本揭示內(nèi)容是有關(guān)于一種頻率調(diào)諧技術(shù)，且特別是有關(guān)于頻率調(diào)諧裝置。

背景技術(shù)：

振蕩器(Oscillator)已被廣泛地使用于各種電子裝置中。舉例而言，振蕩器被應(yīng)用于記憶體裝置或數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，以提供具有預(yù)期頻率的時(shí)脈信號。然而，基于制程、電壓、及/或溫度(PVT)變異的原因，振蕩器可能具有非線性增益。如此，記憶體裝置的性能以及精確度將會(huì)降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施方式是關(guān)于一種頻率調(diào)諧裝置。頻率調(diào)諧裝置包含一振蕩器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振蕩器用以產(chǎn)生一振蕩信號。振蕩器包含一第一調(diào)諧組以及一第二調(diào)諧組。第一調(diào)諧組用以將振蕩信號的頻率調(diào)整于一第一頻帶內(nèi)。第二調(diào)諧組用以將振蕩信號的頻率調(diào)整于一第二頻帶內(nèi)。頻率偵測器用以依據(jù)至少一信號產(chǎn)生一控制信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。選擇電路用以依據(jù)控制信號啟動(dòng)第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組中的至少一者。

附圖說明

閱讀以下的詳細(xì)描述時(shí)搭配隨附的附圖，可對本揭示內(nèi)容達(dá)到最佳的理解。強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)產(chǎn)業(yè)多種類特征構(gòu)造標(biāo)準(zhǔn)實(shí)務(wù)可能并非依比例畫出，而僅為舉例目的之用。事實(shí)上，附圖中多種類特征構(gòu)造的尺寸可任意增加或減少以利討論的明確性。

圖1是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的一裝置的示意圖；

圖2是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖1的振蕩器的示意圖；

圖3是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖1的頻率偵測器以及圖1的選擇電路的電路圖；

圖4是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的校正一振蕩器的頻率的方法的流程圖；

圖5是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖2中開關(guān)電容電路的微調(diào)解析度與圖1中振蕩信號VO的頻率之間的關(guān)系；以及

圖6是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖2中振蕩器的電容的形成示意圖。

具體實(shí)施方式

以下揭示內(nèi)容提供許多不同實(shí)施例，例如實(shí)施所揭露專利標(biāo)的不同特征構(gòu)造。元件與排列的特定范例如下所敘述以簡化本揭示內(nèi)容，并且僅為舉例說明并非用以限定本揭示內(nèi)容。舉例而言，后段敘述中形成第一特征于第二特征上可能包含第一特征與第二特征是以直接接觸方式形成的實(shí)施例，也可能包含其他特征形成于第一第二特征間，以使第一及第二特征可能不是直接接觸的實(shí)施例。另外，本揭示內(nèi)容可重復(fù)參考標(biāo)號及/或文字于不同的例子中。這種重復(fù)是為了簡化及清楚的目的且并非限定所討論的不同實(shí)施例及/或配置之間的關(guān)系。

在全篇說明書所使用的用詞(terms)，通常具有每個(gè)用詞使用在此領(lǐng)域中以及在此揭示內(nèi)容中平常意義。此說明書中使用的例子，包含于此所討論的任何用詞的例子，僅用以示例，且非用以限制任何舉例的用詞的范圍以及意義。同樣地，本揭示并不限制于本說明書中的各種例子。

雖然本文中所使用的“第一”、“第二”、“第三”…等可用以描述不同的元件，這些元件并非受限于這些用詞。這些用詞用以區(qū)別不同的元件。舉例而言，在不違背實(shí)施例的范圍的情況下，第一元件可被命名為第二元件，且相似地，第二元件可被命名為第一元件。如于此所討論的，用詞“及/或”包含一或多個(gè)被列舉的物件的任何以及所有的組合。

請參考圖1。圖1是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的一裝置100的示意圖。在一些實(shí)施例中，裝置100被應(yīng)用于一全數(shù)字鎖相環(huán)(all-digital phase locked loop；ADPLL)系統(tǒng)。在一些實(shí)施例中，裝置100用以運(yùn)作為一數(shù)字受控振蕩器。

