預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)，運(yùn)用于如金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(M0SFET)或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態(tài)的晶體管結(jié)構(gòu)上，主要利用在金屬連通片與源極區(qū)域相接合的那面刷上銀線條，令錫膏不滲入柵極通道(GATE BUS)，以達(dá)到預(yù)防短路情況發(fā)生為其主要實(shí)用新型優(yōu)點(diǎn)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)場效應(yīng)晶體管，其芯片上設(shè)有柵極區(qū)域及源極區(qū)域，該柵極區(qū)域利用金屬線可與柵極區(qū)域相連結(jié)，源極區(qū)域亦利用多個(gè)金屬線可與周緣的晶體管引腳形成電性連接，然而這種用金屬線進(jìn)行電信傳導(dǎo)的結(jié)構(gòu)，不僅工藝繁復(fù)耗時(shí)，在封裝過程中往往容易因?yàn)闆_壓而造成金屬線的斷裂或脫離，造成電訊導(dǎo)通性不佳，甚至在封裝后會有散熱不易而造成損壞率增尚等缺失；
[0003]為解決上述困擾，有業(yè)者便研發(fā)出利用片狀式的金屬連通片5，以一端整片式地覆蓋于源極區(qū)域1上，另一端連通于晶體管引腳連接的方式替代以金屬線連通的方式，如圖1及圖2所示，用此方式以提高其電訊連通穩(wěn)定性、封裝工藝簡易、低電阻電氣特性及提高其散熱性，然而，在源極區(qū)域1上會切開有柵極通道2用以連通柵極區(qū)域的電性，而要將金屬連接片5固定于源極區(qū)域1上并進(jìn)行電訊導(dǎo)通時(shí)，源極區(qū)域1的表面須先涂布有錫膏4，再將金屬連通片5覆蓋于源極區(qū)域1上并施壓予以固定，但此一施壓動作將會使錫膏4溢開并滲入柵極通道2中，如此一來便會使柵極區(qū)域3與源極區(qū)域1不斷地形成電訊導(dǎo)通而產(chǎn)生短路現(xiàn)象，形成業(yè)者所衍伸出的新困擾；
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]而為了有效解決以上問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種具有避免錫膏溢開滲入柵極通道而造成短路現(xiàn)象的晶體管結(jié)構(gòu)。
[0005]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型提供一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其包括有:
[0006]—集成電路片，其上分設(shè)有源極區(qū)域與柵極區(qū)域，且在該源極區(qū)域上分切有柵極通道，以導(dǎo)通柵極區(qū)域的電訊流通；
[0007]—金屬連通片，一端與集成電路片的源極區(qū)域相連通，另一端與晶體管引腳相連通；
[0008]多個(gè)溝槽，挖設(shè)于金屬連通片上對應(yīng)該金屬連通片與源極區(qū)域接合的面，且于該溝槽的表面設(shè)有一層銀金屬；
[0009]錫膏，點(diǎn)置于集成電路片的源極區(qū)域欲與金屬連通片相貼合的區(qū)域內(nèi)。
[0010]上述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其中該溝槽的形狀與大小的挖設(shè)，避開源極區(qū)域上的柵極通道所經(jīng)過的區(qū)域。
[0011]上述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其中該溝槽內(nèi)的銀金屬，以涂布的方式形成，或以焊設(shè)的方式形成。
[0012]為達(dá)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其包括有:
[0013]—集成電路片，其上分設(shè)有源極區(qū)域與柵極區(qū)域，且在該源極區(qū)域上分切有柵極通道，以導(dǎo)通柵極區(qū)域的電訊流通；
[0014]—金屬連通片，一端與集成電路片的源極區(qū)域相連通，另一端與晶體管引腳相連通；
[0015]多個(gè)銀金屬，設(shè)于該金屬連通片與源極區(qū)域接合的面；
[0016]錫膏，點(diǎn)置于集成電路片的源極區(qū)域欲與金屬連通片相貼合的區(qū)域內(nèi)。
[0017]上述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其中該銀金屬的形狀與大小的形成，避開源極區(qū)域上的柵極通道所經(jīng)過的區(qū)域。
