一種半導(dǎo)體gpp整流芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型主要涉及半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，具體是一種半導(dǎo)體GPP整流芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體芯片制作的過(guò)程中，芯片的漏電流是不可避免的，目前所銷售的GPP芯片多為方形，部分為六角形，芯片的漏電流會(huì)隨著芯片的溫度提高而增加放大，隨著漏電流的增加放大會(huì)導(dǎo)致芯片的損壞失效或是嚴(yán)重的炸管，抗反向浪涌電流能力差，可靠性能差。
[0003]另外，現(xiàn)有GPP芯片的晶片，普遍采用從凹槽底切割劃片的分裂方案，存在以下兩方面的問(wèn)題:一是切割刀片在凹槽內(nèi)切割時(shí)易造成硅的隱裂，這種隱裂在材料中逐漸擴(kuò)展；二是由于切割點(diǎn)距離PN結(jié)很近，因此容易造成結(jié)的損傷，從而容易導(dǎo)致芯片鈍化層隱裂而導(dǎo)致器件壽命降低或最終失效，所以減小半導(dǎo)體芯片的漏電流對(duì)成品芯片的性能和可靠性有著很重要的作用。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]為解決現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，芯片的第二臺(tái)面為圓形周邊開(kāi)槽圓潤(rùn)漏電小，避免了現(xiàn)有的正方形和正六邊形的GPP整流芯片由于邊角處電流集中而發(fā)生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況，提高了 GPP整流芯片的抗反向電流的能力，同時(shí)設(shè)置切割保護(hù)區(qū)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中在切割凹槽底部的過(guò)程中對(duì)芯片的PN結(jié)造成的應(yīng)力損傷。
[0005]本實(shí)用新型為實(shí)現(xiàn)上述目的，通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
[0006]一種半導(dǎo)體GPP整流芯片，包括整流基材，所述整流基材包括第一臺(tái)面和第二臺(tái)面，所述第一臺(tái)面圍繞第二臺(tái)面，所述第二臺(tái)面的高度與第一臺(tái)面的高度相同，所述第二臺(tái)面為圓形，所述第一臺(tái)面為方形，且自第二臺(tái)面所在的平面至整流基材的底面的部分為方形，所述第二臺(tái)面與第一臺(tái)面之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)，所述第二臺(tái)面的邊沿設(shè)置環(huán)形凹槽，所述環(huán)形凹槽內(nèi)從上向下依次設(shè)置緩沖層、鈍化層、第一保護(hù)層，所述第一保護(hù)層由環(huán)形凹槽的底部向上延伸至第二臺(tái)面的頂端，所述緩沖層、鈍化層由第一臺(tái)面的頂端沿環(huán)形凹槽的側(cè)壁延伸至第二臺(tái)面的頂端。
[0007]所述鈍化層、第一保護(hù)層的底部以及鈍化層、第一保護(hù)層靠近第二臺(tái)面的一側(cè)均為弧形。
[0008]所述第二臺(tái)面和整流基材的底面均覆蓋第二保護(hù)層。
[0009]所述第二保護(hù)層包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層、鍍鎳層和金屬層。
[0010]所述第一保護(hù)層包括含氧多晶硅層和氮化硅層，所述氮化硅層位于含氧多晶硅層和鈍化層之間。
[0011]所述緩沖層的頂端與第一臺(tái)面、第二臺(tái)面的連接處高于第二臺(tái)面形成凸起。
[0012]對(duì)比與現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型有益效果在于:
[0013]1、本實(shí)用新型第一臺(tái)面為方形在制備整流基材時(shí)，便于將整個(gè)晶片進(jìn)行切割，第二臺(tái)面為圓形，避免了現(xiàn)有的正方形和正六邊形的GPP整流芯片由于邊角處電流集中而發(fā)生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況，提高了 GPP整流芯片的抗反向電流的能力，第一臺(tái)面和第二臺(tái)面之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)，避免了現(xiàn)有技術(shù)中在切割凹槽底部的過(guò)程中對(duì)芯片PN結(jié)造成的應(yīng)力損傷，環(huán)形凹槽內(nèi)設(shè)置緩沖層、鈍化層、第一保護(hù)層，能夠?qū)N結(jié)起到的鈍化、保護(hù)作用，使得芯片品質(zhì)有很好地保證。
[0014]2、本實(shí)用新型鈍化層、第一保護(hù)層的底側(cè)和靠近第二臺(tái)面的一側(cè)均為弧形，能夠增加鈍化層、第一保護(hù)層的表面積，增加對(duì)PN結(jié)的鈍化、保護(hù)作用。
