專利名稱：藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)及其用途的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體光電器件結(jié)構(gòu)，尤其涉及一種大功率LED和激光器提升可 靠性，降低生產(chǎn)成本的器件結(jié)構(gòu)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
光電器件是指光能和電能相互轉(zhuǎn)換的一類器件。其種類眾多，如發(fā)光二極管 (LED)、太陽能電池、光電探測器、激光器(LD)等等。近年來，隨著氮化鎵基藍(lán)光、綠光和紫 外光LED技術(shù)的不斷成熟，發(fā)光效率不斷提高，LED應(yīng)用價(jià)值越來越受到重視。LED作為一 種光源有著眾多的優(yōu)點(diǎn)，如發(fā)光效能高、色彩飽度高、體積小、重量輕、基于氮化鎵的LED無 毒、無公害，屬于綠色環(huán)保光源。因此，LED在照明領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用價(jià)值。目前，LED已經(jīng)大量進(jìn)入大屏幕顯示、裝飾照明、建筑照明、交通指示、IXD背光等 市場，可是更大的市場在于普通照明，而LED還未能普及應(yīng)用于這個(gè)龐大市場，這是由于現(xiàn) 在的LED還不能滿足普通照明的要求造成的。普通照明需要廉價(jià)、大功率的LED產(chǎn)品，可是 現(xiàn)在的大功率LED技術(shù)還不成熟、大功率LED制造成本還很昂貴。提升大功率LED性能的途徑主要有兩方面1)提高LED器件的外量子效率，以提 高芯片單位面積的出光量；2)加大芯片的面積，提高單顆芯片的光通量。目前LED的研究 基本都集中在提高LED器件的外量子效率，從外延、芯片工藝到封裝等方面提出了很多改 進(jìn)的技術(shù)措施，如圖形化藍(lán)寶石襯底技術(shù)、非極化面生長技術(shù)、氮化鎵自支撐襯底技術(shù)、芯 片表面粗化技術(shù)、薄膜LED垂直芯片技術(shù)、倒裝LED技術(shù)等等。這些技術(shù)的應(yīng)用都可以有效 提高LED芯片單位面積的出光量，有利于制造大功率LED器件。其中倒裝LED技術(shù)(如圖1 所示)，可以實(shí)現(xiàn)將LED量子阱發(fā)光時(shí)產(chǎn)生的大量熱量從離量子阱最近的ρ電極導(dǎo)出，無需 像正裝結(jié)構(gòu)的LED (如圖2所示)量子阱產(chǎn)生的熱量需要通過低導(dǎo)熱的藍(lán)寶石襯底導(dǎo)出，能 有效改善大功率LED散熱，改善大功率LED的熱可靠性，進(jìn)而提高LED的壽命和發(fā)光效率， 同時(shí)倒裝結(jié)構(gòu)中可通過加入反射電極增加LED的取光效率，因而能大大提升器件的性能， 在眾多大功率LED技術(shù)中廣受關(guān)注。但是現(xiàn)有的倒裝LED技術(shù)存在以下問題1.由于目前的倒裝技術(shù)都是通過合金焊料或金-金鍵合，同時(shí)將LED的η型和ρ 型電極倒裝在電極轉(zhuǎn)移基板的相應(yīng)電極上，由于LED的η電極和ρ電極的間距一般在20微 米以內(nèi)，為了防止在倒裝過程中出現(xiàn)η電極和ρ電極的短路，倒裝過程中一般需要使用價(jià)格 昂貴的倒裝焊設(shè)備；2.由于采用合金焊料或金_金鍵合時(shí)，容易在合金焊料中或是金_金鍵合區(qū)產(chǎn)生 孔隙，影響器件倒裝完后的散熱性能，為了在倒裝過程中盡量減小孔隙率，需要嚴(yán)格控制倒 裝工藝，造成工藝復(fù)雜，成品率控制困難。因此，能夠把該項(xiàng)技術(shù)投入實(shí)際產(chǎn)品應(yīng)用的并不
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發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本發(fā)明的目的旨在提供一種藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)及其用途，通過器件結(jié)構(gòu)的改善提高大功率光電器件的熱可靠性，同時(shí)降低器件的制造成本。本發(fā)明目的的實(shí)現(xiàn)，將通過以下概括的技術(shù)手段藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板、藍(lán)寶石基光電器 件基礎(chǔ)芯片、引線及絕緣填充材料，其中用于與藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片的n電極及電 源分別相連的電極引線壓焊區(qū)位于n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板高度方向上的兩側(cè)。