專利名稱：振蕩器和ic 芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及振蕩產(chǎn)生頻率信號(hào)的振蕩器和IC芯片。
背景技術(shù)：
TCXO(溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器)針對(duì)周圍溫度的變化，得到穩(wěn)定的輸出頻率。因此，TCXO廣泛用于移動(dòng)電話、PND (個(gè)人導(dǎo)航設(shè)備)等。近年來(lái)，對(duì)這些設(shè)備要求高功能化、可工作時(shí)間的長(zhǎng)壽命化，對(duì)其安裝部件要求低功耗化。以前，通過使TCXO間歇地動(dòng)作來(lái)實(shí)現(xiàn)低功耗化，但為了實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步的低功耗化，要求以低電壓使TCXO動(dòng)作。作為使用了這樣的溫度補(bǔ)償型晶體振蕩器的現(xiàn)有的振蕩器，例如存在專利文件I所記載的振蕩器。圖7是表示專利文件I所記載的振蕩器的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。該振蕩器由能夠通過電壓改變頻率的振蕩電路1、生成驅(qū)動(dòng)該振蕩電路I所需要的偏壓信號(hào)的偏壓生成電路2構(gòu)成。在此，偏壓生成電路2相當(dāng)于專利文件I的近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置等。圖8是表示專利文件I所記載的振蕩器的近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置的結(jié)構(gòu)圖。例如，在使用AT切割的晶體振子的情況下，振蕩頻率具有以三次函數(shù)近似的溫度特性，因此，通過該近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置21能夠抵消溫度特性。近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置21將相對(duì)于溫度變化以一次函數(shù)的形式變化的來(lái)自溫度檢測(cè)電路22的溫度檢測(cè)值作為輸入信號(hào)VIN而輸入，產(chǎn)生補(bǔ)償晶體的溫度特性的溫度補(bǔ)償電壓(偏壓信號(hào)BIAS)，將其供給振蕩電路I。近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置21由加法器23、三次成分兼常數(shù)成分產(chǎn)生部24、一次成分產(chǎn)生部25以及加法電路26構(gòu)成。加法器23對(duì)輸入信號(hào)VIN加上用于調(diào)整三次函數(shù)曲線的中心溫度的可變電壓V0，輸出加法輸出VS。三次成分兼常數(shù)成分產(chǎn)生部24被輸入加法輸出VS，輸出輸出信號(hào)VA0UT。一次成分產(chǎn)生部25被輸入加法輸出VS，輸出輸出信VBOUT。加法電路26將輸出信號(hào)VAOUT和輸出信號(hào)VBOUT相力口，輸出溫度補(bǔ)償電壓(偏壓信號(hào)BIAS)。構(gòu)成近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置21的三次成分兼常數(shù)成分產(chǎn)生部24、一次成分產(chǎn)生部25以及加法電路26接受來(lái)自供給電源電壓VDD的外部電源的電力供給。偏壓生成電路2生成用于驅(qū)動(dòng)振蕩電路I的溫度補(bǔ)償電壓(偏壓信號(hào)BIAS)、驅(qū)動(dòng)振蕩電路I所需要的基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流，將它們供給振蕩電路I。由此，能夠正確地補(bǔ)償晶體振蕩器的溫度特性。專利文件1:日本專利3233946號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題但是，在如專利文件I所記載的 以往的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)中，即使使電源電壓低電壓化也無(wú)法實(shí)現(xiàn)大幅降低。進(jìn)一步，在以往的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)中，只簡(jiǎn)單地使電源電壓低電壓化，有時(shí)動(dòng)態(tài)范圍會(huì)減少，相位噪聲會(huì)惡化。