母線組件及制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種母線組件及制造方法。所述母線組件包括第一主導體、第二主導體以及提供在所述主導體之間的絕緣體構件。所述絕緣體構件包括：（i）絕緣體部件；（ii）第一導體層，所述第一導體層提供在所述絕緣體部件的上表面上；以及（iii）第二導體層，所述第二導體層提供在所述絕緣體部件的下表面上，其中所述第一導體層包括圍繞其外圍的外邊緣，其中所述第一導體層的外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的外邊緣至少相距特定距離，其中所述第二導體層包括圍繞其外圍的外邊緣，其中所述第二導體層的外邊緣與所述絕緣體部件的所述外邊緣至少相距相同的特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述組件的爬電要求。
【專利說明】母線組件及制造方法
[0001]關于由聯(lián)邦政府贊助的研究的聲明
[0002]本發(fā)明在美國海軍合約(NAVSEA)N00024-07下得到政府支持。美國政府可能對本
發(fā)明享有一定權利。
【技術領域】
[0003]本發(fā)明涉及母線裝置，確切地說，涉及一種母線組件及制造方法，所述母線組件包括設于絕緣體層上的導電覆層，以提高局部放電起始電壓(Partial discharge inceptionvoltage)。
【背景技術】
[0004]母線(Bus Bar)是電子系統(tǒng)和能量變換設備中通常用于能量和/或信號分配的多層裝置。母線通常包括由絕緣層隔開的至少兩個導體(通常采用銅等細長金屬導體條或棒的形式)，所述絕緣層由電介質材料等制成。導體通常具有從其延伸的多個分配引腳，用于在導體與其余電路部件之間進行電連接。
[0005]圖1是現(xiàn)有技術母線組件2的局部截面圖。母線組件2包括由諸如銅等制成的第一主導體4，由諸如銅等制成的第二主導體6，以及由諸如電介質材料等制成的絕緣體層8，所述絕緣體層8設于第一主導體4與第二主導體6之間。通常，空氣10陷于第一主導體4與絕緣體層8之間以及第二主導體6與絕緣體層8之間的小氣穴中。氣穴中的空氣10常導致在氣穴中產(chǎn)生等離子體，稱為局部放電。局部放電現(xiàn)象會導致問題，因為它會使絕緣體層10的材料緩慢斷裂。局部放電效應是由電介質絕緣體中所用的高場強引起的，并且由絕緣體層8相對于空氣10介電常數(shù)的相對介電常數(shù)惡化，致使場集中在小氣穴中。盡管這不會導致出現(xiàn)電弧，但仍然會形成等離子體，稱為局部放電。
[0006]因此，需要改進母線組件，以便減小母線組件中出現(xiàn)局部放電的可能性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]在一個實施例中，提供一種用于具有爬電距離要求的應用中的母線組件，所述母線組件包括:第一主導體；第二主導體；以及提供在所述第一主導體與所述第二主導體之間的絕緣體構件，所述絕緣體構件包括:(i)絕緣體部件，所述絕緣體部件具有上表面、下表面以及圍繞其外圍的第一外邊緣；(ii)提供在所述絕緣體部件的所述上表面上的第一導體層；以及(iii)提供在所述絕緣體部件的所述下表面上的第二導體層，其中所述第一導體層包括圍繞其外圍的第二外邊緣，其中所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距特定距離，其中所述第二導體層包括圍繞其外圍的第三外邊緣，其中所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述爬電要求。
[0008]其中，沒有空氣陷于所述第一導體層與所述絕緣體部件的所述上表面之間，并且其中沒有空氣陷于所述第二導體層與所述絕緣體部件的所述下表面之間。[0009]其中，所述第一導體層的形成是通過將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，并且移除所述第一導電材料的一部分，以使所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述第二導體層的形成是通過將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，并且移除所述第二導電材料的一部分，以使所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
[0010]其中，所述將第一導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第一導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上，并且其中所述將第二導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第二導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上。
[0011]其中，所述移除所述第一導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第一導電材料的所述部分，并且其中所述移除所述第二導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第二導電材料的所述部分。
[0012]其中，所述第一導電材料和第二導電材料是銅。
[0013]其中,所述絕緣體部件是電介質。
[0014]其中，所述絕緣體部件是選自由以下項構成的群組的電介質材料薄層:FR_4、GPO-2、GP0-3和陶瓷電介質材料。
[0015]其中，所述第一導體層包括第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣和所述第二外導體邊緣之上。
