雙級可調光無屏閃led開關電源的制作方法
【專利說明】雙級可調光無屏閃LED開關電源
[技術領域]
[0001] 本實用新型涉及一種雙級可調光無屏閃LED開關電源。
[【背景技術】]
[0002] 現(xiàn)有技術中，LED開關電源在整個調光范圍內易出現(xiàn)可見閃爍問題，低頻輸出紋 波電流，而且一般都是采用單級調光，因此需要一款能解決閃爍問題、且能實現(xiàn)雙級調光的 LED開關電源。
[【實用新型內容】]
[0003] 本實用新型提供了一種雙級可調光無屏閃LED開關電源，其消除了整個調光范圍 內的可見閃爍問題，使低頻輸出紋波電流最小化。
[0004] 本實用新型的技術方案是：
[0005] -種雙級可調光無屏閃LED開關電源，包括電磁抗干擾電路、橋堆和變壓器，電磁 抗干擾電路的輸入端接交流電源，輸出端接橋堆的輸入端，其特征在于：還包括PWM芯片、 第一三極管、第二MOS管、第三MOS管、第四三極管和第一至第十八電阻、第一至第八電容、 第一至第四二極管；其中PWM芯片型號為G7617 ;
[0006] 橋堆的正極輸出端分別與第二電容的一端、升壓電感主繞組的結束端、第一二極 管的正極連接，橋堆的負極輸出端和第二電容的另一端分別接地，第一二極管的負極分別 和第二二極管的負極、第一電容的一端、第七電阻的一端連接，升壓電感主繞組的起始端與 第二二極管的正極連接，第一電容的另一端接地，第七電阻的另一端依次通過第八電阻、第 六電容接地；
[0007] 電磁抗干擾電路的其中一個輸出端分別與第一電阻的一端、第四電阻的一端連 接，第一電阻的另一端依次通過第二電阻和第三電容接地，第四電阻的另一端與第三MOS 管的漏極連接，PWM芯片的VIN管腳連接在第二電阻和第三電容之間，PffM芯片的CFG管腳 通過第六電阻接地，PWM芯片的BDRV管腳與第一三極管的基極連接，PffM芯片的BVS管腳 與第一三極管的發(fā)射極連接，PWM芯片的BVS管腳通過第三電阻與升壓電感的輔助繞組的 起始端連接，升壓電感的輔助繞組的結束端接地，第一三極管的集電極與第二二極管的正 極連接，第一三極管的發(fā)射極通過第五電阻接地，PWM芯片的AGND管腳和PGND管腳接地， PffM芯片的ASU管腳與第三MOS管的柵極連接，PffM芯片的VCC管腳連接在第三MOS管的源 極和第四三極管的發(fā)射極之間，PWM芯片的FDRV管腳通過第九電阻與第二MOS管的柵極連 接，PffM芯片的FIS管腳通過第十三電阻與第二MOS管的源極連接、及通過第八電容接地， PffM芯片的FVS管腳通過第七電容接地、及與第十四電阻和第十五電阻的連接點連接，PffM 芯片的VCB管腳連接在第六電容和第八電阻之間，PffM芯片的VT管腳分別通過第十電阻、 第五電容接地；
[0008] 第四三極管的基極與第三三極管的負極連接，第三三極管的正極、及第四電容的 一端分別接地，第四電容的另一端接與第四三極管的發(fā)射極連接，第四三極管的集電極通 過第十一電阻與第四二極管的負極連接，第四三極管的集電極通過第十二電阻接地；第 四二極管的正極分別與第十四電阻的一端、變壓器副邊繞組的起始端連接，變壓器副邊繞 組的結束端接地；第十四電阻的另一端通過第十五電阻接地；第二MOS管的漏極與變壓器 主繞組的起始端連接，第二MOS管的源極通過兩個并聯(lián)的第十六電阻和第十七電阻接地， 第二MOS管的柵極通過第十八電阻接地。
[0009] 本實用新型的LED開關電源，是真正兩級拓撲結構，Boost前級采樣BJT驅動，實 現(xiàn)高PF和Bleeder，反激級采樣驅動M0SFET，實現(xiàn)高效率；消除了整個調光范圍內的可見閃 爍問題，使低頻輸出紋波電流最小化，且采用原邊采樣技術，省略次級反饋電路和光耦，實 現(xiàn)了在不同AC線電壓和LED負載電壓下精確的LED電流調整，可以兼容大部分的墻面調光 器，包括前切調光器（R-type or R-L type)和后切調光器（R-C type)。
