專(zhuān)利名稱(chēng)：石英晶體諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于石英晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，具體地講涉及一種小型化的石英晶體諧振器。
背景技術(shù)：
石英晶體諧振器工作原理是利用石英晶體的逆壓電效應(yīng)制成的一種諧振器件。石英晶體元件具有高精密、高穩(wěn)定性的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于需要穩(wěn)頻和選頻的各類(lèi)設(shè)備、儀器、電子產(chǎn)品中，為當(dāng)今電子產(chǎn)品中不可缺少的關(guān)鍵元件。目前石英晶體諧振器的類(lèi)型主要有引線型晶體諧振器，引線型晶體諧振器也稱(chēng)為49s型石英晶體諧振器，它的工藝穩(wěn)定、價(jià)格低，現(xiàn)有石英晶體諧振器結(jié)構(gòu)如下:包括基板，基板與絕緣子、引線構(gòu)成基座，引線的釘頭上連接用于支撐石英晶片的支架片，其中基板的長(zhǎng)度為10.7mm,寬度為4.32mm,高度為1.5mm,支架片放置石英晶片部位的長(zhǎng)度為8.1mm,相應(yīng)的石英晶片長(zhǎng)度為8mm。為了降低成本，實(shí)現(xiàn)小型化設(shè)計(jì)，目前石英晶體諧振器在整體結(jié)構(gòu)上做了調(diào)整，其中基板的長(zhǎng)度為10.7_，寬度為4.32_，高度為0.7-1.5_，支架片放置石英晶片部位的長(zhǎng)度為6.6mm,相應(yīng)的石英晶片長(zhǎng)度為6.5mm。
·[0005]以上可以看出石英晶片長(zhǎng)度為8mm和6.5mm的晶體使用的基板長(zhǎng)度都為10.7mm,也就是為降低成本等石英晶片長(zhǎng)度減少后基板長(zhǎng)度沒(méi)有相應(yīng)減少，從而造成了基板原料的浪費(fèi)；另一方面在石英諧振器基座的支架片加工焊接過(guò)程中，為了方便焊接，使用的框架帶寬度為14mm,采用小型化設(shè)計(jì)后,其石英晶片長(zhǎng)度由8.1mm改為6.5mm,但框架帶的整體寬度仍為14_，從而造成了框架帶原料的浪費(fèi)，相應(yīng)的外殼和墊片也產(chǎn)生了浪費(fèi)。另外，現(xiàn)在也有微型化的引線型石英晶體諧振器，主要針對(duì)對(duì)體積有特別要求的場(chǎng)所，如手機(jī)等產(chǎn)品，其基板長(zhǎng)度在8mm以下，由于體積太小生產(chǎn)工藝不穩(wěn)定，不良率高，成本也居高不下。

實(shí)用新型內(nèi)容為解決現(xiàn)有石英晶體諧振器成本高及原料加工浪費(fèi)的問(wèn)題，提出一種新型石英晶體諧振器，其采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):一種石英晶體諧振器，包括:由基板、兩絕緣子與引線組成的基座，焊接在引線釘頭上的兩支架片，以及位于支架片上的石英晶片，所述基板的長(zhǎng)度為8.lmm-10.2mm。進(jìn)一步地，為了盡量減少基本的長(zhǎng)度與寬度，所述基板呈長(zhǎng)方形。進(jìn)一步地,所述基板的寬度為3mm-5mm。 進(jìn)一步地，所述基板的高度為0.5mm-2mm ,所述兩支架片外端距離為
5.5mm-8.1mm,所述兩絕緣子中心間距為所述石英晶片長(zhǎng)度為5mm_7.6mm,寬度
1.0mm-2.5mm。進(jìn)一步地，為了提高石英晶體諧振器的穩(wěn)定性，所述基板底部焊接有諧振器接地引線。為了方便制成表面貼裝型石英晶體諧振器，還包括一絕緣墊片，該絕緣墊片位于所述基板的底部，其上設(shè)有兩透孔，所述引線通過(guò)對(duì)應(yīng)的透孔伸出，并分別折向外側(cè)。進(jìn)一步地，所述絕緣墊片上還開(kāi)有第三透孔，所述諧振器接地引線伸出所述透孔，并折向外側(cè)。為了在抗跌落試驗(yàn)中減少對(duì)石英晶體的沖擊，所述支架片與基板之間的夾角成5 10°。