[0015]3、本實(shí)用新型第二臺(tái)面和整流基材的底面均覆蓋第二保護(hù)層，增加GPP整流芯片的可焊性和電流的通過(guò)能力，對(duì)第二臺(tái)面和整流基材進(jìn)行有效的保護(hù)。
[0016]4、本實(shí)用新型第二保護(hù)層包括由內(nèi)到外依次覆蓋的合金層、鍍鎳層和金屬層，合金層增加抗拉力，鍍鎳層增加導(dǎo)電性和外層金屬的可鍍性，金屬層增加可焊性和提高通過(guò)電流的能力。
[0017]5、本實(shí)用新型第一保護(hù)層包括含氧多晶硅層和氮化硅層，所述氮化硅位于含氧多晶硅層和鈍化層之間，多晶硅層和氮化硅層相互配合保護(hù)PN結(jié)，進(jìn)一步提高芯片抗反向電壓沖擊能力。
[0018]6、本實(shí)用新型緩沖層的頂端的與第一臺(tái)面、第二臺(tái)面的連接處高于第二臺(tái)面形成凸起，增加緩沖層與第一臺(tái)面、第二臺(tái)面的連接穩(wěn)固性，防止緩沖層從環(huán)形凹槽內(nèi)脫落。
【附圖說(shuō)明】
[0019]附圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]附圖2是本實(shí)用新型的剖視圖；
[0021]附圖3是本實(shí)用新型晶片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]附圖4是附圖2的I處放大圖。
[0023]附圖中所示標(biāo)號(hào):1、整流基材;2、第一臺(tái)面;3、第二臺(tái)面;4、切割保護(hù)區(qū)；5、環(huán)形凹槽;51、緩沖層;52、鈍化層;53、含氧多晶娃層;54、氮化娃層;6、第二保護(hù)層;61、合金層;62、
鍍鎳層;63、金屬層。
【具體實(shí)施方式】
[0024]結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明。應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。此外應(yīng)理解，在閱讀了本實(shí)用新型講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型作各種改動(dòng)或修改，這些等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。
[0025]—種半導(dǎo)體GPP整流芯片，包括整流基材I，所述整流基材I包括第一臺(tái)面2和第二臺(tái)面3，所述第一臺(tái)面2圍繞第二臺(tái)面3，所述第二臺(tái)面3的高度與第一臺(tái)面2的高度相同，所述第二臺(tái)面3為圓形，周邊開(kāi)槽圓潤(rùn)漏電小，避免了現(xiàn)有的正方形和正六邊形的GPP整流芯片由于邊角處電流集中而發(fā)生芯片邊角處被提前擊穿而失效的情況，提高了 GPP整流芯片的抗反向電流的能力。所述第一臺(tái)面2為方形，且自第二臺(tái)面3所在的平面至整流基材I的底面的部分為方形，與現(xiàn)有方形芯片相同，便于將整個(gè)晶片進(jìn)行切割。所述第二臺(tái)面3與第一臺(tái)面2之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)4，所述第二臺(tái)面3的邊沿設(shè)置環(huán)形凹槽5，所述第二臺(tái)面3與第一臺(tái)面2之間設(shè)置切割保護(hù)區(qū)4，切割晶片時(shí)從切割保護(hù)區(qū)4進(jìn)行切割，避免了現(xiàn)有技術(shù)中切割凹槽底部的過(guò)程中對(duì)芯片PN結(jié)造成的應(yīng)力損傷。所述切割保護(hù)區(qū)4內(nèi)設(shè)置環(huán)形凹槽5，所述環(huán)形凹槽5內(nèi)從上向下依次設(shè)置緩沖層51、鈍化層52、第一保護(hù)層，封裝產(chǎn)生之機(jī)械應(yīng)力直接作用于芯片上玻璃質(zhì)脆性的鈍化層52，極易導(dǎo)致芯片失效，此緩沖層51可以緩沖封裝產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，而保護(hù)鈍化層52和芯片，有效的克服了因封裝機(jī)械應(yīng)力導(dǎo)致GPP整流芯片的失效。鈍化層52外還設(shè)有一層耐熱、絕緣且具有彈性的緩沖層51，在制作時(shí)，優(yōu)選聚酰亞胺等高分子材料制作緩沖保護(hù)層，能夠?qū)N結(jié)起到的鈍化、保護(hù)作用，使得芯片品質(zhì)有很好地保證。所述第一保護(hù)層由環(huán)形凹槽5的底部向上延伸至第二臺(tái)面3的頂端，在玻璃鈍化層52保護(hù)的基礎(chǔ)上，通過(guò)在環(huán)形凹槽5處增加的第一保護(hù)層，保護(hù)PN結(jié)，提高芯片抗反向電壓沖擊能力。切割保護(hù)區(qū)4沒(méi)有元器件，不向切割保護(hù)區(qū)4延伸，避免切割過(guò)程中對(duì)第一保護(hù)層造成損壞，同時(shí)節(jié)約資源。所述緩沖層51，鈍化層52由第一臺(tái)面2的頂端沿環(huán)形凹槽5的側(cè)壁延伸至第二臺(tái)面3的頂端，增加鈍化層52和保護(hù)層對(duì)PN結(jié)的隔離