Led倒裝cob結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本實用新型涉及LED封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種LED倒裝COB結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]LED作為一第四代照明光源，具有顯著的節(jié)能和壽命優(yōu)勢。
[0003]LED封裝是獲得優(yōu)質(zhì)LED照明光源的一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，與傳統(tǒng)LED的SMD貼片式封裝以及大功率封裝相比，COB封裝可將多顆芯片直接封裝在MCPCB基板上，通過基板直接散熱，不僅能減少支架的制造工藝及其成本，還具有減少熱阻的散熱優(yōu)勢?，F(xiàn)有技術(shù)的COB封裝一般采用金屬基電路板，上面必須通過先進行絕緣處理后再進行電路印刷，而絕緣層卻是整體散熱體系中的熱阻最大的環(huán)節(jié)，不利于COB封裝結(jié)構(gòu)整體高效散熱；同時，印刷電路采用普通亞光材料，為了提高出光亮度，在封裝結(jié)構(gòu)上需要設(shè)置反光層，結(jié)構(gòu)復(fù)雜、成本高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，針對現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型的所要解決的技術(shù)問題就是提供一種結(jié)構(gòu)簡單、出光效果和散熱效果佳、低成本的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)。
[0005]本實用新型是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
[0006]LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，包括絕緣基板、倒裝芯片、導(dǎo)電電路和熒光粉層，所述倒裝芯片設(shè)置在所述導(dǎo)電電路上，倒裝芯片與導(dǎo)電電路進行電連接，所述熒光粉層覆蓋在所述絕緣基板上方，并包覆所述倒裝芯片和所述導(dǎo)電電路；其中，所述導(dǎo)電電路為覆蓋在所述絕緣基板上表面的高反射銀電路，所述絕緣基板的上表面設(shè)有電路分隔帶。
[0007]在其中一個實施例中，所述絕緣基板為陶瓷基板。
[0008]進一步地，所述高反射銀電路所占面積與所述陶瓷基板封裝總面積之比不小于80%。
[0009]進一步地，所述LED倒裝COB結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述倒裝芯片和所述熒光粉層周圍的圍壩。
[0010]進一步地，所述熒光粉層為一層或多層通過模壓方式覆蓋在所述倒裝芯片外部和頂面的熒光粉覆蓋層。
[0011]本實用新型的有益效果如下:
[0012]本實用新型的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，包括絕緣基板、倒裝芯片、導(dǎo)電電路、熒光粉層，倒裝芯片設(shè)置在所述導(dǎo)電電路上并進行電連接，熒光粉層設(shè)置在所述絕緣基板上，并包覆在倒裝芯片和導(dǎo)電電路，導(dǎo)電電路為覆蓋在絕緣基板上的高反射銀電路，根據(jù)電路需要設(shè)有電路分隔帶。通過絕緣基板上的高反射銀電路，以電路分隔帶進行絕緣分隔形成所述的封裝芯片電路，由于銀具有高反射特性，不需額外的反射層，因此封裝結(jié)構(gòu)簡單，出光亮度高；同時銀電路導(dǎo)熱性能優(yōu)異，有利于封裝結(jié)構(gòu)的整體散熱，提高光效和保證芯片的長壽命O
[0013]進一步地，高反射銀電路所占面積與所述陶瓷基板封裝總面積之比不小于80%，更進一步確保出光亮度高，整體散熱性能好。
[0014]進一步地，采用多層熒光膜結(jié)構(gòu)，可以利用多層熒光膜厚度控制實現(xiàn)對LED色溫和顯色指數(shù)控制。
【附圖說明】
[0015]圖1為本實用新型LED倒裝COB結(jié)構(gòu)的剖視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖2為本實用新型LED倒裝COB的平面布置結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]以上各圖，I—圍壩；2—尚反射銀電路；3—電路分隔帶；4—倒裝芯片；5—焚光粉層；6—陶瓷基板;A—陶瓷基板封裝面積；B—銀電路面積。
【具體實施方式】
[0018]本實用新型為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，提出了一種LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，包括絕緣基板、倒裝芯片、導(dǎo)電電路和熒光粉層，所述倒裝芯片設(shè)置在所述導(dǎo)電電路上，倒裝芯片與導(dǎo)電電路進行電連接，所述熒光粉層覆蓋在所述絕緣基板上方，并包覆所述倒裝芯片和所述導(dǎo)電電路；其中，所述導(dǎo)電電路為覆蓋在所述絕緣基板上表面的高反射銀電路，所述絕緣基板的上表面設(shè)有電路分隔帶。
[0019]在其中一個實施例中，所述絕緣基板為陶瓷基板。
[0020]進一步地，所述高反射銀電路所占面積與所述陶瓷基板封裝總面積之比不小于80%。
[0021]進一步地，所述LED倒裝COB結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在所述倒裝芯片和所述熒光粉層周圍的圍壩。