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果如下:本實(shí)用新型通過(guò)合理縮減基板的長(zhǎng)度，保證與現(xiàn)有的長(zhǎng)度6.5mm的石英晶片使用匹配，從而在保留既有的生產(chǎn)加工工藝的前提下，將石英晶體諧振器盡量小型化，一方面方便加工，另一方面減小了產(chǎn)品體積，可節(jié)省原材料10%以上。另外，本實(shí)用新型將基座制成長(zhǎng)方形，增加了支架片邊緣與外殼之間的間隙，因此在保證不影響產(chǎn)品性能的前提下，可進(jìn)一步減少基板的長(zhǎng)度和寬度，從而進(jìn)一步節(jié)省原材料。結(jié)合附圖閱讀本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
后，本實(shí)用新型的其他特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為實(shí)施例一結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實(shí)施例一基板俯視圖；圖3為實(shí)施例二基板俯視圖；圖4為實(shí)施例三結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為實(shí)施例四結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為實(shí)施例四中絕緣墊俯視圖；圖7為實(shí)施例五中絕緣墊俯視圖；圖8為實(shí)施例六中絕緣墊俯視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)施例石英晶體諧振器予以詳細(xì)介紹。實(shí)施例一，參考圖1及圖2，圖1為本實(shí)施例石英晶體諧振器縱向剖視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)施例基板俯視圖。如上各圖所示:本實(shí)施例石英晶體諧振器，包括外殼5、基板1、絕緣子2、引線3、支架片4與石英晶體6。所述基板I與絕緣子2、引線3經(jīng)過(guò)燒結(jié)構(gòu)成基座，所述外殼5扣裝在所述基座上，所述支架片4焊接在引線3的釘頭3-1上，用以支撐石英晶片6。本實(shí)施例兩支架片4外端間距為7mm，兩絕緣子2中心間距為4.6mm ;石英晶片為
6.5*2mm石英晶片；所述外殼長(zhǎng)*寬*高為9.2mm*4.20mm*2.80mm ;所述基板為橢圓形,長(zhǎng)*寬*高為9.2mm*4.20mm*1.5mm ;所述絕緣子直徑*高為0l.75mm*l.5mm。加工過(guò)程中，將石英晶片6用導(dǎo)電膠連接在支架片4上，進(jìn)行頻率調(diào)整；外殼5與基座I之間壓封方式為電阻焊方式封裝；用電阻焊方式封裝完成，制作成49S型石英晶體諧振器。本實(shí)施例石英晶體諧振器將基板長(zhǎng)度降低至9.2mm,與現(xiàn)有的長(zhǎng)度6.5mm的石英晶片使用匹配，通過(guò)電阻焊后頻率、電阻性等性能參數(shù)和原有的產(chǎn)品性能一致，也就是在采用小型化的基板后，可節(jié)省原材料10%以上，并進(jìn)一步減小了產(chǎn)品體積。另外，由于基板的長(zhǎng)度減少，可以相應(yīng)縮減框架帶的寬度至12_，故本實(shí)施例在節(jié)省基板原材料的基礎(chǔ)上進(jìn)一步減少框架帶的原材料。實(shí)施例二，參考圖3，與實(shí)施例一的不同之處在于:本實(shí)施例基板I的外輪廓為方形，這樣使得支架片4邊緣與外殼5的間隙增加，因此在不影響產(chǎn)品的性能的前提下，可進(jìn)一步減小基板的長(zhǎng)度和寬度到8.8mm*4.1mm,從而達(dá)到更進(jìn)一步節(jié)省材料和體積的目的。實(shí)施例三，參考圖4，與上述實(shí)施例的區(qū)別在于:本實(shí)施例在基板底部中間部位焊接有諧振器接地引線3，接地引線可提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性，因而可應(yīng)用于對(duì)產(chǎn)品精度要求嚴(yán)格的產(chǎn)品中。