一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，屬于傳感芯片領(lǐng)域。一種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括傳感芯片和至少一層薄膜片層，其中，所述薄膜片層貼合在所述傳感芯片的表面。本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過薄膜片層貼合于傳感芯片表面，使薄膜片層作為傳感芯片的表面保護(hù)層，在保護(hù)芯片的同時(shí)外形美觀，且能根據(jù)不同芯片產(chǎn)品的要求實(shí)現(xiàn)不同產(chǎn)品外觀需求。
【專利說明】
一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實(shí)用新型涉及傳感芯片，尤其涉及一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，現(xiàn)代消費(fèi)類電子產(chǎn)品越做越薄，傳感芯片的厚度尺寸也隨之越做越薄。為了追求更薄的效果，傳感芯片已不再是藏于結(jié)構(gòu)件的表面之下，而必須做成外觀結(jié)構(gòu)件。
[0003]當(dāng)前傳感芯片的主流封裝主要采用基板類封裝，封裝后傳感芯片表面粗糙，沒有做任何處理，且硬度和耐磨度不夠，不能有效地保護(hù)傳感芯片的表面，使傳感芯片不能直接應(yīng)用于外觀結(jié)構(gòu)上。
[0004]所以，有必要提供一種新的傳感芯片表面的保護(hù)技術(shù)，以更有效地保護(hù)芯片表面，同時(shí)使傳感芯片的外形更加美觀。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0005]有鑒于此，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，以解決目前傳感芯片表面得到有效保護(hù)的同時(shí)，使傳感芯片的外形更加美觀。
[0006]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案如下:
[0007]—種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括封裝后的傳感芯片，該保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括至少一層薄膜片層，其中，所述薄膜片層貼合在所述傳感芯片的表面，所述薄膜片層的面積必須覆蓋所述傳感芯片的面積。
[0008]優(yōu)選地，所述薄膜片層為具有一定介電功能的無機(jī)物層或有機(jī)物層。
[0009]優(yōu)選地，所述薄膜片層介電常數(shù)大于3。
[0010]優(yōu)選地，所述薄膜片層中加入預(yù)設(shè)比例的金屬粉末，形成薄膜金屬層。
[0011]—種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝后的傳感器芯片和封裝元件，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一層薄膜片層，其中，所述薄膜片層貼合在所述傳感芯片的表面，所述薄膜片層的面積必須覆蓋所述傳感芯片的面積，所述封裝元件包容封裝所述傳感芯片與所述薄膜片層于其中。
[0012]優(yōu)選地，所述封裝元件為露傳感芯片開窗結(jié)構(gòu)，所述傳感芯片包含有焊線隱藏工
-H-
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[0013]優(yōu)選地，所述封裝元件為不露傳感芯片的密封結(jié)構(gòu)，所述封裝元件的材料的介電常數(shù)為3以上。
[0014]優(yōu)選地，所述薄膜片層為介電常數(shù)大于3的無機(jī)物層或有機(jī)物層。
[0015]優(yōu)選地，所述薄膜片層中加入預(yù)設(shè)比例的金屬粉末，形成薄膜金屬層。
[0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)及其表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，通過薄膜片層貼合于傳感芯片表面，使薄膜片層作為傳感芯片的表面保護(hù)層，不易脫落，使傳感芯片可以作為外觀結(jié)構(gòu)件，從而實(shí)現(xiàn)不同產(chǎn)品外觀需求;且結(jié)合不同芯片產(chǎn)品對(duì)于外觀有不同要求的情況下，可以通過變更薄膜片層的材質(zhì)性能來保證傳感芯片適應(yīng)不同的需求。本實(shí)用新型的技術(shù)方案簡單，成本低廉，在保護(hù)芯片的同時(shí)，外形美觀，且確保傳感芯片表面的一致性要求，滿足芯片的質(zhì)量，即使出現(xiàn)不良品，其返工方式簡單只需將薄膜片取下即可更換，從而降低風(fēng)險(xiǎn)及不良率。
【附圖說明】
[0017]圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0018]圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)的分解圖；
[0019]圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白，以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本實(shí)用新型，并不用于限定本實(shí)用新型。
[0021]如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型提供一種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括:傳感芯片10和至少一層薄膜片層20，其中:
[0022]該傳感芯片10，能夠在通電情況下產(chǎn)生信號(hào)，且實(shí)現(xiàn)一定目的的功能，如指紋感應(yīng);在本發(fā)明中，該傳感芯片10為封裝后的封裝體，封裝方法如柵格陣列封裝(Land GridArray，LGA)、球柵陣列封裝(Ball Grid Array，BGA)等。
[0023]薄膜片層20貼合在該傳感芯片10的表面，與傳感芯片10形成一個(gè)傳感芯片組件。優(yōu)選地，傳感芯片10為電容型傳感芯片。薄膜片層20為具有一定介電功能的無機(jī)物層或有機(jī)物層，介電常數(shù)大于3。該薄膜片層20的厚度至少大于20um。