[0016]其中，所述第一導體層包括多個第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括多個第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣中的每個邊緣和所述第二外導體邊緣的每個邊緣之上。
[0017]其中，所述絕緣體構件進一步包括多個附加絕緣體部件,每個附加絕緣體部件均具有上表面、下表面以及圍繞其外圍的第一附加外邊緣，其中對于每個附加絕緣體部件，(i )第一附加導體層提供在所述附加絕緣體部件的所述上表面上，并且(ii )第二附加導體層提供在所述附加絕緣體部件的所述下表面上，其中每個第一附加導體層包括圍繞其外圍的第二附加外邊緣，其中所述第二附加外邊緣與圍繞所述附加絕緣體部件外圍的所述第一附加外邊緣至少相距所述特定距離，其中每個第二附加導體層包括圍繞其外圍的第三附加外邊緣，其中所述第三附加外邊緣與圍繞所述附加絕緣體部件外圍的所述第一附加外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述爬電要求。
[0018]其中，所述多個附加絕緣體部件包括三個附加絕緣體部件。
[0019]其中，所述第一導體層的形成是通過將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，所述沉積的方式使得所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述第二導體層的形成是通過將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，所述沉積的方式使得所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
[0020]在另一個實施例中，提供一種制造母線組件的方法，所述方法包括:確定所述母線組件的爬電距離要求；通過將第一導體層提供在絕緣體部件的上表面上，并且將第二導體層提供在所述絕緣體部件的下表面上形成絕緣體構件，其中所述絕緣體部件具有圍繞其外圍的第一外邊緣，其中所述第一導體層包括圍繞其外圍的第二外邊緣，其中所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距特定距離，其中所述第二導體層包括圍繞其外圍的第三外邊緣，其中所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述爬電要求；以及將所述絕緣體構件附接在第一主導體與第二主導體之間。
[0021]其中，在所述提供步驟之后，沒有空氣陷于所述第一導體層與所述絕緣體部件的所述上表面之間，并且沒有空氣陷于所述第二導體層與所述絕緣體部件的所述下表面之間。
[0022]其中，所述提供步驟包括將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，并且移除所述第一導電材料的一部分，以使所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，以及將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，并且移除所述第二導電材料的一部分，以使所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
[0023]其中，所述將第一導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第一導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上，并且其中所述將第二導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第二導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上。
[0024]其中，所述移除所述第一導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第一導電材料的所述部分，并且其中所述移除所述第二導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第二導電材料的所述部分。
[0025]其中，所述第一導體層包括第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣和所述第二外導體邊緣之上。
[0026]其中，所述第一導體層包括多個第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括多個第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣中的每個邊緣和所述第二外導體邊緣的每個邊緣之上。
[0027]其中，所述提供步驟包括將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，所述沉積的方式使得所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，以及將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，所述沉積的方式使得所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
[0028]因此，應清楚地了解，本發(fā)明實質上實現(xiàn)了上述所有方面和優(yōu)勢。本發(fā)明的其他方面和優(yōu)點在以下說明中描述，或者可以部分從說明書中顯而易見，或者可以通過實踐本發(fā)明而了解。此外，本發(fā)明的方面和優(yōu)勢可以通過隨附權利要求書中特別指出的工具和組合來實現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]附圖示出了本發(fā)明的當前優(yōu)選實施例，并且與上文給出的一般描述和下文給出的詳細描述一起，用于解釋本發(fā)明的原理。如附圖所示，類似的數(shù)字代表類似或相應的部分。
