專利名稱：集成電路和光拾波裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種多級(jí)級(jí)聯(lián)連接放大器的集成電路。
本發(fā)明，特別適于具備集成電路的光拾波裝置，該集成電路具有通過(guò)多個(gè)放大器依次增大增益的多級(jí)放大器、以及具有大增益的電路。此外，比較適用于特別需要高頻率特性的集成電路。
背景技術(shù)：
光盤作為記錄聲音、影像、文字?jǐn)?shù)據(jù)等的介質(zhì)被廣泛使用。而對(duì)于光盤，再生或者記錄信息的各種裝置也被開發(fā)。
光拾波裝置是在上述裝置的前端部分從光盤輸入光信號(hào)(激光信號(hào))而轉(zhuǎn)換成電信號(hào)輸出的主要的構(gòu)成要素。即，光拾波裝置是從光盤反射的激光反射光中接受光信號(hào)，將其通過(guò)受光元件(光電二極管)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)(電流)，通過(guò)連接至受光元件的電路的增益電阻進(jìn)行電壓轉(zhuǎn)換、以向后級(jí)的LSI輸出為目的的主要構(gòu)成元素。
一般，由于通過(guò)受光元件轉(zhuǎn)換的電流微小，所以有必要通過(guò)放大電路(受光放大元件)放大電流。其中，圖7表示一般受光放大元件的等價(jià)電路，此外，圖8表示受光元件的受光部的形狀、布置。
在一般的受光放大元件中，如圖7所示，由受光元件201轉(zhuǎn)換的電信號(hào)Isc通過(guò)級(jí)聯(lián)連接的2級(jí)放大電路(初級(jí)放大電路A11、后級(jí)放大電路A12)被放大。
上述受光元件201，如圖8所示，具有配置在中心的被分成4份的主受光部202(A～D)、和配置在主受光部202左右兩側(cè)的輔受光部203(E～H)。通過(guò)主受光部202轉(zhuǎn)換的電信號(hào)用于進(jìn)行光拾波裝置的焦點(diǎn)調(diào)整以及數(shù)據(jù)信號(hào)的再生，通過(guò)輔受光部203轉(zhuǎn)換的電信號(hào)用于進(jìn)行光拾波裝置的跟蹤調(diào)整。
在工作時(shí)的光拾波裝置中，由于主受光部202、輔受光部203全都處于被來(lái)自光盤的激光反射光照射的狀態(tài)，因此受光元件201的輸出端子處于工作狀態(tài)。即，對(duì)于受光元件201，如圖7所示，激光光信號(hào)被轉(zhuǎn)換成電信號(hào)Isc，該電信號(hào)Isc通過(guò)初級(jí)放大電路A11，電流電壓被轉(zhuǎn)換放大，而且通過(guò)后級(jí)放大電路A12放大電壓，從輸出端子101輸出信號(hào)。
對(duì)于具有上述級(jí)聯(lián)連接的放大電路的受光放大元件，為了使電路整體穩(wěn)定地工作，必須防止在電源線產(chǎn)生噪聲、振蕩等。因此，在圖7所示的受光放大元件中，設(shè)置了用于從電源塊102向各放大電路(A11、A12)等供電的各電源線即金屬配線103～105。就這樣，對(duì)于級(jí)聯(lián)連接的多個(gè)放大電路，作為通過(guò)各電源線供電的例子，例如，可舉出下述的專利文件1。其中，在圖9中表示電源塊102部分的電源線(金屬配線)的概略圖。
專利文件1日本國(guó)公開專利公報(bào)；特開2003-37446公報(bào)(2003年2月7日公開)但是，在圖9所示的例中，如向初級(jí)放大電路供電的金屬配線103、向后級(jí)放大電路供電的金屬配線104、和向其他電路供電的金屬配線105，從電源塊102對(duì)各電路單獨(dú)形成電源線，以便抑制在電源線中產(chǎn)生的噪聲。
