專利名稱:毫米波頻率源裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體微電子領(lǐng)域,尤其涉及一種毫米波頻率源裝置。
背景技術(shù):
現(xiàn)代通信系統(tǒng)的重要指標(biāo)之一是其工作頻率,相應(yīng)頻率的頻率源是其必要模塊, 隨著技術(shù)發(fā)展,通訊設(shè)備和雷達(dá)系統(tǒng)的工作頻率也逐步提高,高端產(chǎn)品目前已達(dá)數(shù)十GHz 的毫米波段,這些系統(tǒng)都需要與其頻率相對應(yīng)的頻率源模塊。在微電子領(lǐng)域,微波和毫米波概念的區(qū)分通常并不嚴(yán)格,因此在本發(fā)明中,根據(jù)所提出的頻率源結(jié)構(gòu)的特征并結(jié)合當(dāng)前技術(shù)水平發(fā)展的實(shí)際情況,所提到的微波主要指代Ka 以下波段,在該波段當(dāng)前的電路和模塊技術(shù)相對成熟,易于制備高質(zhì)量的振蕩源;所提到的毫米段主要指代從E波段到W波段,記為E-W波段。在毫米波段,尤其是工作頻率高達(dá)E-W波段時(shí),模塊式的毫米波頻率源裝置會面臨如下技術(shù)困難受器件能力限制,電路能夠?qū)崿F(xiàn)的功率通常較小;信號的傳輸需要通過波導(dǎo)實(shí)現(xiàn),即使使用波導(dǎo)也存在損耗大,匹配困難的問題;高頻寄生參數(shù)十分顯著,使電路性能惡化;由于傳輸波導(dǎo)和波導(dǎo)諧振腔的存在,電路體積很大,對溫度和振動(dòng)敏感,工作穩(wěn)
定性差等。因此,毫米波技術(shù)發(fā)展的一個(gè)重要方向既是將毫米波前端單元采用全集成的毫米波單片集成電路(MMIC)實(shí)現(xiàn),或者采用混合毫米波集成電路(HMIC)實(shí)現(xiàn)。利用微電子和微封裝工藝的小體積、高加工精度、高集成度直接制作毫米波集成電路和模塊,在集成電路片內(nèi)實(shí)現(xiàn)電路單元的互聯(lián)和匹配。例如單片集成的毫米波振蕩器,它是振蕩的頻率信號產(chǎn)生源,是頻率源的核心。但是受器件老化、電路品質(zhì)因數(shù)低、環(huán)境變化等影響,電路參數(shù)會發(fā)生抖動(dòng),形成噪聲,該現(xiàn)象對于頻率極高的毫米波電路尤為明顯。頻率源作為整個(gè)電路的頻率基準(zhǔn),需要較高的穩(wěn)定度,所以僅靠毫米波集成電路并不能形成高質(zhì)量的頻率源,還需要建立具有穩(wěn)頻功能的環(huán)路系統(tǒng),其中最常用的就是頻率源鎖相技術(shù),在較低頻段典型的做法是使用晶體振蕩器(晶振)作為參考源進(jìn)行鎖相,例如存在多種型號的商品化的鎖相環(huán)電路,可以將數(shù)GHz的微波信號與晶振參考源鎖相,其中晶振通常工作在幾十到幾百M(fèi)HZ。但是在毫米波頻率源的具體實(shí)現(xiàn)中,面臨著電路單元之間的毫米波信號連接困難,以及傳統(tǒng)晶振和鎖相環(huán)的工作頻率與毫米波頻率差別巨大,難以直接鎖相等問題。在實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的過程中,發(fā)明人意識到現(xiàn)有技術(shù)存在如下缺陷毫米波頻率源裝置輸出的毫米波頻率穩(wěn)定性差,同時(shí)毫米波與常用高穩(wěn)定度參考源頻率差距大,難以直接實(shí)現(xiàn)鎖相。
發(fā)明內(nèi)容
