一種igbt過(guò)流檢測(cè)電路及過(guò)流保護(hù)電路的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種IGBT過(guò)流檢測(cè)電路及過(guò)流保護(hù)電路，包括第一比較電路、第二比較電路、采樣電路和IGBT控制電路。本實(shí)用新型通過(guò)檢測(cè)導(dǎo)通時(shí)的IGBT的Vce電壓是否過(guò)限來(lái)檢測(cè)過(guò)流導(dǎo)致的IGBT退飽和，包含兩個(gè)比較電路，一個(gè)用來(lái)判斷IGBT是否處于開(kāi)通狀態(tài)，另一個(gè)用來(lái)判斷IGBT是否發(fā)生退飽和。本實(shí)用新型電路簡(jiǎn)單，僅使用了兩個(gè)比較器和一些簡(jiǎn)單的外圍電路即實(shí)現(xiàn)了對(duì)IGBT導(dǎo)通期間退飽和狀態(tài)的檢測(cè)，針對(duì)開(kāi)通過(guò)程，增加RC延時(shí)并可調(diào)，使得開(kāi)通過(guò)程中的誤動(dòng)作不會(huì)發(fā)生。同時(shí)在關(guān)斷時(shí)，利用滯環(huán)比較電路提前關(guān)閉比較電路，有效的避免了關(guān)斷時(shí)的誤動(dòng)作。電路所占面積小，成本較低。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種IGBT過(guò)流檢測(cè)電路及過(guò)流保護(hù)電路
技術(shù)領(lǐng)域
[00011本實(shí)用新型涉及IGBT過(guò)流檢測(cè)技術(shù)，尤其涉及一種IGBT過(guò)流檢測(cè)電路及過(guò)流保護(hù) 電路。
【背景技術(shù)】
[0002] 絕緣概雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Tramistor，IGBT)是MOSFET與GTR 的復(fù)合器件，因此，它既具有MOSFET的工作速度快、開(kāi)關(guān)頻率高、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn) 單、熱溫度性好的優(yōu)點(diǎn)，又包含了GTR的載流量大、阻斷電壓高等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn).是取代GTR的理 想開(kāi)關(guān)器件。IGBT目前被廣泛使用的具有自關(guān)斷能力的器件，廣泛應(yīng)用于各類(lèi)固態(tài)電源中。
[0003] IGBT作為一種常見(jiàn)的電力電子開(kāi)關(guān)器件被廣泛的應(yīng)用于各種不同的功率等級(jí)的 設(shè)備當(dāng)中。IGBT所需要的驅(qū)動(dòng)電流與驅(qū)動(dòng)功率非常小，可直接與模擬或數(shù)字功能塊相接而 不須加任何附加接口電路。IGBT的導(dǎo)通與關(guān)斷是由柵極電壓UGE來(lái)控制的，當(dāng)UGE大于開(kāi)啟 電壓UGE(th)時(shí)IGBT導(dǎo)通，當(dāng)柵極和發(fā)射極間施加反向或不加信號(hào)時(shí)，IGBT被關(guān)斷。
[0004] IGBT與普通晶體三極管一樣，可工作在線(xiàn)性放大區(qū)、飽和區(qū)和截止區(qū)，其主要作為 開(kāi)關(guān)器件應(yīng)用。在驅(qū)動(dòng)電路中主要研究IGBT的飽和導(dǎo)通和截止兩個(gè)狀態(tài)，使其開(kāi)通上升沿 和關(guān)斷下降沿都比較陡峭。
[0005] 導(dǎo)致IGBT損壞的可能原因有:過(guò)壓，過(guò)流和靜電等。過(guò)壓可以通過(guò)選擇耐壓更高的 管子來(lái)規(guī)避，靜電則可以通過(guò)規(guī)范生產(chǎn)和實(shí)驗(yàn)過(guò)程中操作來(lái)避免。