[0018]上述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其中該銀金屬的形成，以涂布的方式形成，或以焊設(shè)的方式形成。
[0019]本實(shí)用新型系為一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)，運(yùn)用于如金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(M0SFET)或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態(tài)的晶體管結(jié)構(gòu)上，主要利用在金屬連通片與源極區(qū)域相接合的那面刷上銀線條，令錫膏不滲入柵極通道(GATE BUS)，以達(dá)到預(yù)防短路情況發(fā)生為其主要實(shí)用新型目的。
[0020]以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，但不作為對本實(shí)用新型的限定。
【附圖說明】
[0021]圖1:為現(xiàn)有場效應(yīng)晶體管的晶體管點(diǎn)上錫膏的平面俯視示意圖；
[0022]圖2:為另一習(xí)用場效應(yīng)晶體管的晶體管在覆蓋金屬連通片后，錫膏溢開狀況的平面俯視示意圖；
[0023]圖3:為本實(shí)用新型預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)的另一實(shí)施例金屬連通片俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4:為本實(shí)用新型預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)的金屬連通片俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖5:為本實(shí)用新型預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)的晶體管在覆蓋金屬連通片后的俯視透視示意圖。
[0026]其中，附圖標(biāo)記
[0027]現(xiàn)在技術(shù)
[0028]源極區(qū)域1
[0029]柵極通道2
[0030]柵極區(qū)域3
[0031]錫膏4
[0032]金屬連通片5
[0033]本實(shí)用新型
[0034]集成電路片10
[0035]源極區(qū)域11
[0036]柵極區(qū)域12
[0037]柵極通道111
[0038]金屬連通片20
[0039]溝槽201
[0040]銀金屬2011
[0041]錫膏30
【具體實(shí)施方式】
[0042]下面結(jié)合附圖對本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)原理和工作原理作具體的描述:
[0043]請參閱圖4及圖5所示，主要包括有一集成電路片(MOSFET CHIP) 10，在該集成電路片10的表面分設(shè)有源極區(qū)域(SOURCE PAD) 11與柵極區(qū)域(GATE PAD) 12，而該源極區(qū)域11上分切有柵極通道(GATE BUS) 111，以導(dǎo)通柵極區(qū)域12的電訊流通；
[0044]有一金屬連通片(METAL CLIP) 20，一端與集成電路片10的源極區(qū)域11相連通，另一端與晶體管引腳(圖中未展示)相連通，在該金屬連通片20與集成電路片10的源極區(qū)域11接合的那面，向內(nèi)挖設(shè)有溝槽201，該溝槽201所被挖設(shè)的形狀與大小，將會避開集成電路片10的源極區(qū)域11上柵極通道111會經(jīng)過的區(qū)域，換言之，該溝槽201的形成沒有一定的形狀跟大小，但絕對不會有橫跨柵極通道111的情況發(fā)生，且在該溝槽201內(nèi)涂布有一層銀金屬2011 ;
[0045]當(dāng)要將金屬連通片20與集成電路片10的源極區(qū)域11接合時(shí)，會先在源極區(qū)域11上以避開柵極通道111的方式點(diǎn)上錫膏30，由于金屬連通片20上溝槽201位置的設(shè)置與錫膏30點(diǎn)置的位置是相對應(yīng)，且錫膏30與銀金屬2011之間有一種相互吸引的金屬濕潤性，也就是說，錫膏30會跟著銀金屬2011走，加上金屬連通片20上涂布銀金屬2011的地方是凹設(shè)有溝槽201，因此錫膏30會被銀金屬2011所吸引并定位于溝槽201內(nèi)，而不會在金屬連通片20壓合在集成電路片10的源極區(qū)域11時(shí)，造成錫膏30的溢出，甚至滲入柵極通道111中，因此能有效避免柵極區(qū)域12與源極區(qū)域11 一直處于電訊連通的情況，而能有效避免該集成電路片10短路情況的發(fā)生；