其中，如上所述，對(duì)于級(jí)聯(lián)連接多個(gè)放大電路的多級(jí)放大電路，在初級(jí)放大電路的輸出端子，由于電壓的急劇的變動(dòng)而產(chǎn)生耦合噪聲。因此，上述的電路構(gòu)成中，在初級(jí)放大電路發(fā)生的電壓的急劇的變動(dòng)，通過(guò)電源塊102，與放大信號(hào)一同輸入到后級(jí)放大電路，因此產(chǎn)生電路工作變得不穩(wěn)定的問(wèn)題。
而且，耦合噪聲發(fā)生的原因是多種多樣的。特別顯著的原因是集成電路中層積的金屬層及絕緣層的層間接合不良。在芯片上集成電容和晶體管時(shí)，堆積了很多層金屬層和絕緣層。在這種情況下，如果在層間有未緊密接合的不良部分，就從此不良部分產(chǎn)生噪聲(稱作接合噪聲)。
此外，有集成電路外原因的噪聲(由于生活環(huán)境產(chǎn)生的噪聲；一般稱作干擾噪聲)，也給集成電路帶來(lái)電影響。
耦合噪聲是上述的接合噪聲和干擾噪聲的總稱。
如上所述，在初級(jí)放大電路的輸出端子，產(chǎn)生電壓急劇變動(dòng)是因?yàn)轳詈显肼暿闺娫?Vcc，Vref)不穩(wěn)定的原因。此外，引起該輸出端子的電壓急劇變動(dòng)還產(chǎn)生耦合噪聲的惡性循環(huán)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問(wèn)題點(diǎn)而提出的，其目的在于，對(duì)于多級(jí)級(jí)聯(lián)連接的放大電路(放大器)，提供一種能夠抑制初級(jí)放大電路中產(chǎn)生的耦合噪聲，使后級(jí)放大電路的電路工作平穩(wěn)化的集成電路。
本發(fā)明的集成電路，其特征在于，為達(dá)到上述的目的，包括多級(jí)級(jí)聯(lián)連接的放大器；連接到共同的電源上的電源線，電源線向各放大器供電；降低在上述放大器中的初級(jí)放大器中產(chǎn)生的噪聲的降低噪聲設(shè)備。
根據(jù)上述構(gòu)成，借助于降低噪聲裝置，可以降低初級(jí)放大器中產(chǎn)生的噪聲，從而抑制通過(guò)其他的放大器和共同的電源對(duì)后級(jí)的放大器輸出噪聲。
由此，由于沒(méi)有基于在初級(jí)的放大器中產(chǎn)生的噪聲，例如耦合噪聲使后級(jí)的放大器的工作不平穩(wěn)的情況，因此可以使集成電路的整體的工作平穩(wěn)。
此外，上述降低噪聲設(shè)備，還可以由包含電阻和電容的積分器構(gòu)成。
由此，根據(jù)由包含電阻和電容的積分器構(gòu)成上述降低噪聲設(shè)備，在集成電路內(nèi)組裝降低噪聲設(shè)備就變得容易。
另外，由于積分電路包含電阻和電容，因此利用現(xiàn)有的元件形成積分電路就變得容易。
本發(fā)明還有的另外的目的、特征、以及優(yōu)點(diǎn)，通過(guò)以下的敘述，會(huì)充分明了。此外，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)通過(guò)參照附圖的以下的說(shuō)明，會(huì)很明了。


圖1是表示作為本發(fā)明實(shí)施方式的集成電路的主要部分構(gòu)成的框圖。
圖2是表示設(shè)置在圖1所示的集成電路中的積分器的主要部分構(gòu)成的框圖。
圖3是根據(jù)有無(wú)上述積分器而比較集成電路的頻率特性的圖表。
圖4是表示本發(fā)明的集成電路的其他例的框圖。
圖5(a)是表示集成電路的電容元件的概略剖面的圖，圖5(b)是表示利用圖5(a)所示電容元件形成積分器的情況下的該電容元件的概略剖面的圖。
圖6是表示通過(guò)抗靜電元件形成本發(fā)明集成電路的積分器的情況下主要部分構(gòu)成的圖。
圖7是表示現(xiàn)有集成電路的主要部分構(gòu)成的框圖。