[0022]進一步地，所述熒光粉層為一層或多層通過模壓方式覆蓋在所述倒裝芯片外部和頂面的熒光粉覆蓋層。
[0023]實施例:
[0024]下面參考附圖并結(jié)合實施例對本實用新型進行詳細說明。需要說明的是，在不沖突的情況下，以下實施例中的特征可以相互組合。
[0025]圖1給出了本實用新型的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)剖面圖，該COB封裝結(jié)構(gòu)包括絕緣陶瓷基板6、倒裝芯片4、熒光粉層5、高反射銀電路2、電路分隔帶3及圍壩I。其中，高反射銀電路2設(shè)在陶瓷基板6表面，并通過電路分隔帶3進行絕緣分隔。高反射銀電路2的布置方法為:除了必須進行絕緣分割處理的電路分割帶3的位置空出外，是整塊地分布在剩下的陶瓷基板6表面上，電路分隔帶3根據(jù)具體電路需要，形成必要的絕緣分割區(qū)域，倒裝芯片4的兩個電極跨過電路分隔帶3形成絕緣分割后，分別與兩邊絕緣分割的高反射銀電路2進行電連接，最外面的銀電路兩邊區(qū)域作為一個大塊電極與外電路連接。倒裝芯片4封接在陶瓷基板6對應(yīng)的高反射銀電路2上對應(yīng)的電路分隔帶3的對應(yīng)位置上，在倒裝芯片4的上面使用熒光粉進行覆蓋封裝形成熒光粉層5，熒光粉層5可以通過普通點膠方式得到，優(yōu)選地，本實用新型的熒光粉層5采用通過模壓覆蓋在所述倒裝芯片頂面覆蓋層得到。更進一步地，熒光粉層5可以采用多層熒光膜的結(jié)構(gòu)形式，這樣就能利用多層熒光膜厚度控制實現(xiàn)對LED色溫和顯色指數(shù)控制。
[0026]銀電路面積占比陶瓷基板封裝面積80%以上，圖2給出了示意圖。由于銀的高反射性能，使得本實用新型的封裝結(jié)構(gòu)不需額外的反射層，結(jié)構(gòu)簡單。同時，由于銀的高導(dǎo)熱性能，使得保證了 COB封裝結(jié)構(gòu)的良好散熱性能，確保芯片的壽命和穩(wěn)定性。
[0027]圖中A區(qū)域指的是陶瓷基板封裝有芯片的整個區(qū)域，該面積包括圖2中的高反射銀電路2的面積、電路分隔帶3的占用面積和倒裝芯片4的占用面積；B區(qū)域指的是高反射銀電路2的面積。
[0028]從上面的實施例可知，通過本實用新型的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，采用設(shè)在陶瓷基板上，并且占比封裝面積80 %以上的高反射銀電路，不需額外的反射層，封裝結(jié)構(gòu)簡單，成本地，出光亮度高。
[0029]進一步地，銀電路導(dǎo)熱性能優(yōu)異，有利于封裝結(jié)構(gòu)的整體散熱，提高光效和保證芯片的長壽命。
[0030]更進一步地，采用多層熒光膜結(jié)構(gòu)，可以利用多層熒光膜厚度控制實現(xiàn)對LED色溫和顯色指數(shù)控制。
[0031]以上所述實施例僅表達了本實用新型的實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此，本實用新型專利的保護范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準。
【主權(quán)項】
1.LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，包括絕緣基板、倒裝芯片、導(dǎo)電電路和熒光粉層，所述倒裝芯片設(shè)置在所述導(dǎo)電電路上，倒裝芯片與導(dǎo)電電路進行電連接，所述熒光粉層覆蓋在所述絕緣基板上方，并包覆所述倒裝芯片和所述導(dǎo)電電路；其特征在于，所述導(dǎo)電電路為覆蓋在所述絕緣基板上表面的高反射銀電路，所述絕緣基板的上表面設(shè)有電路分隔帶。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述絕緣基板為陶瓷基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述高反射銀電路所占面積與所述陶瓷基板封裝總面積之比不小于80%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括設(shè)置在所述倒裝芯片和所述熒光粉層周圍的圍壩。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述熒光粉層為一層或多層通過模壓方式覆蓋在所述倒裝芯片外部和頂面的熒光粉覆蓋層。
【專利摘要】本實用新型提供了一種LED倒裝COB結(jié)構(gòu)，包括絕緣基板、倒裝芯片、導(dǎo)電電路、熒光粉層，倒裝芯片設(shè)置在所述導(dǎo)電電路上并進行電連接，熒光粉層設(shè)置在所述絕緣基板上，并包覆在倒裝芯片和導(dǎo)電電路，導(dǎo)電電路為覆蓋在絕緣基板上的高反射銀電路，根據(jù)電路需要設(shè)有電路分隔帶。通過絕緣基板上的高反射銀電路，以電路分隔帶進行絕緣分隔形成所述的封裝芯片電路，由于銀具有高反射特性，不需額外的反射層，因此封裝結(jié)構(gòu)簡單，出光亮度高；同時銀電路導(dǎo)熱性能優(yōu)異，有利于封裝結(jié)構(gòu)的整體散熱，提高光效和保證芯片的長壽命。進一步地，采用多層熒光膜結(jié)構(gòu)，可以利用多層熒光膜厚度控制實現(xiàn)對LED色溫和顯色指數(shù)控制。
【IPC分類】H01L33-60, H01L33-62, H01L33-48, H01L33-64
【公開號】CN204538076
【申請?zhí)枴緾N201520088525
【發(fā)明人】莫慶偉, 岳楊, 趙明海
【申請人】大連德豪光電科技有限公司
【公開日】2015年8月5日
【申請日】2015年2月9日