技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種基于碳化硅MOSFET和JFET的混合高壓器件，包括MOSFET、N個JFET、N個JFET驅(qū)動電路、混合高壓器件的源極、混合高壓器件的柵極以及混合高壓器件的漏極。本發(fā)明電路功率部分通過碳化硅器件串聯(lián)，并通過穩(wěn)壓管、二極管、電阻、電容等元件實現(xiàn)JFET驅(qū)動，最終的混合型高壓器件可實現(xiàn)至少6kV的高耐壓，相對其他高壓器件，本高壓器件成本低，可實現(xiàn)高頻率、高效率和高功率密度，適用中高壓電力電子變換器應(yīng)用領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員：倪喜軍;李先允;韓煥菊
受保護的技術(shù)使用者：南京工程學(xué)院
文檔號碼：201611029350
技術(shù)研發(fā)日：2016.11.14
技術(shù)公布日：2017.05.24