一種電致發(fā)光器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種電致發(fā)光器件及其制作方法。該電致發(fā)光器件包括位于襯底基板上的陰極電極層，所述陰極電極層為具有至少一種透明金屬材料的共蒸膜層；還包括：位于所述陰極電極層上的輔助陰極層，所述輔助陰極層的材料為至少一種透明金屬材料。該方案中，在陰極電極層上設(shè)置了輔助陰極層，該輔助陰極層采用透明金屬材料，能夠較好的滿足器件對(duì)透過率的需求，可在保證電子注入能力和透過率的前提下，降低方塊電阻，有利于提升驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)定性，提升顯示畫質(zhì)；且該輔助陰極層與陰極電極層中均具有透明金屬材料，因而在生產(chǎn)過程中，可以利用同一種工藝制備，不會(huì)使得工藝復(fù)雜化，有利于提高生產(chǎn)效率。
【專利說明】
-種電致發(fā)光器件及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其設(shè)及一種電致發(fā)光器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 現(xiàn)有技術(shù)中的有機(jī)發(fā)光二極管(OrCanic Light-emitting Diode,OLED)器件，包 括頂發(fā)射型化抓，該頂發(fā)射型化抓的光從陰極電極層一側(cè)出射，因而陰極電極層不僅要具 有較佳的電子注入能力和較低的方塊電阻，還要具有較佳的透過率。
[0003] 現(xiàn)有的一種陰極電極層是采用低功函數(shù)金屬(功函數(shù)低于4.OeV)和高功函數(shù)金屬 (功函數(shù)高于4.OeV)共蒸得到的共蒸膜層，例如，由儀(Mg)和銀(Ag)共蒸得到的共蒸膜層， 在該共蒸膜層中，為了得到較佳的電子注入能力，增加Mg和Ag的比例，但是透過率會(huì)降低， 為了保證較佳的透過率，就必須將陰極做的很薄，但是運(yùn)樣會(huì)導(dǎo)致方塊電阻增加，驅(qū)動(dòng)電壓 升高，且電壓穩(wěn)定性降低。為了解決該問題，現(xiàn)有技術(shù)的方案中，有在陰極電極層上制作石 墨締輔助陰極層的方案，但是由于該石墨締輔助陰極層的材料與陰極電極層的材料是完全 不同的種類，需要不同的工藝制備，導(dǎo)致工藝復(fù)雜化，降低了生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明實(shí)施例的目的是提供一種電致發(fā)光器件及其制作方法，用于解決在保證陰 極電極層電子注入能力和透過率的前提下，降低方塊電阻且不增加工藝復(fù)雜度的問題。
[0005] 本發(fā)明實(shí)施例的目的是通過W下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的：
[0006] -種電致發(fā)光器件，包括位于襯底基板上的陰極電極層，所述陰極電極層為具有 至少一種透明金屬材料的共蒸膜層;還包括:位于所述陰極電極層上的輔助陰極層，所述輔 助陰極層的材料為至少一種透明金屬材料。
[0007] 較佳地，所述輔助陰極層中的至少一種透明金屬材料與所述共蒸膜層中的至少一 種透明金屬材料相同。
[000引較佳地，所述共蒸膜層還包括:無機(jī)化合物，導(dǎo)電有機(jī)物，或功函數(shù)低于所述共蒸 膜層中的透明金屬材料的金屬。
[0009] 較佳地，所述共蒸膜層中的透明金屬材料的功函數(shù)高于4.OeV;所述共蒸膜層中的 金屬的功函數(shù)低于4. OeV。
[0010] 較佳地，所述輔助陰極層中的透明金屬材料為透明金屬銀Ag或透明金屬侶Al。
[0011] 較佳地，所述共蒸膜層中的透明金屬材料為透明金屬Ag或透明金屬Al;所述功函 數(shù)低于所述共蒸膜層中的透明金屬材料的金屬為金屬儀Mg,金屬巧化，金屬鏡化或金屬筑 Sc;所述無機(jī)化合物的材料為氣化裡LiF;所述導(dǎo)電有機(jī)物的材料為哇嘟裡或獻(xiàn)菁類衍生 物。
[0012] 較佳地，所述輔助陰極層中的透明金屬材料為透明金屬Ag;所述共蒸膜層中的透 明金屬材料為透明金屬Ag,所述功函數(shù)低于所述共蒸膜層中的透明金屬材料的金屬為金屬 Mg。
[OOU]較佳地，所述共蒸膜層中的Mg與Ag的粒子濃度的共蒸比例范圍為1:1~20:1;
[0014]所述共蒸膜層的膜層厚度范圍是50 A~150A;
[001引所述輔助陰極層的膜層厚度范圍;^200A~500A;
[0016] 所述共蒸膜層和所述輔助陰極層的總透過率的范圍是30%~50%。
[0017] 較佳地，所述輔助陰極層的透明金屬材料為透明金屬Al;所述共蒸膜層中的透明 金屬材料為透明金屬Al，所述無機(jī)化合物的材料為L(zhǎng)iF。