[0006] 對(duì)于過(guò)流則需要單獨(dú)做故障保護(hù)，保證在IGBT發(fā)生過(guò)流的時(shí)候能有效檢測(cè)到過(guò)流 故障，并且在幾微秒(通常是IOus內(nèi)）時(shí)間內(nèi)可靠的關(guān)斷IGBT tJGBT在過(guò)流時(shí)，隨著電流的迅 速爬升到一定值的時(shí)候，IGBT從飽和工作區(qū)退回到線(xiàn)性工作區(qū)，發(fā)生退飽和現(xiàn)象，此時(shí)IGBT 的Vce電壓會(huì)迅速上升到母線(xiàn)電壓。通過(guò)檢測(cè)IGBT是否退出飽和區(qū)，就可以檢測(cè)到IGBT是否 發(fā)生了過(guò)流的故障。
[0007] IGBT的過(guò)流退飽和檢測(cè)的現(xiàn)有技術(shù)主要有以下兩種：
[0008] 1)利用電阻采集IGBT過(guò)信號(hào)后，通過(guò)過(guò)流時(shí)比較器動(dòng)作輸出保護(hù)信號(hào)。這種方案 的缺點(diǎn)：采樣電阻上流過(guò)大電流，電阻功率大，溫度高，溫漂大，器件很難選擇，而且電阻較 貴；電阻上的信號(hào)有很大的共模噪聲，普通運(yùn)放無(wú)法處理。而差分運(yùn)放一般對(duì)地共模電壓耐 受都不高。
[0009]檢測(cè)Vce飽和電壓，當(dāng)電壓高于某值時(shí)輸出保護(hù)信號(hào)。常規(guī)的Vce飽和檢測(cè)電路，因 為無(wú)法有效的錯(cuò)開(kāi)開(kāi)通過(guò)程，常常在IGBT開(kāi)通過(guò)程中誤報(bào)錯(cuò)或者在關(guān)斷過(guò)程中，無(wú)法有效 判斷關(guān)斷時(shí)間點(diǎn)，經(jīng)常誤動(dòng)作。所以可靠性并不高。 【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0010]本實(shí)用新型提供了一種IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，包括第一比較電路、第二比較電路、采 樣電路和IGBT控制電路，其中，
[0011] 所述第一比較電路包括第一比較器、第一電阻Rl和第二電阻R2,所述第一電阻Rl 的第一端連接電源，所述第一電阻Rl的第二端分別與第二電阻R2的第一端及所述第一比較 器的同相輸入端連接；
[0012] 所述第二比較電路包括第二比較器、第六電阻R6、第七電阻R7和第八電阻R8,所述 第一比較器的輸出端與所述第六電阻R6的第一端連接，所述第六電阻R6的第二端分別與所 述第七電阻R7的第二端及所述第二比較器的反相輸入端連接，所述第七電阻R7的第一端連 接電源，所述第二比較器的輸出端與所述第八電阻R8的第二端連接，所述第八電阻R8的第 一端連接電源；
[0013] 所述采樣電路包括二極管、第九電阻R9、第十電阻RlO和第十一電阻Rll，所述二極 管的負(fù)極與待測(cè)IGBT的集電極連接，所述二極管的正極與所述第九電阻R9的第一端連接， 所述第十電阻RlO的第一端連接電源，所述第十電阻RlO的第二端分別與所述第九電阻R9的 第二端及所述第十一電阻Rll的地一端連接，所述第十電阻RlO的第二端與所述第二比較器 的同相輸入端連接；
[0014] 用于輸出控制信號(hào)的所述IGBT控制電路的輸出端分別與待測(cè)IGBT的柵極和所述 第一比較器的反相輸入端連接。
[0015] 進(jìn)一步地，所述第一比較電路還包括第五電阻R5,所述第五電阻R5的第一端與所 述第一比較器的同相輸入端連接，所述第五電阻R5的第二端與所述第一比較器的輸出端連 接。
[0016] 進(jìn)一步地，所述第一比較電路還包括第三電阻R3和第四電阻R4,所述第三電阻R3 的第一端與所述IGBT控制電路的輸出端連接，所述第三電阻R3的第二端與所述第一比較器 的反相輸入端連接;所述第四電阻R4的第一端與所述第二電阻R2的第一端連接，所述第四 電阻R4的第二端與所述第一比較器的同相輸入端連接。
[0017] 進(jìn)一步地，所述第一比較電路還包括第一電容Cl，所述第一電容Cl的第一端接地， 第二端連接所述第一比較器的反相輸入端。
[0018] 進(jìn)一步地，所述第二電阻R2的第二端接地。
[0019] 進(jìn)一步地，所述采樣電路還包括二極管，所述二極管的負(fù)極與待測(cè)IGBT的集電極 連接，所述二極管的正極與所述第九電阻R9的第一端連接。
[0020] 進(jìn)一步地，所述二極管為超快恢復(fù)高壓二極管。
