專利名稱：電子信號(hào)通信系統(tǒng)及其方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子信號(hào)通信，尤其涉及高速數(shù)據(jù)鏈路用電子電路。
背景技術(shù)：
電子電路及系統(tǒng)通常包括電子開關(guān)。電子開關(guān)可用于將模擬信號(hào)傳輸?shù)诫娐仿窂街谢蚍乐鼓M信號(hào)被發(fā)送到電路路徑中。這種開關(guān)有時(shí)稱作模擬開關(guān)或直通開關(guān)，以區(qū)別于響應(yīng)于輸入而改變輸出狀態(tài)但不傳送所接收的信號(hào)的數(shù)字開關(guān)。通過直通開關(guān)傳輸模擬電子信號(hào)，會(huì)使模擬信號(hào)產(chǎn)生抖動(dòng)或?qū)е履M信號(hào)振幅減小。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及電子設(shè)備，尤其涉及降低由電子開關(guān)引起的信號(hào)抖動(dòng)。本發(fā)明提供的電子信號(hào)通信系統(tǒng)包括直通開關(guān)電路和第一直通開關(guān)激活電路。該直通開關(guān)電路包括阻抗電路及傳輸晶體管(pass transistor)，所述傳輸晶體管具有第一源/漏極連接點(diǎn)、第二源/漏極連接點(diǎn)以及柵極輸入點(diǎn)。該直通開關(guān)電路響應(yīng)于柵極輸入點(diǎn)的激活，將來自第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至第二源/漏極連接點(diǎn)。直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能 (impedance transfer function)至少部分取決于阻抗電路的阻抗,所述阻抗電路的阻抗值被設(shè)定為可最大程度地降低因直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減。第一直通開關(guān)激活電路響應(yīng)于使能信號(hào)，向柵極輸入點(diǎn)提供第一激活信號(hào)。本發(fā)明還提供了一種電子信號(hào)通信方法，包括將來自直通開關(guān)電路的傳輸晶體管的第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至所述傳輸晶體管的第二源/漏極連接點(diǎn)；對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定，以最大程度地降低因所述直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減；以及，響應(yīng)于使能信號(hào)，利用第一激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)。本部分旨在對(duì)本專利申請(qǐng)的主題進(jìn)行概述，并不旨在對(duì)本發(fā)明做專門或詳盡說明。詳細(xì)的說明書中會(huì)提供有關(guān)本專利申請(qǐng)的其他信息。


在不一定以比例繪制的附圖中，相同的附圖標(biāo)記可描述不同視圖中的相似部件。 字母后綴不同的相同的附圖標(biāo)記可能代表相似部件的不同實(shí)例?？傮w上講，附圖以示例的形式對(duì)本發(fā)明中涉及的各實(shí)施例予以說明，而非起限制作用。圖I為降低由直通開關(guān)引起的信號(hào)抖動(dòng)的方法的流程圖；圖2為傳輸柵極信號(hào)抖動(dòng)得以降低的系統(tǒng)的多個(gè)部分的示意圖；圖3為在傳輸晶體管柵極輸入點(diǎn)處出現(xiàn)的不同阻值所對(duì)應(yīng)的電容及頻率的曲線圖；圖4為用于直通開關(guān)電路的激活信號(hào)的曲線圖；圖5為在不補(bǔ)償直通開關(guān)轉(zhuǎn)移功能的情況下經(jīng)直通開關(guān)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)中的抖
4動(dòng)示例的曲線圖；圖6為在對(duì)直通開關(guān)轉(zhuǎn)移功能加以調(diào)節(jié)的情況下經(jīng)直通開關(guān)電路傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)中的抖動(dòng)示例的曲線圖；圖7為在傳輸晶體管的襯底連接點(diǎn)(bulk connection)處出現(xiàn)的不同阻值所對(duì)應(yīng)的電容及頻率的曲線圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明涉及電子信號(hào)通信，尤其涉及高速數(shù)據(jù)鏈路用電子電路。如上所述，通過直通開關(guān)傳輸電子信號(hào)，會(huì)使信號(hào)產(chǎn)生抖動(dòng)或?qū)е码娮有盘?hào)振幅減小。信號(hào)衰減的原因是直通開關(guān)的阻抗轉(zhuǎn)移功能(impedance transfer function)。