一種開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及電子電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電 路。
【背景技術(shù)】
[0002] 在開關(guān)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，往往要求系統(tǒng)的過(guò)功率點(diǎn)保持一致，W方便后級(jí)應(yīng)用。但 由于從開關(guān)電源系統(tǒng)的過(guò)流保護(hù)模塊動(dòng)作到輸出控制功率MOS管關(guān)斷存在時(shí)間延遲，導(dǎo)致 功率MOS管的電流在達(dá)到內(nèi)部設(shè)定的闊值后會(huì)繼續(xù)上升。同時(shí)，在高輸入電壓和低輸入電 壓兩種情況下，開關(guān)電源電感電流上升速率不同，高輸入電壓時(shí)，功率開關(guān)管的電流上升更 快，導(dǎo)致高輸入電壓情況下開關(guān)電源輸出過(guò)功率點(diǎn)相比低輸入電壓情況下更高。為解決運(yùn) 一問(wèn)題，在開關(guān)電源控制器忍片中通常會(huì)引入過(guò)功率補(bǔ)償電路。但由于過(guò)功率補(bǔ)償電路設(shè) 置于忍片內(nèi)部，當(dāng)忍片制造完畢進(jìn)行系統(tǒng)測(cè)試時(shí)如果發(fā)現(xiàn)補(bǔ)償過(guò)多或者補(bǔ)償不足時(shí)，無(wú)法 進(jìn)行外部調(diào)整。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 針對(duì)上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電 路，將該電路應(yīng)用于開關(guān)電源中，可W通過(guò)調(diào)整開關(guān)電源控制器忍片外部器件參數(shù)值，為開 關(guān)電源提供理想的補(bǔ)償電壓，實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源在高輸入電壓和低輸入電壓情況下輸出過(guò)功率 點(diǎn)保持一致。
[0004] 為達(dá)此目的，本發(fā)明采用W下技術(shù)方案： 一種開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路，包括：設(shè)置于開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部的電 壓轉(zhuǎn)電流電路和電流倍乘電路，W及設(shè)置于開關(guān)電源控制器忍片外部的輸入電壓檢測(cè)電 路和補(bǔ)償電路，所述輸入電壓檢測(cè)電路、電壓轉(zhuǎn)電流電路、電流倍乘電路和補(bǔ)償電路順序連 接，另外， 所述輸入電壓檢測(cè)電路與開關(guān)電源變壓器輔助繞組正端和開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳電連接，用于檢測(cè)開關(guān)電源系統(tǒng)輸入電壓，并將其輸出到電壓轉(zhuǎn)電流電路； 所述電壓轉(zhuǎn)電流電路與開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳、忍片內(nèi)部控制信號(hào)端口和忍 片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓電連接，用于將輸入電壓檢測(cè)電路輸出的電壓轉(zhuǎn)化為電流輸出到電流倍乘 電路； 所述電流倍乘電路與開關(guān)電源控制器忍片的CS管腳和忍片內(nèi)部電源電連接，用于將 電壓轉(zhuǎn)電流電路輸出的電流倍乘K倍后輸出到補(bǔ)償電路，K為正數(shù)； 所述補(bǔ)償電路與開關(guān)電源控制器忍片的CS管腳和開關(guān)電源的功率MOS管電連接，用于 根據(jù)電流倍乘電路輸出的電流輸出相應(yīng)的補(bǔ)償電壓。
[0005] 特別地，所述輸入電壓檢測(cè)電路包括第二電阻和第=電阻，所述第二電阻與第= 電阻串聯(lián)，其公共端連接開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳，第二電阻的另一端連接開關(guān)電 源變壓器輔助繞組正端，第=電阻的另一端接地。
[0006] 特別地，所述電壓轉(zhuǎn)電流電路包括運(yùn)算放大器、第二NMOS晶體管和第SNMOS晶體 管，所述運(yùn)算放大器正端連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓，負(fù)端連接開關(guān)電源控制 器忍片的DEM管腳，輸出端連接第二NMOS晶體管的漏極和第SNMOS晶體管的柵極；所述第 二NMOS晶體管的柵極連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部控制信號(hào)，源極接地；所述第=NMOS晶 體管的源極連接開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳，漏極連接電流倍乘電路。
[0007] 特別地，所述開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部基準(zhǔn)電壓為0.IV。
[0008] 特別地，所述電流倍乘電路包括第四NMOS晶體管組和第五NMOS晶體管組，所述第 四NMOS晶體管組包括X只互相并聯(lián)的NMOS晶體管，所述第五NMOS晶體管組包括Y只互相 并聯(lián)的NMOS晶體管，X、Y均為大于等于1的正整數(shù)，X與Y的比值為電流倍乘電路對(duì)電壓 轉(zhuǎn)電流電路輸出的電流進(jìn)行倍乘的倍數(shù)K;第四NMOS晶體管組的漏極與柵極短接后連接第 五NMOS晶體管組的柵極和電流轉(zhuǎn)電壓電路，源極連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部電源；所述 第五NMOS晶體管組的漏極連接開關(guān)電源控制器忍片的CS管腳，源極連接開關(guān)電源控制器 忍片內(nèi)部電源。
[0009] 特別地，所述補(bǔ)償電路包括第一電阻、第四電阻和電容，所述第一電阻一端經(jīng)電容 接地，另一端經(jīng)第四電阻接地，所述第一電阻與電容的公共端連接開關(guān)電源控制器忍片的 CS管腳，所述第一電阻與第四電阻的公共端連接開關(guān)電源的功率MOS管的源極。