實(shí)施例四，參考圖5，圖6，與上述實(shí)施例的區(qū)別在于:本實(shí)施例還包括一絕緣墊片7，該絕緣墊片7位于所述基板I的底部，其上設(shè)有兩透孔7-1，兩透孔分別通過(guò)導(dǎo)向凹槽7-3延伸至絕緣墊片的邊緣處，兩導(dǎo)向凹槽7-3位于同一直線上，所述引線通過(guò)對(duì)應(yīng)的透孔伸出，并分別順著導(dǎo)向凹槽折向外側(cè)，折彎后，引線嵌入所述導(dǎo)向凹槽中。這樣，加工過(guò)程電阻焊接方式封裝完成后，對(duì)于引線打扁的晶體諧振器在引線部位套上絕緣墊片7，將打扁的引線3打彎嵌入墊片的凹槽中，即可制作成表面貼裝型49s/SMD石英晶體諧振器。實(shí)施例五，參考圖7，與實(shí)施例四的不同之處在于:本實(shí)施例兩導(dǎo)向凹槽7-3向一個(gè)方向設(shè)置，并相互平行。實(shí)施例六，參考圖8，與實(shí)施例四的不同之處在于:本實(shí)施例絕緣墊片上并排設(shè)置有三個(gè)透孔，其中一個(gè)透孔7-2位于原兩透孔之間，主要用來(lái)在實(shí)施三的基礎(chǔ)上制作貼裝型石英晶體諧振器，兩側(cè)的透孔用于穿引線，中間的透孔用于穿接地引線。最后應(yīng)說(shuō)明的是:以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求1.一種石英晶體諧振器，包括:由基板、兩絕緣子與引線組成的基座，焊接在引線釘頭上的兩支架片，以及位于支架片上的石英晶片，其特征在于:所述基板的長(zhǎng)度為8.lmm-10.2mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的石英晶體諧振器，其特征在于:所述基板呈長(zhǎng)方形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的石英晶體諧振器，其特征在于:所述基板的寬度為3mm-5mm0
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的石英晶體諧振器，其特征在于:所述基板的高度為0.5mm-2mm，所述兩支架片外端距離為5.5mm-8.1mm,所述兩絕緣子中心間距為所述石英晶片長(zhǎng)度為 5mm_7.6mm,寬度 1.0mm-2.5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的石英晶體諧振器，其特征在于:所述基板底部焊接有諧振器接地引線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的石英晶體諧振器，其特征在于:還包括一絕緣墊片，該絕緣墊片位于所述基板的底部，其上設(shè)有兩透孔，所述引線通過(guò)對(duì)應(yīng)的透孔伸出，并分別折向外側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的石英晶體諧振器，其特征在于:所述絕緣墊片上還開(kāi)有第三透孔，所述諧振器接地弓I線伸出所述透孔，并折向外側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的石英晶體諧振器，其特征在于:所述支架片與基板之間的夾角成5 10°。
專(zhuān)利摘要為解決現(xiàn)有石英晶體諧振器成本高及原料加工浪費(fèi)的問(wèn)題，本實(shí)用新型提出一種石英晶體諧振器，包括由基板、兩絕緣子與引線組成的基座，焊接在引線釘頭上的兩支架片，以及位于支架片上的石英晶片，所述基板的長(zhǎng)度為8.1mm-10.2mm。本實(shí)用新型通過(guò)合理縮減基板的長(zhǎng)度，保證與現(xiàn)有的長(zhǎng)度6.5mm的石英晶片使用匹配，從而在保留既有的生產(chǎn)加工工藝的前提下，將石英晶體諧振器盡量小型化，一方面方便加工，另一方面減小了產(chǎn)品體積，可節(jié)省原材料10%以上。
文檔編號(hào)H03H9/05GK203071894SQ201320063679
公開(kāi)日2013年7月17日 申請(qǐng)日期2013年2月1日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月1日
發(fā)明者王媛 申請(qǐng)人:王媛