在一些示例中，直通開關(guān)電路可作為高通網(wǎng)絡(luò)，其轉(zhuǎn)角頻率約為五十兆赫(50MHz)。在低于轉(zhuǎn)角頻率的頻率下，直通開關(guān)的阻抗可能對(duì)以與寬帶通信相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)傳輸率進(jìn)行傳輸?shù)碾娮有盘?hào)產(chǎn)生負(fù)面影響。圖I為降低由直通開關(guān)引起的抖動(dòng)的方法100的流程圖。在框105中，將來自直通開關(guān)電路的傳輸晶體管的第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至該傳輸晶體管的第二源/ 漏極連接點(diǎn)。所述電子信號(hào)包括至少一個(gè)信號(hào)頻率。一般情況下，電子數(shù)據(jù)信號(hào)包括多個(gè)頻率。所述頻率由信號(hào)的數(shù)據(jù)傳輸率及數(shù)據(jù)形式?jīng)Q定。電子信號(hào)的一些頻率分量會(huì)因直通開關(guān)的阻抗轉(zhuǎn)移功能而衰減。尤其是，信號(hào)中越高的頻率分量遭受衰減的可能性越大。信號(hào)的這些分量衰減會(huì)導(dǎo)致經(jīng)該開關(guān)傳輸?shù)碾娮有盘?hào)產(chǎn)生抖動(dòng)。在框110中，通過對(duì)以通信方式連接至直通開關(guān)電路的傳輸晶體管的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定，最大程度地降低電子信號(hào)的衰減。直通開關(guān)的傳輸晶體管可用作高通電路。將阻抗電連接至所述傳輸晶體管可有效降低連接至所述傳輸晶體管的柵電壓供應(yīng)電路網(wǎng)絡(luò)的轉(zhuǎn)角頻率。在一些例子中，轉(zhuǎn)角頻率可被降低至約1MHz。在框115中，響應(yīng)于使能信號(hào)，利用第一激活信號(hào)激活傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)。 柵極的激活在晶體管中形成通道，使電子信號(hào)能夠通過該直通開關(guān)電路傳輸。圖2為傳輸柵極信號(hào)抖動(dòng)得以降低的系統(tǒng)200的多個(gè)部分的不意圖。系統(tǒng)200包括直通開關(guān)電路205，該直通開關(guān)電路205包括傳輸晶體管210。該傳輸晶體管210具有第一源/漏極連接點(diǎn)、第二源/漏極連接點(diǎn)以及柵極輸入點(diǎn)。該直通開關(guān)電路205響應(yīng)于柵極輸入點(diǎn)的激活，將來自第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至第二源/漏極連接點(diǎn)。該直通開關(guān)電路205還包括以通信方式連接至所述傳輸晶體管210的阻抗電路 220、225。所述連接之所以具有通信性，原因在于即使存在中間電路，該傳輸晶體管210與該阻抗電路220、225之間依然可以傳輸電子信號(hào)。該直通開關(guān)電路205的阻抗轉(zhuǎn)移功能至少部分取決于阻抗電路220、225的阻抗。通過對(duì)阻抗電路的阻抗值加以設(shè)置或設(shè)定，以最大程度地降低因直通開關(guān)電路阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減。該開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能還部分取決于傳輸晶體管210的電容。該傳輸晶體管 210的柵極輸入點(diǎn)一般包括大電容，而小電阻。柵極輸入點(diǎn)的電容可形成高通電路網(wǎng)絡(luò)，這樣信號(hào)頻率高于轉(zhuǎn)角頻率的電子信號(hào)所受到的衰減便小于信號(hào)頻率低于轉(zhuǎn)角頻率的電子信號(hào)。增加傳輸該晶體管柵極處電壓供應(yīng)網(wǎng)絡(luò)的阻抗，可使轉(zhuǎn)角頻率變低。因此，在一些例子中，阻抗電路220以通信方式連接至傳輸晶體管210的柵極輸入點(diǎn)?？蓪⒔Y(jié)合電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能的最終轉(zhuǎn)角頻率降至足夠低的水平，從而最大程度地降低或避免因直通開關(guān)電路205導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減。在轉(zhuǎn)角頻率比經(jīng)直通開關(guān)電路205傳輸?shù)碾娮訑?shù)據(jù)信號(hào)的頻率足夠低時(shí)(例如低數(shù)量級(jí))，對(duì)所有數(shù)據(jù)信號(hào)來說，直通開關(guān)電路205的阻抗都是一樣的。這樣，所有數(shù)據(jù)信號(hào)遭受的衰減均相同，從而降低了傳輸數(shù)據(jù)中的抖動(dòng)。圖3為在傳輸晶體管210柵極輸入點(diǎn)處出現(xiàn)的不同阻值所對(duì)應(yīng)的電容及頻率的曲線圖。