一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括：功率MOS管開(kāi)關(guān)電路，用于控制所述功率MOS管的閉合與斷開(kāi)；補(bǔ)償電流獲取電路，包括第一采樣電路與第二采樣電路分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差分信號(hào)輸入到電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流；過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓輸入到電流限比較器，或者將參考電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓輸入到電流限比較器輸出控制信號(hào)以控制所述功率MOS管的閉合與斷開(kāi)。本實(shí)用新型可統(tǒng)一不同線電壓下的過(guò)流點(diǎn)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本實(shí)用新型涉及一種電源控制領(lǐng)域，特別是涉及一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電 路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002] AC-DC電源除了性能要滿足供電產(chǎn)品的要求外，其自身的保護(hù)措施也非常重要。其 中，過(guò)流保護(hù)是一項(xiàng)必須的保護(hù)功能。過(guò)電流保護(hù)(Over Current Protection)就是當(dāng)電流 超過(guò)預(yù)定最大值時(shí)，使保護(hù)裝置動(dòng)作的一種保護(hù)方式。當(dāng)流過(guò)被保護(hù)原件中的電流超過(guò)預(yù) 先整定的某個(gè)數(shù)值時(shí)，保護(hù)裝置啟動(dòng)，并用時(shí)限保證動(dòng)作的選擇性，使斷路器跳閘或給出報(bào) 警信號(hào)。然而，當(dāng)AC輸入電壓在85Vac~265Vac范圍內(nèi)變化時(shí)，過(guò)流保護(hù)點(diǎn)（即過(guò)流點(diǎn)）通常 隨輸入線電壓變化而變化，導(dǎo)致高、低線電壓的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)嚴(yán)重漂移，即線電壓高時(shí)的過(guò)流 保護(hù)點(diǎn)與線電壓低時(shí)的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)差距很大，有時(shí)，在高線電壓下的過(guò)流點(diǎn)比低線電壓下 甚至能高出一倍。這不利于過(guò)流點(diǎn)的一致性。
[0003] 鑒于此，如何找到適用于不同線電壓下過(guò)流點(diǎn)一致性的過(guò)流保護(hù)方案就成了本領(lǐng) 域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004] 鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流 保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中高、低線電壓的過(guò)流保護(hù)點(diǎn)嚴(yán)重 漂移不能采用一致的過(guò)流點(diǎn)的問(wèn)題。
[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的 電路，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括:所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路包括:功 率M0S管開(kāi)關(guān)電路，包括一個(gè)功率M0S管和一個(gè)RS觸發(fā)器，用于控制所述功率M0S管的導(dǎo)通與 截止;補(bǔ)償電流獲取電路，與所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路相連，包括第一采樣電路、第二采樣電 路以及一個(gè)電壓轉(zhuǎn)電流單元，第一采樣電路與第二采樣電路的采樣時(shí)間不同，在功率M0S管 導(dǎo)通時(shí)分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差 分信號(hào)輸入到所述電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流;過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，與所述補(bǔ)償電路 獲取電路相連，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓分別輸入到電 流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，或者將經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓 與參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，然后將所述電流限比較 器的輸出信號(hào)作為控制信號(hào)以控制所述功率M0S管的導(dǎo)通與截止；當(dāng)電流限比較器的第一 輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，控制所述功率M0S管截止。
[0006] 可選地，過(guò)流保護(hù)電路進(jìn)一步包括開(kāi)關(guān)控制電路，所述電流限比較器的輸出信號(hào) 通過(guò)所述開(kāi)關(guān)控制電路控制所述功率M0S管的截止。
[0007] 可選地，所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路還包括:一個(gè)將輸出電壓的反饋信號(hào)調(diào)制成高/ 低電平的電路單元，一個(gè)輸出時(shí)鐘信號(hào)與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)的振蕩器，經(jīng)所述電路單元調(diào) 制的電平與時(shí)鐘信號(hào)共同決定所述功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)刻;所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)決定每 個(gè)導(dǎo)通周期內(nèi)所述功率M0S管的最大導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)為低電平時(shí)，RS觸 發(fā)器被重置，輸出低電平，使得所述功率M0S管截止。