[0010] 本發(fā)明提出的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路應(yīng)用于開關(guān)電源中，可W通過(guò)調(diào) 整開關(guān)電源控制器忍片外部器件參數(shù)值，為開關(guān)電源提供理想的補(bǔ)償電壓，實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源 在高輸入電壓和低輸入電壓情況下輸出過(guò)功率點(diǎn)保持一致。從而避免了忍片制造完畢進(jìn)行 系統(tǒng)測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)補(bǔ)償過(guò)多或不足時(shí)，重新進(jìn)行二次開發(fā)和制造的問(wèn)題，有效降低了成本，大 大增加了開關(guān)電源控制器忍片應(yīng)用的靈活性。
【附圖說(shuō)明】
[0011] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路結(jié)構(gòu)框圖。
[0012] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路的電路結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0013] 圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路的時(shí)序信號(hào)關(guān)系 圖。
[0014] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路應(yīng)用于開關(guān)電源 的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明?？蒞理解的是，此處所描述的具 體實(shí)施例僅僅用于解釋本發(fā)明，而非對(duì)本發(fā)明的限定。另外還需要說(shuō)明的是，為了便于描 述，附圖中僅示出了與本發(fā)明相關(guān)的部分而非全部?jī)?nèi)容，除非另有定義，本文所使用的所有 的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在 本發(fā)明的說(shuō)明書中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的，不是旨在于限制本發(fā) 明。本文所使用的術(shù)語(yǔ)"及/或"包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。 [001引實(shí)施例一 請(qǐng)參照?qǐng)D1、2所示，圖I為本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路結(jié) 構(gòu)框圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路的電路結(jié)構(gòu)示意 圖。
[0017] 本實(shí)施例中，開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路包括設(shè)置于開關(guān)電源控制器忍片 內(nèi)部的電壓轉(zhuǎn)電流電路102和電流倍乘電路103,W及設(shè)置于開關(guān)電源控制器忍片外部的 輸入電壓檢測(cè)電路101和補(bǔ)償電路104。
[0018] 所述輸入電壓檢測(cè)電路101包括第二電阻R2和第=電阻R3,所述第二電阻R2與 第S電阻R3串聯(lián)，其公共端連接開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳，第二電阻R2的另一端連 接開關(guān)電源變壓器輔助繞組正端，第=電阻R3的另一端接地。
[0019] 所述電壓轉(zhuǎn)電流電路102包括運(yùn)算放大器OPl、第二NMOS晶體管M2和第SNMOS 晶體管M3,所述運(yùn)算放大器OPl正端連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部0.IV的基準(zhǔn)電壓，負(fù)端 連接開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳，輸出端連接第二NMOS晶體管M2的漏極和第SNMOS 晶體管M3的柵極；所述第二NMOS晶體管M2的柵極連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部控制信 號(hào)，源極接地；所述第SNMOS晶體管M3的源極連接開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳，漏極 連接電流倍乘電路103。
[0020]所述電流倍乘電路103包括第四NMOS晶體管M4和第五NMOS晶體管M5，所述第四 NMOS晶體管M4的漏極與柵極短接后連接第五NMOS晶體管M5的柵極和電流轉(zhuǎn)電壓電路中 第SNMOS晶體管M3的漏極，源極連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部電源；所述第五NMOS晶體 管M5的漏極連接開關(guān)電源控制器忍片的CS管腳，源極連接開關(guān)電源控制器忍片內(nèi)部電源。
[0021] 所述補(bǔ)償電路104包括第一電阻RU第四電阻R4和電容Cl,所述第一電阻Rl- 端經(jīng)電容Cl接地，另一端經(jīng)第四電阻R4接地，所述第一電阻Rl與電容Cl的公共端連接開 關(guān)電源控制器忍片的CS管腳，所述第一電阻Rl與第四電阻R4的公共端連接開關(guān)電源的功 率MOS管的源極。
[0022] 請(qǐng)參照?qǐng)D4所示，圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的開關(guān)電源外部可調(diào)過(guò)功率補(bǔ)償電路 應(yīng)用于開關(guān)電源的電路結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023] 圖中，A41為開關(guān)電源控制器忍片，所述電壓轉(zhuǎn)電流電路102和電流倍乘電路103 設(shè)置于電源控制器忍片內(nèi)部電路中，電壓轉(zhuǎn)電流電路102中運(yùn)算放大器OPl的負(fù)端和第= NMOS晶體管M3的源極均連接開關(guān)電源控制器忍片的DEM管腳，第二NMOS晶體管M2的柵極 連接忍片內(nèi)部控制信號(hào)端；電流倍乘電路103中第五NMOS晶體管M5的漏極連接開關(guān)電源 控制器忍片的CS管腳，第四NMOS晶體管M4及第五NMOS晶體管M5的源極連接開關(guān)電源控 制器忍片內(nèi)部電源。所述輸入電壓檢測(cè)電路101和補(bǔ)償電路104設(shè)置于電源控制器忍片外 圍電路，輸入電壓檢測(cè)電路101中第二電阻R2與第=電阻R3的公共端連接開關(guān)電源控制 器忍片的DEM管腳，第二電阻R