每個(gè)曲線圖對(duì)應(yīng)于在柵極輸入點(diǎn)處出現(xiàn)的不同阻值。由圖可知，改變阻值，便可改變柵極輸入點(diǎn)處電容變大時(shí)的頻率。曲線圖顯示的是，在柵極阻值為100千歐(kQ)時(shí)，IOMHz 以上的信號(hào)頻率受基本一致的電容的影響。因此，在本示例中，IOOkQ阻抗電路的阻抗將轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置得足夠低，防止了具有IOMHz以上信號(hào)頻率的電子信號(hào)遭受衰減。在某些示例中，阻抗電路的阻抗包括高于IOOkQ的阻值?？梢远喾N方法形成所述阻抗電路220、225的阻抗。在一些示例中，阻抗電路220、 225包括利用源/漏極擴(kuò)散形成的集成電阻器。在一些示例中，阻抗電路包括利用多晶硅形成的集成電阻器。在一些示例中，阻抗電路220、225包括利用壓緊的結(jié)型場效應(yīng)管形成的電阻。系統(tǒng)200還包括第一直通開關(guān)激活電路215，其以通信方式連接至所述直通開關(guān)電路205。所述第一直通開關(guān)激活電路215響應(yīng)于使能信號(hào)，向柵極輸入點(diǎn)提供第一激活信號(hào)。增加對(duì)傳輸晶體管210的阻抗，會(huì)減緩傳輸晶體管210的啟動(dòng)時(shí)間。若要加快啟動(dòng)時(shí)間，則可產(chǎn)生額外激活脈沖，為傳輸晶體管210的柵極充電至其工作電位。在一些示例中，系統(tǒng)200還包括第二直通開關(guān)激活電路230，其以通信方式連接至所述直通開關(guān)電路205。所述第二直通開關(guān)激活電路230響應(yīng)于使能信號(hào)，向傳輸晶體管 210的柵極輸入點(diǎn)提供第二激活信號(hào)。圖4為激活信號(hào)的曲線圖。最上方的曲線圖405顯示的是用于生成所述第一、第二激活信號(hào)的使能信號(hào)。中間的曲線圖410顯示的是由第一直通開關(guān)激活電路215生成的第一激活信號(hào)。阻抗電路220的附加阻抗會(huì)使激活信號(hào)延遲。最下方的曲線圖415顯示的是用于加快啟動(dòng)時(shí)間的第二激活信號(hào)的一個(gè)示例。注意，第二激活信號(hào)的激活邊緣(負(fù)向邊緣)出現(xiàn)在第一激活信號(hào)的激活邊緣(正向邊緣)之前。在一些示例中，第一激活信號(hào)和第二激活信號(hào)是重疊信號(hào)。在所顯示的例子中，第二激活信號(hào)是脈沖，但在第一激活信號(hào)的激活邊緣之后，第二激活信號(hào)的激活水平還可保持更久。第二激活信號(hào)加快了直通開關(guān)電路205的響應(yīng)時(shí)間，這樣即使阻抗電路220的附加阻抗通常會(huì)減緩響應(yīng)時(shí)間，直通開關(guān)電路205也能高速傳輸信號(hào)。在一些示例中，所述第二直通開關(guān)激活電路230快速地將第二激活信號(hào)的電壓提供給柵極，然后進(jìn)入高阻抗?fàn)顟B(tài)。圖5為在不調(diào)節(jié)轉(zhuǎn)移功能的極點(diǎn)的情況下經(jīng)直通開關(guān)傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)中的抖動(dòng)示例的曲線圖。經(jīng)直通開關(guān)傳輸信號(hào)時(shí)，會(huì)引起11. 3皮秒(ps)的抖動(dòng)。圖6為在具有附加阻抗電路220的情況下經(jīng)圖2中直通開關(guān)電路205傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)中的抖動(dòng)示例的曲線圖。抖動(dòng)被降至4. 36ps。增加對(duì)傳輸晶體管210柵極輸入點(diǎn)的阻抗，僅是利用阻抗電路改變直通開關(guān)電路4/6頁
205的轉(zhuǎn)移功能的方法之一。在另一不例中，直通開關(guān)電路205的傳輸晶體管210包括襯底連接點(diǎn)以及以通信方式連接至所述襯底連接點(diǎn)的阻抗電路225。在某些示例中，傳輸晶體管 210是一個(gè)NMOS晶體管，連接點(diǎn)是p型襯底連接點(diǎn)或p阱(p-well)連接點(diǎn)。圖7為在傳輸晶體管210的襯底連接點(diǎn)處出現(xiàn)的不同阻值所對(duì)應(yīng)的電容及頻率的曲線圖。曲線圖顯示的是，在柵極阻值為I兆歐(MQ)時(shí)，IOMHz及其以上的信號(hào)頻率受基本一致的電容的影響，從而降低了數(shù)據(jù)信號(hào)中的抖動(dòng)?？梢陨鲜龆喾N方法形成所述阻抗電路的阻抗。在一些示例中，當(dāng)阻抗電路225連接至傳輸晶體管210的襯底連接點(diǎn)時(shí)，第二激活信號(hào)來也被用來加快所述晶體管的啟動(dòng)時(shí)間。根據(jù)一些示例，通過將晶體管柵極輸入點(diǎn)的阻抗電路與晶體管的襯底連接點(diǎn)的阻抗電路相結(jié)合，從而改變直通開關(guān)電路205的轉(zhuǎn)移功能。