可組裝子模塊及三相mmc拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種可組裝子模塊,由標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊中的至少一種可拆卸地組裝而成;標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊包括絕緣柵雙極型晶體管T1及與其反向并聯(lián)的二極管D1、絕緣柵雙極型晶體管T2及與其反向并聯(lián)的二極管D2,和電容C0;標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊包括并聯(lián)的旁路開(kāi)關(guān)K1和晶閘管V1;標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊包括絕緣柵雙極型晶體管T0及與其反向并聯(lián)的二極管D0、陰極與絕緣柵雙極型晶體管T0的集電極相連的二極管D3,和陽(yáng)極與絕緣柵雙極型晶體管T0的發(fā)射極相連的二極管D4。相應(yīng)地,提供一種包括所述可組裝子模塊的三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型所述可組裝子模塊能夠自由組裝。
【專利說(shuō)明】可組裝子模塊及三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及柔性直流輸電【技術(shù)領(lǐng)域】,具體涉及一種用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可組裝子模塊及三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]換流閥是直流輸電工程的核心設(shè)備,其拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)可分為兩電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、三電平拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和MMC(Modular Multilevel Converter,即模塊化多電平變流器)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
[0003]其中,MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)具有如下優(yōu)點(diǎn):1)由結(jié)構(gòu)、參數(shù)相同的子模塊構(gòu)成,因此降低了制造難度和成本,更適合應(yīng)用于高壓直流(high voltage direct current,HVDC)輸電系統(tǒng);2)用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的子模塊的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,工作狀態(tài)少,因此其控制相對(duì)簡(jiǎn)單?;谏鲜鰞?yōu)點(diǎn),使得MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)被廣泛應(yīng)用于直流輸電工程。
[0004]現(xiàn)有的用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的子模塊主要有H-MMC(半橋子模塊)、F-MMC(全橋子模塊)和C-MMC(箝位雙子模塊)三種,這三種子模塊都是技術(shù)成熟且已封裝好的標(biāo)準(zhǔn)模塊,在實(shí)際應(yīng)用中,直接把這些標(biāo)準(zhǔn)模塊組裝到拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的相應(yīng)位置即可。但是,如果需要將拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的某種子模塊變換為其它子模塊,或者某種子模塊中的某個(gè)器件出現(xiàn)問(wèn)題,采用的都是直接替換法,當(dāng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較為復(fù)雜時(shí),這種直接替換法極大地增加了生產(chǎn)成本。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0005]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷,提供一種能夠自由組裝的用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可組裝子模塊及三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
[0006]解決本實(shí)用新型技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案:
[0007]所述可組裝子模塊用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其由標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊中的至少一種可拆卸地組裝而成;其中,所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊包括絕緣柵雙極型晶體管Tl及與其反向并聯(lián)的二極管D1、絕緣柵雙極型晶體管T2及與其反向并聯(lián)的二極管D2,和電容CO,絕緣柵雙極型晶體管Tl的集電極與電容CO的一端相連,絕緣柵雙極型晶體管Tl的發(fā)射極與絕緣柵雙極型晶體管T2的集電極相連,絕緣柵雙極型晶體管T2的發(fā)射極與電容CO的另一端相連;所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊包括并聯(lián)的旁路開(kāi)關(guān)Kl和晶閘管Vl ;所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊包括絕緣柵雙極型晶體管TO及與其反向并聯(lián)的二極管D0、陰極與絕緣柵雙極型晶體管TO的集電極相連的二極管D3,和陽(yáng)極與絕緣柵雙極型晶體管TO的發(fā)射極相連的二極管D4。
[0008]優(yōu)選地,所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與絕緣柵雙極型晶體管Tl的發(fā)射極相連的功率出線端子Al、與絕緣柵雙極型晶體管T2的發(fā)射極相連的功率出線端子A2、與所述電容CO的一端相連的功率出線端子A3,和與所述電容CO的另一端相連的功率出線端子A4 ;
[0009]所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與旁路開(kāi)關(guān)Kl的一端相連的功率出線端子B1、與旁路開(kāi)關(guān)Kl的另一端相連的功率出線端子B2、與晶閘管Vl的陰極相連的功率出線端子B3,和與晶閘管Vl的陽(yáng)極相連的功率出線端子B4 ;
[0010]所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與二極管D3的陽(yáng)極相連的功率出線端子Cl、與二極管D4的陽(yáng)極相連的功率出線端子C2、與二極管D3的陰極相連的功率出線端子C3,和與二極管D4的陰極相連的功率出線端子C4 ;
[0011]所述可組裝子模塊通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊中的至少一種模塊的功率出線端子進(jìn)行可拆卸地組裝。
[0012]優(yōu)選地,所述可組裝子模塊由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊可拆卸地組裝而成,且所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的功率出線端子B3與標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子Al可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的功率出線端子B4與標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A2可拆卸地連接。