[0008] 可選地，所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路進(jìn)一步包括:第一與門(mén)，第二與門(mén)，或非門(mén)，所述 調(diào)制后輸出電壓的反饋信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)分別輸入到所述第一與門(mén)的兩個(gè)輸入端，第一與門(mén) 的輸出端與RS觸發(fā)器的S端連接;所述電流限比較器的輸出端和前沿消隱電路輸出端電連 接至第二與門(mén)的輸入端，第二與門(mén)的輸出端與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)電連接至或非門(mén)的兩個(gè)輸 入端，所述或非門(mén)的輸出端電連接至RS觸發(fā)器的R端。
[0009] 可選地，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路還包括一個(gè)前沿消隱電路，通過(guò)前沿 消隱電路處理后進(jìn)行才能獲取采樣電壓。
[0010] 可選地，所述補(bǔ)償電流獲取電路還包括一個(gè)定時(shí)器，所述定時(shí)器在功率M0S管導(dǎo)通 時(shí)觸發(fā)，輸出第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)以分別控制第一采樣電路和第二采樣 電路的米樣時(shí)間。
[0011] 可選地，所述補(bǔ)償電流獲取電路還包括一個(gè)比例放大器，所述比例放大器與所述 第一采樣電路以及第二采樣電路連接，用于將第三采樣電壓放大后，再由所述第一采樣控 制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)對(duì)放大后的第三采樣電壓進(jìn)行采樣。
[0012] 可選地，所述第一采樣電路包括第一開(kāi)關(guān)，第一電容，當(dāng)所述第一采樣控制信號(hào)為 高電平時(shí)，第一開(kāi)關(guān)閉合，否則第一開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而獲得第一采樣電壓;所述第二采樣電路 包括第二開(kāi)關(guān)，第二電容，當(dāng)所述第二采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)關(guān)閉，否則 第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而獲得第二采樣電壓。
[0013] 可選地，過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路包括:一基準(zhǔn)電流源，基準(zhǔn)電流源的基準(zhǔn)電流流過(guò)第 一電阻以產(chǎn)生參考電壓，流過(guò)功率M0S管的峰值電流與參考電壓成正比。
[0014] 可選地，所述功率M0S管的漏極電壓連接第一分壓電阻、第七開(kāi)關(guān)、第二分壓電阻 后接地;所述第三采樣電壓為第一分壓電阻與第二分壓電阻之間的電壓;所述第七開(kāi)關(guān)在 所述功率M0S管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述補(bǔ)償電流獲取電路的輸出端連接到所述 基準(zhǔn)電流源與第一電阻之間，用于調(diào)整輸入所述電流限比較器的參考電壓。
[0015] 可選地，所述第三采樣電壓為所述功率M0S管的源極電壓;所述功率M0S管的源極 連接第一采樣電阻，所述第一采樣電阻的另一端接地，所述功率M0S管的源極與所述電流限 比較器之間連接第二電阻和第三開(kāi)關(guān)，所述補(bǔ)償電流通過(guò)所述第二電阻調(diào)整輸入所述電流 限比較器的第三采樣電壓;所述第三開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi)； 所述電流限比較器的第一輸入端連接第四開(kāi)關(guān)到地;所述第四開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通 期間斷開(kāi)，其他時(shí)間閉合;所述功率M0S管的源極與所述比例放大器的第一輸入端之間連接 第五開(kāi)關(guān)，所述第五開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述比例放大器 的第一輸入端連接第六開(kāi)關(guān)到地，所述第六開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間斷開(kāi)，其他時(shí)間 閉合。
[0016] 本實(shí)用新型還提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝置，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù) 點(diǎn)的裝置包括如上所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。
[0017] 本實(shí)用新型還包括一種開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，所述開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)包括如上所述的線電壓 補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。
[0018] 如上所述，本實(shí)用新型的一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系 統(tǒng)，具有以下有益效果:通過(guò)在功率M0S管導(dǎo)通時(shí)，采樣兩個(gè)固定時(shí)刻點(diǎn)流過(guò)功率M0S管的電 流，生成和線電壓成比例的補(bǔ)償電流，并用這個(gè)補(bǔ)償電流來(lái)調(diào)節(jié)流過(guò)功率M0S的峰值電流。 線電壓越高，兩個(gè)固定時(shí)刻點(diǎn)流過(guò)功率M0S管的電流差值越大，峰值電流的補(bǔ)償量就越大， 從而得到幾乎不隨線電壓變化的過(guò)流點(diǎn)。本實(shí)用新型適用于斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和連續(xù)導(dǎo) 通模式(CCM)的各種拓?fù)銩C-DC開(kāi)關(guān)電源，尤其適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的開(kāi)關(guān)電源。
【附圖說(shuō)明】