以圖1示例而言，裝置100包含振蕩器120、頻率偵測器140、以及選擇電路160。振蕩器120用以受選擇電路160所控制，以產(chǎn)生振蕩信號VO。在一些實(shí)施例中，振蕩器120包含調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124。調(diào)諧組122用以將振蕩信號VO的頻率調(diào)整于第一頻帶內(nèi)。調(diào)諧組124用以將振蕩信號VO的頻率調(diào)整于第二頻帶內(nèi)。在一些實(shí)施例中，第二頻帶高于第一頻帶。等效而言，振蕩信號VO的頻率范圍被調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124所劃分。在一些實(shí)施例中，第一頻帶的頻率范圍部分重疊于第二頻帶的頻率范圍。舉例而言，第一頻帶的范圍約介于9～17吉赫(GHz)，第二頻帶的范圍約介于16～19吉赫。兩者之間重疊的頻率范圍約為1吉赫。

第一頻帶范圍、第二頻帶范圍、以及重疊頻率范圍的安排以及值僅用以示例的目的。第一頻帶范圍、第二頻帶范圍、以及重疊頻率范圍的各種安排以及值皆在本揭示內(nèi)容的考量范圍內(nèi)。

頻率偵測器140用以偵測至少一信號F1，且對應(yīng)地產(chǎn)生控制信號VC。在不同的實(shí)施例中，該至少一信號F1包含多個(gè)信號，這些信號足以代表振蕩信號VO的頻率。在一些實(shí)施例中，該至少一信號F1包含在ADPLL系統(tǒng)中的頻率控制字元，其用以校正振蕩信號VO的頻率。在一些進(jìn)一步的實(shí)施例中，頻率控制字元包含用以校正制程、電壓以及溫度(PVT)變異的控制碼、用以選擇振蕩信號VO的頻率的控制碼、用以粗調(diào)的控制碼、及/或用以細(xì)調(diào)的控制碼。在一些實(shí)施例中，該至少一信號F1包含輸出自ADPLL系統(tǒng)中一參考累積器及/或一變動(dòng)累積器的數(shù)據(jù)。在一些其他的實(shí)施例中，該至少一信號F1包含輸出自一時(shí)間數(shù)字轉(zhuǎn)換器(time-to-digital converter；TDC)的數(shù)據(jù)。在一些實(shí)施例中，該至少一信號F1包含輸出自一監(jiān)控電路的信號，監(jiān)控電路用以偵測振蕩信號VO的頻率。在一些取代的實(shí)施例中，信號F1包含來自一類比PPL系統(tǒng)的一控制電壓。

信號F1的安排僅用以示例的目的。信號F1能夠代表振蕩信號VO的頻率，信號F1的各種安排皆在本揭示內(nèi)容的考量范圍內(nèi)。

選擇電路160耦接于頻率偵測器140與振蕩器120之間。在一些實(shí)施例中，選擇電路160用以依據(jù)控制信號VC輸出選擇信號VS1以及選擇信號VS2，以啟動(dòng)調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124的其中一者。在一些實(shí)施例中，選擇信號VS1以及選擇信號VS2為多位信號。在一些實(shí)施例中，多位信號為二進(jìn)制碼(binary code)的型式。在一些其他的實(shí)施例中，多位信號為溫度計(jì)碼(thermometer code)的型式。在這些安排下，振蕩信號VO的頻率能夠自動(dòng)地被調(diào)整。在一些實(shí)施例中，選擇信號VS1～VS2是通過控制信號VC與信號F1的邏輯運(yùn)算或者算術(shù)運(yùn)算而產(chǎn)生。在一些實(shí)施例中，選擇信號VS1～VS2是通過控制信號VC與信號F1的不同位的邏輯運(yùn)算或者算術(shù)運(yùn)算而產(chǎn)生。

請參考圖2。圖2是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖1的振蕩器120的示意圖。為便于了解，圖2中與圖1中相似的元件以相同元件符號標(biāo)示。