因此，在以往的振蕩器的電路結(jié)構(gòu)中，難以實(shí)現(xiàn)電源電壓的低電壓化。另外，不只是使用晶體振子的晶體振蕩器，在使用其他振蕩元件的振蕩電路中也同樣存在這樣的問題。本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于提供采用現(xiàn)有的電路結(jié)構(gòu)并且不使相位噪聲惡化就能夠使電源電壓低電壓化的振蕩器。用于解決問題的方案本發(fā)明的某方式的振蕩器的特征在于，具有:振蕩電路；偏壓生成電路，其生成用于驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路的偏壓信號(hào)；以及升壓電路，其對(duì)電源電壓進(jìn)行升壓，生成用于驅(qū)動(dòng)上述偏壓生成電路的升壓電壓。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，采用現(xiàn)有的電路結(jié)構(gòu)并且不使相位噪聲惡化就能夠使電源電壓低電壓化。在上述振蕩器中 ，也可以是根據(jù)上述振蕩電路的輸出信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)上述升壓電路。這樣,具有以下的效果,在升壓電路的輸出電壓中產(chǎn)生的寄生波(spurious Tone)只為振蕩頻率的整數(shù)倍，在升壓電壓HVDD中不會(huì)出現(xiàn)非高次諧波寄生信號(hào)。在上述振蕩器中，也可以是上述偏壓生成電路具備:第一偏壓生成電路，其由上述電源電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；第二偏壓生成電路，其由從上述升壓電路輸出的升壓電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及切換部，其對(duì)上述第一偏壓生成電路的輸出和上述第二偏壓生成電路的輸出進(jìn)行切換。這樣，能夠提高電源接通時(shí)的振蕩電路的啟動(dòng)特性，并且通過升壓電路驅(qū)動(dòng)偏壓生成電路。在上述振蕩器中，也可以是上述第一偏壓生成電路是用于促進(jìn)振蕩的振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路，上述第二偏壓生成電路是用于進(jìn)行通常動(dòng)作的通常動(dòng)作用偏壓生成電路。
上述振蕩器也可以還具有控制電路，該控制電路控制上述切換部的切換動(dòng)作。在上述振蕩器中，也可以是上述控制電路判定從上述升壓電路輸出的上述升壓電壓是否是規(guī)定的電壓，在上述升壓電壓是規(guī)定的電壓的情況下，輸出用于執(zhí)行上述切換部的切換處理的控制信號(hào)。這樣，能夠以所需最低限的時(shí)間并且穩(wěn)定地進(jìn)行振蕩電路的啟動(dòng)。在上述振蕩器中，也可以是用溫度補(bǔ)償電路來(lái)實(shí)現(xiàn)上述偏壓生成電路。在上述振蕩器中，也可以是上述偏壓信號(hào)包含溫度補(bǔ)償電壓來(lái)實(shí)現(xiàn)。在上述振蕩器中，也可以是實(shí)現(xiàn)為上述偏壓信號(hào)被供給作為上述振蕩電路內(nèi)的電壓可變電容量元件的控制電壓。在上述振蕩器中，也可以是上述偏壓生成電路通過生成驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路所需要的基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。在上述振蕩器中，也可以是上述偏壓信號(hào)包含驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路所需要的基準(zhǔn)電壓、基準(zhǔn)電流來(lái)實(shí)現(xiàn)。在上述振蕩器中，也可以是實(shí)現(xiàn)為上述偏壓信號(hào)被供給作為上述振蕩電路內(nèi)的振蕩器電流的參考。