一種擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路及電路板和移動(dòng)終端的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路及電路板和移動(dòng)終端，包括晶體振蕩器和兩個(gè)擴(kuò)展電容，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一個(gè)所述的擴(kuò)展電容接地。本實(shí)用新型的晶體振蕩電路在現(xiàn)有晶體振蕩器電路的基礎(chǔ)上增設(shè)兩個(gè)擴(kuò)展電容，通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值，可以進(jìn)一步擴(kuò)大由此構(gòu)成的晶體振蕩時(shí)鐘電路的振蕩頻率調(diào)節(jié)范圍，以適應(yīng)更多的主芯片，滿(mǎn)足主芯片的匹配要求，縮短項(xiàng)目開(kāi)發(fā)過(guò)程中為尋找新部品所占用的時(shí)間，在晶體部品選型、負(fù)載電容參數(shù)配置、振蕩頻率調(diào)整范圍等方面都有益處，尤其適合應(yīng)用在手機(jī)等移動(dòng)終端產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)中。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路及電路板和移動(dòng)終端
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于晶振電路【技術(shù)領(lǐng)域】，具體地說(shuō)，是涉及一種晶體振蕩時(shí)鐘電路的擴(kuò)展設(shè)計(jì)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶體振蕩器是電子設(shè)備中廣為應(yīng)用的時(shí)鐘來(lái)源，由于晶體元件的價(jià)格相對(duì)低廉，目前的制造工藝也很成熟，加工精度控制較好，因而在當(dāng)前的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中愈加普及。例如，在手機(jī)產(chǎn)品中，晶體振蕩電路作為時(shí)鐘源有取代成本相對(duì)較高的TCXO (TCX0是通過(guò)附加的溫度補(bǔ)償電路使由周?chē)鷾囟茸兓a(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器)方案的趨勢(shì)。
[0003]晶體元件是整個(gè)晶體振蕩電路的核心部件，晶體元件在電路中具有感抗的電性能，可通過(guò)與容性電路配合構(gòu)成并聯(lián)諧振電路，參見(jiàn)圖1所示，通過(guò)封裝，形成晶體振蕩器。整個(gè)晶體振蕩器的振蕩頻率范圍是由晶體振蕩器中的兩個(gè)電容Cl、C2的電容值變化范圍決定的。由于現(xiàn)實(shí)制作工藝上，電容Cl和C2的電容值大小及其變化范圍是有限的，在實(shí)際項(xiàng)目應(yīng)用中，若要尋找與主芯片(需要接收晶振時(shí)鐘信號(hào)的集成芯片)的要求完全匹配的晶體振蕩器，需要占用較長(zhǎng)的時(shí)間周期，而且新部品的批量品質(zhì)、價(jià)格、供貨情況也是必須要考慮的因素。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路，以進(jìn)一步擴(kuò)大晶體振蕩器的頻率調(diào)節(jié)范圍。
[0005]為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0006]一種擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路，包括晶體振蕩器和兩個(gè)擴(kuò)展電容，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一個(gè)所述的擴(kuò)展電容接地。
[0007]作為所述晶體振蕩器的一種優(yōu)選電路組建方式，在所述晶體振蕩器中還設(shè)置有兩個(gè)基本電容、兩個(gè)電阻和一個(gè)反相器，所述晶體元件與第一電阻串聯(lián)后，與第二電阻相并聯(lián)；所述反相器并聯(lián)在第二電阻的兩端，反相器的輸入端和輸出端各自通過(guò)一個(gè)基本電容接地。
[0008]為了對(duì)所述晶體振蕩器的振蕩頻率范圍實(shí)現(xiàn)調(diào)節(jié)，選擇所述的兩個(gè)基本電容均為可調(diào)電容器。
[0009]基于上述擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路，本實(shí)用新型還提供了一種采用所述晶體振蕩時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)的移動(dòng)終端，包括要求接收時(shí)鐘信號(hào)的主芯片以及產(chǎn)生所述時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘電路；其中，在所述時(shí)鐘電路中設(shè)置有晶體振蕩器和兩個(gè)擴(kuò)展電容，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一個(gè)所述的擴(kuò)展電容接地。