[0030]圖1是現(xiàn)有技術母線組件的一部分的截面圖；
[0031]圖2A和圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的母線組件的一部分，圖2A是分解圖，而圖2B是立體圖；
[0032]圖3是沿圖2中的線3-3截取的母線組件的截面圖；以及
[0033]圖4是根據(jù)本發(fā)明替代示例性實施例的母線組件的一部分的截面圖。
【具體實施方式】
[0034]除非另作明確說明，否則本說明書中所用的方向短語，例如但不限于，頂部、底部、左、右、上、下、前、后及其變體，均涉及附圖中所示元件的方向，并不限制權利要求書。
[0035]本說明書中所述兩個或更多個兩件或部件“連接”在一起應意指，零件直接連接或操作在一起，或者通過一個或多個中間零件或部件連接或操作。
[0036]本說明書中所用術語“數(shù)量”應意指一個或者大于一的整數(shù)個(例如，多個)。
[0037]圖2A和圖2B示出了根據(jù)本發(fā)明一個示例性實施例的母線組件12的一部分，圖2A是分解圖，而圖2B是立體圖。圖3是沿圖2B中的線3-3截取的母線組件12的截面圖。母線組件12包括具有分配插腳(Prong)(或指(Finger) ) 15的第一主導體14以及具有分配插腳(或指)17的第二主導體16。在示例性實施例中，第一主導體14和第二主導體16由銅制成，但是也可以使用其他合適的導電材料，例如其他金屬。電鍍絕緣體構件18提供在第一主導體14與第二主導體16之間。
[0038]如圖2A、2B和3所示，電鍍絕緣體構件18包括絕緣體部件20、提供在所述絕緣體部件20上表面上的導體層22A以及提供在所述絕緣體部件20下表面上的導體層22B。在示例性實施例中，絕緣體部件20是電介質材料薄層，例如但不限于FR-4 (玻璃纖維板)、GP0-2(不飽和聚酯樹脂玻璃纖維的一種)或GP0-3 (不飽和聚酯樹脂玻璃纖維的一種)或者陶瓷介質材料。此外,在示例性非限定實施例中，電鍍絕緣體構件18通過將導體層22A電鍍到絕緣體部件20的上表面上，并且將導體層22B電鍍到絕緣體部件20的下表面上來制成。所述電鍍方式是使用任何合適的金屬電鍍技術，例如印刷電路板制造領域中所用的任意已知電鍍技術來將導體層22A、22B電鍍到絕緣體部件20上，從而將金屬鍍層敷設在諸如FR-4等介電基片上。上述將導體層22A、22B沉積到絕緣體部件20上會將充電點(Charge Point)轉移到每個導體層22A、22B的表面上。在示例性實施例中，電鍍過程將確保沒有空氣陷于導體層22A與絕緣體部件20的上表面之間，或者陷于導體層22B與絕緣體部件20的下表面之間(即，消除混入空氣或間隙的可能性)?；蛘撸瑢w層22A、22B可以使用其他合適的沉積方法，例如但不限于，氣相沉積(Vapor Deposition)或噴鍍(Sputtering)來沉積在絕緣體部件20的相應表面上，其中沒有空氣陷于導體層22A與絕緣體部件20的上表面之間，或者導體層22B與絕緣體部件20的下表面之間。
[0039]隨后，將沉積在絕緣體部件20上下表面上的金屬鍍層從絕緣體部件20的每個外邊緣24向回蝕刻一定量/距離，以便在如本說明書中所述最終組裝完成時，母線組件12的爬電距離(Creepage Distance)適用于給定的應用，從而形成電鍍絕緣體構件18。在如圖2A、2B和3所示的示例性非限定實施例中，在每個外邊緣位置24處將絕緣體部件20上下表面上的電鍍層向回蝕刻一定量/距離，以在母線組件12如下所述組裝完成時，使導體層22k與第一主導體14的相鄰外邊緣部分26 (不包括插腳15，此處的外邊緣也可對應為外導體邊緣)對齊，并且導體層22B與第二主導體16的相鄰外邊緣部分28 (不包括插腳17，此處的外邊緣也可對應為外導體邊緣)對齊。在示例性非限定實施例中，其余的電鍍過程包括隨后對導體層22A、22B進行鍍錫或電鍍，以防止腐蝕。
[0040]在替代實施例中，將不如上所述將金屬層向回蝕刻，而是選擇性地將金屬層沉積在絕緣體部件20的上下表面上，使得在組裝完成母線組件12之后，導體層22A與第一主導體14的相鄰外邊緣部分26 (不包括插件15，此處的外邊緣也可對應為外導體邊緣)對齊，并且導體層22B與第二主導體16的相鄰外表面部分28 (不包括插腳17，此處的外邊緣也可對應為外導體邊緣)對齊。
[0041]在如上所述形成電鍍絕緣體構件18之后，在導體層22A之上將第一主導體14連接到電鍍絕緣體構件18的上表面，以便第一主導體14電連接到導體層22A，并且在導體層22B之上將第二主導體16連接到電鍍絕緣體構件18的下表面，以便第二主導體16電連接到導體層22B。在示例性實施例中，這是通過使用非導電夾板或托架等將電鍍絕緣體構件18夾在第一主導體14與第二主導體16之間來實現(xiàn)的，但是也可以使用其他合適的附接方法(例如，粘合劑)。如圖3所示，由于將金屬層向回蝕刻以形成導體層22A、22B，因此母線組件12將包括延伸過第一主導體14、第二主導體16和導體層22A、22B且圍繞母線組件12外圍的懸垂絕緣體部分30。如上所述，懸垂絕緣體部分30將增加第一主導體14與第二主導體16之間的表面路徑距離，并且根據(jù)選擇性執(zhí)行的蝕刻量，使母線組件12滿足相關應用的爬電距離要求。在任何特定應用中，所要求的爬電距離取決于將施加到兩個導體(第一主導體14和第二主導體16)上的電壓以及適用的任何標準(例如，IEC或UL)。更根本來說，所要求的爬電距離取決于在合理污染和空氣質量條件下防止兩個導體之間發(fā)生電弧放電所需的距離。通常，對于低電壓(〈lkV)而言，所述值(即所要求的爬電距離)是大于0.5英寸的任何值，對于中等電壓(例如，l_30kV)而言，所述值為幾英寸，而對于高電壓(>30kV)而言，所述值為幾英尺。此外，所需的爬電距離通常大于兩個導體之間的必要空氣間隙，因為電弧可能沿沉積在表面上的水分或其他污染物傳導。