在上述振蕩器中，也可以是上述偏壓生成電路通過存儲(chǔ)溫度校正用參數(shù)的存儲(chǔ)電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明的某形式的IC芯片的特征在于，在該IC芯片的內(nèi)部具備:振蕩電路；偏壓生成電路，其生成用于驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路的偏壓信號(hào)；以及升壓電路，其對(duì)電源電壓進(jìn)行升壓，驅(qū)動(dòng)上述偏壓生成電路，該IC芯片還具備:電源用端子，其用于接受來(lái)自供給上述電源電壓的外部電源的電力供給；振子用端子，其用于將被上述振蕩電路控制的振子和上述振蕩電路連接起來(lái)；接地用端子，其用于進(jìn)行接地連接；輸出端子，其用于輸出上述振蕩電路的輸出信號(hào)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，振蕩電路被安裝在一個(gè)IC芯片內(nèi)，接受來(lái)自IC芯片的外部的電源的電源電壓，通過IC芯片內(nèi)的升壓電路對(duì)電源電壓進(jìn)行升壓。因此，例如在制造設(shè)置于安裝基板的電源、其他IC芯片的情況下，能夠不考慮IC芯片外部所具備的電源的電源電壓的降低對(duì)振蕩電路的影響地制造電源、IC芯片等。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，采用現(xiàn)有的電路結(jié)構(gòu)并且不使相位噪聲惡化就能夠使電源電壓低電壓化。


圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖2是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖3是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖4是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的動(dòng)作的一個(gè)例子的時(shí)序圖。圖5是表示本發(fā) 明的第四實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖6是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的動(dòng)作的一個(gè)例子的時(shí)序圖。圖7是表示專利文件I所記載的振蕩器的主要部分的結(jié)構(gòu)圖。圖8是表示專利文件I所記載的振蕩器的近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。在以下的說明中所參照的各圖中，對(duì)于與其他圖同等的部分用相同附圖標(biāo)記來(lái)表示。(第一實(shí)施方式)圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖1圖示了以下的情況，即，第一實(shí)施方式涉及的(作為振蕩器的)晶體振蕩器被安裝在一個(gè)IC芯片10內(nèi)，并配置在電子設(shè)備內(nèi)的安裝基板100上。另外，在安裝基板100上，與IC芯片10獨(dú)立地配置有安裝了處理電路的IC芯片20。具體地說，IC芯片20的處理電路是例如接受來(lái)自IC芯片10的晶體振蕩器的輸出頻率而執(zhí)行輸入輸出裝置等的處理的處理電路。在圖1中，晶體振子Ia配置在安裝基板100上，設(shè)置在IC芯片10的外部，但也可以將IC芯片10和晶體振子Ia安裝在同一模塊內(nèi)。安裝于IC芯片10的第一實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器由向晶體振子Ia施加電壓的振蕩電路1、生成振蕩電路I所需要的偏壓信號(hào)BIAS的偏壓生成電路2以及升壓電路3構(gòu)成。在此，升壓電路3是用于驅(qū)動(dòng)偏壓生成電路2的電路。另外，振蕩電路I和偏壓生成電路2分別與圖7中的振蕩電路I和偏壓生成電路2相同。在此，振蕩電路1、偏壓生成電路2以及升壓電路3被安裝在IC芯片10內(nèi)。另外，該IC芯片10還具備:電源用端子11，其用于接受來(lái)自外部電源的電源電壓VDD的供給；接地用端子12，其用于進(jìn)行接地連接；振子用端子13，其用于將晶體振子Ia和振蕩電路I連接起來(lái)；以及輸出端子F0UT，其向IC芯片10的外部輸出來(lái)自振蕩電路I的輸出頻率。偏壓生成電路2例如可以通過由專利文件I所記載的近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置等構(gòu)成的溫度補(bǔ)償電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，也可以通過生成驅(qū)動(dòng)振蕩電路I所需要的基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流的電路來(lái)實(shí)現(xiàn)，還可以通過存儲(chǔ)溫度校正用參數(shù)的存儲(chǔ)電路等來(lái)實(shí)現(xiàn)。