[0018] 較佳地，所述輔助陰極層的透明金屬材料為透明金屬Al;所述共蒸膜層中的透明 金屬材料為透明金屬Al，所述導(dǎo)電有機(jī)物的材料為哇嘟裡。
[0019] 較佳地，所述輔助陰極層包覆所述陰極電極層的表面。
[0020] 較佳地，所述電致發(fā)光器件為頂發(fā)射型有機(jī)發(fā)光二極管0LED。
[0021 ] -種電致發(fā)光器件的制作方法，該方法包括：
[0022] 在襯底基板上形成陰極電極層;所述陰極電極層為具有至少一種透明金屬材料的 共黒胺層；
[0023] 在形成有所述陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極層;所述輔助陰極層的材料 為至少一種所述透明金屬材料。
[0024] 較佳地，在襯底基板上形成陰極電極層之前，該方法還包括:根據(jù)所需的所述陰極 電極層和所述輔助陰極層的目標(biāo)總透過率，確定所述陰極電極層的預(yù)設(shè)透過率和所述輔助 陰極層的預(yù)設(shè)透過率；
[0025] 根據(jù)預(yù)先確定的在不同共蒸比例時(shí)所述陰極電極層的膜層厚度與透過率的擬合 關(guān)系，所述輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，W及確定出的所述陰極電極層的 預(yù)設(shè)透過率和所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)透過率，分別確定所述陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和 所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度；
[0026] 根據(jù)所述陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度在白玻璃上形成陰極電極層，根據(jù)所述陰極 電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度在形成有陰極電極層的白玻璃上形成輔助陰極層，并測(cè)量該陰極電 極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率;將該陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率與 所述目標(biāo)總透過率進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算透過率誤差，并判斷該透過率誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；
[0027] 如果是，則確定所述陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚 度校正準(zhǔn)確，否則，根據(jù)陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率與所述目標(biāo)總透過率 的差值，W及所述輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，調(diào)整所述輔助陰極層的預(yù) 設(shè)膜層厚度。
[0028] 較佳地，在襯底基板上形成陰極電極層，包括：
[0029] 根據(jù)校正準(zhǔn)確后的所述陰極電極層的膜層厚度，按照相應(yīng)的共蒸比例在襯底基板 上形成所述陰極電極層；
[0030] 在形成有所述陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極層，包括：
[0031] 根據(jù)校正準(zhǔn)確后的所述輔助陰極層的膜層厚度，在形成有所述陰極電極層的襯底 基板上形成輔助陰極層。
[0032] 較佳地，所述輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系可W是通過如下方式確 定的：蒸鍛不同膜層厚度的輔助陰極層并測(cè)試透過率，對(duì)各膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行 擬合得到擬合關(guān)系；
[0033] 在不同共蒸比例時(shí)所述陰極電極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系可W是通過 如下方式確定的：在一定共蒸比例下，蒸鍛不同膜層厚度的陰極電極層并測(cè)試透過率，對(duì)各 膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合得到擬合關(guān)系；其中，蒸鍛的陰極電極層的膜層厚度在 預(yù)設(shè)厚度范圍內(nèi)。
[0034] 本發(fā)明實(shí)施例的有益效果如下：