[0013]優(yōu)選地,所述可組裝子模塊由兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成,所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊分別為第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊,且所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3可拆卸地連接,所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4可拆卸地連接。
[0014]優(yōu)選地,所述可組裝子模塊由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊和兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成,所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊分別為第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊,且所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3與標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子Cl可拆卸地連接,所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4與標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C2可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C3與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C4與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4可拆卸地連接。
[0015]本實(shí)用新型還提供一種三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括三個(gè)相單元,每個(gè)相單元均包括上橋臂和下橋臂,每個(gè)相單元的上橋臂和下橋臂均包括依次串聯(lián)的電抗器和多個(gè)子模塊,所述子模塊采用上述可組裝子模塊。
[0016]有益效果:
[0017]I)本實(shí)用新型所述可組裝子模塊可按照實(shí)際需求自由組裝而成,也就是說(shuō),MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中需要哪種類(lèi)型的子模塊,都可由標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊(即三種標(biāo)準(zhǔn)模塊)中的至少一種可拆卸地組裝而成,便于進(jìn)行各種結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣M合,便于系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)平臺(tái)的搭建,對(duì)MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的成本控制、調(diào)試安裝、系統(tǒng)化擴(kuò)容,以及柔性直流輸電的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證都有很大的促進(jìn)作用;而且,對(duì)于將MMC應(yīng)用推廣到采用常規(guī)架空線路的場(chǎng)合,也具有重要意義;
[0018]2)相比于現(xiàn)有技術(shù)中的直接替換法,采用本實(shí)用新型所述可組裝子模塊的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中,當(dāng)某種子模塊需要變換為其它子模塊時(shí),只需將變換前的子模塊中與變換后的子模塊中不同的標(biāo)準(zhǔn)模塊(即標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊或標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊)拆掉,并安裝上需要的標(biāo)準(zhǔn)模塊即可;當(dāng)某種子模塊中的某個(gè)器件出現(xiàn)問(wèn)題時(shí),只需將該器件所在標(biāo)準(zhǔn)模塊拆掉,并安裝上新的標(biāo)準(zhǔn)模塊即可,因此,極大地節(jié)約了 MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的生產(chǎn)成本。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】[0019]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1中標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0020]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1中標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0021]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例1中標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0022]圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例2中由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊可拆卸地組裝而成的半橋子模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0023]圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例3中由兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成的全橋子模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0024]圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例4中由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊和兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成的箝位雙子模塊的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0025]圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例5中三相麗C拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0026]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案,下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0027]實(shí)施例1:
[0028]本實(shí)施例提供一種用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的可組裝子模塊,由標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊(如圖1所示)、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊(如圖2所示)和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊(如圖3所示)中的至少一種可拆卸地組裝而成,例如通過(guò)現(xiàn)有的連接件實(shí)現(xiàn)可拆卸地組裝。
[0029]其中,所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊包括絕緣柵雙極型晶體管(IGBT, Insulated GateBipolar Transistor) Tl及與其反向并聯(lián)的二極管Dl、絕緣柵雙極型晶體管T2及與其反向并聯(lián)的二極管D2,和電容CO,絕緣柵雙極型晶體管Tl的集電極與電容CO的一端相連,絕緣柵雙極型晶體管Tl的發(fā)射極與絕緣柵雙極型晶體管Τ2的集電極相連,絕緣柵雙極型晶體管Τ2的發(fā)射極與電容CO的另一端相連;所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊包括并聯(lián)的旁路開(kāi)關(guān)Kl和晶閘管Vl ;所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊包括絕緣柵雙極型晶體管TO及與其反向并聯(lián)的二極管D0、陰極與絕緣柵雙極型晶體管TO的集電極相連的二極管D3,和陽(yáng)極與絕緣柵雙極型晶體管TO的發(fā)射極相連的二極管D4。