[0019] 圖1顯示為本實(shí)用新型的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的一實(shí)施例的模塊示意 圖。
[0020] 圖2顯示為本實(shí)用新型的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的一實(shí)施例的電路原理示 意圖。
[0021] 圖3顯示為本實(shí)用新型的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的一實(shí)施例的信號(hào)波形示 意圖。
[0022]圖4顯示為本實(shí)用新型的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的另一實(shí)施例的電路原理 示意圖。
[0023]圖5顯示為包括本實(shí)用新型的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的一 實(shí)施例的電路原理示意圖。
[0024] 元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明
[0025] 1 線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路
[0026] 11功率M0S管開(kāi)關(guān)電路
[0027] 12補(bǔ)償電流獲取電路
[0028] 13過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路
【具體實(shí)施方式】
[0029] 以下由特定的具體實(shí)施例說(shuō)明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本 說(shuō)明書(shū)所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實(shí)用新型的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0030] 須知，本說(shuō)明書(shū)所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說(shuō)明書(shū)所揭 示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的限定條 件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響 本實(shí)用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本實(shí)用新型所揭示的技術(shù)內(nèi) 容所能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所引用的如"上"、"下"、"左"、"右"、"中間"及"一" 等的用語(yǔ)，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本實(shí)用新型可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的 改變或調(diào)整，在無(wú)實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本實(shí)用新型可實(shí)施的范疇。
[0031] 過(guò)電流保護(hù)(Over Current Protection)就是當(dāng)電流超過(guò)預(yù)定最大值時(shí)，使保護(hù) 裝置動(dòng)作的一種保護(hù)方式。當(dāng)流過(guò)被保護(hù)原件中的電流超過(guò)預(yù)先整定的某個(gè)數(shù)值時(shí)，保護(hù) 裝置啟動(dòng)，并用時(shí)限保證動(dòng)作的選擇性，使斷路器跳閘或給出報(bào)警信號(hào)。本實(shí)用新型中線電 壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的原理分析如下，以一個(gè)flyback拓?fù)涞腁C-DC電源為例，flyback拓?fù)涞?AC-DC電源的輸出功率Pci可以用如下公式表不：
[0032]
Cl)
[0033] 其中，Lp為原邊電感，Ii為每個(gè)周期開(kāi)始時(shí)原邊電感的初始電流，I2為原邊電感的 峰值電流，fsw為開(kāi)關(guān)頻率，η為效率。
[0034] 對(duì)于恒壓電源系統(tǒng)，過(guò)流點(diǎn)IQCP則可用如下公式表示：
[0035]
(2)
[0036]當(dāng)線電壓在85Vac~265Vac范圍內(nèi)變化，過(guò)流點(diǎn)IQCP(當(dāng)輸出電流超過(guò)過(guò)流點(diǎn)時(shí)，將 啟動(dòng)保護(hù)裝置)也會(huì)跟著變化，原因有兩個(gè)：（1)功率開(kāi)關(guān)的關(guān)斷延遲(td)導(dǎo)致不同線電壓 下，電感的峰值電流(12)不同。從發(fā)出關(guān)斷信號(hào)到功率M0S真正關(guān)斷有個(gè)延遲時(shí)間（td)，在該 時(shí)間內(nèi)，電感電流繼續(xù)上升。不同線電壓下，電感電流上升的斜率不一樣，導(dǎo)致真正的峰值 電流也不一樣。（2)對(duì)于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，過(guò)流點(diǎn)還取決于每個(gè)周期開(kāi)始時(shí) 的電感初始電流（11 )，高線電壓下功率M0S管導(dǎo)通時(shí)間短，在固定頻率fsw下，關(guān)斷時(shí)間就 長(zhǎng)，使得初始電流(ω低;低線電壓下則相反。從以上兩個(gè)原因分析可知，高線電壓下1 2大且 Ii小，導(dǎo)致高線電壓下過(guò)流點(diǎn)比低線電壓下的過(guò)流點(diǎn)高。未經(jīng)補(bǔ)償?shù)倪^(guò)流點(diǎn)在高線電壓下 比低線電壓下甚至能高出一倍。
[0037] 本實(shí)用新型披露了一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流點(diǎn)的技術(shù)，適用于斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和 連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，尤其適用于連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。本實(shí) 用新型通過(guò)在功率M0S導(dǎo)通時(shí)，采樣兩個(gè)固定時(shí)刻點(diǎn)流過(guò)功率M0S管的電流，生成和線電壓 成比例的補(bǔ)償電流，并用這個(gè)補(bǔ)償電流來(lái)調(diào)節(jié)流過(guò)功率M0S管的峰值電流。線電壓越高，兩 個(gè)固定時(shí)刻點(diǎn)流過(guò)M0S的電流差值越大，峰值電流的補(bǔ)償量也就越大，從而得到幾乎不隨線 電壓變化的過(guò)流點(diǎn)。本實(shí)用新型適用于各種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，包括flyback拓?fù)涞?AC-DC電源系統(tǒng)。