圖8是一般的受光元件的受光部的示意圖。
圖9是表示設(shè)置在圖7所示集成電路上的積分器的主要部分構(gòu)成的框圖。
具體實(shí)施例方式
以下，對(duì)本發(fā)明的一種實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。且在本實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的集成電路的一例，對(duì)包括在光拾波裝置中的受光放大元件進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是本實(shí)施方式的受光放大元件的概略框圖。
如圖1所示，本實(shí)施方式的受光放大元件包括初級(jí)放大電路11；連接于該初級(jí)放大電路11的輸出側(cè)的后級(jí)放大電路12；和連接在該初級(jí)放大電路11的輸入側(cè)的受光元件13。初級(jí)放大電路11和后級(jí)放大電路12級(jí)聯(lián)連接。通過(guò)該受光元件13的轉(zhuǎn)換工作而生成的電信號(hào)，通過(guò)初級(jí)放大電路11和后級(jí)放大電路12被放大到規(guī)定的大小后，從輸出端子14輸出。
此外，在上述受光放大元件上設(shè)置了用于向初級(jí)放大電路11和后級(jí)放大電路12供電的電源塊15，從該電源塊15向各電路11、12等連接成為電源線的金屬配線16～18。具體講，金屬配線16與初級(jí)放大電路11連接，金屬配線17與后級(jí)放大電路12連接，金屬配線18與其他電路(未圖示)連接。
而且，后述的用于消除耦合噪聲的積分器(降低噪聲設(shè)備)20連接在金屬配線16上。即，在電源塊15和初級(jí)放大電路11之間的電源線(金屬配線16)上連接了積分器20。
圖2是詳細(xì)地表示上述積分器20的概略框圖。
如圖2所示，積分器20，由形成于金屬配線16上的電阻元件構(gòu)成的電阻部21，和形成于該電阻部21和初級(jí)放大電路11之間的電容元件構(gòu)成的電容部22構(gòu)成。上述電容部22的一端連接在金屬配線16，另一端接地。
因此，根據(jù)上述構(gòu)成的受光放大元件，即使初級(jí)放大電路11內(nèi)產(chǎn)生的耦合噪聲通過(guò)作為電源線的金屬配線16要回到電源塊15，也可通過(guò)連接在該金屬配線16上的積分器20消除上述耦合噪聲。因此，對(duì)于后級(jí)放大電路12，由于消除了供給具有耦合噪聲的電源的現(xiàn)象，因此可以使該后級(jí)放大電路12的工作穩(wěn)定。
上述耦合噪聲是由于在初級(jí)放大電路11的輸出端子上發(fā)生電壓急劇變化而產(chǎn)生的，特別是，如果有一定頻率以上的高頻噪聲被輸入電路中，該電路的工作一般會(huì)變得不穩(wěn)定。因此，設(shè)置于初級(jí)放大電路11和電源15之間的積分器20，通過(guò)電容部22向地面釋放一定頻率以上(高頻)的噪聲。其結(jié)果，使電路工作不穩(wěn)定的高頻噪聲不回到電源塊15。
因此，作為上述積分器20，至少應(yīng)該構(gòu)成為釋放使電路工作不穩(wěn)定的噪聲。
而且，根據(jù)本發(fā)明，由于在初級(jí)放大電路11和電源塊15之間設(shè)置積分器20，可以使電路工作穩(wěn)定，所以不需要在連接了后級(jí)電路12和電源塊15的電源線17上設(shè)置旁路電容等降低噪聲元件。
可以用積分器20除去的噪聲的頻率(f)，由電阻部21的電阻值(R)和電容部22的電容值(C)決定。一般根據(jù)公式f＝(1/2)πRC決定可以除去的噪聲的頻率。本發(fā)明比如將100MHz以上的噪聲作為除去的對(duì)象。