進(jìn)一步地，前述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其中該n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板包括第一 引線壓焊區(qū)、第二引線壓焊區(qū)、導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板基體、通光孔、引線壓焊區(qū)間互連、引線、通光 孔及電隔絕填充材料，其中所述第一引線壓焊區(qū)與n電極同側(cè)，而所述第二引線壓焊區(qū)設(shè) 于n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板背向n電極方向的另一側(cè)，所述n電極通過引線、第一引線壓焊區(qū)、 引線壓焊區(qū)間互連引至第二引線壓焊區(qū)。更進(jìn)一步地，前述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其中該n電極與n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基 板的第一引線壓焊區(qū)之間通過鍵合的引線相連，所述引線包括金線、鋁線、銅線、銀線、鉬金 線、鈀合金線或以上幾種材料的復(fù)合材料；所述引線壓焊區(qū)間互連包括貫通的金屬通孔及 導(dǎo)電的n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板材料。進(jìn)一步地，前述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其中基礎(chǔ)芯片n電極、n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移 基板的第一引線壓焊區(qū)、n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板、引線之間通過覆蓋絕緣物實(shí)現(xiàn)絕緣保護(hù)。進(jìn)一步地，前述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其中該藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片包 括藍(lán)寶石襯底及自藍(lán)寶石襯底一側(cè)逐層覆蓋的GaN緩沖層、n型GaN層、量子阱發(fā)光區(qū)、p型 GaN層和帽層，所述量子阱發(fā)光區(qū)及p型GaN層的面積小于n型GaN層，相對藍(lán)寶石襯底同 側(cè)的P電極和n電極分別設(shè)于p型GaN層及n型GaN層。更進(jìn)一步地，前述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其中該p電極設(shè)有加厚層壓焊區(qū)，且 所述P電極加厚層壓焊區(qū)與第二引線壓焊區(qū)分布在n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板兩側(cè)，分別與電源 相連。本發(fā)明的另一個(gè)目的，也是本發(fā)明技術(shù)創(chuàng)新的動力是將該倒裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于光電 器件中倒裝型發(fā)光二極管或激光器的結(jié)構(gòu)改良及制造工藝之中。實(shí)施本發(fā)明的技術(shù)方案，較之于現(xiàn)有技術(shù)其優(yōu)點(diǎn)簡言之便是該藍(lán)寶石基新型倒 裝結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用能以相對較低的制造成本和簡化的制造工藝獲得高效的散熱性能，顯著提 高了發(fā)光二極管或激光器的性能，具有性能優(yōu)越、產(chǎn)能高、成本節(jié)約的綜合效益。為使本發(fā)明所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)及其用途更易于理解其實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)及 其所具的實(shí)用性，下面便結(jié)合附圖對本發(fā)明一具體實(shí)施例作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。