[0021] 進(jìn)一步地，所述采樣電路還包括穩(wěn)壓二極管，所述穩(wěn)壓二極管的負(fù)極與所述第十 電阻RlO的第二端連接，所述穩(wěn)壓二極管的正極接地。
[0022]進(jìn)一步地，所述第十一電阻Rll的第二端接地。
[0023]本實(shí)用新型還提供了一種基于上述IGBT過(guò)流檢測(cè)電路的IGBT過(guò)流保護(hù)電路，還包 括電壓檢測(cè)模塊和控制模塊，所述電壓檢測(cè)模塊分別與所述第二比較器的輸出端和所述控 制模塊連接，所述控制模塊的輸出端與所述IGBT控制電路的輸入端連接。
[0024]實(shí)施本實(shí)用新型，具有如下有益效果：
[0025] (1)本實(shí)用新型通過(guò)檢測(cè)導(dǎo)通時(shí)的IGBT的Vce電壓是否過(guò)限來(lái)檢測(cè)退飽和。電路中 包含兩個(gè)比較電路，一個(gè)用來(lái)判斷IGBT是否處于開(kāi)通狀態(tài)，另一個(gè)用來(lái)判斷IGBT是否發(fā)生 退飽和。只有在IGBT開(kāi)通的時(shí)候檢測(cè)退飽和時(shí)才認(rèn)定是真正發(fā)生了退飽和，當(dāng)IGBT開(kāi)通時(shí)， 此時(shí)IGBT發(fā)生退飽和，比較器反轉(zhuǎn)，檢測(cè)到故障信號(hào)，同時(shí)可以對(duì)監(jiān)測(cè)到的故障信號(hào)做進(jìn)一 步處理。
[0026] (2)本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于電路簡(jiǎn)單，僅使用了兩個(gè)比較器和一些簡(jiǎn)單的外圍電 路即實(shí)現(xiàn)了對(duì)IGBT導(dǎo)通期間退飽和狀態(tài)的檢測(cè)，針對(duì)開(kāi)通過(guò)程，增加RC延時(shí)并可調(diào)，使得開(kāi) 通過(guò)程中的誤動(dòng)作不會(huì)發(fā)生。同時(shí)在關(guān)斷時(shí)，利用滯環(huán)比較電路提前關(guān)閉比較電路，有效的 避免了關(guān)斷時(shí)的誤動(dòng)作。電路所占面積小，成本較低。
【附圖說(shuō)明】
[0027] 為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)，下面將對(duì) 實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附 圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng) 的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它附圖。
[0028]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路的電路圖；
[0029] 圖2是本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的BUCK電路的電路圖；
[0030] 圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的IGBT過(guò)流保護(hù)電路的電路示意圖。
[0031] 圖中：100-第一比較電路，101-第一比較器，200-第二比較電路，201-第二比較器， 300-采樣電路，301-二極管，302-穩(wěn)壓二極管，400-IGBT控制電路，500-電壓檢測(cè)模塊，600-控制模塊。
【具體實(shí)施方式】
[0032]下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的 實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提 下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
[0033] 實(shí)施例一：
[0034]請(qǐng)參見(jiàn)圖1，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，包括第一比較電路 100、第二比較電路200、采樣電路300和IGBT控制電路400,其中，