在這里，對(duì)根據(jù)有無(wú)積分器20而產(chǎn)生的噪聲，參照?qǐng)D3做以下的說(shuō)明。圖3是表示在初級(jí)放大電路11和電源塊15之間的金屬配線16上流動(dòng)的信號(hào)的頻率應(yīng)答特性的圖表。其中，圖3的圖表是對(duì)于測(cè)定芯片(具有如圖1所示構(gòu)成的測(cè)定對(duì)象的集成電路)，附加Vcc電源＝5V、和Ver電源(被附加在后級(jí)電路12上的圖1的Vref)＝2.1V的兩個(gè)電源，在該測(cè)定芯片的輸出端子上，電阻＝10kΩ，電容＝10pF作為負(fù)載，使用頻譜分析器，通過(guò)測(cè)定附加噪聲的輸出端子14的輸出的頻率特性而得到的。
而且，上述Vcc電源產(chǎn)生電源塊15的電源電壓，Ver電源產(chǎn)生附加在后級(jí)電路12上的Vref(圖1)。
從圖3所示的圖表可得出，在沒(méi)有插入積分器20的狀態(tài)(現(xiàn)有技術(shù))下，作為噪聲成分，在圖表的右邊產(chǎn)生的峰值達(dá)到10dB，可知在信號(hào)中含有噪聲的成分，在插入積分器20的狀態(tài)下，峰值變?yōu)?dB，可知信號(hào)中不含有噪聲成分。其中，若表示噪聲成分的大小的峰值大，電路就發(fā)生振蕩。
由此，上述構(gòu)成的受光放大元件，通過(guò)在初級(jí)放大電路11和電源塊15之間插入積分器20，不使來(lái)自初級(jí)放大電路11的耦合噪聲輸入到后級(jí)放大電路12。其結(jié)果，該后級(jí)放大電路12工作變穩(wěn)定，因此可以使受光放大元件整體的工作穩(wěn)定。
就這樣，如果使受光放大元件整體的工作穩(wěn)定，還可以使具備此受光放大元件的光拾波裝置的工作穩(wěn)定。
因此，當(dāng)對(duì)光拾波裝置中的受光的光信號(hào)轉(zhuǎn)換成電信號(hào)時(shí)，由于可以將轉(zhuǎn)換的電信號(hào)從集成電路的受光放大元件恰當(dāng)?shù)剌敵?，因此基于受光的光信?hào)，可以高精度地進(jìn)行調(diào)焦控制、跟蹤控制等各種控制。
由此，如果將上述構(gòu)成的光拾波裝置設(shè)置在CD(compact disc)播放器，可以提高再生信號(hào)的質(zhì)量。此外，對(duì)于可以設(shè)置這樣的光拾波裝置的裝置，可以提高記錄介質(zhì)中記錄的信息的再生信號(hào)的質(zhì)量。
而且，上述受光放大元件，如圖1所示，也可以使含有受光元件的2級(jí)的放大電路構(gòu)成一組，也可以將2級(jí)的放大電路構(gòu)成多組。在后者的構(gòu)成中，對(duì)于各組，如果在初級(jí)放大電路和電源塊之間設(shè)置積分器，則2級(jí)的放大電路可以取得和一組的情況同樣的效果。
具體講，如圖4所示，也可在同一的絕緣性基板30上形成初級(jí)放大電路11和后級(jí)放大電路12被級(jí)聯(lián)連接而構(gòu)成的第1單元31、第2單元32。另外，各部分的后級(jí)電路12彼此之間可輸入共同的基準(zhǔn)電壓Vref。
級(jí)聯(lián)連接的放大電路的級(jí)數(shù)，不限于圖1和圖4所示的2級(jí)，也可以是3級(jí)以上。無(wú)論在什么情況，問(wèn)題是在初級(jí)放大電路產(chǎn)生的噪聲通過(guò)電源輸入到后級(jí)放大電路，所以如果在初級(jí)放大電路和電源之間設(shè)置用于消除噪聲的積分器，就也可以是級(jí)聯(lián)連接3級(jí)以上的放大電路的裝置。
此外，在同一的絕緣性基板30上形成的單元數(shù)，不僅限于圖4所示的2個(gè)，也可以是3個(gè)以上。