在一些實(shí)施例中，振蕩器120包含電感電容振蕩器(LC-based oscillator)。以圖2示例而言，相較于圖1，振蕩器120還包含電感L1～L2以及形成交錯(cuò)耦接對的開關(guān)M1～M2。電感L1耦接于電壓源與節(jié)點(diǎn)O+之間。電壓源用以提供電壓VDD。電感L2耦接于電壓源與節(jié)點(diǎn)O-之間。開關(guān)M1耦接于節(jié)點(diǎn)O+與地端之間。開關(guān)M1的控制端耦接節(jié)點(diǎn)O-。開關(guān)M2耦接于節(jié)點(diǎn)O-與地端之間。開關(guān)M2的控制端耦接于節(jié)點(diǎn)O+。調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124耦接于節(jié)點(diǎn)O+以及節(jié)點(diǎn)O-之間。在一些實(shí)施例中，電感L1的電感值與電感L2的電感值相同。

在一些實(shí)施例中，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124的各者包含開關(guān)電容電路SC1～SCN。為了簡化，圖2只繪示了調(diào)諧組122中開關(guān)電容電路SC1的電路圖。調(diào)諧組122中開關(guān)電容電路SC2～SCN的電路架構(gòu)以及調(diào)諧組124中開關(guān)電容電路SC1～SCN的電路架構(gòu)相同于調(diào)諧組122中開關(guān)電容電路SC1的電路架構(gòu)。在一些實(shí)施例中，開關(guān)電容電路SC1包含開關(guān)M3～M5以及電容C1～C2。在一些實(shí)施例中，電容C1的電容值與電容C2的電容值相同。

電容C1的第一端耦接節(jié)點(diǎn)O+，電容C1的第二端耦接開關(guān)M3的第一端。電容C2的第一端耦接開關(guān)M3的第二端，電容C2的第二端耦接節(jié)點(diǎn)O-。開關(guān)M4耦接于電容C1的第二端與地端之間。開關(guān)M5耦接于第二電容的第一端與地端之間。調(diào)諧組122中開關(guān)電容電路SC1～SCN的開關(guān)M3～M5用以依據(jù)選擇信號VS1導(dǎo)通。調(diào)諧組124中開關(guān)電容電路SC1～SCN的開關(guān)M3～M5用以依據(jù)選擇信號VS2導(dǎo)通。當(dāng)開關(guān)M3導(dǎo)通，電容C1連接至電容C2。當(dāng)開關(guān)M4導(dǎo)通，電容C1的第二端連接至地端。當(dāng)開關(guān)M5導(dǎo)通，電容C2的第一端連接至地端。

在一些實(shí)施例中，為了在節(jié)點(diǎn)O+與節(jié)點(diǎn)O-之間產(chǎn)生振蕩信號VO，電感L1與耦接至電感L1的等效電容CSW1間發(fā)生共振，電感L2與耦接至電感L2的等效電容CSW2間發(fā)生共振。在一些實(shí)施例中，等效電容CSW1以及等效電容CSW2是依據(jù)開關(guān)電容電路SC1～SCN的運(yùn)作狀態(tài)決定。對應(yīng)地，隨著開關(guān)電容電路SC1～SCN的不同運(yùn)作狀態(tài)，開關(guān)電容電路SC1～SCN的每一者能夠提供振蕩信號VO的一特定范圍的頻率。以不同的方式解釋，振蕩器120的增益能夠通過導(dǎo)通或截止開關(guān)電容電路SC1～SCN而被調(diào)整。

在一些實(shí)施例中，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124被應(yīng)用在振蕩器120的微調(diào)中。示例而言，開關(guān)電容電路SC1～SCN以對稱的架構(gòu)形成。等效電容CSW1的電容值大致與等效電容CSW2的電容值相同。因此，為了簡化，以下敘述將以等效電容CSW1為例進(jìn)行說明。

如上所述，振蕩信號VO的頻率依據(jù)發(fā)生在開關(guān)電容電路SC1～SCN中的共振而調(diào)整。開關(guān)電容電路SC1的解析度△f_FINE用以微調(diào)振蕩器120的增益，△f_FINE能夠以以下公式(1)表達(dá)：

L是電感L1～L2的電感值，C_par是開關(guān)電容電路SC1的寄生電容，C_SW是等效電容CSW1以及等效電容CSW2的其中一者，且△C_FINE是開關(guān)電容電路SC1的電容的單位變異。