[0035] 所述第一比較電路100包括第一比較器101、第一電阻Rl和第二電阻R2,所述第一 電阻Rl的第一端連接電源，所述第一電阻Rl的第二端分別與第二電阻R2的第一端及所述第 一比較器101的同相輸入端連接;所述第二電阻R2的第二端接地，當(dāng)然，所述第二電阻R2的 第二端還可以連接其他電阻或元器件，只要能夠保證第二電阻R2的第一端為預(yù)設(shè)的電壓值 即可。
[0036] 需要說(shuō)明的是，本實(shí)用新型中涉及的第一比較器101和第二比較器201均指電壓比 較器。
[0037]進(jìn)一步地，作為優(yōu)選的方案，為了防止比較電平處開(kāi)關(guān)波形的抖動(dòng)產(chǎn)生誤動(dòng)作，所 述第一比較電路為滯回比較電路，也就是說(shuō)，所述第一比較電路100還包括第五電阻R5,所 述第五電阻R5的第一端與所述第一比較器101的同相輸入端連接，所述第五電阻R5的第二 端與所述第一比較器101的輸出端連接。
[0038] 進(jìn)一步地，為了保證第一比較器101輸入的電流不會(huì)過(guò)大，所述第一比較電路100 還包括用于限流的第三電阻R3和第四電阻R4,當(dāng)然，本領(lǐng)域應(yīng)該了解，第三電阻R3和第四電 阻R4并不是必不可少的，在實(shí)際的應(yīng)用中，若第一比較器101的輸入電流本來(lái)就很小，可以 不設(shè)置第三電阻R3和第四電阻R4。
[0039]所述第三電阻R3的第一端與所述IGBT控制電路400的輸出端連接，所述第三電阻 R3的第二端與所述第一比較器101的反相輸入端連接;所述第四電阻R4的第一端與所述第 二電阻R2的第一端連接，所述第四電阻R4的第二端與所述第一比較器101的同相輸入端連 接。第三電阻R3和第四電阻R4阻值可以相同，且均比所述第一電阻Rl和第二電阻R2的阻值 大幾倍。
[0040] 進(jìn)一步地，所述第一比較電路100還包括第一電容Cl，所述第一電容Cl的第一端接 地，第二端連接所述第一比較器101的反相輸入端。
[0041 ] 所述第二比較電路200包括第二比較器201、第六電阻R6、第七電阻R7和第八電阻 R8,所述第一比較器101的輸出端與所述第六電阻R6的第一端連接，所述第六電阻R6的第二 端分別與所述第七電阻R7的第二端及所述第二比較器201的反相輸入端連接，所述第七電 阻R7的第一端連接電源，所述第二比較器201的輸出端與所述第八電阻R8的第二端連接，所 述第八電阻R8的第一端連接電源。
[0042] 所述采樣電路300包括二極管301、第九電阻R9、第十電阻RlO和第十一電阻Rll，所 述二極管301的負(fù)極與待測(cè)IGBT的集電極連接，所述二極管301的正極與所述第九電阻R9的 第一端連接，所述第十電阻RlO的第一端連接電源，所述第十電阻RlO的第二端分別與所述 第九電阻R9的第二端及所述第十一電阻Rll的地一端連接，所述第十電阻RlO的第二端與所 述第二比較器201的同相輸入端連接；
[0043]進(jìn)一步地，所述二極管301為超快恢復(fù)高壓二極管。
[0044]進(jìn)一步地，所述采樣電路300還包括穩(wěn)壓二極管302,所述穩(wěn)壓二極管302的負(fù)極與 所述第十電阻RlO的第二端連接，所述穩(wěn)壓二極管302的正極接地。
[0045]進(jìn)一步地，所述第十一電阻Rll的第二端接地。
[0046]用于輸出控制信號(hào)的所述IGBT控制電路400的輸出端分別與待測(cè)IGBT的柵極和所 述第一比較器101的反相輸入端連接。其中，所述IGBT控制電路400用于輸出控制待測(cè)IGBT 開(kāi)關(guān)打開(kāi)和關(guān)閉的驅(qū)動(dòng)電壓，其可以是輸出高低電平的PWM信號(hào)。
[0047] IGBT柵極正向驅(qū)動(dòng)電壓UGE的大小將對(duì)電路性能產(chǎn)生重要影響，必須正確選擇。當(dāng) 正向驅(qū)動(dòng)電壓增大時(shí)，IGBT的導(dǎo)通電阻下降，使開(kāi)通損耗減小;但若正向驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)大則負(fù) 載短路時(shí)其短路電流IC隨UGE增大而增大，可能使IGBT出現(xiàn)擎住效應(yīng)，導(dǎo)致門(mén)控失效，從而 造成IGBT的損壞;若正向驅(qū)動(dòng)電壓過(guò)小會(huì)使IGBT退出飽和導(dǎo)通區(qū)而進(jìn)入線(xiàn)性放大區(qū)域，使 IGBT過(guò)熱損壞;使用中選12V < UGE < 18V為好。