從偏壓生成電路2輸出的偏壓信號(hào)BIAS例如在TCXO的情況下是包含溫度補(bǔ)償電壓的偏壓信號(hào)BIAS。而且,該偏壓信號(hào)BIAS被供給作為振蕩電路I內(nèi)的電壓可變電容量兀件的控制電壓，從而能夠任意地控制振蕩頻率，補(bǔ)償晶體的溫度特性。另外，從偏壓生成電路2輸出的偏壓信號(hào)BIAS例如在SPXO (封裝晶體振蕩器)的情況下是包含驅(qū)動(dòng)振蕩電路I所需要的基準(zhǔn)電壓、基準(zhǔn)電流的偏壓信號(hào)BIAS。而且，該偏壓信號(hào)BIAS被供給作為振蕩電路I內(nèi)的振蕩器電流等的參考，從而能夠使電源電壓VDD的變動(dòng)所引起的振蕩頻率的變動(dòng)變得良好。另外， 升壓電路3是對(duì)電源電壓VDD進(jìn)行升壓而生成電壓比電源電壓VDD高的升壓電壓HVDD的電路，通過該升壓電壓HVDD驅(qū)動(dòng)偏壓生成電路2。即，第一實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器具有升壓電路3，由此即使電源電壓VDD低，也能夠以升壓電壓HVDD來(lái)驅(qū)動(dòng)偏壓生成電路2。由此，能夠直接采用現(xiàn)有的電路結(jié)構(gòu)，并且偏壓生成電路2內(nèi)的動(dòng)態(tài)范圍也不會(huì)減小，因此，能夠防止相位噪聲惡化。這樣，可以說本發(fā)明不管構(gòu)成晶體振蕩器的偏壓生成電路的種類如何均是有用的。另外，安裝晶體振蕩器的IC芯片10和其他元件(電源、IC芯片20等)有時(shí)分別由不同的制造廠商制造。在該情況下，如圖1所示，如果將晶體振蕩器安裝在一個(gè)IC芯片10內(nèi)(即如果在IC芯片10內(nèi)具備升壓電路3)，則即使在為了電子設(shè)備的省電化而想要將電源電壓VDD設(shè)定得低的情況下，制造電源、IC芯片20等的制造廠商也可能不考慮該低電力化對(duì)晶體振蕩器的影響而制造電源、IC芯片20等。另外，也能夠構(gòu)成為從IC芯片10的外部輸入升壓電路3進(jìn)行動(dòng)作所需要的時(shí)鐘。然而，近年來(lái)，晶體振蕩器不斷小型化，管腳數(shù)受到限制。因此，通過將由RC電路等構(gòu)成的振蕩電路內(nèi)置在IC芯片10內(nèi)，能夠不增加管腳數(shù)而實(shí)現(xiàn)第一實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器。另外，偏壓生成電路2也可以包含生成用于補(bǔ)償輸出頻率的溫度特性的溫度補(bǔ)償信號(hào)的電路，將該溫度補(bǔ)償信號(hào)作為偏壓信號(hào)BIAS供給振蕩電路I。進(jìn)一步，偏壓生成電路2不需要用升壓電壓HVDD來(lái)驅(qū)動(dòng)構(gòu)成偏壓生成電路2的全部電路，也可以用電源電壓VDD來(lái)驅(qū)動(dòng)其一部分電路。(第二實(shí)施方式)圖2是表示第二實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。另外，在圖2中，省略了安裝基板100上的IC芯片10以外的結(jié)構(gòu)，只圖示出安裝有晶體振蕩器的IC芯片10的結(jié)構(gòu)(在以后的實(shí)施方式中也相同)。圖2所示的第二實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器采用與第一實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)大致相同的結(jié)構(gòu)，但其不同點(diǎn)在于通過振蕩電路I的輸出信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)升壓電路3。S卩，升壓電路3以振蕩電路I的輸出信號(hào)為時(shí)鐘執(zhí)行升壓動(dòng)作。由此，在升壓電路3的輸出電壓(升壓電壓HVDD)中產(chǎn)生的寄生波只為振蕩頻率的整數(shù)倍，在升壓電壓HVDD中不會(huì)出現(xiàn)非高次諧波寄生信號(hào)。