然而，在上述的單元內(nèi)，用于消除在初級(jí)放大電路11產(chǎn)生的噪聲的積分器20(未圖示)和圖1同樣地被設(shè)置。此積分器20，如圖2所示，由電阻部21和電容部22構(gòu)成。當(dāng)這些元件(電阻部21和電容部22)在構(gòu)成受光放大元件的IC芯片內(nèi)單獨(dú)形成時(shí)，會(huì)使芯片的面積增大。另外，如上所述，如果單元數(shù)增加，積分器的數(shù)目也隨之增加，進(jìn)一步增加芯片面積。
然而，通過(guò)形成以下的構(gòu)成，可以利用現(xiàn)有的元件，不增大芯片的面積而構(gòu)成積分器。
一般，在芯片內(nèi)，電容元件(含在集成電路中的積分器以外的其他電路元件)大多配置在電源塊、輸出端子塊附近，通過(guò)在電源的金屬配線上設(shè)法，可以作為積分器利用。具體講，在芯片內(nèi)，通常為了填埋元件與元件之間的間隙，或用為電源線的噪聲消除、和電路內(nèi)的相位補(bǔ)償電容等，可以將備用電容元件用于積分器。對(duì)于利用這種電容元件的積分器，參照?qǐng)D5(a)、圖5(b)進(jìn)行說(shuō)明。此外，上述的備用電容元件，如果需要?jiǎng)t被利用，如果不被利用，就電絕緣。
圖5(a)表示表示上述的電容元件的一個(gè)例子的概略剖視圖，圖5(b)表示由上述的電容元件形成積分器的電阻部和電容部的例子的概略剖視圖。
如圖5(a)所示，在電容元件40的下部具有下部金屬區(qū)41，在電容元件40的上部形成上部金屬區(qū)46。作為通常的電容元件40的使用方法，從下部金屬區(qū)41部分取出下部電極42，從上部金屬區(qū)46取出上部電極47。在上部金屬區(qū)46和下部金屬區(qū)41之間具有絕緣層45。即，可知通常利用的電容元件40，由上部電極47、上部金屬區(qū)46、絕緣層45、下部金屬區(qū)41、和下部電極42形成。
接著，對(duì)構(gòu)成積分器的構(gòu)成元素之一的電阻部的形成方法進(jìn)行說(shuō)明。首先，圖5(a)說(shuō)明了從電容元件40的下部金屬區(qū)41取出電極42的情況，但如圖5(b)所示，通過(guò)夾著下部金屬區(qū)41，從下部電極42的相反側(cè)的另一端取出下部電極43，下部金屬區(qū)41自身成為電阻部分44，可以用作積分器20的電阻部21。此外，通過(guò)將下部金屬區(qū)41置換到半導(dǎo)體層的擴(kuò)散區(qū)，可以將電阻值增大為大于下部金屬區(qū)41。
如圖5(b)所示，積分器20的電容部22由上部電極47、上部金屬區(qū)46、絕緣層45、下部金屬區(qū)41、和下部電極42構(gòu)成，積分器20的電阻部21由下部電極42、下部金屬區(qū)41、和下部電極43構(gòu)成。
此外，在圖1的構(gòu)成中，下部電極42與電源塊15連接，下部電極43與初級(jí)放大電路11連接。
因此，積分器由現(xiàn)有的元件(電容元件)形成，因此不會(huì)使芯片的面積增大。
對(duì)上述積分器利用現(xiàn)有的元件的其他的例子，參照?qǐng)D6進(jìn)行以下說(shuō)明。圖6表示利用抗靜電元件61(包含在集成電路中的積分器以外的其他的電路元件)形成的積分器的俯視圖。
抗靜電元件61通常設(shè)置在各塊(包括電源塊及輸出端子塊的所有的塊)附近，是用于防止外部的靜電破壞內(nèi)部電路的晶體管元件。由于此抗靜電元件61的集電極62成為擴(kuò)散區(qū)，因此如果在此集電極62的兩端形成電極62a、62b，就可以用作積分器的電阻部。
此外，在如圖6所示的構(gòu)成，電極62a與電源塊15連接，電極62b與初級(jí)放大電路11連接。另外，在設(shè)置多個(gè)電源塊的情況下，電源塊各自向?qū)?yīng)的放大電路供電。