(一)要解決的技術(shù)問題本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中毫米波頻率源裝置輸出的毫米波頻率穩(wěn)定性差的缺陷,提出了一種毫米波頻率源裝置。(二)技術(shù)方案本發(fā)明的毫米波頻率源裝置,包括毫米波前端模塊和穩(wěn)頻模塊,其中毫米波前端模塊,用于產(chǎn)生毫米波頻段的振蕩信號;將毫米波頻段的振蕩信號倍頻后與穩(wěn)頻單元產(chǎn)生的一微波信號進(jìn)行混頻,得到一中頻信號,將中頻信號傳輸至穩(wěn)頻模塊;接收穩(wěn)頻模塊的一鎖相信號,并根據(jù)鎖相信號對毫米波前端模塊產(chǎn)生的毫米波頻段的振蕩信號進(jìn)行鎖相,輸出經(jīng)過鎖相的毫米波振蕩信號;穩(wěn)頻模塊,用于產(chǎn)生微波信號;接收毫米波前端模塊輸出的中頻信號,根據(jù)中頻信號產(chǎn)生鎖相信號,并將鎖相信號傳輸至毫米波前端模塊。優(yōu)選地,本技術(shù)方案中,毫米波前端模塊,包括毫米波振蕩器、倍頻混頻單元、毫米波輸出放大緩沖單元,其中毫米波振蕩器,用于產(chǎn)生毫米波頻段振蕩信號;倍頻混頻單元,用于將微波振蕩信號進(jìn)行倍頻后,與毫米波頻段振蕩信號混頻,獲得中頻信號;毫米波輸出放大緩沖單元,用于將毫米波振蕩器經(jīng)過中頻鎖相后輸出的毫米波頻段振蕩信號進(jìn)行放大并輸出。優(yōu)選地,本技術(shù)方案中,穩(wěn)頻模塊,包括微波振蕩器、微波鎖相單元、中頻鎖相單元,其中微波振蕩器,用于產(chǎn)生微波振蕩信號;微波鎖相單元,與微波振蕩器相連,用于對微波振蕩器產(chǎn)生的微波振蕩信號進(jìn)行鎖相;中頻鎖相單元,用于鎖相倍頻混頻單元獲得的中頻信號,生成校準(zhǔn)電壓信號,并將校準(zhǔn)電壓信號輸出至毫米波振蕩器,實(shí)現(xiàn)對毫米波振蕩器所輸出的毫米波頻段振蕩信號的鎖相。優(yōu)選地,本技術(shù)方案中,微波鎖相單元包括預(yù)分頻器,與微波振蕩器相連,用于將微波振蕩器產(chǎn)生的微波振蕩信號進(jìn)行預(yù)分頻;第一晶振參考源,用于產(chǎn)生第一參考頻率信號;微波鎖相環(huán),與預(yù)分頻器和第一晶振參考源相連,用于將預(yù)分頻后的微波振蕩信號與第一參考頻率信號進(jìn)行比較,生成第一校準(zhǔn)電壓信號,并將第一校準(zhǔn)電壓信號發(fā)送至微波振蕩器,實(shí)現(xiàn)對微波振蕩器產(chǎn)生的微波振蕩信號的鎖相。優(yōu)選地,本技術(shù)方案中,中頻鎖相單元包括第二晶振參考源,用于產(chǎn)生第二參考頻率信號;中頻鎖相環(huán),與倍頻混頻單元和第二晶振參考源相連,用于將倍頻混頻單元獲得中頻信號與第二參考頻率信號進(jìn)行比較,生成第二校準(zhǔn)電壓信號,并將第二校準(zhǔn)電壓信號發(fā)送至毫米波振蕩器,實(shí)現(xiàn)對毫米波振蕩器產(chǎn)生的毫米波頻段振蕩信號的鎖相。(三)有益效果本發(fā)明中,利用微波頻率源作為中間源雙環(huán)鎖相,建立低頻高穩(wěn)定度的晶振與毫米波振蕩器的鎖相關(guān)系,從而提高了所輸出毫米波頻率的穩(wěn)定性,同時(shí)毫米波段部分可由單片電路實(shí)現(xiàn),避免了傳統(tǒng)毫米波模塊的互聯(lián)問題。
圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一毫米波頻率源裝置的示意圖;圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二毫米波頻率源裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,以下結(jié)合具體實(shí)施例,并參照附圖,對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
實(shí)施例一圖1為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例一毫米波頻率源裝置的示意圖。如圖1所示,本實(shí)施例毫米波頻率源裝置包括毫米波前端模塊10和穩(wěn)頻模塊20。其中毫米波前端模塊10,用于產(chǎn)生毫米波頻段的振蕩信號;將毫米波頻段的振蕩信號倍頻后與穩(wěn)頻單元產(chǎn)生的一微波信號進(jìn)行混頻,得到一中頻信號,將中頻信號傳輸至穩(wěn)頻模塊;接收穩(wěn)頻模塊的一鎖相信號,并根據(jù)鎖相信號對毫米波前端模塊產(chǎn)生的毫米波頻段的振蕩信號進(jìn)行鎖相,輸出經(jīng)過鎖相的毫米波振蕩信號;穩(wěn)頻模塊20,用于產(chǎn)生微波信號;接收毫米波前端模塊輸出的中頻信號, 根據(jù)中頻信號產(chǎn)生鎖相信號,并將鎖相信號傳輸至毫米波前端模塊。