芯片級封裝led的封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種LED封裝技術(shù)，尤其是指一種芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的LED封裝結(jié)構(gòu)均需采用支架或者基板作為LED芯片的支撐載體，支架或者基板設(shè)置有正負(fù)極，通過鍵合芯片的正負(fù)極完成封裝產(chǎn)品的電性連接；然后，再用膠體或者混合熒光粉的膠體對芯片進(jìn)行封裝而得到LED封裝品，支架或者基板一般設(shè)置有具有一定反射面的反射腔體或者基板反射層，可以有效提高芯片出光的萃取率。
[0003]而圖1所示結(jié)構(gòu)是基于倒裝晶片的新型的芯片級封裝LED (CSP LED ；Chip ScalePackage LED)，這種封裝結(jié)構(gòu)的芯片I底面設(shè)有電極2，直接在芯片I的上表面和側(cè)面封裝上封裝膠體3，使底面的電極2外露，由于這種封裝結(jié)構(gòu)并無支架或基板，可降低了封裝產(chǎn)品的熱阻和成本，但是，由于缺少了具有高反射效果的支架反射碗杯結(jié)構(gòu)或者基板反射層，使得這一封裝結(jié)構(gòu)的光萃取率低于傳統(tǒng)LED封裝結(jié)構(gòu)，這一缺陷也嚴(yán)重影響到了 CSP LED的性價比以及應(yīng)用推廣。
【實用新型內(nèi)容】
[0004]本實用新型實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，可有效提升光萃取率。
[0005]為了解決上述技術(shù)問題，本實用新型采用如下技術(shù)方案:一種芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括底面設(shè)有電極的LED芯片及封裝于所述LED芯片頂面和側(cè)面的封裝膠體，所述封裝膠體的如下部位中的至少一個部位設(shè)置有反射面:底部和側(cè)面。
[0006]進(jìn)一步地，所述反射面是自封裝膠體的底部延伸至側(cè)面的反射曲面或反射平面。
[0007]進(jìn)一步地，所述反射面是通過在封裝膠體的外壁面相應(yīng)位置處電鍍或噴涂一層高反射層而形成的反射面。
[0008]進(jìn)一步地，所述封裝膠體是透明膠體、熒光粉混合膠體或者擴散粉混合膠體。
[0009]本實用新型的有益效果是:通過在封裝膠體的底面及/或側(cè)面設(shè)置具有高反射性能的反射面，可有效避免光線從封裝膠體的底部或側(cè)面射出而無法形成有效光萃取的缺陷，從而可以提升產(chǎn)品的光萃取效率，減少光損失；此外，在封裝膠體的側(cè)面和底部設(shè)計反射面，還可很好地調(diào)控產(chǎn)品出光角度，有助于形成單一出光面，從而更利于產(chǎn)品在不同應(yīng)用場合的使用匹配度。本實用新型可廣泛應(yīng)用于背光、照明等方面等芯片級封裝LED產(chǎn)品的制備。
【附圖說明】
[0010]圖1是現(xiàn)有芯片級封裝LED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0011]圖2是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)的實施例1結(jié)構(gòu)示意圖。
[0012]圖3是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)的實施例2結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)的實施例3結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5是本實用新型芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)的實施例4結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0015]需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的特征可以相互結(jié)合，下面結(jié)合附圖和具體實施例對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0016]本實用新型提供一種芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片I及封裝于所述LED芯片I頂面和側(cè)面的封裝膠體3，所述LED芯片I的底面設(shè)有電極2，所述封裝膠體3的如下部位中的至少一個部位設(shè)置有反射面:底部和側(cè)面。
[0017]如圖2所示的實施例1，僅在所述封裝膠體3的底面設(shè)有第一反射面40。而在如圖3所示的實施例2中，則是在實施例1的基礎(chǔ)上，在封裝膠體3的側(cè)面也設(shè)有第二反射面42 ο
[0018]此外，所述反射面也還可以是自封裝膠體3的底部延伸至側(cè)面的反射曲面或反射平面，例如:圖4所示的實施例3即是采用了自封裝膠體3的底部延伸至側(cè)面的反射曲面44的設(shè)計，而圖5所示的實施例4則是采用了自封裝膠體3的底部延伸至側(cè)面的反射平面46的設(shè)計。
[0019]具體地，所述反射面可以是通過在封裝膠體3的外壁面相應(yīng)位置處鍍上一層金屬層而形成的反射面。
[0020]所述封裝膠體3可以采用透明膠體、熒光粉混合膠體或者擴散粉混合膠體等各種常規(guī)的封裝膠體。
[0021]通過在封裝膠體3的底面及/或側(cè)面設(shè)置具有高反射性能的反射面，可有效避免光線從封裝膠體3的底部或側(cè)面射出而無法形成有效光萃取的缺陷，從而可以提升產(chǎn)品的光萃取效率，減少光損失；此外，在封裝膠體3的側(cè)面和底部設(shè)計反射面，還可很好地調(diào)控產(chǎn)品出光角度，有助于形成單一出光面，從而更利于產(chǎn)品在不同應(yīng)用場合的使用匹配度。本實用新型可廣泛應(yīng)用于背光、照明等方面等芯片級封裝LED產(chǎn)品的制備。
[0022]以上所述是本實用新型的【具體實施方式】，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本實用新型的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項】
1.一種芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括底面設(shè)有電極的LED芯片及封裝于所述LED芯片頂面和側(cè)面的封裝膠體，其特征在于，所述封裝膠體的如下部位中的至少一個部位設(shè)置有反射面:底部和側(cè)面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射面是自封裝膠體的底部延伸至側(cè)面的反射曲面或反射平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射面是分別設(shè)置于封裝膠體的底部和側(cè)面且彼此銜接的反射平面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述反射面是通過在封裝膠體的外壁面相應(yīng)位置處電鍍或噴涂一層高反射層而形成的反射面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝膠體是透明膠體。
【專利摘要】本實用新型公開一種芯片級封裝LED的封裝結(jié)構(gòu)，包括底面設(shè)有電極的LED芯片及封裝于所述LED芯片頂面和側(cè)面的封裝膠體，所述封裝膠體的如下部位中的至少一個部位設(shè)置有反射面：底部和側(cè)面。所述反射面是自封裝膠體的底部延伸至側(cè)面的反射曲面或反射平面。本實用新型通過在封裝膠體底面及/或側(cè)面設(shè)置具有高反射性能的反射面，可有效避免光線從封裝膠體的底部或側(cè)面射出而無法形成有效光萃取的缺陷，從而可提升產(chǎn)品的光萃取效率，減少光損失；此外，在封裝膠體側(cè)面和底部設(shè)計反射面，還可很好地調(diào)控產(chǎn)品出光角度，有助于形成單一出光面，從而更利于產(chǎn)品在不同應(yīng)用場合的使用匹配度。本實用新型可廣泛應(yīng)用于背光、照明等方面等芯片級封裝LED產(chǎn)品的制備。
【IPC分類】H01L33-48, H01L33-60
【公開號】CN204289504
【申請?zhí)枴緾N201420401596
【發(fā)明人】曹宇星
【申請人】深圳市瑞豐光電子股份有限公司
【公開日】2015年4月22日
【申請日】2014年7月18日