在一些示例中，直通開關(guān)電路205 包括與傳輸晶體管210并聯(lián)的第二晶體管，這樣傳輸晶體管210與第二晶體管便一起構(gòu)成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管對(duì)。在一些示例中，該系統(tǒng)包括集成電路。所述直通開關(guān)電路205、所述第一直通開關(guān)激活電路215以及所述阻抗電路220、225均包含在所述集成電路中。在一些示例中，所述集成電路包含在移動(dòng)電話中。在一些示例中，所述集成電路包含在存儲(chǔ)器中，例如閃存、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器或只讀存儲(chǔ)器。在一些示例中，所述集成電路包含在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)用接口電路中， 例如CD-ROM或DVD用接口電路。改變這種集成電路中一個(gè)或多個(gè)直通開關(guān)的阻抗轉(zhuǎn)移功能，可降低抖動(dòng)，并可加快與這些設(shè)備的接口連接。附加說明本發(fā)明描述了用于降低由電子開關(guān)引起的信號(hào)抖動(dòng)的設(shè)備、系統(tǒng)及方法。在例I 中，系統(tǒng)包括直通開關(guān)電路，該直通開關(guān)電路包括傳輸晶體管，所述傳輸晶體管具有第一源 /漏極連接點(diǎn)、第二源/漏極連接點(diǎn)以及柵極輸入點(diǎn)。該直通開關(guān)電路用于響應(yīng)于柵極輸入點(diǎn)的激活，將來自第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至第二源/漏極連接點(diǎn)。所述直通開關(guān)電路還包括以通信方式連接至所述傳輸晶體管的阻抗電路，其中所述直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能至少部分取決于阻抗電路的阻抗，其中通過對(duì)阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定， 可最大程度地降低因直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減。所述直通開關(guān)電路還包括第一直通開關(guān)激活電路，其以通信方式連接至所述直通開關(guān)電路，并用于響應(yīng)于使能信號(hào)，向柵極輸入點(diǎn)提供第一激活信號(hào)。在例2中，如例I所述的阻抗電路的阻抗將阻抗轉(zhuǎn)移功能的轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置為足夠低以防止具有十兆赫(IOMHz)以上信號(hào)頻率的電子信號(hào)遭受衰減。在例3中，如例I及/或例2所述的系統(tǒng)還可包括第二直通開關(guān)激活電路，其以通信方式連接至所述直通開關(guān)電路，其中所述第二直通開關(guān)激活電路用于響應(yīng)于使能信號(hào)， 向柵極輸入點(diǎn)提供第二激活信號(hào)，其中第二激活信號(hào)的激活邊緣出現(xiàn)在第一激活信號(hào)的激活邊緣之前。在例4中，如例3所述的第一激活信號(hào)和第二激活信號(hào)可以是重疊信號(hào)。在例5中，如例1-4其中之一或其任意組合例所述的阻抗電路可以通信方式連接至所述柵極輸入點(diǎn)及所述第一直通開關(guān)激活電路。在例6中，如例1-5其中之一或其任意組合例所述的傳輸晶體管包括襯底連接點(diǎn)， 所述阻抗電路可以通信方式連接至所述襯底連接點(diǎn)。
7
在例7中，如例1-6其中之一或其任意組合例所述的阻抗電路可包括利用源/漏極擴(kuò)散形成的集成電阻器。在例8中，如例1-7其中之一或其任意組合例所述的阻抗電路可包括壓緊的結(jié)型場效應(yīng)管。在例9中，如例1-8其中之一或其任意組合例所述的阻抗電路可包括利用多晶硅形成的集成電阻。在例10中，如例1-9其中之一或其任意組合例所述的直通開關(guān)電路包括第二晶體管，其中所述傳輸晶體管與所述第二晶體管一起構(gòu)成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管對(duì)。在例11中，如例1-10其中之一或其任意組合例所述的阻抗電路的阻抗可包括阻值約為一百千歐(IOOkQ)或更高的電阻。在例12中，如例1-11其中之一或其任意組合例所述的系統(tǒng)可包括集成電路，其中所述直通開關(guān)電路及所述第一直通開關(guān)激活電路均包含在所述集成電路中。在例13中，如例12所述的集成電路可包含在移動(dòng)電話中。