[0048]在本實(shí)施例中，待測(cè)IGBT開(kāi)關(guān)的發(fā)射極接地，此處的接地是指懸浮的地，也就是 IGBT開(kāi)關(guān)的一個(gè)參考點(diǎn)。
[0049]如圖2所示，在一個(gè)具體的應(yīng)用場(chǎng)景中，本實(shí)施例中的IGBT應(yīng)用于BUCK電路，此時(shí)， IGBT的控制電路為PffMl，BUS+與IGBT的集電極等電位，在IGBT過(guò)流檢測(cè)電路中，BUS+是與上 述的二極管301的負(fù)極連接。
[0050]結(jié)合圖1、圖2，本實(shí)例中，IGBT過(guò)流檢測(cè)的工作過(guò)程如下：
[0051 ] 圖1的電路中的電源和地需要和其他控制電路的電源和地隔離，圖1和圖2中的GND 是同一個(gè)懸浮地，圖1左邊的第一比較電路100是一個(gè)滯環(huán)比較電路或者稱(chēng)為滯回比較電 路，目的是防止比較電平處開(kāi)關(guān)波形的抖動(dòng)產(chǎn)生誤動(dòng)作，此處比較電平可以為+8.5V，滯環(huán) 區(qū)間可以為[+7.1V，+8.9V]。
[0052] 退飽和檢測(cè)電路的比較邏輯如表1所示。其中，PWMl為IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓，圖1中A、B、 C、D的電壓如表1所不。
[0053] 表 1
[0055] IGBT退飽和檢測(cè)的過(guò)程如下：在IGBT開(kāi)通期間IGBT控制電路400輸出可以為+15V 的電平，圖1中A點(diǎn)電位為+8.5V，左邊比較器輸出-15V，得到B點(diǎn)的電位為+6.4V。
[0056] 如果此時(shí)IGBT發(fā)生退飽和進(jìn)入線(xiàn)性區(qū)，則BUS+相對(duì)于GND的電位迅速上升，當(dāng)BUS+ 電位上升到大于+8.8V的時(shí)候，超快恢復(fù)高壓二極管進(jìn)入反向截止區(qū)，超快恢復(fù)高壓二極管 的型號(hào)可選STTA112U，C點(diǎn)電位為+8.8V，右邊的第二比較器200動(dòng)作，輸出為高阻態(tài)，D點(diǎn)電 位被上拉到+15V，檢測(cè)D點(diǎn)的電位就能夠檢測(cè)到IGBT是否發(fā)生退飽和，也就是發(fā)生過(guò)流。穩(wěn) 壓二極管302的作用是防止高壓二極管STTAl 12U擊穿，損壞比較器，穩(wěn)壓二極管可選 BZD27C12P。
[0057]對(duì)于本實(shí)施例提供的IGBT退飽和的檢測(cè)方法，同樣可應(yīng)用到多個(gè)IGBT的應(yīng)用場(chǎng) 合，比如上下橋臂形式的IGBT的退飽和檢測(cè)，只需要兩個(gè)獨(dú)立的上述IGBT過(guò)流檢測(cè)電路就 可以達(dá)到檢測(cè)的目的，但是注意要保證兩個(gè)電路的電源和地需要相互隔離。
[0058] 實(shí)施例二：
[0059]請(qǐng)參見(jiàn)圖3，本實(shí)施例提供了一種基于IGBT的過(guò)流保護(hù)電路，其中，IGBT的過(guò)流檢 測(cè)電路與實(shí)施例一一致，在此不再贅述，過(guò)流保護(hù)電路還包括電壓檢測(cè)模塊500和控制模塊 600,所述電壓檢測(cè)模塊500分別與所述第二比較器201的輸出端和所述控制模塊600連接， 所述控制模塊600的輸出端與所述IGBT控制電路400的輸入端連接。所述電壓檢測(cè)模塊500 采集D點(diǎn)的電壓，控制模塊600獲取電壓檢測(cè)模塊500采集的電壓根據(jù)該電壓判斷IGBT是否 發(fā)生過(guò)流，在發(fā)生過(guò)流時(shí)控制IGBT控制電路關(guān)斷IGBT。當(dāng)然，把IGBT退飽和故障上發(fā)到電壓 檢測(cè)模塊500及控制模塊600前需要進(jìn)行光耦隔離。