但以下關(guān) 于實(shí)施例的描述及說明對本發(fā)明保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)藍(lán)寶石基倒裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖2是本發(fā)明藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖3a是本發(fā)明一實(shí)施例倒裝結(jié)構(gòu)的外觀俯視圖；圖3b是圖3a所示實(shí)施例的剖面示意圖；圖4a是本發(fā)明另一實(shí)施例倒裝結(jié)構(gòu)的外觀俯視圖；圖4b是圖4a所示實(shí)施例的剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式目前現(xiàn)有的倒裝LED都需要使用價(jià)格昂貴的倒裝焊設(shè)備，究其原因是這些設(shè)備可 以提供很高的對準(zhǔn)精度(幾個(gè)微米 十幾個(gè)微米)，可以保證壓焊區(qū)的間距盡可能小，防止 在倒裝過程中出現(xiàn)n電極和p電極的短路。為此，本發(fā)明設(shè)計(jì)了一種可以應(yīng)用于LED或激光器的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)。如 圖3所示，在制備LED或激光器基礎(chǔ)管芯的時(shí)候，制備厚度達(dá)到30 u m-200 y m的p電極加厚 層壓焊區(qū)22，LED或激光器基礎(chǔ)芯片(即藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片，以下簡稱基礎(chǔ)芯片) 的n電極23采用弓丨線技術(shù)通過引線24引出到n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板25的第一種弓丨線壓焊區(qū) 251，然后采用絕緣層26將引線24、LED或激光器基礎(chǔ)芯片的n電極23、n電極轉(zhuǎn)移基板的 第一種引線壓焊區(qū)251和p電極加厚層壓焊區(qū)22填充進(jìn)行電隔離，與外電源相連的第二引 出壓焊區(qū)254做在n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板25的另一側(cè)，實(shí)現(xiàn)n電極外接電源的引線壓焊區(qū)和 P電極加厚層壓焊區(qū)22在高度方向上的隔離。為此LED或激光器的倒裝，只要使用合金焊 料或金_金鍵合將LED或激光器的p型電極倒裝在熱沉上，由于p電極加厚層壓焊區(qū)22和 n電極外接電源引線壓焊區(qū)(即第二引線壓焊區(qū))254分布在n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板的兩側(cè)， 存在較大高度差，在倒裝過程中不存在由于倒裝位置不準(zhǔn)，合金焊料外溢，使LED或激光器 的P型電極和n型電極短路的問題，從而實(shí)現(xiàn)采用普通的回流爐就能實(shí)現(xiàn)LED或激光器的 倒裝，避免了使用價(jià)格昂貴的倒裝焊設(shè)備，從而起到節(jié)約成本、提高成品率、增加產(chǎn)能的作 用。其中，該藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片包括藍(lán)寶石襯底及自藍(lán)寶石襯底一側(cè)逐層覆 蓋的GaN緩沖層、n型GaN層、量子阱發(fā)光區(qū)、p型GaN層和帽層，所述量子阱發(fā)光區(qū)及p型 GaN層的面積小于n型GaN層，相對藍(lán)寶石襯底同側(cè)的p電極和n電極分別設(shè)于p型GaN層 及n型GaN層。結(jié)合附圖進(jìn)一步具體來看實(shí)施例一如圖3a、圖3b所示，展現(xiàn)了一種新型上下電極形式的藍(lán)寶石基倒裝LED器件的結(jié) 構(gòu)圖，圖3a是俯視示意圖，圖3b是剖面示意圖。藍(lán)寶石基LED基礎(chǔ)芯片包括外延基底21， P電極加厚層壓焊區(qū)22，n電極23，其中外延基底21還包括藍(lán)寶石襯底211，第一種半導(dǎo) 體材料212，器件有源區(qū)或量子阱213，第二種半導(dǎo)體材料214。第一半導(dǎo)體材料212是n型 GaN半導(dǎo)體，相應(yīng)地第二種半導(dǎo)體材料214是p型GaN半導(dǎo)體。n電極轉(zhuǎn)移基板25包括Si 轉(zhuǎn)移基板252，轉(zhuǎn)移基板上的第一電極引線壓焊區(qū)251，轉(zhuǎn)移基板上的第二電極引線壓焊區(qū) 254,Cu通孔互連253、通光孔255。采用引線鍵合方法通過金引線24，把藍(lán)寶石基LED基礎(chǔ) 芯片上的n電極23與n電極轉(zhuǎn)移基板上的第一電極引線壓焊區(qū)251連接在一起，實(shí)現(xiàn)電連 接。P電極加厚層壓焊區(qū)22、n電極23、轉(zhuǎn)移基板上的第一電極引線壓焊區(qū)251、引線24和 Si轉(zhuǎn)移基板252之間采用絕緣材料PI進(jìn)行電隔絕。將p電極加厚層壓焊區(qū)倒裝在散熱板 27上。當(dāng)在n電極轉(zhuǎn)移基板25上的第二電極引線壓焊區(qū)254和藍(lán)寶石基LED基礎(chǔ)芯片上 的P電極22或散熱板上27加上偏置電壓，電流順序流經(jīng)p電極加厚層壓焊區(qū)22、p型GaN 半導(dǎo)體214、器件有源區(qū)或量子阱213、第一種半導(dǎo)體材料212、n電極23、金引線24、第一電 極引線壓焊區(qū)251、Cu通孔互連253、第二電極引線壓焊區(qū)254，在有源區(qū)或量子阱213處激