這種情況下的積分器的電容部和上述的圖5(a)所示的情況相同，可以利用上部電極47、上部金屬區(qū)46、絕緣層45、擴(kuò)散區(qū)41、和下部電極42形成。
就這樣，由于可以不導(dǎo)致受光放大元件的芯片面積的增大，而設(shè)置用于使電路工作穩(wěn)定的積分器，作為結(jié)果，可以實(shí)現(xiàn)高再生精度的光拾波裝置的小型化。
然而，通常，用于構(gòu)成光拾波裝置的拾波元件等中的電阻值多為千Ω級(jí)的元件。所以，很難在同一芯片上單獨(dú)形成如構(gòu)成積分器的電阻值為數(shù)十Ω左右(30Ω～70Ω左右)的電阻元件。
然而，如圖5(a)、圖5(b)、圖6所示，如果將現(xiàn)有元件的電容元件和抗靜電元件用作積分器，能容易實(shí)現(xiàn)低阻值的電阻元件。例如，在圖5(a)、圖5(b)所示的電容元件40中，可以將下部的擴(kuò)散區(qū)41用作積分器的電阻部，在圖6所示的抗靜電元件61中，可以將集電極62的擴(kuò)散區(qū)用作積分器的電阻部。
如上所述，本發(fā)明，對(duì)于在多個(gè)通路的初級(jí)放大和后級(jí)放大連接共同的電源塊而構(gòu)成的受光放大元件，在初級(jí)放大和電源塊之間設(shè)置由電阻和電容構(gòu)成的積分器。
通過(guò)這種方法，可以解決在初級(jí)放大的輸出端子產(chǎn)生急劇的電壓變動(dòng)而使電路工作變得不穩(wěn)定的問(wèn)題。
本發(fā)明對(duì)于積分器的形成方法，通過(guò)利用作為芯片內(nèi)現(xiàn)有的元件即電容元件、抗靜電元件，而不需要擴(kuò)大芯片的面積，從而可以實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)需要的細(xì)微化、低成本化。對(duì)于抑制此耦合噪聲的效果，對(duì)光拾波元件為首的具有高速的頻率特性的元件特別有效。
在本實(shí)施方式中，以構(gòu)成光拾波裝置的受光放大元件為例進(jìn)行說(shuō)明，但并不僅限于此，對(duì)于多級(jí)放大器，各放大器由共同的電源供電時(shí)，只要是可以適用在初級(jí)放大器和電源塊中間連接積分器的電路，便可適用于任意集成電路。
例如在可以設(shè)置于收音機(jī)接收器、電視機(jī)接收器、手提電話、無(wú)繩電話、近距離無(wú)線數(shù)據(jù)通信技術(shù)的藍(lán)牙、無(wú)線局域網(wǎng)、汽車導(dǎo)航系統(tǒng)、具有通信功能的游戲機(jī)等的可接收高頻信號(hào)并具有處理功能的各種電子設(shè)備上的集成電路中，可以適用本發(fā)明。
此外，作為降低噪聲設(shè)備，不限于積分器20，只要是可以消除在初級(jí)放大電路11中生成的噪聲(特別是給后級(jí)的放大電路帶來(lái)不良影響的噪聲)的設(shè)備，可以是任意構(gòu)成。當(dāng)不限于積分器20時(shí)，降低噪聲設(shè)備，由于無(wú)需設(shè)置在初級(jí)放大電路11和電源塊15之間，因此擴(kuò)大了集成電路的設(shè)計(jì)自由度。
此外，作為利用光拾波裝置的裝置，有光盤記錄再生裝置、和光盤再生裝置，具體講，有MD(mini disc)裝置、便攜型CD(compactdisc)播放器、CD-R/RW裝置、DVD±R/RW裝置、DVD播放器、和使用的DVD播放器的汽車導(dǎo)航系統(tǒng)等，對(duì)于這些裝置，都可以適用本發(fā)明。
而且，通過(guò)將構(gòu)成本發(fā)明的降低噪聲設(shè)備的電阻的阻值設(shè)定為30Ω～70Ω，可以利用集成電路中現(xiàn)有的元件形成積分電路。
例如，作為上述電阻，可以利用在構(gòu)成集成電路的其他的電路元件的半導(dǎo)體層的擴(kuò)散區(qū)的兩端形成電極的電阻。