[0010]優(yōu)選的，所述的兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值在2?IOpF的范圍內(nèi)。
[0011]進(jìn)一步的，所述主芯片為基帶芯片，構(gòu)成所述晶體振蕩器的晶體元件設(shè)置在基帶芯片的外部，連接基帶芯片的晶振引腳，其余部件集成在所述的基帶芯片中。
[0012]此外，基于上述擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路的設(shè)計(jì)思想，本實(shí)用新型還提出了一種基于所述晶體振蕩時(shí)鐘電路的電路板，在所述電路板上設(shè)置有要求接收時(shí)鐘信號(hào)的主芯片以及產(chǎn)生所述時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘電路；在所述時(shí)鐘電路中設(shè)置有晶體振蕩器，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一路擴(kuò)展電容接地。
[0013]為了實(shí)現(xiàn)所述晶體元件在電路板上的選擇性連接，在所述電路板上設(shè)置有用于焊接所述擴(kuò)展電容的焊盤(pán)，兩組焊盤(pán)的一端接地，另一端分別與所述晶體元件的兩端一一對(duì)應(yīng)連接。
[0014]優(yōu)選的，所述晶體元件設(shè)置在主芯片的外部，連接主芯片的晶振引腳，構(gòu)成所述晶體振蕩器的其余部件集成在所述的主芯片中。
[0015]基于上述電路板設(shè)計(jì)，本實(shí)用新型還提出了一種采用所述電路板設(shè)計(jì)的移動(dòng)終端，在所述移動(dòng)終端的內(nèi)部設(shè)置有電路板，在所述電路板上設(shè)置有要求接收時(shí)鐘信號(hào)的主芯片以及產(chǎn)生所述時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘電路；在所述時(shí)鐘電路中設(shè)置有晶體振蕩器，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一路擴(kuò)展電容接地。
[0016]優(yōu)選的，所述的兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值在2?IOpF的范圍內(nèi)，由此可以為移動(dòng)終端電路提供其最常使用的19.2MHz,26MHz的晶體振蕩頻率。
[0017]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:本實(shí)用新型的晶體振蕩電路在現(xiàn)有晶體振蕩器電路的基礎(chǔ)上增設(shè)兩個(gè)擴(kuò)展電容，通過(guò)調(diào)節(jié)兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值，可以進(jìn)一步擴(kuò)大由此構(gòu)成的晶體振蕩時(shí)鐘電路的振蕩頻率調(diào)節(jié)范圍，以適應(yīng)更多的主芯片，滿(mǎn)足主芯片的匹配要求，縮短項(xiàng)目開(kāi)發(fā)過(guò)程中為尋找新部品所占用的時(shí)間，在晶體部品選型、負(fù)載電容參數(shù)配置、振蕩頻率調(diào)整范圍等方面都有益處。將所述電路擴(kuò)展設(shè)計(jì)方式應(yīng)用在手機(jī)等移動(dòng)終端產(chǎn)品的電路設(shè)計(jì)中，不僅可以縮短產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)周期，而且在軟件頻率校準(zhǔn)方面還沒(méi)有調(diào)試通暢的情況下，可以通過(guò)調(diào)整兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值，使振蕩電路的振蕩頻率校準(zhǔn)到預(yù)期值，實(shí)現(xiàn)硬件途徑的頻率校準(zhǔn)。
[0018]結(jié)合附圖閱讀本實(shí)用新型實(shí)施方式的詳細(xì)描述后，本實(shí)用新型的其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加清楚。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是晶體振蕩器的一種實(shí)施例的電路原理圖；
[0020]圖2是本實(shí)用新型所提出的擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路的一種實(shí)施例的電路原理圖；
[0021]圖3是本實(shí)用新型所提出的擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路的另外一種實(shí)施例的電路