5發(fā)出光，光從藍(lán)寶石面通過n電極轉(zhuǎn)移基板的通光孔255射出。實(shí)施例二如圖4a、圖4b所示，展現(xiàn)了一種新型上下電極形式的藍(lán)寶石基倒裝激光器的結(jié)構(gòu) 圖，圖4a是俯視示意圖，圖4b是剖面示意圖。藍(lán)寶石基GaN激光器基礎(chǔ)芯片包括外延基 底21，p電極及加厚層22，n電極23，其中外延基底21還包括藍(lán)寶石外延襯底211，第一 種半導(dǎo)體材料212，器件有源區(qū)或量子阱和反射鏡區(qū)213a，第二種半導(dǎo)體材料214。第一種 半導(dǎo)體材料212是n型GaN半導(dǎo)體，相應(yīng)地第二種半導(dǎo)體材料214是p型GaN半導(dǎo)體。n電 極轉(zhuǎn)移基板25包括Si轉(zhuǎn)移基板基體252，轉(zhuǎn)移基板上的第一電極引線壓焊區(qū)251，轉(zhuǎn)移基 板上的第二電極引線壓焊區(qū)254、Cu通孔互連253、側(cè)面通光孔255。采用引線鍵合方法通 過金引線24，把藍(lán)寶石基激光器基礎(chǔ)芯片上的n電極23與n電極轉(zhuǎn)移基板上的第一電極引 線壓焊區(qū)251連接在一起，實(shí)現(xiàn)電連接。p電極加厚層壓焊區(qū)22、n電極23、轉(zhuǎn)移基板上的 第一電極引線壓焊區(qū)251、引線24和Si轉(zhuǎn)移基板252之間采用絕緣材料PI進(jìn)行填充電隔 絕。將P電極加厚層壓焊區(qū)倒裝在散熱板上27上。當(dāng)在n電極轉(zhuǎn)移基板上的第二種電極 引線壓焊區(qū)254和藍(lán)寶石基激光器基礎(chǔ)芯片上的p電極22或散熱板27上加上偏置電壓， 電流順序流經(jīng)P電極加厚層壓焊區(qū)22、p型GaN半導(dǎo)體214、器件有源區(qū)或量子阱和反射鏡 區(qū)213a、第一種半導(dǎo)體材料212、n電極23、金引線24、第一電極引線壓焊區(qū)251、Cu通孔互 連253、第二電極引線壓焊區(qū)254，在有源區(qū)或量子阱和反射鏡區(qū)213處激發(fā)出光，從激光器 有源區(qū)或量子阱和反射鏡區(qū)213的端面及側(cè)面通光孔255射出。上述兩個(gè)實(shí)施例的詳細(xì)說明可見，本發(fā)明提供了一種簡化LED或激光器的倒裝工 藝、節(jié)約加工成本的新型LED或激光器的器件結(jié)構(gòu)，其結(jié)構(gòu)特征和核心原理是，利用n電極 導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板和引線鍵合技術(shù)，將先前已有的倒裝方法采用的n電極和p電極同時(shí)焊接的 工藝改變?yōu)橄炔捎靡€鍵合技術(shù)將LED或激光器的n電極引出到n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板上， 通過n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板將n電極的引出壓焊點(diǎn)轉(zhuǎn)移基板的另一側(cè)，使LED或激光器的n電 極和P電極的外引線壓焊點(diǎn)在上下位置上形成30 y m以上的間距，然后通過回流爐和焊料 將LED或激光器的p型電極倒裝焊接在散熱基板上。由于倒裝過程中不存在n電極和p電 極的同時(shí)焊接，無需精確對準(zhǔn)，不需要采用高精度的倒裝設(shè)備，降低了倒裝LED或激光器的 生產(chǎn)成本和工藝難度。其中引線鍵合的方法包括熱壓引線鍵合、熱壓超聲鍵合、超聲鍵合、 釬焊引線鍵合等除上述兩個(gè)實(shí)施例的描述以外，需要之處的是該器件各部分所用材料具有多樣 性，例如基礎(chǔ)芯片上的n電極和p電極及其加厚層、n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板的兩個(gè)壓焊區(qū)材料 包括以下單一材料Ti、Ag、Ni、Al、Au、Pt、Pd、Sn、In、Cr、Co、ITO、Cu、Fe、ATO、W、ZnO 等， 或其中幾種材料的復(fù)合體或其中某種材料與其它材料的復(fù)合體。該n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板本 身材料可以是透明材料或非透明材料，如Si、各種玻璃、PMMA和PI等有機(jī)物、PCB、A1203陶 瓷、A1N陶瓷、SiC陶瓷、SiC、AlN、金剛石、金屬或以上材料的復(fù)合結(jié)構(gòu)等。該引線材料的可 選范圍包括Au線、A1線、銅線、銀線、Pt線、Pd合金或以上幾種材料的符合材料。綜上所述，對本發(fā)明藍(lán)寶石基新型倒裝LED或激光器結(jié)構(gòu)的詳細(xì)介紹，旨在加深 對本發(fā)明實(shí)質(zhì)結(jié)構(gòu)及有益效果的理解，對保護(hù)范圍不構(gòu)成任何限制。