[0030]具體地,如圖1所示,所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與絕緣柵雙極型晶體管Tl的發(fā)射極相連的功率出線端子Al、與絕緣柵雙極型晶體管T2的發(fā)射極相連的功率出線端子A2、與所述電容CO的一端相連的功率出線端子A3,和與所述電容CO的另一端相連的功率出線端子A4。所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊還包括高電壓、寬范圍的智能取電板件和控制單板,所述取電板件用于給所述控制單板提供電源,所述控制單板涉及PWM脈沖調(diào)制、標(biāo)準(zhǔn)半橋子模塊故障上報(bào),以及電容CO的電壓采集與控制,電容CO的容量及電壓等級(jí)的選取,可根據(jù)系統(tǒng)參數(shù)調(diào)整。
[0031]如圖2所示,所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與旁路開(kāi)關(guān)Kl的一端相連的功率出線端子B1、與旁路開(kāi)關(guān)Kl的另一端相連的功率出線端子B2、與晶閘管Vl的陰極相連的功率出線端子B3,和與晶閘管Vl的陽(yáng)極相連的功率出線端子B4。所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊還包括控制單板,所述控制單板的電源來(lái)源于與其可拆卸地連接的標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的取電板件,所述控制單板涉及晶閘管Vl的觸發(fā)控制盒旁路開(kāi)關(guān)Kl的控制,以及和其它標(biāo)準(zhǔn)模塊的控制單板的控制信號(hào)的交互。[0032]如圖3所示,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與二極管D3的陽(yáng)極相連的功率出線端子Cl、與二極管D4的陽(yáng)極相連的功率出線端子C2、與二極管D3的陰極相連的功率出線端子C3,和與二極管D4的陰極相連的功率出線端子C4。所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊還包括控制單板,所述控制單板的電源來(lái)源于與其可拆卸地連接的標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的取電板件,所述控制單板涉及絕緣柵雙極型晶體管TO的控制信號(hào)及故障信號(hào)的上報(bào),以及和其它標(biāo)準(zhǔn)模塊的控制單板的控制信號(hào)的交互。
[0033]因此,所述可組裝子模塊通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊中的至少一種模塊的功率出線端子進(jìn)行可拆卸地組裝。
[0034]可見(jiàn),本實(shí)施例所述可組裝子模塊可根據(jù)實(shí)際需求由三種標(biāo)準(zhǔn)模塊(即標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊或標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊)中的至少一種自由組裝而成,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,應(yīng)用方便,因而有利于MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的成本控制、調(diào)試安裝和系統(tǒng)化擴(kuò)容。
[0035]實(shí)施例2:
[0036]本實(shí)施例提供一種可組裝子模塊,由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊可拆卸地組裝而成,且所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的功率出線端子B3與標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子Al可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的功率出線端子B4與標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A2可拆卸地連接,從而形成如圖4所示的半橋子模塊(H-MMC)。其中的端子I和端子2分別為圖4所示半橋子模塊的輸出端子和輸入端子。
[0037]所述晶閘管Vl用于在絕緣柵雙極型晶體管T2發(fā)生短路故障情況下旁路流經(jīng)與絕緣柵雙極型晶體管T2反向并聯(lián)的二極管D2的電流,保護(hù)與絕緣柵雙極型晶體管T2反向并聯(lián)的二極管D2不至于損壞,旁路開(kāi)關(guān)Kl用于在半橋子模塊發(fā)生故障的情況下將其切除,從而保證系統(tǒng)的可靠工作
[0038]本實(shí)施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實(shí)施例1相同,這里不再贅述。
[0039]實(shí)施例3:
[0040]本實(shí)施例提供一種可組裝子模塊,由兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成,所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊分別為第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊,且所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3可拆卸地連接,所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4可拆卸地連接,從而形成如圖5所示的全橋子模塊(F-MMC)。其中的端子I和端子2分別為圖5所示全橋子模塊的輸出端子和輸入端子。
[0041]本實(shí)施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實(shí)施例1相同,這里不再贅述。
[0042]實(shí)施例4:
[0043]本實(shí)施例提供一種可組裝子模塊,由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊和兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成,所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊分別為第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊,且所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3與標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子Cl可拆卸地連接,所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4與標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C2可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C3與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C4與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4可拆卸地連接,從而形成如圖6所示的箝位雙子模塊(C-MMC)。其中的端子I和端子2分別為圖6所示箝位雙子模塊的輸出端子和輸入端子。[0044]所述一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊和兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的控制單板的電源通過(guò)交互電源線纜,共用所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊中任一個(gè)的取電板件,且三個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模塊的控制單板的控制信號(hào)通過(guò)信號(hào)連接線交互使用。