[0038] 本實(shí)用新型提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。如圖1所示，所述線電壓補(bǔ)償 過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路1包括功率M0S管開(kāi)關(guān)電路11、補(bǔ)償電流獲取電路12以及過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整 電路13。其中：
[0039] 功率M0S管開(kāi)關(guān)電路11包括一個(gè)功率M0S管和一個(gè)RS觸發(fā)器，用于控制所述功率 M0S管的導(dǎo)通與截止。
[0040] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路11還包括:所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路還 包括:一個(gè)將輸出電壓的反饋信號(hào)調(diào)制成高/低電平的電路單元，一個(gè)輸出時(shí)鐘信號(hào)(Clock 信號(hào))與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)(DCmax信號(hào)）的振蕩器，經(jīng)所述電路單元調(diào)制的電平與時(shí)鐘信號(hào) (Clock信號(hào))共同決定所述功率M0S管的導(dǎo)通時(shí)刻;所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)(DCmax信號(hào)）決 定每個(gè)導(dǎo)通周期內(nèi)所述功率M0S管的最大導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)為低電平時(shí)， RS觸發(fā)器被重置，輸出低電平，使得所述功率M0S管截止。所述輸出電壓為開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的 輸出電壓，所述開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)包括本實(shí)用新型中的過(guò)流保護(hù)電路。在一個(gè)實(shí)施例中，所述功 率M0S管開(kāi)關(guān)電路11進(jìn)一步包括:第一與門(mén)，第二與門(mén)，或非門(mén)，所述調(diào)制后輸出電壓的反饋 信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)分別輸入到所述第一與門(mén)的兩個(gè)輸入端，第一與門(mén)的輸出端與RS觸發(fā)器的 S端連接;所述電流限比較器的輸出端和前沿消隱電路輸出端電連接至第二與門(mén)的輸入端， 第二與門(mén)的輸出端與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)電連接至或非門(mén)的兩個(gè)輸入端，所述或非門(mén)的輸出 端電連接至RS觸發(fā)器的R端。
[0041]補(bǔ)償電流獲取電路12與所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路11相連，包括第一采樣電路、第二 采樣電路以及一個(gè)電壓轉(zhuǎn)電流單元，第一采樣電路與第二采樣電路的采樣時(shí)間不同，在功 率M0S管導(dǎo)通時(shí)分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電 壓作為差分信號(hào)輸入到所述電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流。所述采樣電路包括開(kāi)關(guān)和采 樣電容。在一個(gè)實(shí)施例中，所述補(bǔ)償電流獲取電路12還可以包括一個(gè)比例放大器，所述比例 放大器與所述第一采樣電路以及第二采樣電路連接，用于將第三采樣電壓放大后，再由所 述第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)對(duì)放大后的第三采樣電壓進(jìn)行采樣。在一個(gè)實(shí)施 例中，所述第一采樣電路包括第一開(kāi)關(guān)，第一電容，當(dāng)所述第一采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)， 第一開(kāi)關(guān)閉合，否則第一開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而獲得第一采樣電壓;所述第二采樣電路包括第二開(kāi) 關(guān)，第二電容，當(dāng)所述第二采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)關(guān)閉，否則第二開(kāi)關(guān)斷 開(kāi)，從而獲得第二采樣電壓。所述補(bǔ)償電流獲取電路12還可以包括一個(gè)定時(shí)器，所述定時(shí)器 在功率M0S管導(dǎo)通時(shí)觸發(fā)，輸出第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)以分別控制第一采 樣電路和第二采樣電路的采樣時(shí)間。
[0042]過(guò)流保護(hù)調(diào)整電路13與所述補(bǔ)償電流獲取電路12相連，用于將第三采樣電壓與經(jīng) 過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端， 或者將經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓與參考電壓分別輸入到電流限比較器的 第一輸入端和第二輸入端，然后將所述電流限比較器的輸出信號(hào)作為控制信號(hào)以控制所述 功率M0S管的導(dǎo)通與截止;當(dāng)電流限比較器的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)， 控制所述功率M0S管截止。過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路13包括:一基準(zhǔn)電流源，基準(zhǔn)電流源的基準(zhǔn) 電流流過(guò)第一電阻以產(chǎn)生參考電壓，流過(guò)功率M0S管的峰值電流與參考電壓成正比。在一個(gè) 實(shí)施例中，所述電流限比較器的輸出信號(hào)通過(guò)所述功率M0S管開(kāi)關(guān)電路11控制所述功率M0S 管的截止。
