Esd補(bǔ)強(qiáng)電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，涉及電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，ESD補(bǔ)強(qiáng)電路設(shè)置在包含有分離的模擬地AGND和/或數(shù)字地DGND以及主地GND的電路中，包括串接在所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND與所述主地GND之間的防靜電器件，靜電流向?yàn)閺乃瞿M地AGND或所述數(shù)字地DGND經(jīng)所述防靜電器件至所述主地GND。能夠?qū)⑶秩氲侥M地AGND內(nèi)的靜電信號迅速的泄放到主地GND內(nèi)，通過主地GND來分散靜電造成的影響，有效的避免了因靜電而造成設(shè)備的損壞，提高了設(shè)備的防靜電能力，延長了設(shè)備的使用壽命。
【專利說明】ESD補(bǔ)強(qiáng)電路
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子電路【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種分離的GND電路中的ESD(Electro-Static Discharge)補(bǔ)強(qiáng)電路。
【背景技術(shù)】
[0002]模擬電路大多涉及一些較弱小的信號，而數(shù)字電路的門限電平均較高，對電源的要求就比模擬電路低些。在一些既有數(shù)字電路又有模擬電路的系統(tǒng)中，數(shù)字電路產(chǎn)生的噪聲會干擾到模擬電路，使得模擬電路的信號變差，為了減少這種干擾，技術(shù)人員在設(shè)計(jì)電路時(shí)會將數(shù)字地DGND與模擬地AGND分開，然后在某一點(diǎn)再通過磁珠或電容等將數(shù)字地DGND和模擬地AGND與主地GND連接起來，以保持地的完整性。
[0003]例如一般的音頻信號，從Jack (JACK Audio Connection Kit)端進(jìn)來時(shí)在PCB(Printed Circuit Board)的布局布線上就進(jìn)行了模擬地AGND與主地GND的分離,專門劃出模擬地AGND供音頻信號參考，最大限度的減少其它信號對音頻信號的干擾。但是這種將模擬地AGND分離出來的電路設(shè)計(jì)破壞了主地GND的完整，且模擬地AGND的面積會很小，很容易被靜電侵入，會造成設(shè)備的損壞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，此ESD補(bǔ)強(qiáng)電路能夠?qū)⑶秩氲侥M地AGND或數(shù)字地DGND內(nèi)的靜電信號迅速的泄放到主地GND中，通過主地GND來分散靜電造成的影響，有效的避免了因靜電而造成設(shè)備的損壞，提高了設(shè)備的防靜電能力，延長了設(shè)備的使用壽命。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的技術(shù)方案是:
[0006]一種ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，設(shè)置在包含有分離的模擬地AGND和/或數(shù)字地DGND以及主地GND的電路中，包括串接在所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND與所述主地GND之間的防靜電器件，靜電流向?yàn)閺乃瞿M地AGND或所述數(shù)字地DGND經(jīng)所述防靜電器件至所述主地GND。
[0007]作為一種實(shí)施方式，所述防靜電器件為TVS管，所述TVS管的陽極電連接所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND，所述TVS管的陰極電連接所述主地GND。所述TVS管為雙向TVS 管。
[0008]作為另一種實(shí)施方式，所述防靜電器件為防靜電二極管，所述防靜電二極管的陽極電連接所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND，所述防靜電二極管的陰極電連接所述主地GND。
[0009]作為再一種實(shí)施方式，所述防靜電器件為ESD保護(hù)芯片。
[0010]采用了上述技術(shù)方案后，本發(fā)明的有益效果是:
[0011 ] 由于本發(fā)明ESD補(bǔ)強(qiáng)電路包括串接在模擬地AGND或數(shù)字地DGND與主地GND之間的防靜電器件，靜電流向?yàn)閺哪M地AGND或數(shù)字地DGND經(jīng)防靜電器件至主地GND。當(dāng)有靜電通過模擬地AGND或數(shù)字地DGND進(jìn)入時(shí)，模擬地AGND或數(shù)字地DGND的電平會升高，模擬地AGND或數(shù)字地DGND會快速的吸收一部分靜電，另一部分不能吸收的靜電就會迅速的通過防靜電器件泄放到主地GND中，通過主地GND來分散靜電對電路造成的影響，從而有效的避免了因靜電而造成的設(shè)備損壞，提高了設(shè)備的防靜電能力，延長了設(shè)備的使用壽命。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明ESD補(bǔ)強(qiáng)電路實(shí)施例一的原理圖；