[0035] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電致發(fā)光器件及其制作方法中，在陰極電極層上設(shè)置了 輔助陰極層，增加了膜層厚度，該輔助陰極層采用透明金屬材料，能夠較好的滿足器件對(duì)透 過率的需求，可在保證電子注入能力和透過率的前提下，降低方塊電阻，有利于提升驅(qū)動(dòng)電 壓的穩(wěn)定性，提升顯示畫質(zhì);且該輔助陰極層與陰極電極層中均具有透明金屬材料，因而在 生產(chǎn)過程中，可W利用同一種工藝制備，不會(huì)使得工藝復(fù)雜化，有利于提高生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0036] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038] 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電致發(fā)光器件的制作方法流程圖；
[0039] 圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的又一種電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0040] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的一種電致發(fā)光器件及其制作方法進(jìn)行更 詳細(xì)地說明。附圖中各膜層的厚度和形狀不反映真實(shí)比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0041] 本發(fā)明實(shí)施例提供一種電致發(fā)光器件，如圖1所示，包括位于襯底基板Ol上的陰極 電極層02,陰極電極層02為具有至少一種透明金屬材料的共蒸膜層;還包括:位于陰極電極 層02上的輔助陰極層03,輔助陰極層03的材料為至少一種透明金屬材料。
[0042] 本發(fā)明實(shí)施例中，在陰極電極層上設(shè)置了輔助陰極層，增加了膜層厚度，該輔助陰 極層采用透明金屬材料，能夠較好的滿足器件對(duì)透過率的需求，可在保證電子注入能力和 透過率的前提下，降低方塊電阻，有利于提升驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)定性，提升顯示畫質(zhì);且該輔助 陰極層與陰極電極層中均具有透明金屬材料，因而在生產(chǎn)過程中，可W利用同一種工藝制 備，不會(huì)使得工藝復(fù)雜化，有利于提高生產(chǎn)效率。
[0043] 較佳地，輔助陰極層中的至少一種透明金屬材料與共蒸膜層中的至少一種透明金 屬材料相同。運(yùn)樣，輔助陰極層采用的透明金屬材料與陰極電極層中具有的透明金屬材料 相同，因而在生產(chǎn)過程中，可W進(jìn)一步簡(jiǎn)化工藝，提高生產(chǎn)效率。
[0044] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，上述共蒸膜層還包括:無機(jī)化合物，導(dǎo)電有機(jī)物，或功函數(shù)低 于該共蒸膜層中的透明金屬材料的金屬。
[0045] 本實(shí)施例中的共蒸膜層，可W是透明金屬材料與無機(jī)化合物的共蒸膜層，可W是 透明金屬材料與導(dǎo)電有機(jī)物的共蒸膜層，還可W是透明金屬材料與功函數(shù)低于該透明金屬 材料的至少一種金屬的共蒸膜層。
[0046] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，共蒸膜層中的透明金屬材料的功函數(shù)高于4.OeV;共蒸膜層 中的金屬的功函數(shù)低于4.OeV。本實(shí)施例中，共蒸膜層中的透明金屬材料為高功函數(shù)的透明 金屬材料，共蒸膜層中的金屬為低功函數(shù)的透明金屬材料。
[0047] 具體實(shí)施時(shí)，輔助陰極層中的透明金屬材料有多種，較佳地，輔助陰極層中的透明 金屬材料可W為透明金屬Ag或透明金屬侶(Al)。
[0048] 具體實(shí)施時(shí)，較佳地，共蒸膜層中的透明金屬材料可W但不限于為透明金屬Ag或 透明金屬Al;功函數(shù)低于共蒸膜層中的透明金屬材料的金屬可W但不限于為金屬M(fèi)g,金屬 巧(Ca)，金屬鏡(Yb)或金屬筑(Sc)。本實(shí)施例中，共蒸膜層中的透明金屬材料Ag和Al為功函 數(shù)高于4.OeV的透明高功函數(shù)金屬，可耐腐蝕;共蒸膜層中的金屬M(fèi)g,化，孔或Sc為功函數(shù)低 于4. OeV的低功函數(shù)金屬，可作為電子發(fā)射材料。