當(dāng)開關(guān)電容電路SC1的開關(guān)M3～M5被導(dǎo)通，C_SW對應(yīng)的電容值以下將被標(biāo)記為C_{SW_ON}。取而代之地，當(dāng)開關(guān)電容電路SC1的開關(guān)M3～M5被截止，C_SW對應(yīng)的電容值以下將被標(biāo)記為C_{SW_OFF}。在一些實(shí)施例中，當(dāng)C_SW的電容值甚大于C_par的電容值，公式(1)能夠簡化成以下的公式(2)：

△f_{FINE_Min}是開關(guān)電容電路SC1的最小解析度，且△f_{FINE_Max}是開關(guān)電容電路SC1的最大解析度。

如此，若C_SW的值甚大于寄生電容C_par，△f_{FINE_Max}與△f_{FINE_Min}之間的關(guān)系能夠從以下公式(3)得到：

如上所述，當(dāng)開關(guān)電容電路SC1～SCN其中一者的開關(guān)M1～M3導(dǎo)通，該開關(guān)電容電路SC1～SCN具有電容C_{SW_ON}。當(dāng)開關(guān)電容電路SC1～SCN其中一者的開關(guān)M1～M3截止，該開關(guān)電容電路SC1～SCN具有電容C_{SW_OFF}。通過利用公式(3)，在不同的實(shí)施例中，第一頻帶以及第二頻帶能夠依據(jù)C_{SW_ON}與C_{SW_OFF}之間比例的約兩倍而決定。

示例而言，請繼續(xù)參考圖2，當(dāng)開關(guān)M3～M5截止時(shí)，等效電容CSW1(也就是電容C_{SW_OFF})實(shí)質(zhì)上由耦接至電容C1的第二端的寄生電容(圖未示)以及開關(guān)M3的柵極-源極電容形成。當(dāng)開關(guān)M3～M5導(dǎo)通時(shí)，電容C1的第二端透過開關(guān)M4耦接至地端。如此，當(dāng)開關(guān)M3～M5導(dǎo)通時(shí)，等效電容CSW1(也就是電容C_{SW_ON})實(shí)質(zhì)上由電容C1形成。如此，通過選擇開關(guān)M3～M5以及電容C1的尺寸，電容C_{SW_ON}與電容C_{SW_OFF}之間的比例就能夠被決定。等效而言，第一頻帶與第二頻帶能夠被線性地決定。舉例而言，當(dāng)電容C_{SW_ON}與電容C_{SW_OFF}之間的比例被設(shè)定約為1時(shí)，由公式(3)得到的值約為2。相應(yīng)地，第二頻帶的解析度被設(shè)計(jì)在例如約4～8百萬赫茲(million Hertz；MHZ)的范圍內(nèi)。微調(diào)解析度以及頻帶的值僅用以示例的目的。微調(diào)解析度以及頻帶的各種值皆在本揭示內(nèi)容的考量范圍內(nèi)。

在一些作法中，振蕩器的增益為非線性。換句話說，這些作法中的振蕩器的增益納入了二次方程式的計(jì)算，這需要復(fù)雜的分析。相較于前述的作法，通過利用上述的公式(3)，第一頻帶與第二頻帶能夠更有效率地被設(shè)定。

請參考圖3。圖3是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖1的頻率偵測器140以及圖1的選擇電路160的電路圖。為便于了解，圖3中與圖2以及圖1中相似的元件以相同元件符號標(biāo)示。

以圖3示例而言，在一些實(shí)施例中，頻率偵測器140包含比較器142。比較器142用以比較該至少一信號F1與臨限頻率FTH，以產(chǎn)生控制信號VC。在一些實(shí)施例中，臨限頻率FTH是第一頻帶與第二頻帶之間的界線，例如，如以下圖5所繪示。