[0042]此外,通過包括上述電鍍絕緣體構件18,母線組件12的局部放電起始電壓將大幅增加，從而減小發(fā)生有害的局部放電的可能性。此外，如果空氣陷于第一主導體14與導體層22A之間和/或第二主導體16與導體層22B之間，都能夠防止兩者之間的局部放電，因為這兩個表面將處于相同的電勢下。
[0043]圖4是根據(jù)本發(fā)明替代示例性實施例的母線組件12'的一部分的截面圖。母線組件12'包括與母線組件12相同的多個部件，并且在圖4中，類似的部件用類似的參考數(shù)字表示。如圖4所示，在示例性實施例中，母線組件12'包括由銅制成的第一主導體14和第二主導體16，但是也可以使用其他合適的導電材料，例如其他金屬。此外，本說明書中其他地方所述的多個電鍍絕緣體構件18提供在第一主導體14與第二主導體16之間。在圖示的實施例中，四個電鍍絕緣體構件18A、18B、18C和18D提供在第一主導體14與第二主導體16之間，但是也可以在本發(fā)明的范圍內(nèi)使用更多或更少的電鍍絕緣體構件18。如本說明書中其他地方所述，每個電鍍絕緣體構件18上的導體層22的形成方法是將導體材料沉積在電鍍絕緣體構件18的相應表面上，然后從相關絕緣體部件20的邊緣向回蝕刻所述導電材料，以便在組裝母線組件12'時形成包括多個懸垂絕緣體部分30的懸垂絕緣體部分32。在示例性實施例中，母線組件12'的組裝方法是使用非導電夾板或托架等將電鍍絕緣體構件18A、18B、18C、18D夾在第一主導體14與第二主導體16之間，但是也可以使用其他合適的附接方法(例如，粘合劑)。包括多個懸垂絕緣體部分30的懸垂絕緣體部分32將增加第一主導體14與第二主導體16之間的表面路徑距離，并且根據(jù)選擇性執(zhí)行的蝕刻量，使母線組件12'滿足相關應用的爬電距離要求。
[0044] 盡管上文已描述并圖示本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但應了解，這些是本發(fā)明的示例性實施例，并不視作限定性的?？梢栽诓幻撾x本發(fā)明精神或范圍的情況下進行添加、刪除、替代和其他修改。因此，本發(fā)明并不視作受上述說明限制，而是僅受隨附權利要求書的范圍限制。
【權利要求】
1.一種用于具有爬電距離要求的應用中的母線組件，所述母線組件包括: 第一主導體； 第二主導體；以及 提供在所述第一主導體與所述第二主導體之間的絕緣體構件，所述絕緣體構件包括:(i)絕緣體部件，所述絕緣體部件具有上表面、下表面以及圍繞其外圍的第一外邊緣；(ii)提供在所述絕緣體部件的所述上表面上的第一導體層；以及(iii)提供在所述絕緣體部件的所述下表面上的第二導體層，其中所述第一導體層包括圍繞其外圍的第二外邊緣，其中所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距特定距離，其中所述第二導體層包括圍繞其外圍的第三外邊緣，其中所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述爬電要求。
2.根據(jù)權利要求1所述的母線組件，其中沒有空氣陷于所述第一導體層與所述絕緣體部件的所述上 表面之間，并且其中沒有空氣陷于所述第二導體層與所述絕緣體部件的所述下表面之間。
3.根據(jù)權利要求1所述的母線組件，其中所述第一導體層的形成是通過將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，并且移除所述第一導電材料的一部分，以使所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述第二導體層的形成是通過將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，并且移除所述第二導電材料的一部分，以使所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
4.根據(jù)權利要求3所述的母線組件，其中所述將第一導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第一導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上，并且其中所述將第二導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第二導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上。
5.根據(jù)權利要求3所述的母線組件，其中所述移除所述第一導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第一導電材料的所述部分，并且其中所述移除所述第二導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第二導電材料的所述部分。
6.根據(jù)權利要求3至5中任一項所述的母線組件，其中所述第一導電材料和第二導電材料是銅。
7.根據(jù)權利要求1所述的母線組件，其中所述絕緣體部件是電介質。
8.根據(jù)權利要求7所述的母線組件，其中所述絕緣體部件是選自由以下項構成的群組的電介質材料薄層:FR-4、GPO-2、GP0-3和陶瓷電介質材料。
9.根據(jù)權利要求1所述的母線組件，其中所述第一導體層包括第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣和所述第二外導體邊緣之上。
10.根據(jù)權利要求1所述的母線組件，其中所述第一導體層包括多個第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括多個第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣中的每個邊緣和所述第二外導體邊緣的每個邊緣之上。