[0043] 在一個(gè)實(shí)施例中，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路1還包括一個(gè)LEB(Leading Edge Blanking，前沿消隱）電路，通過(guò)LEB電路處理后進(jìn)行才能獲取采樣電壓。在原邊電流 控制環(huán)路中，由于開(kāi)關(guān)導(dǎo)通瞬間會(huì)有脈沖峰值電流，如果采樣此時(shí)的電流值并進(jìn)行控制，會(huì) 因脈沖前沿的尖峰產(chǎn)生誤觸發(fā)動(dòng)作，前沿消隱可以用于消除這種誤觸發(fā)隱患。在一個(gè)實(shí)施 例中，所述功率M0S管的漏極電壓經(jīng)過(guò)第一分壓電阻與第二分壓電阻后接地，所述采樣電壓 為第一分壓電阻與第二分壓電阻間的電壓，所述補(bǔ)償電流用于調(diào)整輸入所述電流限比較器 的參考電壓。在另一實(shí)施例中，所述功率M0S管的源極連接第一電阻，所述第一電阻的另一 端接地，所述采樣電壓為所述功率M0S管的源極電壓;所述功率M0S管的源極與所述電流限 比較器之間連接第二電阻，所述補(bǔ)償電流通過(guò)所述第二電阻調(diào)整輸入所述電流限比較器的 米樣電壓。
[0044] 在一個(gè)實(shí)施例中，線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路如圖2所示，其中，調(diào)制器 (Modulator)單元電路(將輸出電壓的反饋信號(hào)調(diào)制成高/低電平的電路單元)將輸出電壓 的反饋信號(hào)（feedback)調(diào)制成高/低電平，該電平和Clock信號(hào)共同決定功率M0S管的開(kāi)通 時(shí)刻。所述輸出電壓為開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)的輸出電壓，所述開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)包括本實(shí)用新型中的 過(guò)流保護(hù)電路。振蕩器(Oscillator)產(chǎn)生兩個(gè)信號(hào)：Clock和DCmax。Clock信號(hào)和調(diào)制器 (Modulator)的輸出信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)與門(mén)，連接到RS觸發(fā)器的置位(S)端，從而決定功率M0S的 開(kāi)通時(shí)刻。DCmax決定每個(gè)周期的最大導(dǎo)通時(shí)間，當(dāng)DCmax為低電平時(shí)，RS觸發(fā)器被重置 (Reset)，把Gate拉低，功率MOS管關(guān)斷。Drain為功率MOS管的漏極，Source為功率MOS管的源 極。所述功率M0S管的漏極電壓(Drain電壓)連接第一分壓電阻、第七開(kāi)關(guān)、第二分壓電阻后 接地;所述第三采樣電壓(Vsense)為第一分壓電阻與第二分壓電阻之間的電壓;所述第七 開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述補(bǔ)償電流獲取電路的輸出端連接 到所述基準(zhǔn)電流源與第一電阻之間，用于調(diào)整輸入所述電流限比較器的參考電壓。Drain電 壓經(jīng)過(guò)分壓電阻后輸出電壓Vsense，Vsense在M0S導(dǎo)通期間正比于流過(guò)功率M0S管的電流 Idrain?；鶞?zhǔn)電流源的基準(zhǔn)電流(Iref)流過(guò)第一電阻(R1)以產(chǎn)生參考電壓(Vref)，流過(guò)功 率M0S管的峰值電流與參考電壓成正比。Idrain的峰值正比于參考電壓Vref。
[0045] 圖2中的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的各個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)的波形如圖3所示。其中， VI ine表不線電壓的波形，Gate表不RS觸發(fā)器輸出的波形，pulse 1表不第一米樣控制信號(hào)的 波形，pulSe2表示第二采樣控制信號(hào)的波形，Vref表示基準(zhǔn)電流輸出的波形，Vrefl表示未 經(jīng)過(guò)補(bǔ)償電路調(diào)節(jié)的基準(zhǔn)電流輸出的波形，Vref 2表示經(jīng)過(guò)補(bǔ)償電路調(diào)節(jié)時(shí)的基準(zhǔn)電流輸 出的波形形，Vsense表示第三采樣電壓的波形，Vsensel表示第一采樣電壓的波形，Vsense2 表示第二采樣電壓的波形，I comp表示電壓轉(zhuǎn)電流單元輸出的補(bǔ)償電流的波形。
[0046] 圖2中的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路產(chǎn)生反映線電壓高低的補(bǔ)償電流Icomp的 具體過(guò)程如下Vsense接到比例放大器的輸入端，經(jīng)過(guò)比例放大后的輸出信號(hào)接到開(kāi)關(guān)SW1 和SW2的公共端，SW1的另一端接采樣/保持電容C1的正極板，并且輸入到后續(xù)電壓轉(zhuǎn)電流單 元的負(fù)端，SW2的另一端接采樣/保持電容C2的正極板，并且輸入到后續(xù)電壓轉(zhuǎn)電流單元的 正端。SW1的控制信號(hào)為pulse 1，SW2的控制信號(hào)為pul se2, pulse 1和pul se2由Timer (定時(shí) 器)產(chǎn)生，Timer定時(shí)器的輸入是Gate信號(hào)，在Gate上升沿延時(shí)固定時(shí)間T1和T2,分別得到 pulsel和pulSe2,如圖3所示。在脈沖為高時(shí)，其控制的開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，比例放大器的輸出電壓傳 遞到對(duì)應(yīng)的電容上，也就是采樣階段；當(dāng)窄脈沖為低時(shí)，其控制的開(kāi)關(guān)關(guān)閉，此階段為保持 階段。由于采樣的時(shí)刻不一樣，故在保持階段，兩個(gè)電容上的電壓通常是不一樣的。由于 pulse2比pulsel出現(xiàn)得晚一點(diǎn)，而Vsense又是斜坡向上的電壓，故Vsense2通常會(huì)比 Vsensel高。這兩個(gè)電容上的電壓作為差分信號(hào)輸入到后續(xù)的電壓轉(zhuǎn)電流單元，電壓轉(zhuǎn)電流 單元將這兩個(gè)電壓的差值轉(zhuǎn)換成電流信號(hào)Icomp。電壓轉(zhuǎn)電流單元滿足如下關(guān)系：