[0060]以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn) 飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，包括第一比較電路（100)、第二比較電路 (200)、采樣電路(300)和IGBT控制電路(400)，其中， 所述第一比較電路（100)包括第一比較器（101)、第一電阻Rl和第二電阻R2,所述第一 電阻Rl的第一端連接電源，所述第一電阻Rl的第二端分別與第二電阻R2的第一端及所述第 一比較器(101)的同相輸入端連接； 所述第二比較電路（200)包括第二比較器（201)、第六電阻R6、第七電阻R7和第八電阻 R8,所述第一比較器（101)的輸出端與所述第六電阻R6的第一端連接，所述第六電阻R6的第 二端分別與所述第七電阻R7的第二端及所述第二比較器(201)的反相輸入端連接，所述第 七電阻R7的第一端連接電源，所述第二比較器(201)的輸出端與所述第八電阻R8的第二端 連接，所述第八電阻R8的第一端連接電源； 所述采樣電路(300)包括二極管(301)、第九電阻R9、第十電阻RlO和第十一電阻Rll，所 述二極管(301)的負(fù)極與待測(cè)IGBT的集電極連接，所述二極管(301)的正極與所述第九電阻 R9的第一端連接，所述第十電阻RlO的第一端連接電源，所述第十電阻RlO的第二端分別與 所述第九電阻R9的第二端及所述第十一電阻Rll的地一端連接，所述第十電阻RlO的第二端 與所述第二比較器(201)的同相輸入端連接； 用于輸出控制信號(hào)的所述IGBT控制電路(400)的輸出端分別與待測(cè)IGBT的柵極和所述 第一比較器(101)的反相輸入端連接。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述第一比較電路（100)還 包括第五電阻R5,所述第五電阻R5的第一端與所述第一比較器（101)的同相輸入端連接，所 述第五電阻R5的第二端與所述第一比較器(101)的輸出端連接。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述第一比較電路（100) 還包括第三電阻R3和第四電阻R4，所述第三電阻R3的第一端與所述IGBT控制電路(400)的 輸出端連接，所述第三電阻R3的第二端與所述第一比較器(101)的反相輸入端連接;所述第 四電阻R4的第一端與所述第二電阻R2的第一端連接，所述第四電阻R4的第二端與所述第一 比較器(101)的同相輸入端連接。4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述第一比較電路（100)還 包括第一電容Cl，所述第一電容Cl的第一端接地，第二端連接所述第一比較器(101)的反相 輸入端。5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述第二電阻R2的第二端接 地。6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述二極管（301)為超快恢 復(fù)高壓二極管。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述采樣電路(300)還包括 穩(wěn)壓二極管(302)，所述穩(wěn)壓二極管(302)的負(fù)極與所述第十電阻RlO的第二端連接，所述穩(wěn) 壓二極管(302)的正極接地。8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路，其特征在于，所述第十一電阻Rll的第二 端接地。9. 一種基于權(quán)利要求1-8中任一所述的IGBT過(guò)流檢測(cè)電路的IGBT過(guò)流保護(hù)電路，其特 征在于，還包括電壓檢測(cè)模塊(500)和控制模塊(600)，所述電壓檢測(cè)模塊(500)分別與所述 第二比較器(201)的輸出端和所述控制模塊(600)連接，所述控制模塊(600)的輸出端與所 述IGBT控制電路(400)的輸入端連接。
【文檔編號(hào)】H03K17/08GK205545179SQ201620238880
【公開(kāi)日】2016年8月31日
【申請(qǐng)日】2016年3月25日
【發(fā)明人】陳青昌, 王軍
【申請(qǐng)人】上海聯(lián)影醫(yī)療科技有限公司