[0049] 在一種可能的實(shí)施例中，較佳地，輔助陰極層中的透明金屬材料為透明金屬Ag;共 蒸膜層中的透明金屬材料為透明金屬Ag,功函數(shù)低于共蒸膜層中的透明金屬材料為金屬 Mg。實(shí)施中，較佳地，共蒸膜層中的Mg與Ag的粒子濃度的共蒸比例范圍為1:1~20:1;共蒸膜 層的膜層厚度范圍是50A~150A;輔助陰極層的膜層厚度范圍是200 A~500 A;共蒸膜 層和輔助陰極層的總透過率的范圍是30%~50%。本實(shí)施例中，Mg與Ag的粒子濃度的共蒸 比例范圍可W有效的保證電子注入能力，且陰極電極層的厚度與現(xiàn)有技術(shù)中的膜層厚度范 圍IOOA~200A相比，大大減小了，又由于在陰極電極層上還設(shè)置有輔助陰極層，即透明金 屬Ag膜層，該透明金屬Ag膜層在降低方塊電阻的同時(shí)，又能夠保證有較佳的透過率。另外， 陰極電極層中有透明金屬Ag,輔助陰極層中也利用了透明金屬Ag,可W在采用相同的制備 工藝。因而，本實(shí)施的方案，實(shí)現(xiàn)了在保證陰極電極層電子注入能力和透過率的前提下，降 低方塊電阻且不增加工藝復(fù)雜度。
[0050] 較佳地，共蒸膜層中的Mg與Ag的粒子濃度的共蒸比例范圍為5:1~10:1。
[0051] 基于W上相關(guān)實(shí)施例，無機(jī)化合物的材料可W但不限于為氣化裡化iF)?；诖?， 在另一種可能的實(shí)施例中，較佳地，輔助陰極層的透明金屬材料為透明金屬Al;共蒸膜層中 的透明金屬材料為金屬Al,無機(jī)化合物的材料為L(zhǎng)iF。本實(shí)施例中，共蒸膜層中的Al與LiF的 粒子濃度的共蒸比例范圍、膜層厚度范圍等等可W根據(jù)實(shí)際需要設(shè)置，在此不做具體限定。
[0052] 基于W上相關(guān)實(shí)施例，導(dǎo)電有機(jī)物的材料可W但不限于為哇嘟裡或獻(xiàn)菁類衍生 物。相應(yīng)的，在又一種可能的實(shí)施例中，較佳地，輔助陰極層的透明金屬材料為透明金屬Al; 共蒸膜層中的透明金屬材料為透明金屬Al,導(dǎo)電有機(jī)物的材料為哇嘟裡。本實(shí)施例中，共蒸 膜層中的Al與哇嘟裡的粒子濃度的共蒸比例范圍、膜層厚度范圍等等可W根據(jù)實(shí)際需要設(shè) 置，在此不做具體限定。
[0053] 基于W上任意實(shí)施例，較佳地，如圖2所示，輔助陰極層03包覆陰極電極層02的表 面。運(yùn)樣，輔助陰極層03可W對(duì)陰極電極層02起到保護(hù)作用。
[0054] 基于W上任意實(shí)施例，較佳地，電致發(fā)光器件為頂發(fā)射型0LED。
[0055] 基于同樣的發(fā)明構(gòu)思，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電致發(fā)光器件的制作方法，如圖3 所示，該方法至少包括如下步驟：
[0056] 步驟310、在襯底基板上形成陰極電極層;該陰極電極層為具有至少一種透明金屬 材料的共蒸膜層；
[0057] 步驟320、在形成有陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極層;該輔助陰極層的材 料為至少一種透明金屬材料。
[0058] 本發(fā)明實(shí)施例中，在陰極電極層上設(shè)置了輔助陰極層，增加了膜層厚度，該輔助陰 極層采用透明金屬材料，能夠較好的滿足器件對(duì)透過率的需求，可在保證電子注入能力和 透過率的前提下，降低方塊電阻，有利于提升驅(qū)動(dòng)電壓的穩(wěn)定性，提升顯示畫質(zhì);且該輔助 陰極層與陰極電極層中均具有透明金屬材料，因而在生產(chǎn)過程中，可W利用同一種工藝制 備，不會(huì)使得工藝復(fù)雜化，有利于提高生產(chǎn)效率。
[0059] 在制作過程中，對(duì)陰極電極層的膜層厚度，輔助陰極層的膜層厚度，陰極電極層和 輔助陰極層的總透過率的精確控制，是得到穩(wěn)定性較佳的器件的重要因素。本發(fā)明實(shí)施例 中，需要按照陰極電極層和輔助陰極層的目標(biāo)總透過率（即實(shí)際需要的總透過率），分配陰 極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度。因而需要事先對(duì)陰極電極層的預(yù) 設(shè)膜層厚度，輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度，相應(yīng)的陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透 過率進(jìn)行校正，W避免影響對(duì)器件的其它參數(shù)的控制。為了實(shí)現(xiàn)對(duì)陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層 厚度，輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度，陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率的精準(zhǔn)控 審IJ，本發(fā)明實(shí)施例提供了相應(yīng)的校正方式。具體如下：
