)為在線圈盤組件與產(chǎn)品的底座外殼100之間形成了空氣立體空間)，將線圈盤組件中間區(qū)域的熱量很好的引導(dǎo)出來，線圈盤組件外緣空氣立體空間的形成，增大了整個(gè)線圈盤組件的進(jìn)氣量，加大了與線圈內(nèi)部厚區(qū)域的空氣熱交換作用，降低了線圈內(nèi)部區(qū)域由于增加線圈層數(shù)帶來的熱量增加，大大增加了線圈盤組件的散熱作用，提高了線圈盤組件的整體可靠性。

其中，為了進(jìn)一步提高散熱效果，所述第一平面部31對(duì)應(yīng)位于支架內(nèi)圈部11的下方，所述斜面部32至少部分地對(duì)應(yīng)位于支架外圈部12的下方。更進(jìn)一步地，所述斜面部32位于支架外圈部12的下方，所述第二平面部33部分地對(duì)應(yīng)位于支架外圈部12的下方。

另外，為了保證散熱效果，所述線圈盤組件的底面的最大高度差需要滿足一定的條件，也就是說，所述引風(fēng)口50或者空氣立體空間不能太小否者達(dá)不到想要的散熱效果，優(yōu)選地，所述線圈盤組件的底面的最大高度差大于等于0.78mm。同理，為了在保證散熱效果的基礎(chǔ)上，保證能效和加熱效果，所述支架內(nèi)圈部的外徑φl與支架外圈部的外徑φL也需要滿足一定的條件，優(yōu)選地，所述支架內(nèi)圈部的外徑φl與支架外圈部的外徑φL的比值大于等于0.28且小于等于0.75。更具體地，所述線圈盤支架10包括多個(gè)用于纏繞線圈20的凹槽，所述凹槽的槽寬h與線圈盤支架10的階梯臺(tái)階的高度H的比值小于等于0.96。

本實(shí)用新型提供的線圈盤組件在提高能效，增加加熱效果下，同時(shí)增大了線圈盤組件的散熱效果，整體提高了線圈盤組件加熱的可靠性和穩(wěn)定性，使產(chǎn)品有更好的用戶體驗(yàn)。

以上結(jié)合附圖詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，但是，本實(shí)用新型并不限于上述實(shí)施方式中的具體細(xì)節(jié)，在本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi)，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡(jiǎn)單變型，這些簡(jiǎn)單變型均屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。

另外需要說明的是，在上述具體實(shí)施方式中所描述的各個(gè)具體技術(shù)特征，在不矛盾的情況下，可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合。為了避免不必要的重復(fù)，本實(shí)用新型對(duì)各種可能的組合方式不再另行說明。

此外，本實(shí)用新型的各種不同的實(shí)施方式之間也可以進(jìn)行任意組合，只要其不違背本實(shí)用新型的思想，其同樣應(yīng)當(dāng)視為本實(shí)用新型所公開的內(nèi)容。