專利名稱：電流驅動器和顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種電流驅動器，并且特別涉及一種電流驅動器的技術，適用于一種顯示裝置的顯示驅動器，例如有機EL(電致發(fā)光)板以及其他類似顯示裝置。
背景技術：
近年來，在平板顯示器例如有機EL板以及其他類似顯示器的領域內(nèi)，屏幕尺寸和清晰度一直在增加，同時厚度、重量和生產(chǎn)成本一直在減小。一般地，將有源矩陣法有利地用作驅動大尺寸、高清晰度顯示板的方法。以下，描述一種用于常規(guī)有源顯示板的顯示驅動器。
圖14是表示一個顯示板和一個與該顯示板連接的常規(guī)電流驅動器的結構的電路圖。在圖14的例子中，電流驅動器作為顯示驅動器。顯示板是一個有機EL板。
參考圖14，常規(guī)電流驅動器包括多個電流供給部分1001a1、1001a2、...和1001an(以下，當總稱時稱為“電流供給部分1001a”)，以分別對顯示板上按矩陣安排的多個像素電路1005a1、1005a2、…和1005am(以下，當總稱時稱為“像素電路1005a”)供給驅動電流，和一個參考電流供給部分(偏置電路)1101，以對電流供給部分1001a供給參考電流。在本說明書中，“參考電流”意指一個具有預定值的電流，它從一個參考電流源供給。“參考電流”還意指一個從參考電流源得來并且由一個電流鏡電路所傳送的電流。
在一個具有大尺寸顯示板的裝置的情況下，例如電視顯示裝置，為了驅動顯示板，使用多個半導體芯片(驅動器LSI芯片)1105，其中集成具有m個輸出端的電流供給部分1001a。在許多情況下，這些半導體芯片1105在顯示板的外圍部分沿一行排成直線。
各像素電路1005a1、1005a2、…和1005am包括一個p溝道型的第一TFT(薄膜晶體管)1104，通過一條信號線與電流供給部分1001a連接，一個第二TFT 1102，和一個有機EL元件1103，按照第二TFT1102供給的電流發(fā)光。第一TFT 1104和第二TFT 1102構成一個電流鏡電路。
參考電流供給部分1101包括一個p溝道型的第一MISFET 1108，對其一端供給一個電源電壓；一個用于產(chǎn)生參考電流的電阻器1107，與第一MISFET 1108連接；一個p溝道型的第二MISFET 1109；和一個用于對電流供給部分1001a傳送參考電流的n溝道型的電流輸入MISFET 1110，與第二MISFET 1109連接。第一MISFET 1108和第二MISFET 1109構成一個電流鏡電路。在圖14的例子中，參考電流供給部分1101設置在半導體芯片1105外部。然而，參考電流供給部分1101可以設置在半導體芯片1105上。在本說明書中，在一個顯示裝置中設置多個半導體芯片1105的例子中，用于對其他半導體芯片供給參考電流的半導體芯片稱為“主芯片”，而從“主芯片”接受參考電流的半導體芯片稱為“從芯片”。
在一個控制n位刻度系統(tǒng)中，各電流供給部分1001a包括電流源1112-1、1112-2、…和1112-n(n是正整數(shù))，相對于一個與像素電路1005a和用于控制流過電流源1112-1、1112-2、…和1112-n的電流的接通/斷開狀態(tài)的開關1115-1、1115-2、…和1115-n連接的輸出部分相互平行安排。這里，各電流源1112-1、1112-2、...和1112-n由一個n溝道型MISFET形成。這個n溝道型MISFET和電流輸入MISFET 1110構成一個電流鏡電路。各開關1115-1、1115-2、…和1115-n按照顯示數(shù)據(jù)獨立地執(zhí)行開關操作。
應用上述結構，控制一個由電流驅動的顯示裝置的操作。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在具有上述結構的顯示裝置中，有時在圖像顯示期間看見圖像顯示的缺陷，例如顯示不均勻或其他類似缺陷。這些年來，顯示板的屏幕尺寸一直在增加，并且因此與常規(guī)顯示板比較，必須設置更多的具有10mm至20mm縱向尺寸的驅動器LSI芯片。在這樣情況下，在一個包括常規(guī)電流驅動器的半導體芯片中，有可能在相互遠離的輸出端的輸出電流之中出現(xiàn)變化，導致圖像質量的變壞，例如顯示圖像的亮度不均勻或其他類似情況。特別地，在不同半導體芯片1105的輸出端之間，而不是在同一半導體芯片1105的輸出端之間，出現(xiàn)輸出電流的較大變化。
本發(fā)明人檢查了顯示裝置的一個驅動器LSI芯片(半導體芯片)的輸出端的輸出電壓之中的發(fā)生變化的原因，并且發(fā)現(xiàn)在分配給構成半導體芯片1105上的電流源1112的多個MISFET的電流之中出現(xiàn)變化(見圖14)。
電流鏡電路最初在這些先決條件下設計，即構成電流鏡電路的晶體管的擴散條件相同，并且在晶體管之間的閾值Vt或載流子遷移率中無顯著差異出現(xiàn)。在這樣先決條件下，電流按照晶體管的尺寸比來分步。然而，在顯示裝置的驅動器LSI芯片的長度是10mm至20mm的情況下，認為難以均勻地擴散晶體管中的雜質。此外，如果晶體管的位置不同，則出現(xiàn)生產(chǎn)過程的變化，例如蝕刻變化，并且因此也能引起顯示的變化。結果，在構成電流鏡的晶體管的閾值之中出現(xiàn)變化。在晶體管的閾值之中出現(xiàn)變化的情況下，則當對晶體管施加相同柵電壓時，在輸出電流中出現(xiàn)誤差。在一般情況下，擴散的變化在一個晶圓表面上為梯度。因而，即使當根據(jù)一定顯示數(shù)據(jù)執(zhí)行均勻顯示時，也在顯示板上出現(xiàn)從較暗部分到較亮部分的分級。
此外，在不同半導體芯片上的電流驅動器所輸出的電流之中，出現(xiàn)電流值的變化。在許多顯示裝置中，在并排安排的多個半導體芯片之中，生產(chǎn)條件例如擴散條件以及其他類似條件不同。因此，在構成電流供給部分1001a1的電流源的MISFET之中，特性的變化大于相同芯片中所引起的變化，并且因此很可能看見與各自半導體芯片1105相對應的不均勻顯示。我們因而斷定，抑制半導體芯片1105之中的一個輸出端的輸出電流的變化，是抑制顯示板上的不均勻顯示的最有效解決辦法。
本發(fā)明的一個目的是提供一種電流驅動器，它能夠抑制驅動一個顯示裝置的多個驅動器LSI芯片之中的輸出電流的變化，和一種包括這樣電流驅動器的顯示裝置。
本發(fā)明的第一電流驅動器是一種集成在一個半導體芯片上的電流驅動器，包括一個第一傳導型的第一電流分配MISFET，對第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓；一個第二傳導型的第一電流輸入MISFET，第一電流輸入MISFET的漏極與第一電流分配MISFET的漏極連接，第一電流輸入MISFET漏極和柵極相互連接；一個第二傳導型的第二電流輸入MISFET，第二電流輸入MISFET和第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，第二電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；一條第一偏置線，用于連接第一電流輸入MISFET的柵極和第二電流輸入MISFET的柵極；多個電流供給部分，各包括一個電流源MISFET，電流源MISFET、第一電流輸入MISFET和第二電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，電流源MISFET的柵極與第一偏置線連接；一個第一傳導型的第二電流分配MISFET，第二電流分配MISFET和第一電流分配MISFET構成一個電流鏡電路，第二電流分配MISFET的漏極與第二電流輸入MISFET的漏極連接；一個第三電流分配MISFET，設置在第二電流分配MISFET鄰近，第三電流分配MISFET、第一電流分配MISFET和第二電流分配MISFET構成電流鏡電路；和一個第一電流輸出端，與第三電流分配MISFET的漏極連接。
應用以上結構，在一個顯示裝置中，例如，將第三電流分配MISFET與一個相鄰半導體芯片上的電流輸入MISFET連接，由此與第三電流分配MISFET和電流輸入MISFET在相同芯片上的情況比較，使鄰接半導體芯片之間的一個連接部分的輸出電流的誤差減小。
本發(fā)明的第二電流驅動器是一種集成在一個半導體芯片上的電流驅動器，包括一個第一電流輸入端；一個第一傳導型的第一電流輸入MISFET，第一電流輸入MISFET的漏極與第一電流輸入端連接，并且第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；多個電流供給部分，包括第一傳導型的電流源MISFET，電流源MISFET和第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路；和一條偏置線，與第一電流輸入MISFET的柵極和電流源MISFET的柵極共連接。
例如，將具有以上結構的第二電流驅動器與本發(fā)明的第一電流驅動器連接，由此使電流供給部分的輸出電流在半導體芯片之間一致。
本發(fā)明的第三電流驅動器是一種集成在一個半導體芯片上的電流驅動器，包括一個第一傳導型的第一電流分配MISFET，對第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓；一個第二傳導型的電流輸入MISFET，電流輸入MISFET的漏極與第一電流分配MISFET的漏極連接，電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；一個第二傳導型的電流輸入/輸出MISFET，該電流輸入/輸出MISFET的漏極和柵極相互連接，電流輸入/輸出MISFET和電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路；一條第一偏置線，用于連接電流輸入MISFET的柵極和電流輸入/輸出MISFET的柵極；多個包括電流源MISFET的電流供給部分，電流源MISFET的柵極與第一偏置線連接，電流源MISFET、電流輸入MISFET和電流輸入/輸出MISFET構成一個電流鏡電路；一個第一傳導型的第二電流分配MISFET，第二電流分配MISFET的漏極與電流輸入/輸出MISFET的漏極連接；一個電流-電壓轉換器，至少與第二電流分配MISFET的柵極和源極連接，并且設置在離第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的半導體芯片的一個區(qū)域內(nèi)；和一個電流輸入/輸出端，與電流-電壓轉換器連接。