具體的,本技術(shù)方案中,毫米波前端模塊10包括毫米波振蕩器101,用于產(chǎn)生毫米波頻段振蕩信號;倍頻混頻單元102,用于將微波振蕩信號進(jìn)行倍頻后,與毫米波頻段振蕩信號混頻,獲得中頻信號;毫米波輸出放大緩沖單元103,用于將毫米波振蕩器101經(jīng)過中頻鎖相后輸出的毫米波頻段振蕩信號進(jìn)行放大并輸出。具體的,本技術(shù)方案中,穩(wěn)頻模塊20,與毫米波前端模塊10相連,包括微波振蕩器201,用于產(chǎn)生微波振蕩信號;微波鎖相單元202,與微波振蕩器201相連,用于對微波振蕩器201產(chǎn)生的微波振蕩信號進(jìn)行鎖相;中頻鎖相單元203,用于鎖相倍頻混頻單元102獲得中頻信號,生成校準(zhǔn)電壓信號,并將校準(zhǔn)電壓信號輸出至毫米波振蕩器101,實(shí)現(xiàn)對毫米波振蕩器101所輸出的毫米波頻段振蕩信號的鎖相本實(shí)施例中,利用微波頻率源作為中間源雙環(huán)鎖相,建立低頻高穩(wěn)定度的晶振與毫米波振蕩器的鎖相關(guān)系,從而提高了所輸出毫米波頻率的穩(wěn)定性。實(shí)施例二本實(shí)施例將在實(shí)施例一的基礎(chǔ)上,對毫米波頻率源裝置進(jìn)一步說明。圖2為根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例二毫米波頻率源裝置的示意圖。如圖2所示,從整體來看,本實(shí)施例所提出的毫米波頻率源裝置包括兩個(gè)模塊毫米波前端模塊10和穩(wěn)頻模塊 20,其中毫米波前端模塊10至少包含一個(gè)具有倍頻混頻單元102,一個(gè)毫米波振蕩器101, 通常還包含毫米波輸出放大單元103。穩(wěn)頻模塊20包含晶振參考源2022,微波鎖相環(huán)2023, 微波振蕩器201,中頻鎖相環(huán)2031,預(yù)分頻器2021。該頻率源的工作原理是利用晶振參考源2022、微波鎖相環(huán)2023,配合預(yù)分頻器 2021對微波振蕩器201進(jìn)行鎖相,獲得高質(zhì)量的微波振蕩信號,該信號輸入毫米波前端模塊10中的倍頻混頻單元102,毫米波振蕩器101工作于所期望的毫米波頻段,其輸出信號中的一路輸入倍頻混頻單元102,倍頻混頻單元102將微波振蕩器201輸出的微波信號倍頻后與毫米波振蕩器101輸出的毫米波信號混頻,獲得中頻信號,利用中頻鎖相環(huán)2031和晶振參考源2022鎖住該中頻信號,即可以實(shí)現(xiàn)毫米波振蕩器101的鎖相。毫米波振蕩器101的另一路輸出信號經(jīng)過輸出緩沖放大級輸出。本實(shí)施例為實(shí)施例一各部分的具體細(xì)化,具有實(shí)施例一的全部有益效果,此處不
再重述。實(shí)施例三本實(shí)施例將對實(shí)施例一、二中各部件的特征進(jìn)行說明。本實(shí)施例中,毫米波前端模塊10為采用單片集成電路技術(shù)實(shí)現(xiàn)全集成的毫米波單片集成電路(MMIC),從而使得毫米波信號全部在該單片電路內(nèi)傳輸,即毫米波振蕩器101、倍頻混頻單元102和毫米波輸出放大緩沖單元集成于同一芯片。優(yōu)選的,單片集成電路技術(shù)采用基于磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管器件(InP HBT)的集成電路技術(shù),該技術(shù)具有器件工作頻率很高,閃爍噪聲低的特點(diǎn),適于毫米波頻率源應(yīng)用。此外,倍頻混頻單元102 可以采用諧波混頻電路直接實(shí)現(xiàn);也可以采用倍頻器電路和混頻器電路實(shí)現(xiàn)。