此外，作為上述擴(kuò)散區(qū)，可以是作為上述其他的電路元件之一的電容元件的下部電極，也可以是作為上述其他的電路元件之一的抗靜電元件的集電極。
就這樣，利用現(xiàn)有的元件形成積分器，與單獨(dú)設(shè)置積分器的情況相比，可以實(shí)現(xiàn)集成電路的小型化。例如，如果是IC芯片，不增大芯片的面積，而可附加積分器，就取得可以提供高性能且小型的IC芯片的效果。
在上述多級(jí)的放大器中，由于在初級(jí)的放大器的輸入端子連接了受光元件，因而可以在受光放大元件上使用本發(fā)明的集成電路。
本發(fā)明的集成電路，放大器被級(jí)聯(lián)連接為多級(jí)，向各放大器供電，同時(shí)還可以使每個(gè)放大器上具備連接在共同的電源上的電源線，在上述放大器中的初級(jí)放大器和上述電源之間連接的電源線上連接積分器。
本發(fā)明的光拾波裝置，還可以具備上述集成電路和連接在上述初級(jí)的放大器的輸入端子上的受光元件。
由此，由于在初級(jí)放大器中產(chǎn)生的耦合噪聲被在導(dǎo)電連接在電源和初級(jí)的放大器之間的積分器吸收，因此不能供給到連接在共同的電源上的次級(jí)以后的放大器。
由此，由于不會(huì)有因在初級(jí)放大器產(chǎn)生的耦合噪聲而使后級(jí)的放大器的工作不穩(wěn)定的情況，所以可使集成電路整體的工作穩(wěn)定。
因此，當(dāng)在光拾波裝置中感光光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信號(hào)時(shí)，可使被轉(zhuǎn)換的電信號(hào)從集成電路恰當(dāng)輸出，因此可以高精度地進(jìn)行基于感光光信號(hào)的各種控制。
作為這種控制，可列舉調(diào)焦控制和跟蹤控制。
基于發(fā)明的詳細(xì)的說(shuō)明項(xiàng)的具體的實(shí)施方式和實(shí)施例，最終是為使本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容變得更明了，所以不應(yīng)是限定在這種具體例中而被狹義地解釋，而是在本發(fā)明的精神和方案的范圍內(nèi)，可以做很多變更而實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種集成電路，其特征在于，包括多級(jí)級(jí)聯(lián)連接的放大器(11，12)；連接在共同的電源(15)上的電源線(16，17)，所述電源線向各放大器供電；和降低在所述放大器中的初級(jí)放大器(11)中產(chǎn)生的噪聲的降低噪聲設(shè)備(20)。
2.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述降低噪聲設(shè)備是包括電阻(21)和電容(22)的積分器(20)。
3.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述積分器(20)與連接于所述初級(jí)放大器(11)和所述電源(15)之間的電源線(16)電連接。
4.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，所述降低噪聲設(shè)備是積分器(20)，該積分器(20)包括(a)電阻(21)，該電阻形成于連接在所述初級(jí)放大器(11)和所述電源(15)之間的電源線(16)上；和(b)電容(22)，該電容一端連接在該電阻和初級(jí)放大器之間的電源線(16)上，同時(shí)另一端接地。
5.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述積分器(20)的電阻(21)的電阻值設(shè)定為30Ω～70Ω。