在一個包括第三電流驅動器的顯示裝置中，例如，將一個設置在相鄰芯片上的電流-電壓轉換器與本發(fā)明的電流-電壓轉換器串聯(lián)連接，以便使大體上相等的電流流過鄰接電流輸入MISFET。
本發(fā)明的第一顯示裝置是一種包括一個第一半導體芯片和一個第二半導體芯片的顯示裝置，第一半導體芯片包括一個第一電流驅動器，第二半導體芯片包括一個第二電流驅動器，并且設置與第一半導體芯片相鄰近，其中第一電流驅動器包括一個第一傳導型的第一電流分配MISFET，對第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓，一個第二傳導型的第一電流輸入MISFET，第一電流輸入MISFET的漏極與第一電流分配MISFET的漏極連接，第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，一個第二傳導型的第二電流輸入MISFET，第二電流輸入MISFET和第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，第二電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，一條第一偏置線，用于連接第一電流輸入MISFET的柵極和第二電流輸入MISFET的柵極，多個第一電流供給部分，各包括一個第一電流源MISFET，第一電流源MISFET、第一電流輸入MISFET和第二電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，第一電流源MISFET的柵極與第一偏置線連接，一個第一傳導型的第二電流分配MISFET，第二電流分配MISFET和第一電流分配MISFET構成一個電流鏡電路，第二電流分配MISFET的漏極與第二電流輸入MISFET的漏極連接，一個第三電流分配MISFET，設置在離第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的一個區(qū)域內(nèi)，第三電流分配MISFET、第一電流分配MISFET和第二電流分配MISFET構成一個電流鏡電路，和一個第一電流輸出端，與第三電流分配MISFET的漏極連接；并且第二電流驅動器包括一個第一電流輸入端，與第一電流輸出端連接，一個第二傳導型的第三電流輸入MISFET，第三電流輸入MISFET的漏極與第一電流輸入端連接，并且第三電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，多個包括第二電流源MISFET的第二電流供給部分，第二電流源MISFET和第三電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，和一條第二偏置線，與第三電流輸入MISFET的柵極和第二電流源MISFET的柵極共連接。
應用以上結構，從第一半導體芯片上的第三電流分配MISFET向下一級的第三電流輸入MISFET供給電流。因而，與常規(guī)結構比較，抑制了各芯片的輸出電流之中的變化。
本發(fā)明的第二顯示裝置是一種包括一個第一半導體芯片和一個第二半導體芯片的顯示裝置，第一半導體芯片包括一個第一電流驅動器，第二半導體芯片包括一個第二電流驅動器，并且設置在第一半導體芯片鄰近，其中第一電流驅動器包括一個第一傳導型的第一電流分配MISFET，對第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓，一個第二傳導型的第一電流輸入MISFET，第一電流輸入MISFET的漏極與第一電流分配MISFET的漏極連接，第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，一個第二傳導型的電流輸入/輸出MISFET，電流輸入/輸出MISFET的漏極和柵極相互連接，電流輸入/輸出MISFET和第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，一條第一偏置線，用于連接第一電流輸入MISFET的柵極和電流輸入/輸出MISFET的柵極，多個包括電流源MISFET的第一電流供給部分，電流源MISFET的柵極與第一偏置線連接，電流源MISFET、第一電流輸入MISFET和電流輸入/輸出MISFET構成一個電流鏡電路，一個第一傳導型的第二電流分配MISFET，第二電流分配MISFET的漏極與電流輸入/輸出MISFET的漏極連接，一個第一電流-電壓轉換器，與第二電流分配MISFET的柵極和源極以及一個參考電源連接，并且設置在離第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的半導體芯片的一個區(qū)域內(nèi)，和一個電流輸入/輸出端，與第一電流-電壓轉換器連接，第二電流驅動器包括一個與電流輸入/輸出端連接的電流輸入端，，一個第二電流-電壓轉換器，通過電流輸入端與第一電流-電壓轉換器串聯(lián)連接，一個第一傳導型的第三電流分配MISFET，第三電流分配MISFET的源極和柵極與第二電流-電壓轉換器連接，一個第二傳導型的第二電流輸入MISFET，與第三電流分配MISFET的漏極連接，和多個包括第二電流源MISFET的第二電流供給部分，第二電流源MISFET和第二電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路。
應用以上結構，使大體上相等的電流流過第一電流-電壓轉換器和第二電流電壓轉換器。因而，至少在鄰接半導體芯片之間的一個連接部分附近，使輸出電流的誤差得到抑制。
本發(fā)明的第三顯示裝置是一種包括一個第一半導體芯片和一個第二半導體芯片的顯示裝置，第一半導體芯片包括一個第一電流驅動器，第二半導體芯片包括一個第二電流驅動器，并且設置在第一半導體芯片鄰近，其中第一電流驅動器包括一個第一傳導型的第一電流分配MISFET，對第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓，一個第二傳導型的第一電流輸入MISFET，第一電流輸入MISFET的漏極與第一電流分配MISFET的漏極連接，第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，一個第二傳導型的電流輸入/輸出MISFET，電流輸入/輸出MISFET的漏極和柵極相互連接，電流輸入/輸出MISFET和電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，一條第一偏置線，用于連接第一電流輸入MISFET的柵極和電流輸入/輸出MISFET的柵極，多個包括第一電流源MISFET的第一電流供給部分，第一電流源MISFET的柵極與第一偏置線連接，第一電流源MISFET、第一電流輸入MISFET和電流輸入/輸出MISFET構成一個電流鏡電路，一個第一傳導型的第二電流分配MISFET，第二電流分配MISFET的漏極與電流輸入/輸出MISFET的漏極連接，一個第一電流-電壓轉換器，與第二電流分配MISFET的柵極和源極以及一個參考電源連接，并且設置在離第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的第一半導體芯片的一個區(qū)域內(nèi)，一個第一電流輸入端，與第一電流-電壓轉換器連接，一個第一負載電路，設置在離第一電流-電壓轉換器為200μm或更小距離的第一半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，和一個第一電流輸出端，與負載電路連接；并且第二電流驅動器包括一個第二電流輸出端，與第一電流輸入端連接，一個第二負載電路，通過第一電流輸入端與第一電流-電壓轉換器串聯(lián)連接，一個第二電流輸入端，與第一電流輸出端連接，一個第二電流-電壓轉換器，通過第一電流輸出端與第一負載電路串聯(lián)連接，一個第一傳導型的第三電流分配MISFET，第三電流分配MISFET的源極和柵極與第二電流-電壓轉換器連接，一個第二傳導型的第二電流輸入MISFET，與第三電流分配MISFET的漏極連接，和多個包括第二電流源MISFET的第二電流供給部分，第二電流源MISFET和第二電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路。
應用上述結構，使流過第一電流-電壓轉換器和第二電流-電壓轉換器的電流的值精確地調節(jié)為相等。因而，至少在半導體芯片的一個連接部分的附近，使輸出電流(用于驅動一個板的電流)一致。


圖1是示意表示一個包括按照本發(fā)明的電流驅動器的有機EL顯示裝置的電路圖。
圖2是表示包括按照本發(fā)明的實施例1的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖3是表示包括按照本發(fā)明的實施例2的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖4是表示包括按照本發(fā)明的實施例3的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖5是表示包括按照本發(fā)明的實施例4的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖6是表示包括按照本發(fā)明的實施例5的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖7是表示包括按照本發(fā)明的實施例6的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖8是表示圖7所示實施例6的半導體芯片中第一電流-電壓轉換器的一個具體例子的電路圖。
