專利名稱:低老化率石英晶體諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及低老化率石英晶 體諧振器。
技術(shù)背景
石英晶體諧振器是高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器,被廣泛應(yīng)用于彩 電、計算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中,以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā) 生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時鐘信號和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號。石 英晶體諧振器是利用石英晶體(二氧化硅的結(jié)晶體)的壓電效應(yīng)制成 的一種諧振器件,它的基本構(gòu)成大致是從一塊石英、晶體上按一定方 位角切下薄片,簡稱為晶片,它可以是正方形、矩形或圓形等,在它 的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極,在每個電極上各焊一根引線接到 管腳上,再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器,簡稱為石英晶體 或晶體、晶振,其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝,也有用玻璃殼、陶瓷或 塑料封裝的?,F(xiàn)有的石英晶體諧振器的晶片年老化率一般比較高,相 對于精度要求高、工差要求嚴(yán)的產(chǎn)品,使用現(xiàn)有晶片鍍銀后達(dá)不到要 求,滿足不了需求。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供低老化率石英 晶體諧振器,它具有年老化率低的特點(diǎn),適用于精度要求高、工差要 求嚴(yán)的產(chǎn)品上。
為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案 它包括基座、晶片,晶片固定于基座上,晶片的表面具有經(jīng)刻蝕 的鍍膜層。
所述的晶片的上表面具有經(jīng)刻蝕的上鍍膜層。 所述的晶片的下表面具有下鍍膜層。 所述的晶片的側(cè)面具有側(cè)面鍍膜層。
本實(shí)用新型的有益效果在于,由于晶片的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜 層,鍍膜層的致密性比較好,所以能夠有效降低產(chǎn)品的年老化率。
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
圖2是本實(shí)用新型的鍍膜后的晶片示意圖具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
以下所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式,并不因此而限定本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍。
見附圖l、 2,本實(shí)用新型包括上蓋IO、基座20、晶片40,上 蓋10安裝于基座20上方與基座20配合,晶片40固定于基座20上, 晶片40的上表面具有經(jīng)刻蝕的上鍍膜層41,通過經(jīng)刻蝕的上鍍膜層41的設(shè)置,該上鍍膜層41的致密性比較好,不會稀疏,從而能夠降 低產(chǎn)品的年老化率,年老化率可以降低20%-30% 。
所述的晶片40的下表面具有下鍍膜層42。
所述的晶片40的側(cè)面具有側(cè)面鍍膜層43。
對鍍于晶片40上表面的上鍍膜層41進(jìn)行刻蝕處理,鍍膜層進(jìn)行 刻蝕時,可以采用氬離子刻蝕,結(jié)合產(chǎn)品的生產(chǎn)成本、生產(chǎn)效率,可 采用四次刻蝕的方式,前兩次氬離子的速率相同,后兩次速率依次降 低,利用這種方式可以使鍍膜層的致密性比較好,不會稀疏,從而能 夠降低產(chǎn)品的年老化率。
權(quán)利要求1、低老化率石英晶體諧振器,它包括基座(20)、晶片(40),晶片(40)固定于基座(20)上,其特征在于晶片(40)的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低老化率石英晶體諧振器,其特征在 于所述的晶片(40)的上表面具有經(jīng)刻蝕的上鍍膜層(41)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的低老化率石英晶體諧振器,其特征在 于所述的晶片(40)的下表面具有下鍍膜層(42)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低老化率石英晶體諧振器,其特征在 于所述的晶片(40)的側(cè)面具有側(cè)面鍍膜層(43)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及低老化率石英晶體諧振器,它包括基座、晶片,晶片固定于基座上,晶片的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜層;由于晶片的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜層,鍍膜層的致密性比較好,所以能夠有效降低產(chǎn)品的年老化率,適用于精度要求高、工差要求嚴(yán)的產(chǎn)品上。
文檔編號H03H9/02GK201298831SQ20082020445
公開日2009年8月26日 申請日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者劉國強(qiáng), 趙積清, 越 邢, 奇 金 申請人:東莞惠倫頓堡電子有限公司