[0013]圖2是本發(fā)明ESD補(bǔ)強(qiáng)電路實(shí)施例一的工作原理不意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0015]實(shí)施例一:
[0016]一種ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，設(shè)置在一個(gè)模擬地AGND與主地GND分離的電路中，下面以音頻信號的電路為例對本發(fā)明的技術(shù)方案及原理進(jìn)行說明。
[0017]如圖1所示，Jl為音頻信號的接口 Jack，為了防止PCB上其它電路的信號對音頻信號產(chǎn)生干擾，在PCB上單獨(dú)的劃出了模擬地AGND區(qū)域供音頻信號做參考，故音頻接口 Jl的接地端電連接模擬地AGND,模擬地AGND電連接有TVS(Transient Voltage Suppressor)管D6的陽極，TVS管D6的陰極電連接主地GND。TVS管D6為雙向TVS管。
[0018]如圖2所示，本發(fā)明ESD補(bǔ)強(qiáng)電路的工作原理如下:
[0019]由于模擬地AGND的面積較小，故很容易被靜電侵入，當(dāng)靜電從音頻接口 Jl進(jìn)入時(shí)，供音頻信號參考的模擬地AGND的電平會升高，此時(shí)模擬地AGND可以將一部分靜電快速的吸收；另一部分吸收不了或吸收較慢的靜電則會通過TVS管D6迅速的泄放到主地GND中。主地GND的面積較大，對靜電的吸收能力也較強(qiáng)，故可以分散靜電對各元器件所造成的影響，從而有效的避免了因靜電而造成的設(shè)備損壞，提高了設(shè)備的防靜電能力，延長了設(shè)備的使用壽命。
[0020]實(shí)施例二:
[0021]本實(shí)施方式與實(shí)施例一基本相同，其不同之處在于:
[0022]實(shí)施例一中的TVS管由防靜電二極管(ESD保護(hù)二極管)代替，即模擬地AGND電連接防靜電二極管的陽極，防靜電二極管的陰極電連接主地GND，防靜電二極管同樣可以起到將侵入到模擬地AGND中的靜電泄放到主地GND中的作用。
[0023]本實(shí)施方式與實(shí)施例一相比，防靜電二極管的價(jià)格比TVS管的價(jià)格低，故電路的成本較低，但是其防靜電效果不如實(shí)施例一。
[0024]實(shí)施例三:
[0025]本實(shí)施方式與實(shí)施例一基本相同，其不同之處在于:
[0026]實(shí)施例一中的TVS管由ESD保護(hù)芯片代替，同樣可以起到將侵入到模擬地AGND中的靜電泄放到主地GND中的作用。
[0027]本實(shí)施方式與實(shí)施例一和實(shí)施例二相比，采用ESD保護(hù)芯片的電路成本相對較高，但是其防靜電效果更好。
[0028]上述實(shí)施例以模擬地AGND與主地GND分離的電路為例對本發(fā)明的技術(shù)方案及原理做了詳細(xì)的闡述，實(shí)際應(yīng)用中，對于數(shù)字地DGND與主地GND分離的電路同樣可以采用本發(fā)明的技術(shù)方案解決靜電釋放的技術(shù)問題，因其實(shí)施方式與上述實(shí)施例相同，故在此不再贅述。
[0029]本發(fā)明不局限于上述具體的實(shí)施方式，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員從上述構(gòu)思出發(fā)，不經(jīng)過創(chuàng)造性的勞動(dòng)，所作出的種種變換，均落在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，其特征在于，設(shè)置在包含有分離的模擬地AGND和/或數(shù)字地DGND以及主地GND的電路中，包括串接在所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND與所述主地GND之間的防靜電器件，靜電流向?yàn)閺乃瞿M地AGND或所述數(shù)字地DGND經(jīng)所述防靜電器件至所述主地GND。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，其特征在于，所述防靜電器件為TVS管，所述TVS管的陽極電連接所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND，所述TVS管的陰極電連接所述主地 GND。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，其特征在于，所述TVS管為雙向TVS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，其特征在于，所述防靜電器件為防靜電二極管，所述防靜電二極管的陽極電連接所述模擬地AGND或所述數(shù)字地DGND，所述防靜電二極管的陰極電連接所述主地GND。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ESD補(bǔ)強(qiáng)電路，其特征在于，所述防靜電器件為ESD保護(hù)芯片。
【文檔編號】H02H9/04GK103515945SQ201310501495
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2013年10月23日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月23日
【發(fā)明者】鄧雪冰 申請人:青島歌爾聲學(xué)科技有限公司