圖9是表示包括按照本發(fā)明的實施例7的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖10是表示包括按照本發(fā)明的實施例8的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖11是表示圖10所示實施例8的電流驅動器中電流-電壓轉換器和負載電路的一個具體例子的電路圖。
圖12是表示圖10所示實施例8的電流驅動器中電流-電壓轉換器和負載電路的另一個具體例子的電路圖。
圖13是表示包括按照本發(fā)明的實施例9的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
圖14是示意表示通常的有機EL顯示裝置的結構的電路圖。
具體實施例方式
圖1是示意表示一個包括按照本發(fā)明的電流驅動器的有機EL顯示裝置210的電路圖。
參考圖1，有機EL顯示裝置210包括一個顯示板，在顯示板上按矩陣安排的像素電路216-1、216-2、…和216-m，一個第一半導體芯片20，和一個設置在第一半導體芯片20鄰近的第二半導體芯片22。第一半導體芯片20具有一個第一電流驅動器，包括第一電流供給部分8-1、8-2、…和8-m(以下，當總稱時稱為“第一電流供給部分8”)，以通過信號線對像素電路216-1、216-2、…和216-m(以下，當總稱時稱為“像素電路216”)分別供給驅動電流。第二半導體芯片22具有一個第二電流驅動器，包括一個第二電流供給部分17，以對像素電路216供給驅動電流。在圖1說明的例子中，第一半導體芯片20是一個主芯片，以對第二半導體芯片22供給一個參考電流，第二半導體芯片22是一個從芯片。在本發(fā)明的顯示裝置中，第一半導體芯片20和第二半導體芯片22可以具有不同的電路結構，只要從第一半導體芯片20上的第一電流驅動器向第二半導體芯片22上的第二電流驅動器傳送的電流基本上等于參考電流。
各半導體芯片包括本發(fā)明的一個電流驅動器，具有一個伸長形狀，其縱向長度等于或長于10mm，并且等于或短于20mm。各電流驅動器的輸出端數(shù)m例如為528。雖然圖1僅示出第一半導體芯片20和第二半導體芯片22，但是在有些情況下可以進一步設置大量的半導體芯片，對它們供給一個基本上等于流過第一半導體芯片20和第二半導體芯片22的電流驅動器的參考電流的電流。
以下，參考附圖描述本發(fā)明的電流驅動器的實施例。
(實施例1)圖2是表示包括按照本發(fā)明的實施例1的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。如圖14的電流驅動器那樣，圖2所示電流驅動器用作一個電流驅動顯示裝置，例如有機EL顯示裝置、LED顯示裝置或其他類似裝置的的源驅動器。在圖2的例子中，第一半導體芯片20是一個主芯片，并且設置在第一半導體芯片20鄰近的第二半導體芯片22是一個從芯片。這兩個芯片設置在顯示裝置中。
在實施例1的第一半導體芯片20上，設置一個第一電流驅動器。第一電流驅動器包括多個第一電流供給部分8，一個參考電流供給部分，以對第一電流供給部分8供給驅動電流(參考電流)，一個第一偏置電路5，一個第二偏置電路10，一個第一電流分配MISFET 12，和一個第一電流輸出端9，與第一電流分配MISFET 12連接。第一電流供給部分8包括n溝道型的第一電流源MISFET 200。第一電流源MISFET 200的柵極與一條第一偏置線205共連接。第一偏置電路5將參考電流供給部分所產(chǎn)生的電流在第一電流供給部分8-1側傳送到第一電流供給部分8。第二偏置電路10將參考電流供給部分所產(chǎn)生的電流在第一電流供給部分8-m側傳送到第一電流供給部分8。第一電流分配MISFET 12將參考電流傳送到第二半導體芯片22。
參考電流供給部分包括一個第一電流源4和一個p溝道型的第一MISFET 1。第一電流源4的一端接地。第一MISFET 1的源極和柵極與第一電流源4連接。對第一MISFET 1的漏極供給電源電壓。在實施例1中，電源電壓例如約為5V。
第一偏置電路5包括一個p溝道型的第二電流分配MISFET 2，和一個n溝道型的第一電流輸入MISFET 3。對第二電流分配MISFET2的源極供給電源電壓。第二電流分配MISFET 2和第一MISFET 1構成一個電流鏡電路。第一電流輸入MISFET 3的漏極和柵極相互連接。第一電流輸入MISFET 3的漏極與第二電流分配MISFET 2連接。第一電流輸入MISFET 3的柵極與第一偏置線205連接。第一電流輸入MISFET 3的源極接地。
第二偏置電路10具有與第一偏置電路5相同的結構。第二偏置電路10包括一個p溝道型的第三電流分配MISFET 6，和一個n溝道型的第二電流輸入MISFET 7。第三電流分配MISFET 6、第一MISFET1和第二電流分配MISFET 2構成一個電流鏡電路。第二電流輸入MISFET 7的漏極和柵極相互連接。第二電流輸入MISFET 7的漏極與第三電流分配MISFET 6連接。第二電流輸入MISFET 7的柵極與第一偏置線205連接。第二電流輸入MISFET 7的源極接地。第二偏置電路10和第一偏置電路5這樣設計，以便輸入第一電流輸入MISFET3和第二電流輸入MISFET 7的電流(參考電流)相互相等。特別地，第二偏置電路10和第一偏置電路5這樣設計，以便滿足a/b＝c/d，其中a是第二電流分配MISFET 2的W/L比，b是第一電流輸入MISFET3的W/L比，c是第三電流分配MISFET 6的W/L比，以及d是第二電流輸入MISFET 7的W/L比。這里，W/L比的“W”是MISFET的柵極寬度，以及W/L比的“L”是MISFET的柵極長度。
各第一電流供給部分8-1、8-2、…和8-m是一個電流型D/A轉換器，它向板的信號線輸出電流。在圖2中，各第一電流供給部分8-1、8-2、…和8-m包括第一電流源MISFET 200-1、200-2、…和200-m的各自一個。然而，在真正的半導體芯片中，各第一電流源MISFET 200-1、200-2、…和200-m包括2n-1個MISFET，其中n是用于顯示的位數(shù)，例如為6。應該注意，當總稱時，第一電流源MISFET200-1、200-2、…和200-m稱為“第一電流源MISFET 200”。
具有以上結構的第一電流驅動器的特點是在第三電流分配MISFET 6的附近，設置第一電流分配MISFET 12和第一電流輸出端9。第一電流分配MISFET 12從漏極側向鄰接第二半導體芯片22供給參考電流。第一電流輸出端9與第一電流分配MISFET 12的漏極連接。這里，第三電流分配MISFET 6與第一電流分配MISFET 12之間的距離為這樣，以便由于雜質擴散或其他類似原因所引起的電特性的變化不會在MISFET 6與12之間引起問題。這個距離按照生產(chǎn)條件和步驟變化。允許距離是200μm或較短。一般地，特別優(yōu)選100μm或較短的距離。
在第二半導體芯片22上設置一個第二電流驅動器。第二電流驅動器包括一個第一電流輸入端14，一個n溝道型的第三電流輸入MISFET 16，和第二電流供給部分17-1、17-2、…17-m(僅示出它們中的一部分)。第一電流輸入端14設置在鄰接第一半導體芯片20的第二半導體芯片22的部分中。第一電流輸入端14與第一電流輸出端9連接。第三電流輸入MISFET 16的漏極和柵極與第一電流輸入端14和一條第二偏置線207連接。第三電流輸入MISFET 16的源極接地。第二電流供給部分17-1、17-2、…17-m包括第二電流源MISFET 201-1、201-2、…和201-m的各自一個(以下，當總稱時稱為“第二電流源MISFET 201”)。第二電流源201-1、201-2、…和201-m的柵極與第二偏置線207共連接。第二電流驅動器的特點是大體上滿足a/b＝c/d＝e/f，其中f是第三電流輸入MISFET 16的W/L比，以及e是第一電流分配MISFET 12的W/L比。
應用以上結構，在顯示裝置的操作期間，通過第一電流輸出端9和第一電流輸入端14向第三電流輸入MISFET 16輸入一個電流，這個電流等于輸入第一電流輸入MISFET 3和第二電流輸入MISFET 7的電流。換句話說，應用以上結構，使用一個電流鏡，以允許一個基本上等于流過第一偏置電路5和第二偏置電路10的電流的電流，流過一個由第一電流分配MISFET 12和第三電流輸入MISFET 16形成的偏置電路。將第三分配MISFET 6和第一電流分配MISFET 12設置在相同芯片內(nèi)，而且相互鄰近，并且因此具有類似電特性。因而，與常規(guī)結構比較，其中在第二半導體芯片22上設置第一電流分配MISFET 12，則輸入電流輸入MISFET的電流在半導體芯片之中更一致。
在實施例1的顯示裝置中，使第一半導體芯片20的參考電流供給部分中產(chǎn)生的電流通過一個電流鏡電路傳送到n溝道型的第三電流輸入MISFET 16。因而，與一種結構比較，其中例如不使第三電流分配MISFET 6和第一電流分配MISFET 12的柵極與第一MISFET 1和第二電流分配MISFET 2的柵極連接(即不構成電流鏡)，則傳送的電流在半導體芯片之中一致。由于以上原因，在實施例1的顯示裝置中，第一半導體芯片20的電流供給部分輸出的電流與第二半導體芯片22的電流供給部分輸出的電流之間的變化小。因而，使顯示中的閃爍和不均勻得到抑制。
除抑制半導體芯片之中輸出電流的變化外，還使第一電流驅動器中一個芯片中的輸出電流之間的變化得到抑制。這是因為第一電流輸入MISFET 3和第二電流輸入MISFET 7的柵極和漏極與第一偏置線205的兩端連接。
雖然圖2沒有示出，但是可以在第一偏置線205上，在第一電流輸入MISFET 3與第一電流源MISFET 200-1的柵極之間，在相鄰第一電流源MISFET 200的柵極之間，以及在第一電流源MISFET 200-m與第二電流輸入MISFET 7的柵極之間，設置具有相同電阻的電阻器。