例14可包括主題或可通過結(jié)合如例1-13其中之一或其任意組合例所述的主題的方式包括主題(例如一種方法、一種執(zhí)行動(dòng)作的裝置或一種機(jī)器可讀介質(zhì)，所述機(jī)器可讀介質(zhì)包括在機(jī)器對(duì)其遵循時(shí)可使機(jī)器執(zhí)行動(dòng)作的指令)，所述主題包括將來自直通開關(guān)電路傳輸晶體管的第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至第二源/漏極連接點(diǎn)，通過對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定，以最大程度地降低因所述直通開關(guān)電路阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減，以及響應(yīng)于使能信號(hào)，利用第一激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)。在例15中，如例14所述的主題還可包括響應(yīng)于使能信號(hào)，利用第二激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)，其中所述第二激活信號(hào)的激活邊緣出現(xiàn)在所述第一激活信號(hào)的激活邊緣之前。在例16中，如例14及/或例15所述的利用第二激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)的步驟可包括利用與所述第一激活信號(hào)重疊的第二激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)。在例17中，如例14-16其中之一或其任意組合例所述的最大程度地降低電子信號(hào)衰減的步驟可包括將所述直通開關(guān)電路的所述阻抗轉(zhuǎn)移功能的轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置為足夠低以防止具有IOMHz以上信號(hào)頻率的電子信號(hào)遭受衰減。在例18中，如例14-17其中之一或其任意組合例所述的最大程度地降低電子信號(hào)衰減的步驟可包括將所述直通開關(guān)電路的所述阻抗轉(zhuǎn)移功能的轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置為約一兆赫 (IMHz)。在例19中，如例14-18其中之一或其任意組合例所述的對(duì)阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定的步驟可包括對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定。在例20中，如例14-19其中之一或其任意組合例所述的對(duì)阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定的步驟可包括對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的襯底連接點(diǎn)的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定。在例21中，一種系統(tǒng)或設(shè)備可包括，或可通過與如例1-20其中之一或其任意組合
8例所述的任何部分或部分組合相結(jié)合的方式來包括一種用于執(zhí)行如例1-20所述的一種或多種功能的裝置或一種機(jī)器可讀介質(zhì)，其中所述機(jī)器可讀介質(zhì)包括在機(jī)器對(duì)其遵循時(shí)可使機(jī)器執(zhí)行如例1-20所述的一種或多種功能的指令。在一個(gè)示例中，本發(fā)明所包含的示例的任何部分可通過任意排序或結(jié)合的方式， 加以組合。上述詳細(xì)說明書參照了附圖，附圖也是所述詳細(xì)說明書的一部分。附圖以圖解的方式顯示了可應(yīng)用本發(fā)明的具體實(shí)施例。這些實(shí)施例在本發(fā)明中被稱作“示例”。本發(fā)明所涉及的所有出版物、專利及專利文件全部作為本發(fā)明的參考內(nèi)容，盡管它們是分別加以參考的。如果本發(fā)明與參考文件之間存在用途差異，則將參考文件的用途視作本發(fā)明的用途的補(bǔ)充，若兩者之間存在不可調(diào)和的差異，則以本發(fā)明的用途為準(zhǔn)。在本發(fā)明中，與專利文件通常使用的一樣，術(shù)語“一”或“某一”表示包括一個(gè)或多個(gè)，但其他情況或在使用“至少一個(gè)”或“一個(gè)或多個(gè)”時(shí)應(yīng)除外。在本發(fā)明中，除非另外指明，否則使用術(shù)語“或”指無排他性的或者，使得“A或B”包括“A但不是B”、“B但不是A” 以及“A和B”。在所附權(quán)利要求中，術(shù)語“包含”和“在其中”等同于各個(gè)術(shù)語“包括”和“其中”的通俗英語。同樣，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語“包含”和“包括”是開放性的，即，系統(tǒng)、 裝置、物品或步驟包括除了權(quán)利要求中這種術(shù)語之后所列出的那些元件以外的部件的，依然視為落在該條權(quán)利要求的范圍之內(nèi)。而且，在下面的權(quán)利要求中，術(shù)語“第一”、“第二”和 “第三”等僅僅用作標(biāo)簽，并非對(duì)對(duì)象有數(shù)量要求。本發(fā)明所述的方法示例可至少部分地由機(jī)器或電腦執(zhí)行。上述說明的作用在于解說而非限制。例如上述示例(或示例的一個(gè)或多個(gè)方面) 可結(jié)合使用。可以在理解上述說明書的基礎(chǔ)上，利用現(xiàn)有技術(shù)的某種常規(guī)技術(shù)來執(zhí)行其他實(shí)施例。遵照37C.F.R. § 1.72(b)的規(guī)定提供摘要，允許讀者快速確定本技術(shù)公開的性質(zhì)。 提交本摘要時(shí)要理解的是該摘要不用于解釋或限制權(quán)利要求的范圍或意義。同樣，在上面的具體實(shí)施方式