[0060] 較佳地，在襯底基板上形成陰極電極層之前，本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法還包 括:根據(jù)所需的陰極電極層和輔助陰極層的目標(biāo)總透過率，確定陰極電極層的預(yù)設(shè)透過率 和輔助陰極層的預(yù)設(shè)透過率；
[0061] 根據(jù)預(yù)先確定的在不同共蒸比例時(shí)陰極電極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系， 輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，W及確定出的陰極電極層的預(yù)設(shè)透過率和輔 助陰極層的預(yù)設(shè)透過率，分別確定陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚 度；
[0062] 根據(jù)陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度在白玻璃上形成陰極電極層，根據(jù)陰極電極層的 預(yù)設(shè)膜層厚度在形成有陰極電極層的白玻璃上形成輔助陰極層，并測(cè)量陰極電極層和輔助 陰極層的實(shí)際的總透過率;將該陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率與目標(biāo)總透過 率進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算透過率誤差，并判斷該透過率誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)；
[0063] 如果是，則確定陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度校正準(zhǔn) 確，否則，根據(jù)實(shí)際的總透過率與目標(biāo)總透過率的差值，W及輔助陰極層的膜層厚度與透過 率的擬合關(guān)系，調(diào)整輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度。
[0064] 基于此，相應(yīng)的，上述步驟310中，在襯底基板上形成陰極電極層，具體可W是：根 據(jù)校正準(zhǔn)確后的陰極電極層的膜層厚度，按照相應(yīng)的共蒸比例在襯底基板上形成陰極電極 層;上述步驟320中，在形成有陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極層，具體可W是:根據(jù) 校正準(zhǔn)確后的輔助陰極層的膜層厚度，在形成有陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極 層。
[0065] 其中，輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系可W是通過如下方式確定的： 蒸鍛不同膜層厚度的輔助陰極層并測(cè)試透過率，對(duì)各膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合得 到擬合關(guān)系。
[0066] 其中，在不同共蒸比例時(shí)陰極電極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系可W是通過 如下方式確定的：在一定共蒸比例下，蒸鍛不同膜層厚度的陰極電極層并測(cè)試透過率，對(duì)各 膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合得到擬合關(guān)系。其中，蒸鍛的陰極電極層的膜層厚度在 預(yù)設(shè)厚度范圍內(nèi)。其中，預(yù)設(shè)厚度范圍可W是200A~800A，較佳地，該預(yù)設(shè)厚度范圍為 300A~500 A。運(yùn)樣，預(yù)設(shè)厚度相對(duì)較厚，如果陰極電極層發(fā)生氧化對(duì)膜層厚度的影響也相 對(duì)較小，可W忽略，得到的擬合關(guān)系越準(zhǔn)確。
[0067] 下面W電致發(fā)光器件為頂發(fā)射型OLm)器件為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電致 發(fā)光器件及其制作方法進(jìn)行更加詳細(xì)地描述。
[0068] 本實(shí)施例中的電致發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)如圖4所示，包括:襯底基板01，依次層疊 在襯底基板上的陽極層04、空穴注入層05、空穴傳輸層06、電致發(fā)光層07、電子傳輸層08、電 子注入層09、陰極電極層02、輔助陰極層03、光取出層10。其中，陰極電極層02為金屬M(fèi)g與透 明金屬Ag的共蒸膜層，輔助陰極層03為Ag膜層，輔助陰極層03包覆陰極電極層02的表面，W 便保護(hù)陰極電極層02。