如上所述，即使在相同芯片中，由于擴散步驟或其他類似原因的不同，串聯(lián)設置的第一電流源MISFET 200的閾值逐漸不同。在實施例1的第一電流驅動器中，第一偏置線205的一端與第一偏置電路5連接，并且另一端與第二偏置電路10連接。如第一電流源MISFET 200那樣，構成第一偏置電路5的MISFET和構成第二偏置電路10的MISFET具有不同閾值。因而，按照實施例1的結構，對第一偏置線205給定一個電位梯度，由此取消了由第一電流源MISFET 200的閾值中的梯度所引起的作用，并且使半導體芯片中輸出電流之中的變化得到抑制。
在這里所述的例子中，在第二半導體芯片22中不設置一個用于將參考電流傳送到下一級的半導體芯片的電流輸出端。因而，優(yōu)選地在具有相對小屏幕的蜂窩移動電話或其他類似裝置中，使用實施例1的第一半導體芯片20和第二半導體芯片22的結合。然而，通過對第一半導體芯片20的端結構作某種變更，能使大量相同半導體芯片級聯(lián)。例如，考慮一種情況，其中在圖2所示的第一電流驅動器中，在第一MISFET 1與第一電流源4之間設置一個終端a，并且還設置一個終端b，它與第一電流輸入端14等效，并且與第二電流分配MISFET 2與第一電流輸入MISFET 3之間的一條線路連接。在這種情況下，當這個半導體芯片用作一個主芯片時，第一電流源4與終端a連接，而終端b保留開路。在這個半導體芯片用作從芯片的情況下，終端a為開路，而終端b與前一級的芯片的第一電流輸出端9連接。應用這樣結構，在一個顯示裝置中，使用大量相同類型的芯片來驅動一個板，并且因此，與使用兩種或多種類型的芯片的情況比較，使生產(chǎn)成本得到降低。另外，實現(xiàn)了一種具有抑制顯示不均勻的大屏幕顯示裝置。
在實施例1的電流驅動器中，優(yōu)選地相互鄰近地設置第一電流輸出端9和第一電流輸入端14，以便相互面對。然而，即使當終端不相互鄰近設置時，電流驅動器也操作。
即使當構成一個電路的MISFET的傳導型全部反置時，實施例1的第一和第二電流驅動器也操作。在這種情況下，只需將電源和接地交換。這種情況還適用于以下所述實施例。
(實施例2)圖3是表示包括按照本發(fā)明的實施例2的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。在圖3中，第一半導體芯片20、第二半導體芯片22和第三半導體芯片24分別是主芯片、第一從芯片和第二從芯片，它們安排成一條線。
在實施例2中，描述在三個或更多個半導體芯片之中用于執(zhí)行與實施例1所述等效的電流傳送的電流驅動器結構。在圖3中，同樣元件用圖1和圖2中實施例1所使用的相同標號來表示，并且這里省略其描述。
在第一半導體芯片20上設置第一電流驅動器。在第二半導體芯片22上設置第二電流驅動器。在第三半導體芯片24上設置第三電流驅動器。第二半導體芯片22和第三半導體芯片24具有相同結構。
參考圖3，第一電流驅動器包括m個第一電流供給部分8，一個參考電流供給部分，以對第一電流供給部分8供給驅動電流，一個第一偏置電路5，一個第二偏置電路10，一個第一電流分配MISFET12，一個第一電流輸出端9，與第一電流分配MISFET 12連接，和一個第一偏置功率供給端13。第一電流供給部分8包括多個n溝道型的第一電流源MISFET 200。第一電流供給部分8的柵極與第一偏置線205共連接。第一偏置電路5將參考電流供給部分中產(chǎn)生的電流在第一電流供給部分8-1側傳送到第一電流供給部分8。第二偏置電路10將參考電流供給部分中產(chǎn)生的電流在第一電流供給部分8-m側傳送到第一電流供給部分8。第一電流分配MISFET 12將參考電流傳送到第二半導體芯片22。第一偏置功率供給端13與第一MISFET1，第一電流分配MISFET12、第二電流分配MISFET 2和第三電流分配MISFET 6的柵極連接。也就是，僅在實施例2的第一電流驅動器包括第一偏置功率供給端13方面，實施例2的第一電流驅動器與實施例1的第一電流驅動器不同。
除實施例1的第二電流驅動器的部件外，實施例2的第二電流驅動器還包括一個第一偏置功率輸入端15，與第一偏置功率供給端13連接，一個p溝道型的第四電流分配MISFET 23，一個n溝道型的第四電流輸入MISFET 25，一個p溝道型的第五電流分配MISFET 27，設置在第四電流分配MISFET 23附近，一個第二電流輸出端28，與第五電流分配MISFET 27的漏極連接，和一個第二偏置功率供給端29，與第四電流分配MISFET 23和第五電流分配MISFET 27的柵極連接。第四電流分配MISFET 23的柵極與第一偏置功率輸入端15連接。第四電流分配MISFET 23、第一MISFET 1、第一電流分配MISFET12、第二電流分配MISFET 2和第三電流分配MISFET 6構成一個電流鏡電路。第四電流輸入MISFET 25的漏極和柵極相互連接。第四電流輸入MISFET 25的漏極與第四電流分配MISFET 23的漏極連接。第四電流輸入MISFET 25的柵極與第二偏置線207連接。第五電流分配MISFET 27和第四電流分配MISFET 23構成一個電流鏡電路。第四電流分配MISFET 23與第五電流分配MISFET 27之間的距離按照設計變化。允許距離為200μm或更短。一般地，特別優(yōu)選100μm或更短的距離。
比e/f等于比g/h，其中e是第一電流分配MISFET 12的W/L比，f是第三電流輸入MISFET 16的W/L比，g是第四電流分配MISFET 23的W/L比，以及h是第四電流輸入MISFET 25的W/L比。此外，比i/j也等于比e/f和g/h，其中i是第五電流分配MISFET 27的W/L比，以及j是第五電流輸入MISFET 33的W/L比。因而，在第二半導體芯片22和第三半導體芯片24具有相同結構的情況下，i/j的值等于e/f和g/h。
第三半導體芯片24具有如第二半導體芯片22那樣相同的結構。在圖3中，與第二偏置功率供給端29連接的第二偏置功率輸入端32對應于第一偏置功率輸入端15。與第二電流輸出端28連接的第二電流輸入端31對應于第一電流輸入端14。
在實施例2的第一和第二電流驅動器中，通過第一偏置功率供給端13和第一偏置功率輸入端15，從第一電流驅動器向第二電流驅動器供給電流分配MISFET的柵偏置。另外，上述尺寸比基本上滿足e/f＝g/h＝i/j。
應用以上結構，從第二半導體芯片22向第三半導體芯片24傳送的電流一般等于從第一半導體芯片20向第二半導體芯片22傳送的電流。因而，實施例2的第一半導體芯片20用作主芯片，以及具有如第二半導體芯片22那樣相同結構的多個半導體芯片級聯(lián)，并且用作從芯片，由此使顯示板的屏幕尺寸增加，同時使半導體芯片之中輸出電流的變化得到抑制。
此外，按照實施例2的電流驅動器，對設置在第二電流供給部分17-1側的第三電流輸入MISFET 16輸入的電流，基本上等于對設置在第二電流供給部分17-m側的第四電流輸入MISFET 25輸入的電流。因而，使第二半導體芯片22中輸出電流的變化得到抑制。
在一個包括本發(fā)明的半導體芯片的顯示裝置中，在一個半導體芯片的偏置功率供給端與下一個半導體芯片的偏置功率輸入端之間的一個部分可以在高阻抗狀態(tài)，并且因而，可以在這個部分中設置一個電容器。優(yōu)選地設置這個電容器，因為它有助于減小噪聲。
(實施例3)圖4是表示包括按照本發(fā)明的實施例3的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。在圖4中，在第一半導體芯片20上設置一個第一電流驅動器，并且在第二半導體芯片22上設置一個第二電流驅動器。
實施例3的第一和第二電流驅動器是實施例1的電流驅動器的變更。以下，描述實施例3與實施例1之間的第一和第二電流驅動器中的不同。
除實施例1的第一電流驅動器的部件外，實施例3的第一電流驅動器還包括一個p溝道型的第六電流分配MISFET(附加電流分配MISFET)36，和一個與第六電流分配MISFET 36的漏極連接的第三電流輸出端37。第六電流分配MISFET 36的柵極與第一電流分配MISFET 12連接。第六電流分配MISFET 36和第一MISFET 1構成一個電流鏡電路。第六電流分配MISFET 36設置在第三電流分配MISFET6和第一電流分配MISFET 12附近。特別地，從第六電流分配MISFET36到第三電流分配MISFET 6和第一電流分配MISFET 12的距離的允許范圍等于或短于200μm。優(yōu)選地，該距離等于或短于100μm。
除實施例1的第二電流驅動器的部件外，實施例3的第二電流驅動器包括一個與第三電流輸出端37連接的第三電流輸入端38，和一個n溝道型的第四電流輸入MISFET 25。第四電流輸入MISFET 25的柵極和漏極相互連接。第四電流輸入MISFET 25的漏極與第三電流輸入端38連接。第四電流輸入MISFET 25的柵極與第二偏置線207連接。第四電流輸入MISFET 25和第三電流輸入MISFET 16構成一個電流鏡電路，在它們之間置入第二電流供給部分17-1、17-2、…和17-m。設計第二電流驅動器，以便k/l的值等于e/f的比，其中k是第六電流分配MISFET 36的W/L比，1是第四電流輸入MISFET 25的W/L比，e是第一電流分配MISFET 12的W/L比，以及f是第三電流輸入MISFET 16的W/L比。此外，滿足條件a/b＝c/d＝k/l，其中a是第二電流分配MISFET 2的W/L比，b是第一電流輸入MISFET 3的W/L比，c是第三電流分配MISFET 6的W/L比，以及d是第二電流輸入MISFET 7的W/L比。
在以上結構中，從設置在第一半導體芯片20上的第六電流分配MISFET 36向第二半導體芯片22傳送電流。與在第二半導體芯片22上設置第六電流分配MISFET 36的情況比較，通過第三電流輸入MISFET 16和第四電流輸入MISFET 25向第二電流供給部分17輸入一個一致的電流。與常規(guī)電流驅動器比較，輸入第四電流輸入MISFET25、第一電流輸入MISFET 3和第二電流輸入MISFET 7的電流更為相等。因而，與常規(guī)電流驅動器比較，按照實施例3的電流驅動器，半導體芯片之間的輸出電流的誤差小。