在一些實(shí)施例中，選擇電路160包含正反器(flip-flop)162與164、或門(OR)166以及與非門(NAND)168?；蜷T166具有一反相輸入端。正反器162用以依據(jù)參考頻率FREF以及信號F1輸出偵測信號VD1，例如包含微調(diào)信號。在一些實(shí)施例中，偵測信號VD1是多位信號。正反器164用以依據(jù)參考頻率FREF以及控制信號VC輸出偵測信號VD2?；蜷T166的反相輸入端用以接收偵測信號VD1，或門166的另一個(gè)輸入端用以接收偵測信號VD2，或門166的輸出端用以輸出選擇信號VS2。與非門168用以依據(jù)偵測信號VD1以及偵測信號VD2輸出選擇信號VS1。通過這種安排，當(dāng)振蕩信號VO的頻率被期望超過臨限頻率FTH時(shí)，調(diào)諧組124能夠被選擇信號VS2啟動(dòng)。如此，振蕩信號VO的頻率能夠被線性地調(diào)整于較高的頻率范圍內(nèi)。

頻率偵測器140以及選擇電路160的安排以及實(shí)現(xiàn)僅用以示例的目的。頻率偵測器140以及選擇電路160的各種安排以及實(shí)現(xiàn)皆在本揭示內(nèi)容的考量范圍內(nèi)。

圖4是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的校正一振蕩器的頻率的方法400的流程圖。為易于了解的目的，現(xiàn)在請參考圖1～圖4，方法400的操作將搭配圖1的裝置100描述。在一些實(shí)施例中，方法400包含操作S410～S460。

在操作S410，比較器142比較信號F1的頻率與臨限頻率FTH，以輸出控制信號VC。在操作S420，正反器162依據(jù)參考頻率FREF以及信號F1輸出偵測信號VD1。在操作S430，正反器164依據(jù)控制信號VC以及參考頻率FREF輸出偵測信號VD2。

圖5是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖2中開關(guān)電容電路SC1～SCN的微調(diào)解析度與圖1中振蕩信號VO的頻率之間的關(guān)系。

舉例而言，如圖5的一些實(shí)施例示例而言，第一頻帶位于頻率f1至臨限頻率FTH的范圍內(nèi)，第二頻帶位于臨限頻率FTH至頻率f2的范圍內(nèi)。當(dāng)信號F1的頻率低于臨限頻率FTH時(shí)，比較器142輸出具有邏輯值0的控制信號VC。在這種條件下，正反器162輸出具有邏輯值1的偵測信號VD1，且正反器164輸出具有邏輯值0的偵測信號VD2。取而代之地，當(dāng)信號F1的頻率高于臨限頻率FTH時(shí)，比較器142輸出具有邏輯值1的控制信號VC。在這種條件下，正反器162輸出具有邏輯值0的偵測信號VD1，正反器164輸出具有邏輯值1的偵測信號VD2。

請繼續(xù)參考圖4，在操作S440，或門166依據(jù)偵測信號VD1～VD2輸出選擇信號VS2。在操作S450，與非門168依據(jù)偵測信號VD1～VD2輸出選擇信號VS1。

舉例而言，如上所述，當(dāng)信號F1的頻率低于臨限頻率FTH時(shí)，也就是說，振蕩信號VO的頻率目前位于第一頻帶內(nèi)，偵測信號VD2具有邏輯值0。對應(yīng)地，與非門168輸出具有邏輯值1的選擇信號VS1，或門166輸出具有邏輯值0的選擇信號VS2。取而代之地，當(dāng)信號F1的頻率高于臨限頻率FTH時(shí)，也就是說，振蕩信號VO的頻率目前位于第二頻帶內(nèi)，偵測信號VD2具有邏輯值1。對應(yīng)地，與非門168輸出具有邏輯值0的選擇信號VS1，或門166輸出具有邏輯值1的選擇信號VS2。

請繼續(xù)參考圖4。在操作S460，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124的其中一者被啟動(dòng)以調(diào)整振蕩信號VO的頻率。

舉例而言，如上所述，當(dāng)振蕩信號VO的頻率目前位于第一頻帶內(nèi)，選擇信號VS1具有邏輯值1且選擇信號VS2具有邏輯值0。相應(yīng)地，調(diào)諧組122的開關(guān)電容電路SC1～SCN被選擇以調(diào)整振蕩信號VO的頻率。取而代之地，當(dāng)振蕩信號VO的頻率目前位于第二頻帶內(nèi)，選擇信號VS1具有邏輯值0且選擇信號VS2具有邏輯值1。相應(yīng)地，調(diào)諧組124的開關(guān)電容電路SC1～SCN被選擇以調(diào)整振蕩信號VO的頻率。