[【附圖說明】]
[0010] 圖1是本實用新型開關電源的電路原理圖。
[【具體實施方式】]
[0011] 為了使本實用新型的目的、技術方案以及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖及實 施方式，對本實用新型進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的【具體實施方式】僅僅用 以解釋本實用新型，并不用于限定本實用新型。
[0012] 下面結合附圖對本實用新型的具體實施例做一詳細的闡述。
[0013] 請參照圖1，本實用新型的一種雙級可調光無屏閃LED開關電源，包括電磁抗干擾 電路EMI、橋堆BDl和變壓器T1，電磁抗干擾電路EMI的輸入端接交流電源，輸出端接橋堆 BDl的輸入端，還包括PffM芯片、第一三極管Ql、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四三極 管Q4和第一至第十八電阻R1-R18、第一至第八電容C1-C8、第一至第四二極管D1-D4 ;其中 PffM芯片型號為G7617,為市場上可以購買得到的芯片，具體生產廠家為環(huán)球半導體有限公 司、英文名為 GLOBAL SEMICONDUCTOR LIMITED;
[0014] 橋堆BDl的正極輸出端分別與第二電容C2的一端、升壓電感LI主繞組的結束端、 第一二極管Dl的正極連接，橋堆BDl的負極輸出端和第二電容C2的另一端分別接地，第 一二極管Dl的負極分別和第二二極管D2的負極、第一電容Cl的一端、第七電阻R7的一端 連接，升壓電感Ll主繞組的起始端與第二二極管D2的正極連接，第一電容Cl的另一端接 地，第七電阻R7的另一端依次通過第八電阻R8、第六電容C6接地；
[0015] 電磁抗干擾電路EMI的其中一個輸出端分別與第一電阻Rl的一端、第四電阻R4 的一端連接，第一電阻Rl的另一端依次通過第二電阻R2和第三電容C3接地，第四電阻R4 的另一端與第三MOS管Q3的漏極連接，PffM芯片的VIN管腳連接在第二電阻R2和第三電 容C3之間，PffM芯片的CFG管腳通過第六電阻R6接地，PffM芯片的BDRV管腳與第一三極 管Ql的基極連接，PWM芯片的BVS管腳與第一三極管Ql的發(fā)射極連接，PffM芯片的BVS管 腳通過第三電阻R3與升壓電感Ll的輔助繞組的起始端連接，升壓電感Ll的輔助繞組的結 束端接地，第一三極管Ql的集電極與第二二極管D2的正極連接，第一三極管Ql的發(fā)射極 通過第五電阻R5接地，PffM芯片的AGND管腳和PGND管腳接地，PffM芯片的ASU管腳與第三 MOS管Q3的柵極連接，PffM芯片的VCC管腳連接在第三MOS管Q3的源極和第四三極管Q4 的發(fā)射極之間，PWM芯片的FDRV管腳通過第九電阻R9與第二MOS管Q2的柵極連接，PffM芯 片的FIS管腳通過第十三電阻R13與第二MOS管Q2的源極連接、及通過第八電容C8接地， PffM芯片的FVS管腳通過第七電容C3接地、及與第十四電阻R14和第十五電阻R15的連接 點連接，PWM芯片的VCB管腳連接在第六電容C6和第八電阻R8之間，PffM芯片的VT管腳分 別通過第十電阻R10、第五電容C5接地；
[0016] 第四三極管Q4的基極與第三三極管D3的負極連接，第三三極管D3的正極、及第 四電容C4的一端分別接地，第四電容C4的另一端接與第四三極管Q4的發(fā)射極連接，第 四三極管Q4的集電極通過第十一電阻Rll與第四二極管D4的負極連接，第四三極管D4的 集電極通過