在此，在輸出端子FOUT原來(lái)就存在因輸出波形(矩形、鉗位正弦波等)產(chǎn)生的振蕩頻率的整數(shù)倍的高次諧波寄生信號(hào)，因此即使在升壓電路3的輸出中產(chǎn)生上述的寄生波也不成為問題。例如，在通過RC振蕩電路驅(qū)動(dòng)升壓電路3的情況下，有時(shí)在輸出端子FOUT作為寄生信號(hào)成分而產(chǎn)生RC振蕩電路的輸出頻率。進(jìn)一步，RC振蕩電路的輸出頻率和振蕩電路I的振蕩頻率混合，由此會(huì)在各種頻帶產(chǎn)生非高次諧波寄生信號(hào)。然而，根據(jù)第二實(shí)施方式的晶體振蕩器，能夠避免這些問題。(第三實(shí)施方式)圖3是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。如圖3所示那樣，構(gòu)成第三實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的偏壓生成電路2由(作為第一偏壓電路的)振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路2a、(作為第二偏壓電路的)通常動(dòng)作用偏壓生成電路2b以及切換部4構(gòu)成。另外，第三實(shí)施方式的晶體振蕩器構(gòu)成為包含用于控制切換部4的控制電路5。振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路2a被電源電壓VDD驅(qū)動(dòng)，晶體振蕩器的負(fù)性電阻提高，輸出促進(jìn)振蕩那樣的偏壓BIASD。另一方面，通常動(dòng)作用偏壓生成電路2b被升壓電壓HVDD驅(qū)動(dòng)，輸出使晶體振蕩器進(jìn)行通常動(dòng)作那樣的偏壓BIASH。此處的“通常動(dòng)作”例如在TCXO的情況下意味著進(jìn)行溫度補(bǔ)償而輸出預(yù)先決定的規(guī)定的振蕩頻率的狀態(tài)。另外，控制電路5向切換部4輸出控制信號(hào)CONTROL。切換部4與該控制信號(hào)CONTROL相應(yīng)地進(jìn)行切換振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路2a所輸出的偏壓BIASD和通常動(dòng)作用偏壓生成電路2b所輸出的偏壓BIASH的動(dòng)作。圖4是表示本發(fā)明的第三實(shí)施`方式涉及的晶體振蕩器的動(dòng)作的一個(gè)例子的時(shí)序圖。如圖4所示，與電源接通(電源電壓VDD上升)大致同時(shí)地，振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路2a所輸出的偏壓BIASD作為偏壓信號(hào)BIAS輸入到振蕩電路I，成為促進(jìn)晶體振蕩器的振蕩動(dòng)作的振蕩促進(jìn)狀態(tài)。在開始振蕩動(dòng)作而在輸出端子FOUT輸出時(shí)鐘時(shí)，升壓電路3進(jìn)行動(dòng)作，升壓電壓HVDD上升。然后，根據(jù)控制電路5的控制信號(hào)CONTROL，切換偏壓BIASD和偏壓BIASH，晶體振蕩器向通常動(dòng)作狀態(tài)轉(zhuǎn)移。如以上那樣，根據(jù)第三實(shí)施方式的晶體振蕩器，能夠提高電源接通時(shí)的晶體振蕩器的啟動(dòng)特性，并且通過升壓電路3驅(qū)動(dòng)偏壓生成電路2。另外，控制電路5也可以由計(jì)時(shí)器電路等構(gòu)成，從而按照時(shí)間常數(shù)來(lái)進(jìn)行控制。(第四實(shí)施方式)圖5是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖5所示的第四實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)與第三實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)(圖3)大致相同。但是，與圖3的不同點(diǎn)在于:控制電路5基于升壓電路3的輸出電壓(升壓電壓HVDD)控制切換部4，使其執(zhí)行偏壓的切換動(dòng)作。在升壓電路3輸出的升壓電壓HVDD小于預(yù)先決定的規(guī)定的電壓Vth的情況下，通常動(dòng)作用偏壓生成電路2b的動(dòng)作有時(shí)變得不穩(wěn)定。在通常動(dòng)作用偏壓生成電路2b的動(dòng)作不穩(wěn)定的狀態(tài)下偏壓BIASH作為偏壓信號(hào)BIAS施加到振蕩電路I的情況下，有時(shí)負(fù)性電阻惡化而啟動(dòng)時(shí)間延遲、振蕩停止。