[00例其中，Mg與Ag的共蒸膜層中，Mg與Ag的粒子濃度的共蒸比例范圍為5:1~10:1 ;Mg 與Ag的共蒸膜層的膜層厚度范圍是50A:~150朵;Ag膜層的膜層厚度范圍是200A~500A; Mg與Ag的共蒸膜層和Ag膜層的總透過率的范圍是30%~50%。
[0070] 下面對(duì)上述圖4所示的電致發(fā)光器件的制作流程進(jìn)行具體介紹：
[0071] -、預(yù)先對(duì)Ag膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度，Mg與Ag的共蒸膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度，Mg與Ag的 共蒸膜層和Ag膜層的實(shí)際的總透過率進(jìn)行校正。
[0072] 首先，預(yù)先確定Ag膜層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，具體的，蒸鍛不同膜層厚 度的Ag膜層并測(cè)試透過率，對(duì)各膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合，得到Ag膜層的膜層厚 度與透過率的擬合關(guān)系。還要預(yù)先確定在實(shí)際需要的共蒸比例時(shí)Mg與Ag的共蒸膜層的膜層 厚度與透過率的擬合關(guān)系，具體的，在實(shí)際需要的共蒸比例下，蒸鍛不同膜層厚度的Mg與Ag 的共蒸膜層并測(cè)試透過率，對(duì)各膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合，得到Mg與Ag的共蒸膜 層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系。其中，蒸鍛的Mg與Ag的共蒸膜層的膜層厚度在 3娜A~撕0 A。
[0073] 然后，根據(jù)所需的Mg與Ag的共蒸膜層和Ag膜層在500nm的可見光下的目標(biāo)總透過 率，確定Mg與Ag的共蒸膜層的預(yù)設(shè)透過率和Ag膜層的預(yù)設(shè)透過率。其中的目標(biāo)總透過率的 范圍是30%~50%?；赪上確定的Ag膜層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，在實(shí)際需要 的共蒸比例時(shí)Mg與Ag的共蒸膜層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，W及確定的Mg與Ag的共 蒸膜層的預(yù)設(shè)透過率和Ag膜層的預(yù)設(shè)透過率，分別確定Mg與Ag的共蒸膜層的預(yù)設(shè)膜層厚 度、Ag膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度。
[0074] 在干凈的白玻璃上根據(jù)確定的Mg與Ag的共蒸膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度，按照相應(yīng)的共 蒸比例形成Mg與Ag的共蒸膜層;根據(jù)確定的Ag膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度，在該Mg與Ag的共蒸膜 層上蒸鍛Ag膜層;利用紫外可見分光光度計(jì)，測(cè)量Mg與Ag的共蒸膜層W及Ag膜層在500nm可 見光下的實(shí)際的總透過率;將測(cè)量的實(shí)際的總透過率與所需的Mg與Ag的共蒸膜層和Ag膜層 的目標(biāo)總透過率進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算透過率誤差;判斷該透過率誤差是否在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)；如 果是，則判斷確定的Mg與Ag的共蒸膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度和Ag膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度是校正準(zhǔn) 確的；否則，根據(jù)實(shí)際的總透過率與目標(biāo)總透過率的差值，Ag膜層的膜層厚度與透過率的擬 合關(guān)系，對(duì)Ag膜層的預(yù)設(shè)膜層厚度進(jìn)行調(diào)整，W使得實(shí)際的總透過率與目標(biāo)總透過率相比 在預(yù)設(shè)誤差范圍內(nèi)。
[0075] 二、在上述流程基礎(chǔ)上，進(jìn)行如下制作步驟：
[0076] 步驟一、在襯底基板上依次形成層疊的陽極層04、空穴注入層05、空穴傳輸層06、 電致發(fā)光層07、電子傳輸層08和電子注入層09。