6.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述積分器(20)的電阻(21)構(gòu)成為，在構(gòu)成集成電路的其他的電路元件的半導(dǎo)體層的擴(kuò)散區(qū)(41)的兩端形成電極(42，43)。
7.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述積分器(20)的電阻(21)構(gòu)成為，在集成電路內(nèi)備用設(shè)置的電容元件(40)的半導(dǎo)體層的擴(kuò)散區(qū)(41)的兩端形成電極(42，43)。
8.如權(quán)利要求2所述的集成電路，其中，所述積分器(20)的電阻(21)構(gòu)成為，在構(gòu)成集成電路的其他的電路元件的半導(dǎo)體層的擴(kuò)散區(qū)(41)上，形成與電源(15)連接的電極(42)和與所述初級(jí)放大器(11)連接的電極(43)。
9.如權(quán)利要求6所述的集成電路，其中，所述擴(kuò)散區(qū)(41)與所述其他的電路元件之一的電容元件(40)的下部電極對(duì)應(yīng)。
10.如權(quán)利要求6所述的集成電路，其中，所述擴(kuò)散區(qū)(41)構(gòu)成所述其他的電路元件之一的抗靜電元件(61)的集電極(62)。
11.如權(quán)利要求1所述的集成電路，其中，受光元件(13)連接在所述初級(jí)放大器(11)的輸入端子上。
12.一種光拾波裝置，其特征在于，包括集成電路，該集成電路包括多級(jí)級(jí)聯(lián)連接的放大器(11、12)，連接在共同的電源(15)上的電源線(16、17)，所述電源線向各放大器供電，和降低在所述放大器中的初級(jí)放大器(11)中產(chǎn)生的噪聲的降低噪聲設(shè)備(20)；和連接在所述初級(jí)放大器的輸入端子的受光元件(13)。
13.一種包括光拾波裝置的光盤記錄再生裝置，其中光拾波裝置包括集成電路，該集成電路包括多級(jí)級(jí)聯(lián)連接的放大器(11、12)，連接在共同的電源(15)上的電源線(16、17)，所述電源線向各放大器供電，和降低在所述放大器中的初級(jí)放大器(11)中產(chǎn)生的噪聲的降低噪聲設(shè)備(20)；和連接在所述初級(jí)放大器的輸入端子的受光元件(13)。
14.一種包括光拾波裝置的光盤再生裝置，其中光拾波裝置包括集成電路，該集成電路包括多級(jí)級(jí)聯(lián)連接的放大器(11、12)，連接在共同的電源(15)上的電源線(16、17)，所述電源線向各放大器供電，和降低在所述放大器中的初級(jí)放大器(11)中產(chǎn)生的噪聲的降低噪聲設(shè)備(20)；和連接在所述初級(jí)放大器的輸入端子的受光元件(13)。
全文摘要
本發(fā)明的集成電路，具備級(jí)聯(lián)連接的初級(jí)放大電路及后級(jí)放大電路、和向各放大電路供電的電源塊，同時(shí)在每個(gè)放大電路上具備連接在共同的電源塊上的金屬配線。積分器與連接在所述初級(jí)放大電路和所述電源塊之間的金屬配線進(jìn)行電連接。由此，抑制初級(jí)放大電路上產(chǎn)生的耦合噪聲，從而可使后級(jí)放大電路的電路工作穩(wěn)定。
文檔編號(hào)H03F3/04GK1599236SQ20041008251
公開日2005年3月23日 申請(qǐng)日期2004年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月19日
發(fā)明者岸田朋丈 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社