本實(shí)施例中,毫米波前端模塊由單片電路實(shí)現(xiàn),避免了傳統(tǒng)毫米波模塊的互聯(lián)問題,同時(shí),本實(shí)施例的毫米波頻率源裝置具有低損耗,微型化的優(yōu)勢。實(shí)施例四本實(shí)施例將對實(shí)施例一、二、三中各部件的特征進(jìn)行說明。上述實(shí)施例描述了本發(fā)明的頻率源結(jié)構(gòu)的基本工作原理,其中所涉及的子電路或模塊的具體形式和指標(biāo)可以根據(jù)需求靈活的設(shè)計(jì)或者選擇。這些選擇是在技術(shù)水平允許的范圍內(nèi)的,以下是對個(gè)部分優(yōu)選的方案。穩(wěn)頻模塊20工作于微波及更低頻率,技術(shù)較為成熟,采用分立的電路進(jìn)行模塊化的實(shí)現(xiàn)。微波振蕩器201的工作頻率選擇在毫米波振蕩器101頻率的1/3-1/8附近,即倍頻混頻單元102的倍頻數(shù)為3-8。該倍頻數(shù)從技術(shù)上較易實(shí)現(xiàn)并能夠保證較好的倍頻信號質(zhì)量。相應(yīng)的,微波振蕩器201的工作頻率通常選擇在Ku-K波段,可以選擇但不限于硅 (Si)集成電路工藝、鍺硅(GeSi)集成電路工藝、砷化鎵(GaAs)集成電路工藝制造的振蕩器電路。優(yōu)選的,可以采用GaAs HBT工藝實(shí)現(xiàn)。中頻鎖相環(huán)2031采用低成本的商品化集成鎖相環(huán),由于工作頻率較低,有多種型號可供本領(lǐng)域技術(shù)人員方便的選擇。微波鎖相環(huán)2023采用商品化集成微波鎖相環(huán),如ADI公司就提供工作于數(shù)GHz的產(chǎn)品,與工作于K-Ku波段的預(yù)分頻器110相配合,預(yù)分頻器2021的分頻數(shù)選在在2-4倍, 可以實(shí)現(xiàn)對Ku-K波段的微波振蕩器108的鎖相。預(yù)分頻器2021可以采用商品化的集成預(yù)分頻器,例如Hittite公司的相應(yīng)產(chǎn)品;也可以在電路設(shè)計(jì)的過程中直接與微波振蕩器201 集成于同一片集成電路中。以上所述的具體實(shí)施例,對本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明,所應(yīng)理解的是,以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已,并不用于限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種毫米波頻率源裝置,其特征在于,包括毫米波前端模塊和穩(wěn)頻模塊,其中 所述毫米波前端模塊,用于產(chǎn)生毫米波頻段的振蕩信號;將所述毫米波頻段的振蕩信號倍頻后與所述穩(wěn)頻模塊產(chǎn)生的一微波信號進(jìn)行混頻,得到一中頻信號,將所述中頻信號傳輸至穩(wěn)頻模塊;接收所述穩(wěn)頻模塊的一鎖相信號,并根據(jù)所述鎖相信號對所述毫米波前端模塊產(chǎn)生的毫米波頻段的振蕩信號進(jìn)行鎖相,輸出經(jīng)過所述鎖相的毫米波振蕩信號;所述穩(wěn)頻模塊,用于產(chǎn)生所述微波信號;接收所述毫米波前端模塊輸出的所述中頻信號,根據(jù)所述中頻信號產(chǎn)生所述鎖相信號,并將所述鎖相信號傳輸至毫米波前端模塊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述毫米波前端模塊,包括毫米波振蕩器、倍頻混頻單元、毫米波輸出放大緩沖單元,其中所述毫米波振蕩器,用于產(chǎn)生毫米波頻段振蕩信號;所述倍頻混頻單元,用于將微波振蕩信號進(jìn)行倍頻后,與所述毫米波頻段振蕩信號混頻,獲得中頻信號;所述毫米波輸出放大緩沖單元,用于將所述毫米波振蕩器經(jīng)過中頻鎖相后輸出的毫米波頻段振蕩信號進(jìn)行放大并輸出。