上述敘述中的方法400包含示例性的操作，但這些操作不必依上述順序被執(zhí)行。按照本揭示內(nèi)容的精神與范圍，本揭示內(nèi)容的方法400中的操作的順序能夠被改變，或者這些操作能夠視情況地同時(shí)或部分同時(shí)被執(zhí)行。舉例而言，在一些其他的實(shí)施例中，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124同時(shí)導(dǎo)通，以進(jìn)一步延展振蕩信號VO的頻率調(diào)整范圍。

在一些方式中，如圖5所繪示的曲線501，振蕩器在微調(diào)解析度中具有非線性特性。相較于這種方式，如圖5所繪示的曲線502～503，振蕩信號VO的頻率范圍落于第一頻帶以及第二頻帶的其中一者內(nèi)。曲線502對應(yīng)于第一頻帶，曲線503對應(yīng)于第二頻帶。等效而言，圖1的振蕩器120被第一頻帶以及第二頻帶的安排所補(bǔ)償。如此，振蕩器120的線性度被改善。

請參考圖6。圖6是依據(jù)本揭示內(nèi)容的一些實(shí)施例所繪示的圖2中振蕩器120的電容C1～C2的形成的示意圖。為便于了解，圖6中與圖2中相似的元件以相同元件符號標(biāo)示。

在一些實(shí)施例中，以圖6示例而言，在圖2的調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124的任一者的開關(guān)電容電路SC1～SCN中的電容C1～C2是以多指(multi-finger)結(jié)構(gòu)形成。舉例而言，在一些實(shí)施例中，電容C1～C2是以金屬-絕緣體-金屬(metal-insulator-metal；MIM)電容形成。在一些實(shí)施例中，電容C1～C2是以金屬-氧化物-金屬(metal-oxide-metal；MOM)電容形成。

進(jìn)一步而言，在一些實(shí)施例中，以圖6示例而言，調(diào)諧組124的電容C1～C2形成在調(diào)諧組122的電容C1～C2上。舉例而言，調(diào)諧組124的電容C1～C2利用金屬層601形成多指結(jié)構(gòu)，且調(diào)諧組122的電容C1～C2利用金屬層602形成多指結(jié)構(gòu)。利用金屬層601所形成的多指結(jié)構(gòu)形成且堆疊在利用金屬層602所形成的多指結(jié)構(gòu)上。通過堆疊電容C1～C2，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124的尺寸得以被減小。在一些其他的實(shí)施例中，調(diào)諧組122的電容C1～C2形成在調(diào)諧組124的電容C1～C2上。

電容C1～C2的安排以及實(shí)現(xiàn)僅用以示例的目的。電容C1～C2的各種安排以及實(shí)現(xiàn)皆在本揭示內(nèi)容的考量范圍內(nèi)。舉例而言，在一些其他的實(shí)施例中，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124的電容C1～C2是以水平分布的多指電容形成。

為易于了解，上述實(shí)施例是搭配兩個(gè)調(diào)諧組122以及124進(jìn)行描述。在不同的實(shí)施例，不同數(shù)量的調(diào)諧組能夠被應(yīng)用至圖1的裝置100，例如包含任何多于2或等于2的整數(shù)。舉例而言，在一些其他的實(shí)施例中，圖2的振蕩器120包含3個(gè)調(diào)諧組，以調(diào)整振蕩信號的頻率。相應(yīng)地，3個(gè)調(diào)諧組能夠以圖6的多指結(jié)構(gòu)且彼此堆疊而形成。另外，在上述的示例中，調(diào)諧組122以及調(diào)諧組124能夠應(yīng)用至ADPLL系統(tǒng)中的PVT調(diào)諧組、帶調(diào)諧組(band tuning banks)、粗調(diào)調(diào)諧組、及/或細(xì)調(diào)調(diào)諧組。

在本文中所使用的用詞“耦接”亦可指“電性耦接”，且用詞“連接”亦可指“電性連接”?！榜罱印奔啊斑B接”亦可指二個(gè)或多個(gè)元件相互配合或相互互動(dòng)。