但凡對于上述實(shí)施例 進(jìn)行的等同變換及等效替換，能夠?qū)崿F(xiàn)與本發(fā)明相同創(chuàng)作目的的技術(shù)方案，均落在本案請 求保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板、藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片、引線及絕緣填充材料，其中用于與藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片的n電極及電源分別相連的電極引線壓焊區(qū)位于n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板高度方向上的兩側(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移 基板包括第一引線壓焊區(qū)、第二引線壓焊區(qū)、導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板基體、通光孔、引線壓焊區(qū)間互 連、引線、通光孔及電隔絕填充材料，其中所述第一引線壓焊區(qū)與n電極同側(cè)，而所述第二 引線壓焊區(qū)設(shè)于n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板背向n電極方向的另一側(cè)，所述n電極通過引線、第一 引線壓焊區(qū)、引線壓焊區(qū)間互連引至第二引線壓焊區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述基礎(chǔ)芯片的n電 極與n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板的第一引線壓焊區(qū)之間通過壓焊鍵合的引線相連，所述引線包括 金線、鋁線、銅線、銀線、鉬金線、鈀合金線或以上幾種材料的復(fù)合材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述引線壓焊區(qū)間互 連包括貫通電極轉(zhuǎn)移基板通孔里的金屬互連及導(dǎo)電的n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述藍(lán)寶石基光電器 件基礎(chǔ)芯片包括藍(lán)寶石襯底及自藍(lán)寶石襯底一側(cè)逐層覆蓋的GaN緩沖層、n型GaN層、量子 阱發(fā)光區(qū)、P型GaN層和帽層，所述量子阱發(fā)光區(qū)及p型GaN層的面積小于n型GaN層，相 對藍(lán)寶石襯底同側(cè)的P電極和n電極分別設(shè)于p型GaN層及n型GaN層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述p電極設(shè)有加厚 層壓焊區(qū)，且所述P電極加厚層壓焊區(qū)與第二引線壓焊區(qū)分布在n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板兩側(cè)， 分別與電源相連。
7.權(quán)利要求1所述的藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)的用途，其特征在于所述倒裝結(jié)構(gòu)適用 于倒裝型發(fā)光二極管或激光器。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板、藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片、引線及絕緣填充材料，其中用于與藍(lán)寶石基光電器件基礎(chǔ)芯片的n電極及電源分別相連的電極引線壓焊區(qū)位于n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板高度方向上的兩側(cè)。特別是應(yīng)用于光電器件后基礎(chǔ)芯片的p電極加厚層倒裝壓焊區(qū)與第二引線壓焊區(qū)分布在n電極導(dǎo)電轉(zhuǎn)移基板兩側(cè)，分別獨(dú)立與電源焊裝；且基礎(chǔ)芯片的n電極壓焊區(qū)與第一引線壓焊區(qū)之間采用引線電連接，而非采用倒裝焊接。本發(fā)明的該藍(lán)寶石基新型倒裝結(jié)構(gòu)及其應(yīng)用能以相對較低的制造成本獲得高效的散熱性能，顯著提高了發(fā)光二極管或激光器的性能，具有性能優(yōu)越、產(chǎn)能高、成本節(jié)約的綜合效益。
文檔編號H01L33/48GK101859863SQ20101016558
公開日2010年10月13日 申請日期2010年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月7日
發(fā)明者張寶順, 楊輝, 王敏銳, 蔡勇 申請人:中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所