因此，理想的是在升壓電壓HVDD成為規(guī)定的電壓Vth以上那樣的定時(shí)來(lái)執(zhí)行切換部4的切換動(dòng)作。圖6是表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的晶體振蕩器的動(dòng)作的一個(gè)例子的時(shí)序圖。如圖4所說明的那樣，在振蕩動(dòng)作開始而在輸出端子FOUT輸出時(shí)鐘時(shí)，升壓電路3進(jìn)行動(dòng)作而升壓電壓HVDD上升。在第四實(shí)施方式的晶體振蕩器中，當(dāng)之后由控制電路5檢測(cè)出升壓電壓HVDD成為預(yù)先決定的規(guī)定的電壓Vth時(shí)，控制電路5向切換部4輸出控制信號(hào)CONTROL。而且，根據(jù)該控制信號(hào)CONTROL，切換部4將向振蕩電路I輸出的偏壓信號(hào)BIAS從偏壓BIASD切換到偏壓BIASH。如以上那樣，根據(jù)第四實(shí)施方式的晶體振蕩器，控制電路5判定升壓電路3的升壓電壓HVDD是否是預(yù)先決定的規(guī)定的電壓Vth，在輸出電壓HVDD是規(guī)定的電壓Vth的情況下，向切換部4輸出控制信號(hào)CONTROL。切換部4被輸入該控制信號(hào)CONTROL，由此執(zhí)行將向振蕩電路I輸出的偏壓信號(hào)BIAS從偏壓BIASD切換到偏壓BIASH的動(dòng)作。由此，能夠以所需最低限的時(shí)間并且穩(wěn)定地進(jìn)行晶體振蕩器的啟動(dòng)。另外，規(guī)定的電壓Vth也可以在電源電壓VDD的上升和下降時(shí)具有滯后。另外，在以上說明的本發(fā)明的各實(shí)施方式中，作為振蕩器的一個(gè)例子用晶體振蕩器進(jìn)行了說明，但振蕩器的振蕩元件并不限于晶體振子。例如，作為晶體振子的替代，也可以使用 SAW (surface acoustic wave:聲表面波)振子、BOW (bulk acoustic wave:聲體波)振子、MEMS (Micro Electro Mechanical Systems:微機(jī)電系統(tǒng))、陶瓷振子等。即使是這些振子也起到同樣的效果。以上說明了本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明的范圍并不限于圖示和記載的示例的實(shí)施方式，還包含帶來(lái)與本發(fā)明的目的等同的效果的全部實(shí)施方式。進(jìn)一步，通過全部公開的各個(gè)特征中的特定特征的所有希望的組合，能夠劃定本發(fā)明的范圍。

附圖標(biāo)記說明1:振蕩電路；la:晶體振子；2:偏壓生成電路；2a:振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路；2b:通常動(dòng)作用偏壓生成電路；3:升壓電路；4:切換部；5:控制電路；10:1C芯片(晶體振蕩器)；11:電源用端子；12:接地用端子；13:振子用端子；20:1C芯片(處理電路)；21:近似三次函數(shù)產(chǎn)生裝置；100:安裝基板；BIAS:偏壓信號(hào)；BIASH:通常動(dòng)作用偏壓；BIASD:振蕩促進(jìn)用偏壓；C0NTR0L:控制信號(hào)；F0UT:輸出端子；VDD:電源電壓；HVDD:升壓電壓；Vth:規(guī)定的電壓。
權(quán)利要求
1.一種振蕩器,其特征在于,具有: 振蕩電路； 偏壓生成電路，其生成用于驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路的偏壓信號(hào)；以及 升壓電路，其對(duì)電源電壓進(jìn)行升壓，生成用于驅(qū)動(dòng)上述偏壓生成電路的升壓電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的振蕩器，其特征在于， 根據(jù)上述振蕩電路的輸出信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)上述升壓電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓生成電路具備: 第一偏壓生成電路，其由上述電源電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)； 第二偏壓生成電路，其由從上述升壓電路輸出的升壓電壓進(jìn)行驅(qū)動(dòng)；以及 切換部，其對(duì)上述第一偏壓生成電路的輸出和上述第二偏壓生成電路的輸出進(jìn)行切換。