[0045]本實(shí)施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實(shí)施例1相同,這里不再贅述。
[0046]實(shí)施例5:
[0047]如圖7所示,本實(shí)施例提供一種三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括三個(gè)相單元,即圖7中的A相單元、B相單元和C相單元,每個(gè)相單元均包括上橋臂和下橋臂,每個(gè)相單元的上橋臂和下橋臂均包括依次串聯(lián)的電抗器L和多個(gè)子模塊,且所述子模塊采用實(shí)施例2?4中任一種可組裝子模塊。
[0048]可以理解的是,以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式,然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言,在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下,可以做出各種變型和改進(jìn),這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種可組裝子模塊,其用于構(gòu)成MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其特征在于,所述可組裝子模塊由標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊中的至少一種可拆卸地組裝而成;其中,所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊包括絕緣柵雙極型晶體管Tl及與其反向并聯(lián)的二極管D1、絕緣柵雙極型晶體管T2及與其反向并聯(lián)的二極管D2,和電容CO,絕緣柵雙極型晶體管Tl的集電極與電容CO的一端相連,絕緣柵雙極型晶體管Tl的發(fā)射極與絕緣柵雙極型晶體管T2的集電極相連,絕緣柵雙極型晶體管T2的發(fā)射極與電容CO的另一端相連;所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊包括并聯(lián)的旁路開(kāi)關(guān)Kl和晶閘管Vl ;所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊包括絕緣柵雙極型晶體管TO及與其反向并聯(lián)的二極管D0、陰極與絕緣柵雙極型晶體管TO的集電極相連的二極管D3,和陽(yáng)極與絕緣柵雙極型晶體管TO的發(fā)射極相連的二極管D4。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可組裝子模塊,其特征在于, 所述標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與絕緣柵雙極型晶體管Tl的發(fā)射極相連的功率出線端子Al、與絕緣柵雙極型晶體管T2的發(fā)射極相連的功率出線端子A2、與所述電容CO的一端相連的功率出線端子A3,和與所述電容CO的另一端相連的功率出線端子A4 ; 所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與旁路開(kāi)關(guān)Kl的一端相連的功率出線端子B1、與旁路開(kāi)關(guān)Kl的另一端相連的功率出線端子B2、與晶閘管Vl的陰極相連的功率出線端子B3,和與晶閘管Vl的陽(yáng)極相連的功率出線端子B4 ; 所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊還包括四路獨(dú)立的功率出線端子,分別為與二極管D3的陽(yáng)極相連的功率出線端子Cl、與二極管D4的陽(yáng)極相連的功率出線端子C2、與二極管D3的陰極相連的功率出線端子C3,和與二極管D4的陰極相連的功率出線端子C4 ; 所述可組裝子模塊通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊、標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊和標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊中的至少一種模塊的功率出線端子進(jìn)行可拆卸地組裝。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可組裝子模塊,其特征在于,所述可組裝子模塊由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊可拆卸地組裝而成,且所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的功率出線端子B3與標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子Al可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)保護(hù)模塊的功率出線端子B4與標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A2可拆卸地連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可組裝子模塊,其特征在于,所述可組裝子模塊由兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成,所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊分別為第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊,且所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3可拆卸地連接,所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4可拆卸地連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的可組裝子模塊,其特征在于,所述可組裝子模塊由一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊和兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊可拆卸地組裝而成,所述兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊分別為第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊和第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊,且所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3與標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子Cl可拆卸地連接,所述第一標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4與標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C2可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C3與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A3可拆卸地連接,所述標(biāo)準(zhǔn)箝位模塊的功率出線端子C4與第二標(biāo)準(zhǔn)半橋模塊的功率出線端子A4可拆卸地連接。
6.一種三相MMC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),包括三個(gè)相單元,每個(gè)相單元均包括上橋臂和下橋臂,每個(gè)相單元的上橋臂和下 橋臂均包括依次串聯(lián)的電抗器和多個(gè)子模塊,其特征在于,所述子模塊采用權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的可組裝子模塊。
【文檔編號(hào)】H02M7/00GK203788162SQ201420043157
【公開(kāi)日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年1月20日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月20日
【發(fā)明者】楊有濤, 劉偉增, 施輝, 張潔瓊 申請(qǐng)人:特變電工新疆新能源股份有限公司