在一些實(shí)施例中，一種頻率調(diào)諧裝置被揭示。頻率調(diào)諧裝置包含一振蕩器、一頻率偵測器以及一選擇電路。振蕩器用以產(chǎn)生一振蕩信號。振蕩器包含一第一調(diào)諧組以及一第二調(diào)諧組。第一調(diào)諧組用以將振蕩信號的頻率調(diào)整于一第一頻帶內(nèi)。第二調(diào)諧組用以將振蕩信號的頻率調(diào)整于一第二頻帶內(nèi)。頻率偵測器用以依據(jù)至少一信號產(chǎn)生一控制信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。選擇電路用以依據(jù)控制信號啟動(dòng)第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組中的至少一者。

在一些實(shí)施例中，第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的每一者包含一開關(guān)電容電路。開關(guān)電容電路用以于開關(guān)電容電路導(dǎo)通時(shí)具有一第一電容。開關(guān)電容電路用以于開關(guān)電容電路截止時(shí)具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據(jù)第一頻帶與第二頻帶間比例的兩倍所決定。

在一些實(shí)施例中，開關(guān)電容電路包含至少一電容性單元。第二調(diào)諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊于第一調(diào)諧組的該至少一電容性單元上。

在一些實(shí)施例中，該至少一電容性單元是以一多指結(jié)構(gòu)形成。

在一些實(shí)施例中，第一頻帶的一頻率范圍部分重疊于第二頻帶的一頻率范圍。

在一些實(shí)施例中，振蕩器還包含一第一電感性單元、一第二電感性單元以及一開關(guān)單元的交錯(cuò)耦接對。第一電感性單元耦接一第一節(jié)點(diǎn)。第二電感性單元耦接一第二節(jié)點(diǎn)。交錯(cuò)耦接對耦接第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)。第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組耦接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間。

在一些實(shí)施例中，第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的每一者包含多個(gè)開關(guān)電容電路。開關(guān)電容電路耦接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間。這些開關(guān)電容電路中的一第一開關(guān)電容電路包含一第一電容性單元、一第二電容性單元、一第一開關(guān)單元、一第二開關(guān)單元以及一第三開關(guān)單元。第一電容性單元耦接第一節(jié)點(diǎn)。第二電容性單元耦接第二節(jié)點(diǎn)。第一開關(guān)單元用以依據(jù)一選擇信號導(dǎo)通，以連接第一電容性單元與第二電容性單元。第二開關(guān)單元用以依據(jù)選擇信號導(dǎo)通，以將第一電容性單元連接至地端。第三開關(guān)單元用以依據(jù)選擇信號導(dǎo)通，以將第二電容性單元連接至地端。

在一些實(shí)施例中，選擇電路用以依據(jù)控制信號以及該至少一信號產(chǎn)生選擇信號，以啟動(dòng)第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的至少一者。

在一些實(shí)施例中，頻率偵測器包含一比較器以及多個(gè)數(shù)字電路。比較器用以比較該至少一信號與一參考頻率，以產(chǎn)生控制信號。數(shù)字電路用以依據(jù)參考頻率、控制信號以及該至少一信號產(chǎn)生選擇信號。

一種頻率調(diào)諧方法亦被揭示。頻率調(diào)諧方法包含以下操作。至少一信號被一頻率偵測器偵測以產(chǎn)生一控制信號，該至少一信號代表一振蕩信號的頻率。一第一調(diào)諧組以及一第二調(diào)諧組的其中一者被一選擇電路依據(jù)控制信號啟動(dòng)，以調(diào)整振蕩信號的頻率。第一調(diào)諧組對應(yīng)于一第一頻帶，第二調(diào)諧組對應(yīng)一第二頻帶，且振蕩信號用以落于第一頻帶以及第二頻帶中的其中一者內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，一選擇信號被選擇電路依控制信號、一參考頻率以及該至少一信號所產(chǎn)生，以啟動(dòng)第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的其中一者。

在一些實(shí)施例中，該至少一信號與一臨限頻率被一比較器比較，以產(chǎn)生控制信號。臨限頻率是第一頻帶與第二頻帶之間的界線。

在一些實(shí)施例中，當(dāng)該至少一信號的頻率高于第一頻帶時(shí)，第二調(diào)諧組被啟動(dòng)。當(dāng)該至少一信號的頻率低于第一頻帶時(shí)，第二調(diào)諧組被啟動(dòng)。