另外，將相等電流輸入第三電流輸入MISFET 16和設置在第二電流源MISFET 201側的第六電流分配MISFET 36(見圖2)，它們構成一個電流鏡電路。因此，設置在第二半導體芯片22上的第二電流供給部分17的輸出電流的誤差小。
在圖4說明的例子中，并排設置兩個半導體芯片。然而，按照本發(fā)明，可以成一條線設置三個或更多個半導體芯片。在這樣情況下，只需在第一電流分配MISFET 12附近(200μm或更近)設置電流分配MISFET，其數(shù)目等于與主芯片級聯(lián)的從芯片的數(shù)目。然而，其中能設置電流分配器芯片的半導體芯片上的面積有限。因此，實施例3的結構不大適合要求大量半導體芯片的顯示裝置。因而，優(yōu)選地實施例3的電流驅動器用于一種具有小面板的裝置，例如蜂窩移動電話、PDA以及其他裝置。
(實施例4)
圖5是表示包括按照本發(fā)明的實施例4的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。除實施例1的電流驅動器的部件外，實施例4的電流驅動器包括用于使供給對應的電流輸入MISFET的電流穩(wěn)定的裝置。在分別設置在第一半導體芯片40和第二半導體芯片42上的實施例4的第一電流驅動器和第二電流驅動器中，相同元件用圖2實施例1所使用的同樣標號來表示。
除實施例1的第一電流驅動器的部件外，實施例4的第一電流驅動器還包括一個p溝道型的第一共射共基放大器MISFET 43，設置在第一MISFET 1與第一電流源4之間，一個p溝道型的第二共射共基放大器MISFET 45，設置在第二電流分配MISFET 2與第一電流輸入MISFET 3之間，一個p溝道型的第三共射共基放大器MISFET 47，設置在第三電流分配MISFET 6與第二電流輸入MISFET 7之間，一個第四共射共基放大器MISFET 49，設置在第一電流分配MISFET 12與第一電流輸出端9之間，和一條第一柵偏置線44。第一共射共基放大器MISFET 43的源極與第一MISFET 1的柵極連接。第一柵偏置線44的一端與一個第一恒定電壓源41連接。第一柵偏置線44還與第一共射共基放大器MISFET 43、第二共射共基放大器MISFET 45、第三共射共基放大器MISFET 47和第四共射共基放大器MISFET 49的柵極共連接。第一恒定電壓源41的輸出電壓例如為4V。第一電流驅動器的電源電壓例如為5V。各共射共基放大器MISFET的尺寸能比各電流分配MISFET的尺寸小。
如上所述，在實施例4的第一電流驅動器中，設置MISFET，以便與構成一個電流鏡電路的電流分配MISFET的漏極側共射共基聯(lián)接，由此抑制電流分配MISFET的漏極電壓之中的變化，并且改進恒定電流特性。在使用實施例4的電流驅動器的顯示裝置中，流過第一電流源4的電流值有時按照顯示亮度改變。使用實施例4的電流驅動器，即使當流過第一電流源4的電流值改變時，也更有保證使預定電流流過各自電流輸入MISFET。因而，有可能通過使用實施例4的電流驅動器而提供一種具有改進顯示品質的顯示裝置。
上述共射共基放大器MISFET即使當設置在實施例1至3中任何一個時，也產(chǎn)生等效作用。應該注意，在這樣情況下，MISFET的操作范圍變窄，并且因此，必須考慮在改進顯示品質與提高設計靈活性之間的平衡。
(實施例5)圖6是表示包括按照本發(fā)明的實施例5的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。實施例5的電流驅動器與實施例4的電流驅動器不同在于，n溝道型的第五共射共基放大器MISFET 55-1、55-2、…和55-m分別與第一電流供給部分8-1、8-2、…和8-m所包括的第一電流源MISFET 200-1、200-2、…和200-m的漏極連接。此外，第六共射共基放大器MISFET 53和第七共射共基放大器MISFET 57分別與第一電流輸入MISFET 3的漏極和第二電流輸入MISFET 7的漏極連接。第五共射共基放大器MISFET 55-1、55-2、…和55-m，第六共射共基放大器MISFET 53和第七共射共基放大器MISFET 57的柵極與第二柵偏置線211共連接。第二柵偏置線211的一端與第二恒定電壓源51連接，其輸出電壓約為1V。
除實施例4的第二電流驅動器的部件外，實施例5的第二電流驅動器還包括一個第八共射共基放大器MISFET 60，設置在第一電流輸入端14與第三電流輸入MISFET 16之間，和第九共射共基放大器MISFET 65-1、65-2、…和65-m，分別與第二電流源MISFET 201-1、201-2、…和201-m的漏極連接。第八共射共基放大器MISFET 60的柵極和第九共射共基放大器MISFET 65-1、65-2、…和65-m的柵極與一條第三柵偏置線213共連接。第三柵偏置線213的一端還與一個約1V的恒定電壓源連接。
應用以上結構，使第一電流源MISFET 200的漏極電壓之中的變化和第二電流源MISFET 201的漏極電壓之中的變化得到抑制。因而，例如，即使當顯示板的顯示亮度改變時，第一電流供給部分8和第二電流供給部分17的輸出電流也穩(wěn)定。
應該注意，雖然共射共基放大器MISFET與圖6例子中的電流分配MISFET連接，但是共射共基放大器MISFET可以省略。
(實施例6)圖7是表示包括按照本發(fā)明的實施例6的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。在圖7所示半導體芯片之中，第一半導體芯片80如實施例1的第一半導體芯片20相同(見圖1)，并且因此，以下描述主要關于第二半導體芯片82。
在圖7中，在第一半導體芯片80上設置一個第一電流驅動器。在第二半導體芯片82上設置一個第二電流驅動器。在第三半導體芯片84上設置一個第三電流驅動器。
如實施例1的第二電流驅動器那樣，實施例6的第二電流驅動器包括一個與第一電流輸出端9連接的第一電流輸入端14，一個n溝道型的第三電流輸入MISFET 16，和一個包括第二電流源MISFET 201的第二電流供給部分17。第三電流輸入MISFET 16的漏極和柵極與第一電流輸入端14和第二偏置線207共連接。第三電流輸入MISFET16的源極接地。第二電流源MISFET 201的柵極與第二偏置線207共連接。
除以上部件外，實施例6的第二電流驅動器包括還一個n溝道型的第一電流輸出MISFET83，一個第一電流-電壓轉換器81，與第一電流輸出MISFET 83的漏極連接，p溝道型的第七和第八電流分配MISFET 85和86，一個第六電流輸入MISFET 87，和一個第四電流輸出端90，與第八電流分配MISFET 86的漏極連接。第一電流輸出MISFET 83、第三電流輸入MISFET 16、第二電流源MISFET 201(見圖2)和第六電流輸入MISFET 87構成一個電流鏡電路。第七和第八電流分配MISFET 85和86的柵極與第一電流-電壓轉換器81連接。第六電流輸入MISFET 87的漏極和柵極相互連接。第六電流輸入MISFET 87和第三電流輸入MISFET 16構成一個電流鏡電路，在它們之間置入第二電流供給部分17。第六電流輸入MISFET 87的漏極與第七電流分配MISFET 85連接。通過轉換流過第一電流-電壓轉換器81與第一電流輸出MISFET 83之間的電流，將所獲得的電壓從第一電流-電壓轉換器81供給第七和第八電流分配MISFET 85和86的柵極。
比e/f等于比c/d，其中e是第一電流分配MISFET 12的W/L比，f是第三電流輸入MISFET 16的W/L比，c是第三電流分配MISFET 6的W/L比，以及d是第二電流輸入MISFET 7的W/L比。此外，第七電流分配MISFET 85的W/L比與第六電流輸入MISFET 87的W/L比之間的比，和第八電流分配MISFET 86的W/L比與第七電流輸入MISFET 95的W/L比之間的比，分別等于e/f和c/f的值。
實施例6的第二電流驅動器與實施例1的不同在于，通過第一電流輸出MISFET 83、第一電流-電壓轉換器81和第七電流分配MISFET85，使從第一半導體芯片80輸入的電流分配給第二電流供給部分17-m附近所設置的第六電流輸入MISFET 87。應用這樣結構，在第二偏置線207端輸入大體上相等電流。因而，與實施例1的第二電流驅動器比較，從第二電流供給部分17的輸出電流一致。
在實施例6的第二電流中，與實施例2的第二電流驅動器比較，將電流分配MISFET的柵極連接的線路的電容較小。因而，不大可能出現(xiàn)噪聲。
在實施例6的第二電流驅動器中，端子數(shù)比實施例2的第二電流驅動器中的少。因而，實施例6的第二電流驅動器容易安裝。
除以上優(yōu)點外，與常規(guī)顯示裝置比較，在包括第一半導體芯片80和第二半導體芯片82的顯示裝置中，第一半導體芯片80與第二半導體芯片82之間的連接部分出現(xiàn)的輸出電流的誤差較小。因此，更均勻的圖像顯示被實現(xiàn)。
在實施例1的第一電流驅動器中，在第一電流輸入MISFET 3與第一電流源MISFET 200-1的柵極之間，在相鄰第一電流源MISFET200的柵極之間，以及在第一電流源200-m與第二電流輸入MISFET 7的柵極之間的第一偏置線205上，可以設置具有相同電阻的電阻器。在這種情況下，優(yōu)選地按相同方式在第二偏置線207上也設置電阻器。
第一電流-電壓轉換器的具體例子圖8是表示圖7所示實施例6的半導體芯片中的第一電流-電壓轉換器的一個具體例子的電路圖。
參考圖8，第一電流-電壓轉換器81的例子是一個p溝道型MISFET。p溝道型MISFET的漏極與第一電流輸出MISFET83連接。p溝道型MISFET的柵極與第七和第八電流分配MISFET 85和86的柵極連接。p溝道型MISFET的柵極和漏極相互連接。p溝道型MISFET以及第七和第八電流分配MISFET 85和86構成一個電流鏡電路。因而，從第一半導體芯片80輸入的電流分配給第八電流分配MISFET 86和下一級的一個半導體芯片(第三半導體芯片84)。