[0046]再請參閱圖3所示，圖3則是本實(shí)用新型另一實(shí)施例方法，其變化在于并不需要在金屬連通片20上挖設(shè)溝槽201，而是只在金屬連通片20上與源極區(qū)域11預(yù)備點(diǎn)置錫膏30的相對應(yīng)位置刷上或焊上一層銀金屬2011，如此同樣能達(dá)到使錫膏30匯集于金屬連通片20上有銀金屬2011的區(qū)域處而不會溢出滲入柵極通道111中，以避免集成電路片10短路情況的發(fā)生；
[0047]綜上所述，本實(shí)用新型所為的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管(FET)結(jié)構(gòu)，較之現(xiàn)有場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)，除了能有效避免短路情況發(fā)生外，相對能延長該晶體管的使用壽命，同時(shí)金屬連通片20的設(shè)計(jì)不僅能使電訊連結(jié)狀態(tài)較佳外，還更能提高整個(gè)晶體管的散熱性。
[0048]當(dāng)然，本實(shí)用新型還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本實(shí)用新型精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本實(shí)用新型作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有: 一集成電路片，其上分設(shè)有源極區(qū)域與柵極區(qū)域，且在該源極區(qū)域上分切有柵極通道，以導(dǎo)通柵極區(qū)域的電訊流通； 一金屬連通片，一端與集成電路片的源極區(qū)域相連通，另一端與晶體管引腳相連通； 多個(gè)溝槽，挖設(shè)于金屬連通片上對應(yīng)該金屬連通片與源極區(qū)域接合的面，且于該溝槽的表面設(shè)有一層銀金屬； 錫膏，點(diǎn)置于集成電路片的源極區(qū)域欲與金屬連通片相貼合的區(qū)域內(nèi)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽的形狀與大小的挖設(shè)，避開源極區(qū)域上的柵極通道所經(jīng)過的區(qū)域。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該溝槽內(nèi)的銀金屬，以涂布的方式形成，或以焊設(shè)的方式形成。4.一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括有: 一集成電路片，其上分設(shè)有源極區(qū)域與柵極區(qū)域，且在該源極區(qū)域上分切有柵極通道，以導(dǎo)通柵極區(qū)域的電訊流通； 一金屬連通片，一端與集成電路片的源極區(qū)域相連通，另一端與晶體管引腳相連通； 多個(gè)銀金屬，設(shè)于該金屬連通片與源極區(qū)域接合的面； 錫膏，點(diǎn)置于集成電路片的源極區(qū)域欲與金屬連通片相貼合的區(qū)域內(nèi)。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該銀金屬的形狀與大小的形成，避開源極區(qū)域上的柵極通道所經(jīng)過的區(qū)域。6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，其特征在于，該銀金屬的形成，以涂布的方式形成，或以焊設(shè)的方式形成。
【專利摘要】本實(shí)用新型公開一種預(yù)防短路的場效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)，尤指一種運(yùn)用于功率的分離元件，如金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管或絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等晶體管型態(tài)的晶體管結(jié)構(gòu)上，主要包括有一集成電路片(MOSFET？CHIP)及金屬連通片(METAL？CLIP)，主要是于金屬連通片在與柵極墊片相接合的那面刷上銀線條，用來避免黏著導(dǎo)通金屬連接片與柵極墊片的錫膏因溢開滲入柵極通道(GATE？BUS)而造成短路現(xiàn)象發(fā)生為其主要實(shí)用新型要點(diǎn)。
【IPC分類】H01L23/535, H01L29/78
【公開號】CN205069644
【申請?zhí)枴緾N201520377834
【發(fā)明人】資重興
【申請人】杰群電子科技（東莞）有限公司
【公開日】2016年3月2日
【申請日】2015年6月3日