[0047] Icomp一kl * (Vsense2-Vsensel ) (3)
[0048] 其中，kl為電壓轉(zhuǎn)電流的轉(zhuǎn)換系數(shù)。
[0049] 由于在功率M0S導(dǎo)通期間有如下等式，
[0050] Vsense - k2 * Rdson * I drain (4)
[0051 ] 其中，k2是電阻分壓系數(shù)，Rdson為功率MOS的導(dǎo)通阻抗。
[0052] 眾所周知，電感電流Idrain的斜率和線電壓成比例，例如對(duì)于一個(gè)flyback系統(tǒng)來(lái) 說(shuō)，有如下等式：
[0053]
(5)
[0054]其中，k3為常數(shù)。將(4)式代入(5)式，可得：
[0055]
(6)
[0056] 將(6)式代入(3)式，可得：
[0057] Ic〇mp = kl · k2 · k3 · Rdson 1 (T2~Tl) · Vline (7)
[0058]由以上可知，由于kl，1^2，1^3，1?(18〇11，1'1和12均為固定值，故補(bǔ)償電流1(3〇11^1和線電 壓Vline成正比，線電壓高時(shí)，Icomp大，線電壓低時(shí)，Icomp小。
[0059]產(chǎn)生補(bǔ)償電流Icomp后，該補(bǔ)償電流調(diào)節(jié)功率M0S管峰值電流的具體方法如下： [0000] 補(bǔ)償電流Icomp連接到Vref，Icomp和Iref共同作用，流過(guò)電阻R1，產(chǎn)生參考電壓 Vref ：
[0061] Vref=(lref-Icomp) * Rl (8)
[0062] Iref為固定基準(zhǔn)電流，當(dāng)線電壓高時(shí)，Icomp大，導(dǎo)致Vref低;線電壓低時(shí)則相反。
[0063] Vref連接電流限比較器的負(fù)輸入端，Vsense連接電流限比較器的正輸入端。功率 M0S導(dǎo)通期間，Vsense和Vref進(jìn)行比較，當(dāng)Vsense高于Vref時(shí)，電流限比較器輸出高電平，將 Gate拉低，關(guān)閉功率M0S管。
[0064] 可知，峰值電流Idrain_pk由Vref來(lái)決定，Idrain_pk和補(bǔ)償電流Icomp的關(guān)系如 下：
[0065]
[0066] 其中Tdelay為內(nèi)部電路的關(guān)斷延時(shí)。
[0067] 從該等式可以看出，補(bǔ)償電流Icomp調(diào)節(jié)了峰值電流Idrain_pk:線電壓越高， Icomp越大，可以使得高線電壓下的峰值電流Idrain_pk和低線電壓下的Idrain_pk相等(對(duì) 于DCM系統(tǒng)），或者高電壓下的峰值電流Idrain_pk小于低線電壓下的Idrain_pk(對(duì)于CCM系 統(tǒng))。
[0068] 在另一個(gè)實(shí)施例中，線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路如圖4所示，其與圖2所示的線 電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路的主要區(qū)別在于采樣電壓Vsense是從功率M0S管的source端采 樣，產(chǎn)生的補(bǔ)償電流用來(lái)補(bǔ)償Vsense，而非Vref。其中，所述第三采樣電壓(Vsense)為所述 功率M0S管的源極電壓;所述功率M0S管的源極連接第一采樣電阻(Res)，所述第一采樣電阻 (Res)的另一端接地，所述功率M0S管的源極與所述電流限比較器之間連接第二電阻(R2)和 第三開(kāi)關(guān)，所述補(bǔ)償電流通過(guò)所述第二電阻(R2)調(diào)整輸入所述電流限比較器的第三采樣電 壓(Vsense);所述第三開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述電流限比 較器的第一輸入端連接第四開(kāi)關(guān)到地;所述第四開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間斷開(kāi)，其他 時(shí)間閉合;所述功率M0S管的源極與所述比例放大器A的第一輸入端之間連接第五開(kāi)關(guān)，所 述第五開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述比例放大器的第一輸入端 連接第六開(kāi)關(guān)到地，所述第六開(kāi)關(guān)在所述功率M0S管導(dǎo)通期間斷開(kāi)，其他時(shí)間閉合。具體實(shí) 施方法介紹如下：
[0069] 和線電壓成比例的補(bǔ)償電流Icomp產(chǎn)生之后，注意，這里的Icomp和前實(shí)施例里面 的I comp方向相反，換言之，前實(shí)施例電壓轉(zhuǎn)電流單元輸出s ink電流(拉電流），該實(shí)施例里 電壓轉(zhuǎn)電流單元輸出source電流(灌電流）。電壓轉(zhuǎn)電流單元的輸出接在電阻R2的一端，R2 的另一端接功率M0S的源極，功率M0S的源極經(jīng)過(guò)一個(gè)電阻Res接到地。Icomp在R2上產(chǎn)生的 壓降和線電壓成正比，Vsense電壓可以表示為：
[0070] Vsense - Vsource+Icomp · 1^2 (10)
[0071 ]由上式可以得到峰值電流Idrain_pk的表達(dá)式：
[0072]
(11)
[0073] 補(bǔ)償電流Icomp通過(guò)補(bǔ)償Vsense，調(diào)節(jié)了峰值電流Idrain_pk:線電壓越高，Icomp 越大，可以使得高線電壓下的峰值電流Idrain_pk和低線電壓下的Idrain_pk相等(對(duì)于DCM 系統(tǒng)），或者高電壓下的峰值電流Idrain_pk小于低線電壓下的Idrain_pk(對(duì)于CCM系統(tǒng)）。
[0074] 本實(shí)用新型還提供一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝置，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù) 點(diǎn)的裝置包括如上所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝 置可以封裝成一個(gè)芯片。線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝置可以產(chǎn)生反映線電壓高低的補(bǔ)償電 流，通過(guò)該補(bǔ)償電流來(lái)調(diào)節(jié)峰值電流，從而使得過(guò)流點(diǎn)不隨線電壓變化。