可選擇地，一個與電源電壓連接的電阻器可以用作第一電流-電壓轉換器81。例如，設置一個第一電阻器，其一端與電源電壓連接，和一個第二電阻器，它介入第一電阻器與第一電流輸出MISFET 83之間。第七和第八電流分配MISFET 85和86的柵偏置線連接在第一電阻器與第二電阻器之間。應用這種結構，將輸入電流轉換成電壓。
在實施例6的第二電流驅動器中，優(yōu)選地第八電流分配MISFET86的W/L比與第三電流輸入MISFET 16的W/L比之間的比，等于第七電流分配MISFET 85的W/L比與第六電流輸入MISFET 87的W/L比之間的比。應用這種布置，在大量第二半導體芯片82共射共基聯(lián)接作為從芯片的情況下，使半導體芯片之中輸出電流的變化得到抑制。
(實施例7)圖9是表示包括按照本發(fā)明的實施例7的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。參考圖9，按照實施例7，在一個電流驅動顯示裝置中設置多個電流源，以允許等效電流流過相互鄰近的第一半導體芯片100和第二半導體芯片102。而且這里，在第一半導體芯片100上集成一個第一電流驅動器，并且在第二半導體芯片102上集成一個第二電流驅動器。以下，省略如實施例1那些相同的部件的描述。
如圖9所示，在實施例7中，第一電流驅動器包括一個第二電流-電壓轉換器(第二IV轉換器)103，與第三電流分配MISFET 6的柵極和設置在芯片100外部的參考電源Vref連接，和一個第四電流輸出端105，與第二電流-電壓轉換器103連接。第二電流-電壓轉換器103將輸入電流轉換成電壓，并且將電壓施加于第三電流分配MISFET 6的柵極。第二電流-電壓轉換器103與第三電流分配MISFET6的源極連接。應該注意，雖然沒有示出，第二電流-電壓轉換器103還與電流分配MISFET的柵極和源極連接。
實施例7的第二電流驅動器包括一個第四電流輸入端107，與第四電流輸出端105連接，一個第三電流-電壓轉換器109，通過第四電流輸入端107與第二電流-電壓轉換器103和參考電源Vref串聯(lián)連接，一個第九電流分配MISFET 104，和一個n溝道型的第三電流輸入MISFET 16，與第九電流分配MISFET 104的漏極連接。將第三電流-電壓轉換器109中轉換獲得的電壓施加于第九電流分配MISFET 104的柵極。第九電流分配MISFET 104的源極與第三電流-電壓轉換器109連接。第三電流-電壓轉換器109與一個設置在芯片102外部的第一負載電路108連接。應該注意，雖然沒有示出，第三電流-電壓轉換器109還與電流分配MISFET的柵極和源極連接。
在包括實施例7的電流驅動器的顯示裝置中，第二電流-電壓轉換器103、第三電流-電壓轉換器109和第一負載電路108串聯(lián)連接，以便基本上相等電流流過第二電流-電壓轉換器103和第三電流-電壓轉換器109。因而，從第一半導體芯片100與第二半導體芯片102之間連接部分附近存在的電流供給部分的輸出電流相等。
在希望輸入第二電流輸入MISFET 7的電流和輸入第三電流輸入MISFET 16的電流相互相等時，優(yōu)選地使第二電流-電壓轉換器103與第三電流分配MISFET 6之間的距離，和第三電流-電壓轉換器109與第九電流分配MISFET 104之間的距離兩者都短。這些距離按照半導體芯片設計變化，只是需要等于或短于200μm。
優(yōu)選地從第四電流輸出端105流到第四電流輸入端107的電流的值，要比流過第三電流分配MISFET 6的柵極和源極的電流的值，或流過第九電流分配MISFET 104的柵極和源極的電流的值小得多，因為在這樣情況下，相等電流在兩個芯片的端部流過。
如圖8具體例子那樣，第二電流-電壓轉換器103和第三電流-電壓轉換器109的一個具體例子是一個p溝道型MISFET，其柵極和漏極相互連接。可選擇地，可以將一個電阻器、一個緩沖器或其他類似部件用作電流-電壓轉換器。當使用電阻器時，從第四電流輸出端105流到第四電流輸入端107的電流需要特別地非常小。
在實施例7中，參考電源Vref與第二電流-電壓轉換器103連接，并且第一負載電路108與第四電流輸入端107連接。然而，參考電源Vref可以與第四電流輸入端107連接，并且第一負載電路108可以與第二電流-電壓轉換器103連接。
(實施例8)圖10是表示包括按照本發(fā)明的實施例8的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。以下，僅描述實施例8的電流驅動器與實施例7的電流驅動器的不同。
如圖10所示，在相互鄰近設置的第一半導體芯片110和第二半導體芯片112上，分別設置兩個電流源，各由串聯(lián)連接的一個電流-電壓轉換器和一個負載電路組成。以下描述以各半導體芯片的結構開始。
設置在第一半導體芯片110上的第一電流驅動器包括一個第四電流-電壓轉換器(第四IV轉換器)111，與第三電流分配MISFET 6的柵極和源極以及地連接，一個第五電流輸入端116，與第四電流-電壓轉換器111連接，一個第二負載電路113，設置在第四電流-電壓轉換器111附近，一個第五電流輸出端118，與第二負載電路113連接。
設置在第二半導體芯片112上的第二電流驅動器包括一個第六電流輸入端120，與第五電流輸出端118連接，一個第五電流-電壓轉換器117，與第六電流輸入端120以及第九電流分配MISFET 104的柵極和源極連接，一個第三負載電路115，與第二參考電源Vref2連接，和一個第六電流輸出端122，與第三負載電路115和第五電流輸入端116連接。第三負載電路115設置在第五電流-電壓轉換器117附近。從第一參考電源Vref1供給的電壓等于從第二參考電源Vref2供給的電壓。
應用以上結構，在第一電流驅動器和第二電流驅動器相互連接的條件下，具有高精度的相等電流流過與第二負載電路113串聯(lián)連接的第五電流-電壓轉換器117，和與第三負載電路115串聯(lián)連接的第四電流-電壓轉換器111。
如后面將要描述，負載電路和電流-電壓轉換器可以通過設置在半導體芯片上的器件例如MISFET來形成。這是因為電流從設置在第一半導體芯片110上的第二負載電路113流到設置在第二半導體芯片112上的第五電流-電壓轉換器117，以及從設置在第二半導體芯片112上的第三負載電路115流到第一半導體芯片110上設置的第四電流-電壓轉換器111，并且因此，使芯片之中特性的變化減小。
因而，在一個具有實施例8的第一半導體芯片110和第二半導體芯片112的結構的顯示裝置中，在鄰接芯片之間的連接部分，用于驅動一個板的電流的大小精確地相等，并且因此，不大可能由眼睛看到顯示不均勻。
優(yōu)選地第四電流-電壓轉換器111與第二負載電路113之間的距離，和第三負載電路115與第五電流-電壓轉換器117之間的距離兩者等于或短于200μm，并且更優(yōu)選地等于或短于100μm。
通過使用上述半導體芯片，它們在縱端包括負載電路和電流-電壓轉換器，則能用三個或多個級聯(lián)半導體芯片驅動一個大屏幕板。
電流-電壓轉換器和負載電路的具體例子圖11和圖12說明圖10所示實施例8的電流驅動器中的一個電流-電壓轉換器和一個負載電路的具體例子。
在圖11說明的例子中，電流-電壓轉換器是一個MISFET，其漏極和柵極相互連接，并且負載電路是一個由多晶硅或其他類似物制成的電阻器。在這種情況下，不用說，需要設計第四電流-電壓轉換器111和第五電流-電壓轉換器117，以便具有相同尺寸和電特性。此外，第二負載電路113和第三負載電路115還需要具有適當特性，例如適當電阻值以及其他類似特性。
在圖12說明的例子中，電流-電壓轉換器和負載電路兩者由其漏極和柵極相互連接的MISFET形成。在這種情況下，負載電路和電流-電壓轉換器能在形成其他MISFET的步驟形成，并且因此，與負載電路由電阻器形成的情況比較，其生產(chǎn)容易。
(實施例9)圖13是表示包括按照本發(fā)明的實施例9的電流驅動器的半導體芯片的電路圖。
參考圖13，實施例9的第一和第二電流驅動器包括如圖12所示的第一和第二電流驅動器的那些相同的電流-電壓轉換器和負載電路。在實施例9的電流驅動器中，對構成電流供給部分中一個電流鏡的電流源MISFET傳送的電流僅從一個電流輸入MISFET輸入。
即使應用這樣結構，在鄰接半導體芯片的連接部分附近的輸出電流也一致。
應該注意，電流-電壓轉換器和負載電路可以是電阻器或緩沖器。
權利要求
1.一種集成在半導體芯片上的電流驅動器，包括第一傳導型的第一電流分配MISFET，對所述第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓；第二傳導型的第一電流輸入MISFET，所述第一電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流分配MISFET的漏極連接，所述第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；第二傳導型的第二電流輸入MISFET，所述第二電流輸入MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，所述第二電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；第一偏置線，用于連接所述第一電流輸入MISFET的柵極和所述第二電流輸入MISFET的柵極；多個電流供給部分，各包括電流源MISFET，所述電流源MISFET、所述第一電流輸入MISFET和所述第二電流輸入MISFET構成電流鏡電路，所述電流源MISFET的柵極與所述第一偏置線連接；第一傳導型的第二電流分配MISFET，所述第二電流分配MISFET和所述第一電流分配MISFET構成一個電流鏡電路，所述第二電流分配MISFET的漏極與所述第二電流輸入MISFET的漏極連接；第三電流分配MISFET，設置在所述第二電流分配MISFET鄰近，所述第三電流分配MISFET、所述第一電流分配MISFET和所述第二電流分配MISFET構成電流鏡電路；和第一電流輸出端，與所述第三電流分配MISFET的漏極連接。