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的振蕩器，其特征在于， 上述第一偏壓生成電路是用于促進(jìn)振蕩的振蕩促進(jìn)用偏壓生成電路， 上述第二偏壓生成電路是用于進(jìn)行通常動(dòng)作的通常動(dòng)作用偏壓生成電路。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的振蕩器，其特征在于， 還具有控制電路，該控制電路控制上述切換部的切換動(dòng)作。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的振蕩器 ，其特征在于， 上述控制電路判定從上述升壓電路輸出的上述升壓電壓是否是規(guī)定的電壓，在上述升壓電壓是規(guī)定的電壓的情況下，輸出用于執(zhí)行上述切換部的切換處理的控制信號(hào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓生成電路是溫度補(bǔ)償電路。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓信號(hào)包含溫度補(bǔ)償電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓信號(hào)作為上述振蕩電路內(nèi)的電壓可變電容元件的控制電壓來(lái)被供給。
10.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓生成電路是生成驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路所需要的基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流的電路。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓信號(hào)包含驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路所需要的基準(zhǔn)電壓或基準(zhǔn)電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓信號(hào)作為上述振蕩電路內(nèi)的振蕩器電流的參考來(lái)被供給。
13.根據(jù)權(quán)利要求1 6中的任一項(xiàng)所述的振蕩器，其特征在于， 上述偏壓生成電路是存儲(chǔ)溫度校正用參數(shù)的存儲(chǔ)電路。
14.一種IC芯片，其特征在于， 在該IC芯片的內(nèi)部具備:振蕩電路；偏壓生成電路，其生成用于驅(qū)動(dòng)上述振蕩電路的偏壓信號(hào)；以及升壓電路，其對(duì)電源電壓進(jìn)行升壓，驅(qū)動(dòng)上述偏壓生成電路， 該IC芯片還具備: 電源用端子，其用于接受來(lái)自供給上述電源電壓的外部電源的電力供給；振子用端子，其用于將由上述振蕩電路控制的振子和上述振蕩電路連接起來(lái)；接地用端子，其用于進(jìn)行接地連接；以及輸出端子，其用于輸·出上述振蕩電路的輸出信號(hào)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種振蕩器，其采用以往的電路結(jié)構(gòu)并且不使相位噪聲惡化就能夠使電源電壓低電壓化。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方式，提供一種振蕩器，具有振蕩電路(1)；偏壓生成電路(2)，其生成用于驅(qū)動(dòng)振蕩電路(1)的偏壓信號(hào)；升壓電路(3)，其對(duì)電源電壓(VDD)進(jìn)行升壓，驅(qū)動(dòng)偏壓生成電路(2)。另外，也可以在一個(gè)IC芯片(10)內(nèi)設(shè)置振蕩電路(1)、偏壓生成電路(2)以及升壓電路(3)，升壓電路(3)從設(shè)置于IC芯片(10)的外部的電源接受電源電壓(VDD)而進(jìn)行升壓。
文檔編號(hào)H03B5/32GK103250347SQ20128000373
公開日2013年8月14日 申請(qǐng)日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月9日
發(fā)明者丸晴彥 申請(qǐng)人:旭化成微電子株式會(huì)社