[0075] 本實(shí)用新型還包括一種開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，所述開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)包括如上所述的線電壓 補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。本實(shí)用新型描述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路可以被廣泛應(yīng)用 在開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。在一個(gè)實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)為如圖5所示的反激式開(kāi)關(guān)電源系 統(tǒng)。反激式開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)采用上述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。所述反激式開(kāi)關(guān)電源系 統(tǒng)包括:一整流橋、一濾波模塊(C1)、一原邊吸收模塊、一開(kāi)關(guān)電源控制器，一變壓模塊T1、 副邊輸出模塊、一負(fù)載，以及一反饋模塊。其中，所述整流橋的輸入端與市電(AC IN)連接， 用于將交流電整流為直流電（Vbus)，并傳送至所述濾波模塊(C1);所述濾波模塊(C1)用于 對(duì)直流電進(jìn)行濾波;所述原邊吸收模塊用于減少漏感在功率M0S管上形成的電壓尖峰，減少 EMI干擾;所述變壓模塊T1與所述原邊吸收模塊連接，用于原邊、副邊繞組之間的電壓電流 的互相轉(zhuǎn)換;所述副邊輸出模塊用于輸出一副邊繞組的電壓和電流至所述負(fù)載;所述反饋 電路耦合到輸出量Vout上，用來(lái)產(chǎn)生一個(gè)輸入到開(kāi)關(guān)電源控制器(該開(kāi)關(guān)電源控制器包括 了所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路）的反饋信號(hào)FB(Feedba Ck)，該反饋信號(hào)FB(作為輸出 電壓的反饋信號(hào))輸入到所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，和時(shí)鐘信號(hào)共同控制功率M0S 管的開(kāi)通時(shí)刻;所述開(kāi)關(guān)電源控制器包括本實(shí)用新型中所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路 和功率M0S管，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路用于控制功率M0S管的導(dǎo)通或者截止，從 而控制傳輸?shù)截?fù)載的電壓和電流。所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的具體實(shí)現(xiàn)參見(jiàn)如上所述的 實(shí)施例。所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)可以封裝成一個(gè)芯片或裝置。
[0076] 綜上所述，本實(shí)用新型的一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路、裝置及開(kāi)關(guān)電源系 統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn):通過(guò)在功率M0S管導(dǎo)通期間的兩個(gè)固定時(shí)間點(diǎn)采樣流過(guò)功率M0S電流，來(lái)感知 線電壓的高低，生成和線電壓成比例的補(bǔ)償電流；用生成的補(bǔ)償電流來(lái)調(diào)節(jié)參考電壓Vref 或者調(diào)節(jié)電流采樣電壓Vsense，從而調(diào)節(jié)峰值電流。通過(guò)調(diào)節(jié)峰值電流來(lái)實(shí)現(xiàn)不隨線電壓 變化的過(guò)流點(diǎn)。本實(shí)用新型適用于斷續(xù)導(dǎo)通模式(DCM)和連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)的各種拓?fù)?AC-DC開(kāi)關(guān)電源。所以，本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià) 值。
[0077] 上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效，而非用于限制本實(shí)用新 型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行 修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精 神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于，所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電 路包括： 功率MOS管開(kāi)關(guān)電路，包括一個(gè)功率MOS管和一個(gè)RS觸發(fā)器，用于控制所述功率MOS管的 導(dǎo)通與截止； 補(bǔ)償電流獲取電路，與所述功率MOS管開(kāi)關(guān)電路相連，包括第一采樣電路、第二采樣電 路以及一個(gè)電壓轉(zhuǎn)電流單元，第一采樣電路與第二采樣電路的采樣時(shí)間不同，在功率MOS管 導(dǎo)通時(shí)分別獲得第一采樣電壓和第二采樣電壓，所述第一采樣電壓與第二采樣電壓作為差 分信號(hào)輸入到所述電壓轉(zhuǎn)電流單元，輸出補(bǔ)償電流； 過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整電路，與所述補(bǔ)償電路獲取電路相連，用于將第三采樣電壓與經(jīng)過(guò)所 述補(bǔ)償電流調(diào)整后的參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一輸入端和第二輸入端，或者 將經(jīng)過(guò)所述補(bǔ)償電流調(diào)整后的第三采樣電壓與參考電壓分別輸入到電流限比較器的第一 輸入端和第二輸入端，然后將所述電流限比較器的輸出信號(hào)作為控制信號(hào)以控制所述功率 MOS管的導(dǎo)通與截止；當(dāng)電流限比較器的第一輸入端的電壓大于第二輸入端的電壓時(shí)，控制 所述功率MOS管截止。