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述毫米波振蕩器、所述倍頻混頻單元和所述毫米波輸出放大單元通過基于磷化銦異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管器件的集成電路技術(shù)集成于同一芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述穩(wěn)頻模塊,包括微波振蕩器、微波鎖相單元、中頻鎖相單元,其中所述微波振蕩器,用于產(chǎn)生微波振蕩信號;所述微波鎖相單元,與所述微波振蕩器相連,用于對所述微波振蕩器產(chǎn)生的微波振蕩信號進(jìn)行鎖相;所述中頻鎖相單元,用于鎖相所述倍頻混頻單元獲得的所述中頻信號,生成校準(zhǔn)電壓信號,并將所述校準(zhǔn)電壓信號輸出至所述毫米波振蕩器,實(shí)現(xiàn)對所述毫米波振蕩器所輸出的毫米波頻段振蕩信號的鎖相。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述微波鎖相單元包括 預(yù)分頻器,與所述微波振蕩器相連接,用于將所述微波振蕩器產(chǎn)生的微波振蕩信號進(jìn)行預(yù)分頻;第一晶振參考源,用于產(chǎn)生第一參考頻率信號;微波鎖相環(huán),與所述預(yù)分頻器和第一晶振參考源相連,用于將所述預(yù)分頻后的微波振蕩信號與所述第一參考頻率信號進(jìn)行比較,生成第一校準(zhǔn)電壓信號,并將所述第一校準(zhǔn)電壓信號發(fā)送至所述微波振蕩器,實(shí)現(xiàn)對所述微波振蕩器產(chǎn)生的微波振蕩信號的鎖相。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述預(yù)分頻器的工作頻率為K-Ku波段,分頻數(shù)介于2至4倍之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述中頻鎖相單元包括 第二晶振參考源,用于產(chǎn)生第二參考頻率信號;中頻鎖相環(huán),與所述倍頻混頻單元和第二晶振參考源相連接,用于將所述倍頻混頻單元獲得中頻信號與第二參考頻率信號進(jìn)行比較,生成第二校準(zhǔn)電壓信號,并將所述第二校準(zhǔn)電壓信號發(fā)送至所述毫米波振蕩器,實(shí)現(xiàn)對所述毫米波振蕩器產(chǎn)生的毫米波頻段振蕩信號的鎖相。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于,所述第一晶振參考源和第二晶振參考源為同一個(gè)晶振參考源。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于所述微波振蕩器的工作頻率在所述毫米波振蕩器頻率的1/3-1/8附近。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于所述微波振蕩器為采用硅集成電路工藝、鍺硅集成電路工藝,或砷化鎵集成電路工藝制造的振蕩器。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的毫米波頻率源裝置,其特征在于所述微波振蕩器為砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管振蕩器。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種毫米波頻率源裝置。該毫米波頻率源裝置利用微波頻率源作為中間源雙環(huán)鎖相,建立低頻高穩(wěn)定度的晶振與毫米波振蕩器的鎖相關(guān)系,從而提高了所輸出毫米波的頻率穩(wěn)定性,同時(shí)毫米波前端模塊由單片電路實(shí)現(xiàn),避免了傳統(tǒng)毫米波前端模塊的互聯(lián)問題。
文檔編號H03L7/00GK102480281SQ201010573809
公開日2012年5月30日 申請日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者劉新宇, 吳旦昱, 王顯泰, 金智 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所