2.權利要求1的電流驅動器，其中所述第二電流分配MISFET與所述第三電流分配MISFET之間的距離等于或短于200μm。
3.權利要求1的電流驅動器，還包括一個偏置功率供給端，與所述第二電流分配MISFET的柵極和所述第三電流分配MISFET的柵極連接。
4.權利要求1的電流驅動器，還包括至少一個第一傳導型的附加電流分配MISFET，設置在離所述第三電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，所述附加電流分配MISFET、所述第二電流分配MISFET和所述第三電流分配MISFET構成一個電流鏡；和附加電流輸出端，與所述至少一個附加電流分配MISFET的每一個連接。
5.權利要求1的電流驅動器，還包括第一傳導型的第一共射共基放大器MISFET，設置在所述第一電流分配MISFET與所述第一電流輸入MISFET之間；第一傳導型的第二共射共基放大器MISFET，設置在所述第二電流分配MISFET與所述第二電流輸入MISFET之間；第一傳導型的第三共射共基放大器MISFET，設置在所述第三電流分配MISFET與所述第一電流輸出端之間；和第一柵偏置線，與所述第一共射共基放大器MISFET、所述第二共射共基放大器MISFET和所述第三共射共基放大器MISFET的柵極共連接，所述第一偏置線的一端與所述第一恒定電壓源連接。
6.權利要求1的電流驅動器，還包括第二傳導型的第四共射共基放大器MISFET，設置在所述第一電流分配MISFET與所述第一電流輸入MISFET之間，所述第四共射共基放大器MISFET的漏極與所述第一電流輸入MISFET的柵極連接；第二傳導型的第五共射共基放大器MISFET，設置在所述第二電流分配MISFET與所述第二電流輸入MISFET之間，所述第五共射共基放大器MISFET的漏極與所述第二電流輸入MISFET的柵極連接；第六共射共基放大器MISFET，與所述電流源MISFET的漏極連接；和第二柵偏置線，與所述第四共射共基放大器MISFET的柵極、所述第五共射共基放大器MISFET的柵極和所述第六共射共基放大器MISFET的柵極共連接，所述第二偏置線的一端與第二恒定電壓源連接。
7.權利要求1的電流驅動器，還包括電流輸入端，與將所述第一電流分配MISFET與所述第一電流輸入MISFET連接的線路連接，其中a/b、c/d和e/b的值基本上相等，其中a是所述第一電流分配MISFET的W/L比，b是所述第一電流輸入MISFET的W/L比，c是所述第二電流分配MISFET的W/L比，d是所述第二電流輸入MISFET的W/L比，以及e是所述第三電流分配MISFET的W/L比。
8.一種集成在半導體芯片上的電流驅動器，包括第一電流輸入端；第一傳導型的第一電流輸入MISFET，所述第一電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流輸入端連接，并且所述第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；多個包括第一傳導型的電流源MISFET的電流供給部分，所述電流源MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路；和偏置線，與所述第一電流輸入MISFET的柵極和所述電流源MISFET的柵極共連接。
9.權利要求8的電流驅動器，還包括第一傳導型的第二電流輸入MISFET，所述第二電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，所述第二電流輸入MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成電流鏡電路，在其之間設置所述多個電流供給部分；偏置功率輸入端；第二傳導型的第一電流分配MISFET，所述第一電流分配MISFET的柵極與所述偏置功率輸入端連接，所述第一電流分配MISFET的漏極與所述第二電流輸入MISFET的漏極連接；第二電流分配MISFET，設置在離所述第一電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述半導體芯片的一個區(qū)域內(nèi)，所述第二電流分配MISFET和所述第一電流分配MISFET構成電流鏡；第一電流輸出端，與所述第二電流分配MISFET的漏極連接；和第一偏置功率輸出端，與所述第二電流分配MISFET的柵極連接。
10.權利要求8的電流驅動器，還包括第一傳導型的第三電流輸入MISFET，所述第三電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，所述第三電流輸入MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成電流鏡電路，在其之間設置所述多個電流供給部分；和第二電流輸入端，與所述第三電流輸入MISFET的漏極連接。
11.權利要求8的電流驅動器，還包括第一傳導型的第一共射共基放大器MISFET，設置在所述第一電流輸入MISFET與所述第一電流輸入端之間；第二共射共基放大器MISFET，與所述電流源MISFET的漏極連接；和柵偏置線，與所述第一共射共基放大器MISFET的柵極和所述第二共射共基放大器MISFET的柵極共連接，所述柵偏置線的一端與恒定電壓源連接。
12.權利要求8的電流驅動器，還包括第一傳導型的電流輸出MISFET，所述電流輸出MISFET的柵極連接在所述第一電流輸入MISFET的柵極與所述電流源MISFET的柵極之間；電流-電壓轉換器，與所述電流輸出MISFET的漏極連接；第一傳導型的第四電流輸入MISFET，所述第四電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，所述第四電流輸入MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成電流鏡電路，在其之間設置多個電流供給部分；第三電流分配MISFET，其柵極與所述電流-電壓轉換器連接，并且其漏極與所述第四電流輸入MISFET連接；第四電流分配MISFET，設置在離所述第三電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，所述第四電流分配MISFET和所述第三電流分配MISFET構成一個電流鏡；和第二電流輸出端，與所述第四電流分配MISFET的漏極連接。
13.權利要求12的電流驅動器，其中所述電流-電壓轉換器是第五電流分配MISFET，所述第五電流分配MISFET的漏極和柵極相互連接，所述第五電流分配MISFET的漏極與所述電流輸出MISFET連接，所述第五電流分配MISFET、所述第三電流分配MISFET和所述第四電流分配MISFET構成電流鏡電路。
14.一種集成在半導體芯片上的電流驅動器，包括第一傳導型的第一電流分配MISFET，對所述第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓；第二傳導型的電流輸入MISFET，所述電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流分配MISFET的漏極連接，所述電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接；第二傳導型的電流輸入/輸出MISFET，所述電流輸入/輸出MISFET的漏極和柵極相互連接，所述電流輸入/輸出MISFET和所述電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路；第一偏置線，用于連接所述電流輸入MISFET的柵極和所述電流輸入/輸出MISFET的柵極；多個包括電流源MISFET的電流供給部分，所述電流源MISFET的柵極與所述第一偏置線連接，所述電流源MISFET、所述電流輸入MISFET和所述電流輸入/輸出MISFET構成電流鏡電路；第一傳導型的第二電流分配MISFET，所述第二電流分配MISFET的漏極與所述電流輸入/輸出MISFET的漏極連接；電流-電壓轉換器，至少與所述第二電流分配MISFET的柵極和源極連接，并且設置在離所述第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述半導體芯片的區(qū)域內(nèi)；和電流輸入/輸出端，與所述電流-電壓轉換器連接。
15.權利要求14的電流驅動器，其中所述第一電流分配MISFET和所述第二電流分配MISFET構成電流鏡電路；并且所述電流-電壓轉換器與所述第一電流分配MISFET的柵極和源極連接。
16.權利要求14的電流驅動器，還包括負載電路，設置在離所述電流-電壓轉換器為200μm或更小距離的所述半導體芯片的區(qū)域內(nèi)；和電流輸出端，與所述負載電路連接。
17.權利要求14的電流驅動器，其中所述負載電路是其漏極和柵極相互連接的第一傳導型MISFET，或電阻器。
18.權利要求14的電流驅動器，其中所述電流-電壓轉換器是其漏極和柵極相互連接的第一傳導型MISFET、電阻器和緩沖器中的一個。