[0024]進(jìn)一步地，該薄膜片層20的形狀不限，但其面積必須要覆蓋該傳感芯片10的表面積。例如:傳感芯片的形狀為矩形、圓形、橢圓形或其它形狀時(shí)，該薄膜片層20的形狀可以為與傳感芯片形狀相同的矩形、圓形、橢圓形或其它形狀，也可以為與傳感芯片形狀不相同的圖形，但要求其面積必須要覆蓋該傳感芯片10的表面積。
[0025]薄膜片層20還可以添加一定比例的其它物質(zhì)形成薄膜混合層，例如為使薄膜片層20具有金屬質(zhì)感，可以在薄膜片層20中加入一定比例的金屬粉末，形成薄膜金屬層，使薄膜片層20具有金屬質(zhì)感，增強(qiáng)傳感芯片組件的外觀效果。又或者是加入一定比例的云母粉末。
[0026]本實(shí)用新型提供一種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，以薄膜片層的貼合作為傳感芯片的表面保護(hù)層，從而確保傳感芯片的外觀性能；傳感芯片與薄膜片層的尺寸可以根據(jù)對(duì)應(yīng)產(chǎn)品的外觀結(jié)構(gòu)要求，進(jìn)行任意切割，從而滿足不同產(chǎn)品的外觀需求。
[0027]此外，本實(shí)用新型通過薄膜片層貼合于傳感芯片，不易脫落;且在對(duì)不同芯片產(chǎn)品對(duì)于外觀有不同要求的情況下，通過變更薄膜片層的材質(zhì)，或者改變加入薄膜片層中的金屬粉末材料，甚至調(diào)整金屬粉末比例來保證傳感芯片適應(yīng)不同的需求。
[0028]如圖3所示，本實(shí)用新型還提供一種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括傳感器芯片10、至少一層薄膜片層20和封裝元件30，其中:
[0029]薄膜片層20貼合在傳感芯片10的表面上，與傳感芯片10形成一個(gè)傳感芯片組件，封裝元件30將傳感芯片10和薄膜片層20封裝包容其中，以封裝保護(hù)傳感芯片10。優(yōu)選地，該傳感芯片10為電容型傳感芯片。
[0030]薄膜片層20為具有一定介電功能的無機(jī)物層或有機(jī)物層，介電常數(shù)大于3，厚度至少大于20um。
[0031]進(jìn)一步地，該薄膜片層20的形狀不限，但其面積必須要覆蓋該傳感芯片10的面積。例如:傳感芯片的形狀為矩形、圓形、橢圓形或其它形狀時(shí)，該薄膜片層20的形狀可以為與傳感芯片形狀相同的矩形、圓形、橢圓形或其它形狀，也可以為與傳感芯片形狀不相同的圖形，但要求其面積必須要覆蓋該傳感芯片10的表面積。
[0032]薄膜片層20還可以添加一定比例的其它物質(zhì)形成薄膜混合層，例如為使薄膜片層20具有金屬質(zhì)感，可以在薄膜片層20中加入一定比例的金屬粉末，形成薄膜金屬層，使薄膜片層20具有金屬質(zhì)感，增強(qiáng)傳感芯片組件的外觀效果。又或者是加入一定比例的云母粉末。
[0033]作為本實(shí)用新型的實(shí)施例，封裝元件30為塑封膠體，該塑封膠體包括上方露傳感芯片開窗結(jié)構(gòu)和不露傳感芯片的密封結(jié)構(gòu)。如果是密封結(jié)構(gòu)，則對(duì)于該塑封膠體的介電常數(shù)要求是3以上。如果是開窗結(jié)構(gòu)，則傳感芯片10包含一定的焊線隱藏工藝，如挖槽或者TSV(Through Silicon Vias，通過娃片通道)等。
[0034]以上參照【附圖說明】了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，并非因此局限本實(shí)用新型的權(quán)利范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員不脫離本實(shí)用新型的范圍和實(shí)質(zhì)，可以有多種變型方案實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型，比如作為一個(gè)實(shí)施例的特征可用于另一實(shí)施例而得到又一實(shí)施例。凡在運(yùn)用本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)，均應(yīng)在本實(shí)用新型的權(quán)利范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，包括封裝后的傳感芯片，其特征在于，該保護(hù)結(jié)構(gòu)還包括至少一層薄膜片層，其中，所述薄膜片層貼合在所述傳感芯片的表面，所述薄膜片層的面積必須覆蓋所述傳感芯片的面積。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜片層為具有一定介電功能的無機(jī)物層或有機(jī)物層。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜片層介電常數(shù)大于3。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感芯片表面的保護(hù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜片層為薄膜金屬層。5.—種傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，包括封裝后的傳感器芯片和封裝元件，其特征在于，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括至少一層薄膜片層，其中，所述薄膜片層貼合在所述傳感芯片的表面，所述薄膜片層的面積必須覆蓋所述傳感芯片的面積，所述封裝元件包容封裝所述傳感芯片與所述薄膜片層于其中。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝元件為露傳感芯片開窗結(jié)構(gòu)，所述傳感芯片包含有焊線隱藏工藝。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝元件為不露傳感芯片的密封結(jié)構(gòu)，所述封裝元件的材料的介電常數(shù)為3以上。8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜片層為介電常數(shù)大于3的無機(jī)物層或有機(jī)物層。9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感芯片的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述薄膜片層為薄膜金屬層。
【文檔編號(hào)】G06K9/00GK205428898SQ201520661839
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2015年8月28日
【發(fā)明人】許煒添, 張勝斌, 龍衛(wèi)
【申請(qǐng)人】深圳市匯頂科技股份有限公司