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述功率MOS管 開(kāi)關(guān)電路還包括:一個(gè)將輸出電壓的反饋信號(hào)調(diào)制成高/低電平的電路單元，一個(gè)輸出時(shí)鐘 信號(hào)與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)的振蕩器，經(jīng)所述電路單元調(diào)制的電平與時(shí)鐘信號(hào)共同決定所述 功率MOS管的導(dǎo)通時(shí)刻;所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)決定每個(gè)導(dǎo)通周期內(nèi)所述功率MOS管的最大 導(dǎo)通時(shí)間；當(dāng)所述最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)為低電平時(shí)，RS觸發(fā)器被重置，輸出低電平，使得所述 功率MOS管截止。3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述功率MOS管 開(kāi)關(guān)電路進(jìn)一步包括:第一與門(mén)，第二與門(mén)，或非門(mén)，所述調(diào)制后輸出電壓的反饋信號(hào)和時(shí) 鐘信號(hào)分別輸入到所述第一與門(mén)的兩個(gè)輸入端，第一與門(mén)的輸出端與RS觸發(fā)器的S端連接； 所述電流限比較器的輸出端和前沿消隱電路輸出端電連接至第二與門(mén)的輸入端，第二與門(mén) 的輸出端與最大導(dǎo)通時(shí)間信號(hào)電連接至或非門(mén)的兩個(gè)輸入端，所述或非門(mén)的輸出端電連接 至RS觸發(fā)器的R端。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述線電壓補(bǔ)償 過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路還包括一個(gè)前沿消隱電路，通過(guò)前沿消隱電路處理后進(jìn)行才能獲取采樣 電壓。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述補(bǔ)償電流獲 取電路還包括一個(gè)定時(shí)器，所述定時(shí)器在功率MOS管導(dǎo)通時(shí)觸發(fā)，輸出第一采樣控制信號(hào)和 第二采樣控制信號(hào)以分別控制第一采樣電路和第二采樣電路的采樣時(shí)間。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述補(bǔ)償電流獲 取電路還包括一個(gè)比例放大器，所述比例放大器與所述第一采樣電路以及第二采樣電路連 接，用于將第三采樣電壓放大后，再由所述第一采樣控制信號(hào)和第二采樣控制信號(hào)對(duì)放大 后的第三采樣電壓進(jìn)行采樣。7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述第一采樣電 路包括第一開(kāi)關(guān)，第一電容，當(dāng)所述第一采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)，第一開(kāi)關(guān)閉合，否則第 一開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而獲得第一采樣電壓;所述第二采樣電路包括第二開(kāi)關(guān)，第二電容，當(dāng)所述 第二采樣控制信號(hào)為高電平時(shí)，所述第二開(kāi)關(guān)關(guān)閉，否則第二開(kāi)關(guān)斷開(kāi)，從而獲得第二采樣 電壓。8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:過(guò)流保護(hù)點(diǎn)調(diào)整 電路包括:一基準(zhǔn)電流源，基準(zhǔn)電流源的基準(zhǔn)電流流過(guò)第一電阻以產(chǎn)生參考電壓，流過(guò)功率 MOS管的峰值電流與參考電壓成正比。9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述功率MOS管 的漏極電壓連接第一分壓電阻、第七開(kāi)關(guān)、第二分壓電阻后接地;所述第三采樣電壓為第一 分壓電阻與第二分壓電阻之間的電壓;所述第七開(kāi)關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間閉合，其他 時(shí)間斷開(kāi);所述補(bǔ)償電流獲取電路的輸出端連接到所述基準(zhǔn)電流源與第一電阻之間，用于 調(diào)整輸入所述電流限比較器的參考電壓。10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路，其特征在于:所述第三采樣 電壓為所述功率MOS管的源極電壓;所述功率MOS管的源極連接第一采樣電阻，所述第一采 樣電阻的另一端接地，所述功率MOS管的源極與所述電流限比較器之間連接第二電阻和第 三開(kāi)關(guān)，所述補(bǔ)償電流通過(guò)所述第二電阻調(diào)整輸入所述電流限比較器的第三采樣電壓;所 述第三開(kāi)關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述電流限比較器的第一輸入 端連接第四開(kāi)關(guān)到地;所述第四開(kāi)關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間斷開(kāi)，其他時(shí)間閉合;所述 功率MOS管的源極與所述比例放大器的第一輸入端之間連接第五開(kāi)關(guān)，所述第五開(kāi)關(guān)在所 述功率MOS管導(dǎo)通期間閉合，其他時(shí)間斷開(kāi);所述比例放大器的第一輸入端連接第六開(kāi)關(guān)到 地，所述第六開(kāi)關(guān)在所述功率MOS管導(dǎo)通期間斷開(kāi)，其他時(shí)間閉合。11. 一種線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝置，其特征在于:所述線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的裝 置包括如權(quán)利要求1至10中任一權(quán)利要求所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。12. -種開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，其特征在于:所述開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)包括如權(quán)利要求1至10中任一 權(quán)利要求所述的線電壓補(bǔ)償過(guò)流保護(hù)點(diǎn)的電路。
【文檔編號(hào)】H02M1/32GK205566093SQ201620212924
【公開(kāi)日】2016年9月7日
【申請(qǐng)日】2016年3月18日
【發(fā)明人】郜小茹
【申請(qǐng)人】上海晶豐明源半導(dǎo)體有限公司