11.根據(jù)權利要求1所述母線組件，其中所述絕緣體構件進一步包括多個附加絕緣體部件，每個附加絕緣體部件均具有上表面、下表面以及圍繞其外圍的第一附加外邊緣，其中對于每個附加絕緣體部件，(i)第一附加導體層提供在所述附加絕緣體部件的所述上表面上，并且(ii)第二附加導體層提供在所述附加絕緣體部件的所述下表面上，其中每個第一附加導體層包括圍繞其外圍的第二附加外邊緣，其中所述第二附加外邊緣與圍繞所述附加絕緣體部件外圍的所述第一附加外邊緣至少相距所述特定距離，其中每個第二附加導體層包括圍繞其外圍的第三附加外邊緣，其中所述第三附加外邊緣與圍繞所述附加絕緣體部件外圍的所述第一附加外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述爬電要求。
12.根據(jù)權利要求11所述的母線組件，其中所述多個附加絕緣體部件包括三個附加絕緣體部件。
13.根據(jù)權利要求1所述的母線組件，其中所述第一導體層的形成是通過將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，所述沉積的方式使得所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述第二導體層的形成是通過將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，所述沉積的方式使得所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
14.一種制造母線組件的方法，所述方法包括: 確定所述母線組件的爬電距離要求； 通過將第一導體層提供在絕緣體部件的上表面上，并且將第二導體層提供在所述絕緣體部件的下表面上形成絕緣體構件，其中所述絕緣體部件具有圍繞其外圍的第一外邊緣，其中所述第一導體層包括圍繞其外圍的第二外邊緣，其中所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距特定距離，其中所述第二導體層包括圍繞其外圍的第三外邊緣，其中所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，并且其中所述特定距離足以使所述母線組件滿足所述爬電要求；以及 將所述絕緣體構件附接在第一主導體與第二主導體之間。
15.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中在所述提供步驟之后，沒有空氣陷于所述第一導體層與所述絕緣體部件的所述上表面之間，并且沒有空氣陷于所述第二導體層與所述絕緣體部件的所述下表面之間。
16.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述提供步驟包括將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，并且移除所述第一導電材料的一部分，以使所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，以及將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，并且移除所述第二導電材料的一部分，以使所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述將第一導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第一導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上，并且其中所述將第二導電材料沉積在所述上表面上包括將所述第二導電材料電鍍、氣相沉積或噴鍍在所述上表面上。
18.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中所述移除所述第一導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第一導電材料的所述部分，并且其中所述移除所述第二導電材料的一部分包括蝕刻掉所述第二導電材料的所述部分。
19.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述第一導體層包括第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣和所述第二外導體邊緣之上。
20.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述第一導體層包括多個第一外導體邊緣，其中所述第二導體層包括多個第二外導體邊緣，并且其中所述絕緣體部件延伸過并且懸垂在所述第一外導體邊緣中的每個邊緣和所述第二外導體邊緣的每個邊緣之上。
21.根據(jù)權利要求14所述的方法，其中所述提供步驟包括將第一導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述上表面上，所述沉積的方式使得所述第一導體層的所述第二外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的所述第一外邊緣至少相距所述特定距離，以及將第二導電材料沉積在所述絕緣體部件的所述下表面上，所述沉積的方式使得所述第二導體層的所述第三外邊緣與圍繞所述絕緣體部件外圍的`所述第一外邊緣至少相距所述特定距離。
【文檔編號】H02G5/00GK103620898SQ201280021019
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2012年4月25日 優(yōu)先權日:2011年4月29日
【發(fā)明者】N.D.貝納維德斯 申請人:通用電氣能源能量變換技術有限公司