[0077] 步驟二、根據(jù)實(shí)際需要的共蒸比例，W及校正準(zhǔn)確后的Mg與Ag的共蒸膜層的膜層 厚度，在步驟一形成的襯底基板上蒸鍛^te與Ag的共蒸膜層(即陰極電極層02)。
[0078] 步驟S、根據(jù)校正準(zhǔn)確后的Ag膜層的膜層厚度，在蒸鍛有Mg與Ag的共蒸膜層的襯 底基板上蒸鍛包覆該Mg與Ag的共蒸膜層的表面的Ag膜層(即輔助陰極層03)。
[0079] 步驟四、在Ag膜層上形成光取出層10。
[0080] 本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電致發(fā)光器件及其制作方法中，在陰極電極層上設(shè)置了 輔助陰極層，增加了膜層厚度，該輔助陰極層采用透明金屬材料，能夠較好的滿足器件對(duì)透 過率的需求，可在保證電子注入能力和透過率的前提下，降低方塊電阻，有利于提升驅(qū)動(dòng)電 壓的穩(wěn)定性，提供顯示畫質(zhì)；且該輔助陰極采用的透明金屬材料與陰極電極層中具有的透 明金屬材料相同，因而在生產(chǎn)過程中，可W利用與該陰極電極層同樣的工藝制備，不會(huì)使得 工藝復(fù)雜化，有利于提高生產(chǎn)效率。
[0081] 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可W對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。運(yùn)樣，倘若本發(fā)明的運(yùn)些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含運(yùn)些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種電致發(fā)光器件，包括位于襯底基板上的陰極電極層，所述陰極電極層為具有至 少一種透明金屬材料的共蒸膜層;其特征在于，還包括:位于所述陰極電極層上的輔助陰極 層，所述輔助陰極層的材料為至少一種透明金屬材料。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助陰極層中的至少一種透 明金屬材料與所述共蒸膜層中的至少一種透明金屬材料相同。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述共蒸膜層還包括:無機(jī)化 合物，導(dǎo)電有機(jī)物，或功函數(shù)低于所述共蒸膜層中的透明金屬材料的金屬。4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述共蒸膜層中的透明金屬材料 的功函數(shù)高于4. OeV;所述共蒸膜層中的金屬的功函數(shù)低于4. OeV。5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助陰極層中的透明金屬材 料為透明金屬銀Ag或透明金屬侶A1。6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述共蒸膜層中的透明金屬材料 為透明金屬Ag或透明金屬A1;所述功函數(shù)低于所述共蒸膜層中的透明金屬材料的金屬為金 屬儀Mg，金屬巧化，金屬鏡孔或金屬筑Sc;所述無機(jī)化合物的材料為氣化裡LiF;所述導(dǎo)電有 機(jī)物的材料為哇嘟裡或獻(xiàn)菁類衍生物。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助陰極層中的透明金屬材 料為透明金屬Ag;所述共蒸膜層中的透明金屬材料為透明金屬Ag，所述功函數(shù)低于所述共 蒸膜層中的透明金屬材料的金屬為金屬M(fèi)g。8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述共蒸膜層中的Mg與Ag的粒子 濃度的共蒸比例范圍為1:1~20:1; 所述共蒸膜層的膜層厚度范圍是50 A~1 50Λ; 所述輔助陰極層的膜層厚度范圍;^200Α~500Α; 所述共蒸膜層和所述輔助陰極層的總透過率的范圍是30%~50%。9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助陰極層的透明金屬材料 為透明金屬Α1;所述共蒸膜層中的透明金屬材料為透明金屬Α1，所述無機(jī)化合物的材料為 LiF。10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助陰極層的透明金屬材 料為透明金屬A1;所述共蒸膜層中的透明金屬材料為透明金屬A1，所述導(dǎo)電有機(jī)物的材料 為哇嘟裡。11. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述輔助陰極層包覆所述陰 極電極層的表面。12. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電致發(fā)光器件為頂發(fā)射 型有機(jī)發(fā)光二極管0LED。13. -種電致發(fā)光器件的制作方法，其特征在于，該方法包括： 在襯底基板上形成陰極電極層;所述陰極電極層為具有至少一種透明金屬材料的共蒸 胺層； 在形成有所述陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極層;所述輔助陰極層的材料為至 少一種透明金屬材料。14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板上形成陰極電極層之 前，該方法還包括:根據(jù)所需的所述陰極電極層和所述輔助陰極層的目標(biāo)總透過率，確定所 述陰極電極層的預(yù)設(shè)透過率和所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)透過率； 根據(jù)預(yù)先確定的在不同共蒸比例時(shí)所述陰極電極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系， 所述輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，W及確定出的所述陰極電極層的預(yù)設(shè)透 過率和所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)透過率，分別確定所述陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和所述輔 助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度； 根據(jù)所述陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度在白玻璃上形成陰極電極層，根據(jù)所述陰極電極 層的預(yù)設(shè)膜層厚度在形成有陰極電極層的白玻璃上形成輔助陰極層，并測(cè)量該陰極電極層 和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率;將該陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率與所述 目標(biāo)總透過率進(jìn)行對(duì)比，計(jì)算透過率誤差，并判斷該透過率誤差是否在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)； 如果是，則確定所述陰極電極層的預(yù)設(shè)膜層厚度和所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜層厚度校 正準(zhǔn)確，否則，根據(jù)陰極電極層和輔助陰極層的實(shí)際的總透過率與所述目標(biāo)總透過率的差 值，W及所述輔助陰極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系，調(diào)整所述輔助陰極層的預(yù)設(shè)膜 層厚度。15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，在襯底基板上形成陰極電極層，包 括： 根據(jù)校正準(zhǔn)確后的所述陰極電極層的膜層厚度，按照相應(yīng)的共蒸比例在襯底基板上形 成所述陰極電極層； 在形成有所述陰極電極層的襯底基板上形成輔助陰極層，包括： 根據(jù)校正準(zhǔn)確后的所述輔助陰極層的膜層厚度，在形成有所述陰極電極層的襯底基板 上形成輔助陰極層。16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的制作方法，其特征在于，所述輔助陰極層的膜層厚度與透過 率的擬合關(guān)系可W是通過如下方式確定的：蒸鍛不同膜層厚度的輔助陰極層并測(cè)試透過 率，對(duì)各膜層厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合得到擬合關(guān)系； 在不同共蒸比例時(shí)所述陰極電極層的膜層厚度與透過率的擬合關(guān)系可W是通過如下 方式確定的:在一定共蒸比例下，蒸鍛不同膜層厚度的陰極電極層并測(cè)試透過率，對(duì)各膜層 厚度與測(cè)試的透過率進(jìn)行擬合得到擬合關(guān)系；其中，蒸鍛的陰極電極層的膜層厚度在預(yù)設(shè) 厚度范圍內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK106098955SQ201610515980
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月1日
【發(fā)明人】李杰威
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司