在一些實(shí)施例中，第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的每一者包含一開關(guān)電容電路。頻率調(diào)諧方法還包含以下操作。依據(jù)一第一電容與一第二電容之間比例的兩倍決定第一頻帶以及第二頻帶。開關(guān)電容電路用以于開關(guān)電容電路導(dǎo)通時(shí)具有第一電容。開關(guān)電容電路用以于開關(guān)電容電路截止時(shí)具有第二電容。

一種頻率調(diào)諧裝置亦被揭示。頻率調(diào)諧裝置包含一選擇電路、一第一調(diào)諧組以及一第二調(diào)諧組。選擇電路用以依據(jù)至少一信號產(chǎn)生一第一選擇信號以及一第二選擇信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。第一調(diào)諧組用以依據(jù)第一選擇信號產(chǎn)生位于一第一頻帶內(nèi)的振蕩信號。第二調(diào)諧組用以依據(jù)第二選擇信號產(chǎn)生位于一第二頻帶內(nèi)的振蕩信號。振蕩信號的頻率依據(jù)該至少一信號而落于第一頻帶以及第二頻帶中的其中一者內(nèi)。

在一些實(shí)施例中，第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的每一者包含一開關(guān)電容電路。開關(guān)電容電路用以于開關(guān)電容電路導(dǎo)通時(shí)具有一第一電容。開關(guān)電容電路用以于開關(guān)電容電路截止時(shí)具有一第二電容。第一頻帶以及第二頻帶是依據(jù)第一頻帶與第二頻帶間比例的兩倍所決定。

在一些實(shí)施例中，開關(guān)電容電路包含至少一電容性單元。第二調(diào)諧組的該至少一電容性單元形成且堆疊于第一調(diào)諧組的該至少一電容性單元上。

在一些實(shí)施例中，頻率調(diào)諧裝置還包含一頻率偵測器。頻率偵測器用以依據(jù)該至少一信號產(chǎn)生一控制信號。該至少一信號代表振蕩信號的頻率。選擇電路用以依據(jù)控制信號產(chǎn)生第一選擇信號以及第二選擇信號。

在一些實(shí)施例中，頻率調(diào)諧裝置還包含一第一電感性單元、一第二電感性單元以及一開關(guān)單元的交錯(cuò)耦接對。第一電感性單元耦接一第一節(jié)點(diǎn)。第二電感性單元耦接一第二節(jié)點(diǎn)。交錯(cuò)耦接對耦接第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)。第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組耦接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間。

在一些實(shí)施例中，第一調(diào)諧組以及第二調(diào)諧組的每一者包含多個(gè)開關(guān)電容電路。開關(guān)電容電路耦接于第一節(jié)點(diǎn)與第二節(jié)點(diǎn)之間。這些開關(guān)電容電路中的一第一開關(guān)電容電路包含一第一電容性單元、一第二電容性單元、一第一開關(guān)單元、一第二開關(guān)單元以及一第三開關(guān)單元。第一電容性單元耦接第一節(jié)點(diǎn)。第二電容性單元耦接第二節(jié)點(diǎn)。第一開關(guān)單元用以依據(jù)一第一選擇信號導(dǎo)通，以連接第一電容性單元與第二電容性單元。第二開關(guān)單元用以依據(jù)第一選擇信號導(dǎo)通，以將第一電容性單元連接至地端。第三開關(guān)單元用以依據(jù)第一選擇信號導(dǎo)通，以將第二電容性單元連接至地端。

技術(shù)領(lǐng)域通常知識(shí)者可以容易理解到揭露的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)一或多個(gè)前述舉例的優(yōu)點(diǎn)。閱讀前述說明書之后，技術(shù)領(lǐng)域通常知識(shí)者將有能力對如同此處揭露內(nèi)容作多種類的更動(dòng)、置換、等效物以及多種其他實(shí)施例。因此本揭示內(nèi)容的保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求書所界定的范圍與其均等范圍為準(zhǔn)。