中，各種特征可歸類成將本公開合理化。這不應(yīng)理解成未要求的公開特征對(duì)任何權(quán)利要求必不可少。相反，本發(fā)明的主題可在于的特征少于特定公開的實(shí)施例的所有特征。因此，下面的權(quán)利要求據(jù)此并入具體實(shí)施方式
中，每個(gè)權(quán)利要求均作為一個(gè)單獨(dú)的實(shí)施例。應(yīng)參看所附的權(quán)利要求，以及這些權(quán)利要求所享有的等同物的所有范圍，來確定本發(fā)明的范圍。
權(quán)利要求
1.一種電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，包括直通開關(guān)電路，包括傳輸晶體管，其具有第一源/漏極連接點(diǎn)、第二源/漏極連接點(diǎn)以及柵極輸入點(diǎn)，其中所述直通開關(guān)電路用于響應(yīng)于所述柵極輸入點(diǎn)的激活，將來自所述第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至所述第二源/漏極連接點(diǎn)；以及以通信方式連接至所述傳輸晶體管的阻抗電路，其中所述直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能至少部分取決于所述阻抗電路的阻抗，所述阻抗電路的阻抗值被設(shè)定為可最大程度地降低因所述直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減；以及第一直通開關(guān)激活電路，其以通信方式連接至所述直通開關(guān)電路，并用于響應(yīng)于使能信號(hào)，向所述柵極輸入點(diǎn)提供第一激活信號(hào)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述阻抗電路的阻抗將所述阻抗轉(zhuǎn)移功能的轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置為足夠低以防止具有IOMHz以上信號(hào)頻率的電子信號(hào)遭受衰減。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，該電子信號(hào)通信系統(tǒng)還包括第二直通開關(guān)激活電路，其以通信方式連接至所述直通開關(guān)電路，其中所述第二直通開關(guān)激活電路用于響應(yīng)于使能信號(hào)，向所述柵極輸入點(diǎn)提供第二激活信號(hào)，以及其中所述第二激活信號(hào)的激活邊緣出現(xiàn)在所述第一激活信號(hào)的激活邊緣之前。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述第一激活信號(hào)和所述第二激活信號(hào)是重疊信號(hào)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述阻抗電路以通信方式連接至所述柵極輸入點(diǎn)及所述第一直通開關(guān)激活電路。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述傳輸晶體管包括襯底連接點(diǎn)，以及所述阻抗電路以通信方式連接至所述襯底連接點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述阻抗電路包括利用源/漏極擴(kuò)散形成的集成電阻器。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述阻抗電路包括壓緊的結(jié)型場效應(yīng)管。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述阻抗電路包括利用多晶硅形成的集成電阻器。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述直通開關(guān)電路還包括第二晶體管，其中所述傳輸晶體管與所述第二晶體管一起構(gòu)成互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管對(duì)。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述阻抗電路的阻抗包括阻值約為IOOkQ或更高的電阻。
12.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，該電子信號(hào)通信系統(tǒng)包括集成電路，所述直通開關(guān)電路及所述第一直通開關(guān)激活電路均包含在所述集成電路中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電子信號(hào)通信系統(tǒng)，其特征在于，所述集成電路包含在移動(dòng)電話中。
