專利名稱：低老化率石英晶體諧振器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及低老化率石英晶 體諧振器。
技術(shù)背景
石英晶體諧振器是高精度和高穩(wěn)定度的振蕩器，被廣泛應(yīng)用于彩 電、計算機(jī)、遙控器等各類振蕩電路中，以及通信系統(tǒng)中用于頻率發(fā) 生器、為數(shù)據(jù)處理設(shè)備產(chǎn)生時鐘信號和為特定系統(tǒng)提供基準(zhǔn)信號。石 英晶體諧振器是利用石英晶體(二氧化硅的結(jié)晶體)的壓電效應(yīng)制成 的一種諧振器件，它的基本構(gòu)成大致是從一塊石英、晶體上按一定方 位角切下薄片，簡稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等，在它 的兩個對應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個電極上各焊一根引線接到 管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了石英晶體諧振器，簡稱為石英晶體 或晶體、晶振，其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或 塑料封裝的?，F(xiàn)有的石英晶體諧振器的晶片年老化率一般比較高，相 對于精度要求高、工差要求嚴(yán)的產(chǎn)品，使用現(xiàn)有晶片鍍銀后達(dá)不到要 求，滿足不了需求。 實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足而提供低老化率石英 晶體諧振器，它具有年老化率低的特點(diǎn)，適用于精度要求高、工差要 求嚴(yán)的產(chǎn)品上。
為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案 它包括基座、晶片，晶片固定于基座上，晶片的表面具有經(jīng)刻蝕 的鍍膜層。
所述的晶片的上表面具有經(jīng)刻蝕的上鍍膜層。 所述的晶片的下表面具有下鍍膜層。 所述的晶片的側(cè)面具有側(cè)面鍍膜層。
本實(shí)用新型的有益效果在于，由于晶片的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜 層，鍍膜層的致密性比較好，所以能夠有效降低產(chǎn)品的年老化率。


圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
圖2是本實(shí)用新型的鍍膜后的晶片示意圖具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明。
以下所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，并不因此而限定本實(shí) 用新型的保護(hù)范圍。
見附圖l、 2，本實(shí)用新型包括上蓋IO、基座20、晶片40，上 蓋10安裝于基座20上方與基座20配合，晶片40固定于基座20上， 晶片40的上表面具有經(jīng)刻蝕的上鍍膜層41，通過經(jīng)刻蝕的上鍍膜層41的設(shè)置，該上鍍膜層41的致密性比較好，不會稀疏，從而能夠降 低產(chǎn)品的年老化率，年老化率可以降低20%-30% 。
所述的晶片40的下表面具有下鍍膜層42。
所述的晶片40的側(cè)面具有側(cè)面鍍膜層43。
對鍍于晶片40上表面的上鍍膜層41進(jìn)行刻蝕處理，鍍膜層進(jìn)行 刻蝕時，可以采用氬離子刻蝕，結(jié)合產(chǎn)品的生產(chǎn)成本、生產(chǎn)效率，可 采用四次刻蝕的方式，前兩次氬離子的速率相同，后兩次速率依次降 低，利用這種方式可以使鍍膜層的致密性比較好，不會稀疏，從而能 夠降低產(chǎn)品的年老化率。
權(quán)利要求1、低老化率石英晶體諧振器，它包括基座(20)、晶片(40)，晶片(40)固定于基座(20)上，其特征在于晶片(40)的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的低老化率石英晶體諧振器，其特征在 于所述的晶片(40)的上表面具有經(jīng)刻蝕的上鍍膜層(41)。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的低老化率石英晶體諧振器，其特征在 于所述的晶片(40)的下表面具有下鍍膜層(42)。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的低老化率石英晶體諧振器，其特征在 于所述的晶片(40)的側(cè)面具有側(cè)面鍍膜層(43)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及晶體諧振器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及低老化率石英晶體諧振器，它包括基座、晶片，晶片固定于基座上，晶片的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜層；由于晶片的表面具有經(jīng)刻蝕的鍍膜層，鍍膜層的致密性比較好，所以能夠有效降低產(chǎn)品的年老化率，適用于精度要求高、工差要求嚴(yán)的產(chǎn)品上。
文檔編號H03H9/02GK201298831SQ20082020445
公開日2009年8月26日 申請日期2008年12月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月2日
發(fā)明者劉國強(qiáng), 趙積清, 越 邢, 奇 金 申請人:東莞惠倫頓堡電子有限公司