原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)地描述。
[0023]本實(shí)施例為了擴(kuò)大晶體振蕩器的振蕩頻率調(diào)整范圍，對(duì)現(xiàn)有的晶體振蕩器電路進(jìn)行擴(kuò)展設(shè)計(jì)，通過(guò)在晶體振蕩器中晶體元件的兩端進(jìn)一步增設(shè)兩個(gè)擴(kuò)展電容，通過(guò)調(diào)整兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值，以實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)晶體振蕩時(shí)鐘電路整體振蕩頻率的寬范圍調(diào)節(jié)。[0024]本實(shí)施例的晶體振蕩器優(yōu)選采用如圖1所示的電路結(jié)構(gòu),包括一個(gè)晶體元件X1、兩個(gè)電阻Rl、Rf、一個(gè)反相器Ul和兩個(gè)電容C1、C2。為區(qū)別于增設(shè)的擴(kuò)展電容，本實(shí)施例將晶體振蕩器中的兩個(gè)電容C1、C2稱(chēng)之為基本電容C1、C2。將晶體元件Xl與第一電阻Rl相串聯(lián)，在所形成的串聯(lián)支路的兩端分別并聯(lián)第二電阻Rf和反相器U1，將反相器Ul的輸入端通過(guò)基本電容Cl接地，反相器Ul的輸出端通過(guò)基本電容C2接地。由此構(gòu)成的晶體振蕩器的振蕩頻率為:
【權(quán)利要求】
1.一種擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路，其特征在于:包括晶體振蕩器和兩個(gè)擴(kuò)展電容，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一個(gè)所述的擴(kuò)展電容接地。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路，其特征在于:在所述晶體振蕩器中還設(shè)置有兩個(gè)基本電容、兩個(gè)電阻和一個(gè)反相器，所述晶體元件與第一電阻串聯(lián)后，與第二電阻相并聯(lián)；所述反相器并聯(lián)在第二電阻的兩端，反相器的輸入端和輸出端各自通過(guò)一個(gè)基本電容接地。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路，其特征在于:所述的兩個(gè)基本電容均為可調(diào)電容器。
4.一種移動(dòng)終端，包括要求接收時(shí)鐘信號(hào)的主芯片以及產(chǎn)生所述時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘電路；其特征在于:所述時(shí)鐘電路是如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的擴(kuò)展的晶體振蕩時(shí)鐘電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移動(dòng)終端，其特征在于:所述的兩個(gè)擴(kuò)展電容的電容值在2?IOpF的范圍內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移動(dòng)終端，其特征在于:所述主芯片為基帶芯片，構(gòu)成所述晶體振蕩器的晶體元件設(shè)置在基帶芯片的外部，連接基帶芯片的晶振引腳，其余部件集成在所述的基帶芯片中。
7.一種電路板，在所述電路板上設(shè)置有要求接收時(shí)鐘信號(hào)的主芯片以及產(chǎn)生所述時(shí)鐘信號(hào)的時(shí)鐘電路，其特征在于:在所述時(shí)鐘電路中設(shè)置有晶體振蕩器，在所述晶體振蕩器中設(shè)置有晶體元件，所述晶體元件的兩端各自通過(guò)一路擴(kuò)展電容接地。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電路板，其特征在于:在所述電路板上設(shè)置有用于焊接所述擴(kuò)展電容的焊盤(pán)，兩組焊盤(pán)的一端接地，另一端分別與所述晶體元件的兩端一一對(duì)應(yīng)連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的電路板，其特征在于:所述晶體元件設(shè)置在主芯片的外部，連接主芯片的晶振引腳，構(gòu)成所述晶體振蕩器的其余部件集成在所述的主芯片中。
10.一種移動(dòng)終端，其特征在于:在所述移動(dòng)終端的內(nèi)部設(shè)置有如權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的電路板。
【文檔編號(hào)】H03B5/32GK203434934SQ201320462130
【公開(kāi)日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】亓科 申請(qǐng)人:青島海信移動(dòng)通信技術(shù)股份有限公司