14.一種電子信號(hào)通信方法,其特征在于,包括將來自直通開關(guān)電路的傳輸晶體管的第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至所述傳輸晶體管的第二源/漏極連接點(diǎn)；對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定，以最大程度地降低因所述直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減；以及響應(yīng)于使能信號(hào)，利用第一激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電子信號(hào)通信方法，其特征在于，該方法進(jìn)一步包括響應(yīng)于使能信號(hào)，利用第二激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)，其中所述第二激活信號(hào)的激活邊緣出現(xiàn)在所述第一激活信號(hào)的激活邊緣之前。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電子信號(hào)通信方法，其特征在于，利用第二激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)的步驟包括利用與所述第一激活信號(hào)重疊的第二激活信號(hào)激活所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)。
17.根據(jù)權(quán)利要求14-16中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信方法，其特征在于，最大程度地降低電子信號(hào)衰減的步驟包括將所述直通開關(guān)電路的所述阻抗轉(zhuǎn)移功能的轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置為足夠低以防止具有IOMHz以上信號(hào)頻率的電子信號(hào)遭受衰減。
18.根據(jù)權(quán)利要求14-17中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信方法，其特征在于，最大程度地降低電子信號(hào)衰減的步驟包括將所述直通開關(guān)電路的所述阻抗轉(zhuǎn)移功能的轉(zhuǎn)角頻率設(shè)置為約IMHz。
19.根據(jù)權(quán)利要求14-18中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信方法，其特征在于，對(duì)阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定的步驟包括對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的柵極輸入點(diǎn)的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定。
20.根據(jù)權(quán)利要求14-19中任一項(xiàng)所述的電子信號(hào)通信方法，其特征在于，對(duì)阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定的步驟包括對(duì)以通信方式連接至所述傳輸晶體管的襯底連接點(diǎn)的阻抗電路的阻抗值加以設(shè)定。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種電子信號(hào)通信系統(tǒng)，包括直通開關(guān)電路和第一直通開關(guān)激活電路。所述直通開關(guān)電路包括阻抗電路及傳輸晶體管，所述傳輸晶體管具有第一源/漏極連接點(diǎn)、第二源/漏極連接點(diǎn)以及柵極輸入點(diǎn)。所述直通開關(guān)電路響應(yīng)于所述柵極輸入點(diǎn)的激活，將來自所述第一源/漏極連接點(diǎn)的電子信號(hào)傳輸至所述第二源/漏極連接點(diǎn)。所述直通開關(guān)電路的阻抗轉(zhuǎn)移功能至少部分取決于所述阻抗電路的阻抗，所述阻抗電路的阻抗值被設(shè)定為可最大程度地降低因所述直通開關(guān)電路阻抗轉(zhuǎn)移功能導(dǎo)致的電子信號(hào)衰減。所述第一直通開關(guān)激活電路響應(yīng)于使能信號(hào)，向所述柵極輸入點(diǎn)提供第一激活信號(hào)。
文檔編號(hào)H03H11/28GK102611412SQ20111035960
公開日2012年7月25日 申請(qǐng)日期2011年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月12日
發(fā)明者科奈斯·P·斯諾登 申請(qǐng)人:快捷半導(dǎo)體(蘇州)有限公司, 快捷半導(dǎo)體公司