19.一種顯示裝置，包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片包括第一電流驅動器，所述第二半導體芯片包括第二電流驅動器，并且設置在所述第一半導體芯片鄰近，其中所述第一電流驅動器包括第一傳導型的第一電流分配MISFET，對所述第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓，第二傳導型的第一電流輸入MISFET，所述第一電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流分配MISFET的漏極連接，所述第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，第二傳導型的第二電流輸入MISFET，所述第二電流輸入MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，所述第二電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，第一偏置線，用于連接所述第一電流輸入MISFET的柵極和所述第二電流輸入MISFET的柵極，多個電流供給部分，各包括第一電流源MISFET，所述第一電流源MISFET、所述第一電流輸入MISFET和所述第二電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路，所述第一電流源MISFET的柵極與所述第一偏置線連接，第一傳導型的第二電流分配MISFET，所述第二電流分配MISFET和所述第一電流分配MISFET構成電流鏡電路，所述第二電流分配MISFET的漏極與所述第二電流輸入MISFET的漏極連接，第三電流分配MISFET，設置在離所述第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的區(qū)域內(nèi)，所述第三電流分配MISFET、所述第一電流分配MISFET和所述第二電流分配MISFET構成電流鏡電路，和第一電流輸出端，與所述第三電流分配MISFET的漏極連接；并且所述第二電流驅動器包括第一電流輸入端，與所述第一電流輸出端連接，第二傳導型的第三電流輸入MISFET，所述第三電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流輸入端連接，并且所述第三電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，多個包括第二電流源MISFET的第二電流供給部分，所述第二電流源MISFET和所述第三電流輸入MISFET構成電流鏡電路，和第二偏置線，與所述第三電流輸入MISFET的柵極和所述第二電流源MISFET的柵極共連接。
20.權利要求19的顯示裝置，其中a/b、c/d和e/f的值基本上相等，其中a是所述第一電流分配MISFET的W/L比，b是所述第一電流輸入MISFET的W/L比，c是所述第二電流分配MISFET的W/L比，d是所述第二電流輸入MISFET的W/L比，e是所述第三電流分配MISFET的W/L比，以及f是所述第三電流輸入MISFET的W/L比。
21.權利要求19的顯示裝置，其中所述第一電流驅動器還包括偏置功率供給端，所述偏置功率供給端與所述第二電流分配MISFET的柵極和所述第三電流分配MISFET的柵極連接；并且所述第二電流驅動器還包括第二傳導型的第四電流輸入MISFET，所述第四電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，所述第四電流輸入MISFET和所述第三電流輸入MISFET構成電流鏡電路，在其之間設置多個第二電流供給部分，偏置功率輸入端，與所述偏置功率供給端連接，和第一傳導型的第四電流分配MISFET，所述第四電流分配MISFET的柵極與所述偏置功率輸入端連接，所述第四電流分配MISFET的漏極與所述第四電流輸入MISFET的漏極連接。
22.權利要求19的顯示裝置，其中所述第一電流驅動器包括至少一個第一傳導型的附加電流分配MISFET，設置在離所述第三電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述第一半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，所述附加電流分配MISFET、所述第二電流分配MISFET和所述第三電流分配MISFET構成電流鏡，和附加電流輸出端，與至少一個附加電流分配MISFET的每一個連接；并且所述第二電流驅動器包括第二傳導型的第五電流輸入MISFET，所述第五電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，所述第五電流輸入MISFET和所述第三電流輸入MISFET構成電流鏡電路，在其之間設置多個第二電流供給部分，和第二電流輸入端，與所述第五電流輸入MISFET的漏極和所述附加電流輸出端連接。
23.一種顯示裝置，包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片包括第一電流驅動器，所述第二半導體芯片包括第二電流驅動器，并且設置在所述第一半導體芯片鄰近，其中所述第一電流驅動器包括第一傳導型的第一電流分配MISFET，對所述第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓，第二傳導型的第一電流輸入MISFET，所述第一電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流分配MISFET的漏極連接，所述第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，第二傳導型的電流輸入/輸出MISFET，所述電流輸入/輸出MISFET的漏極和柵極相互連接，所述電流輸入/輸出MISFET和所述第一電流輸入MISFET構成電流鏡電路，第一偏置線，用于連接所述第一電流輸入MISFET的柵極和所述電流輸入/輸出MISFET的柵極，多個包括電流源MISFET的第一電流供給部分，所述電流源MISFET的柵極與所述第一偏置線連接，所述電流源MISFET、所述第一電流輸入MISFET和所述電流輸入/輸出MISFET構成電流鏡電路，第一傳導型的第二電流分配MISFET，所述第二電流分配MISFET的漏極與所述電流輸入/輸出MISFET的漏極連接，第一電流-電壓轉換器，與所述第二電流分配MISFET的柵極和源極以及參考電源連接，并且設置在離所述第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，和第一電流輸入/輸出端，與所述第一電流-電壓轉換器連接；并且所述第二電流驅動器包括電流輸入端，與所述電流輸入/輸出端連接，第二電流-電壓轉換器，通過所述電流輸入端與所述第一電流-電壓轉換器串聯(lián)連接，第一傳導型的第三電流分配MISFET，所述第三電流分配MISFET的源極和柵極與所述第二電流-電壓轉換器連接，第二傳導型的第二電流輸入MISFET，與所述第三電流分配MISFET的漏極連接，和多個包括第二電流源MISFET的第二電流供給部分，所述第二電流源MISFET和所述第二電流輸入MISFET構成一個電流鏡電路。
24.一種顯示裝置，包括第一半導體芯片和第二半導體芯片，所述第一半導體芯片包括第一電流驅動器，所述第二半導體芯片包括第二電流驅動器，并且設置在所述第一半導體芯片鄰近，其中所述第一電流驅動器包括第一傳導型的第一電流分配MISFET，對所述第一電流分配MISFET的源極供給一個電源電壓，第二傳導型的第一電流輸入MISFET，所述第一電流輸入MISFET的漏極與所述第一電流分配MISFET的漏極連接，所述第一電流輸入MISFET的漏極和柵極相互連接，第二傳導型的電流輸入/輸出MISFET，所述電流輸入/輸出MISFET的漏極和柵極相互連接，所述電流輸入/輸出MISFET和所述電流輸入MISFET構成電流鏡電路，第一偏置線，用于連接所述第一電流輸入MISFET的柵極和所述電流輸入/輸出MISFET的柵極，多個包括第一電流源MISFET的第一電流供給部分，所述第一電流源MISFET的柵極與所述第一偏置線連接，所述第一電流源MISFET、所述第一電流輸入MISFET和所述電流輸入/輸出MISFET構成電流鏡電路，第一傳導型的第二電流分配MISFET，所述第二電流分配MISFET的漏極與所述電流輸入/輸出MISFET的漏極連接，第一電流-電壓轉換器，與所述第二電流分配MISFET的柵極和源極以及參考電源連接，并且設置在離所述第二電流分配MISFET為200μm或更小距離的所述第一半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，第一電流輸入端，與所述第一電流-電壓轉換器連接，第一負載電路，設置在離所述第一電流-電壓轉換器為200μm或更小距離的所述第一半導體芯片的區(qū)域內(nèi)，和第一電流輸出端，與所述負載電路連接；并且所述第二電流驅動器包括第二電流輸出端，與所述第一電流輸入端連接，第二負載電路，通過所述第一電流輸入端與所述第一電流-電壓轉換器串聯(lián)連接，第二電流輸入端，與所述第一電流輸出端連接，第二電流-電壓轉換器，通過所述第一電流輸出端與所述第一負載電路串聯(lián)連接，第一傳導型的第三電流分配MISFET，所述第三電流分配MISFET的源極和柵極與所述第二電流-電壓轉換器連接，第二傳導型的第二電流輸入MISFET，與所述第三電流分配MISFET的漏極連接，和多個包括第二電流源MISFET的第二電流供給部分，所述第二電流源MISFET和所述第二電流輸入MISFET構成電流鏡電路。
全文摘要
一種電流驅動器和顯示裝置，其第一和第二芯片并排設置。第一芯片包括一個用于輸出驅動電流的電流供給部分，該電流供給部分包括一個電流鏡；一個電流分配MISFET；一個用于將電流傳送到電流供給部分的電流輸入MISFET，該電流輸入MISFET與電流分配MISFET連接；和一個第二電流分配MISFET。電流分配MISFET和第二電流分配MISFET構成一個電流鏡。第二芯片包括一個與第二電流分配MISFET連接的第二電流輸入MISFET。在第一和第二芯片中，電流分配MISFET的W/L比與連接到那里的電流輸入MISFET的W/L比之間的比相同。
文檔編號H03B21/00GK1577443SQ200410031049
公開日2005年2月9日 申請日期2004年4月12日 優(yōu)先權日2003年7月29日
發(fā)明者伊達義人, 大森哲郎, 道正志郎, 水木誠 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社