多晶硅柵過分刻蝕的n型mos管結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多晶硅柵過分刻蝕的N型MOS管結(jié)構(gòu)，包括硅襯底，硅襯底之上設(shè)置有經(jīng)N型摻雜的源極和漏極；所述源極和所述漏極之上都生長有一層鈦硅化物；所述源極和所述漏極之間有一下凹的刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)上生長有多晶硅柵；所述多晶硅柵和所述硅襯底之間有一層氧化硅隔離層；所述多晶硅柵的上表面覆蓋有一層鈦多晶硅化物；所述多晶硅柵的左右兩側(cè)有側(cè)墻；在所述源極和所述漏極的外側(cè)有下凹狀的隔離氧化硅；所述隔離氧化硅和所述硅襯底之間設(shè)置有一層襯墊氧化硅。本發(fā)明在硅氧化柵的生長處設(shè)置有一個過刻蝕的下凹陷區(qū)，則硅氧化柵生長位置相對于源極和漏極處更靠下方，在相同的柵極尺寸下，柵極電壓控制的靈敏度更大。
【專利說明】
多晶硅柵過分刻蝕的N型MOS管結(jié)構(gòu)
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)，具體涉及一種多晶硅柵過分刻蝕的N型MOS管結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)的N型MOS管的結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括硅襯底11，硅襯底11之上有經(jīng)N型摻雜的源極121、漏極122，源極121和漏極122的正上方設(shè)置有鈦硅化物13，多晶硅柵15位于源極121和漏極122之間，多晶硅柵15和硅襯底11之間設(shè)置有一層氧化硅隔離層14，多晶硅柵15之上生長有鈦多晶硅化物17，多晶硅柵15的兩側(cè)生長有側(cè)墻16。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中的此種結(jié)構(gòu)，多晶硅柵15的下底面為水平狀，此種結(jié)構(gòu)，源極121和漏極122之間導(dǎo)通時的條件是在多晶硅柵15之上增加?xùn)艠O電壓，多晶硅柵15的尺寸越小，柵極所加電壓越小，則電壓控制的靈敏度減小。而多晶硅柵的尺寸越大，柵極所加電壓越大，則電壓控制的靈敏度增大。但是根據(jù)半導(dǎo)體制造技術(shù)的一般趨勢，柵極尺寸必然越來越小，怎樣保證電壓控制的靈敏度不變，是現(xiàn)有技術(shù)的一個問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明公開了一種多晶硅柵過分刻蝕的N型MOS管結(jié)構(gòu)。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0006]—種多晶硅柵過分刻蝕的N型MOS管結(jié)構(gòu)，包括硅襯底，硅襯底之上設(shè)置有經(jīng)N型摻雜的源極和漏極;所述源極和所述漏極之上都生長有一層鈦硅化物;所述源極和所述漏極之間有一下凹的刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)上生長有多晶硅柵;所述多晶硅柵和所述硅襯底之間有一層氧化硅隔離層;所述多晶硅柵的上表面覆蓋有一層鈦多晶硅化物;所述多晶硅柵的左右兩側(cè)有側(cè)墻;在所述源極和所述漏極的外側(cè)有下凹狀的隔離氧化硅;所述隔離氧化硅和所述硅襯底之間設(shè)置有一層襯墊氧化硅。
[0007]本發(fā)明的有益技術(shù)效果是:
[0008]本發(fā)明在硅氧化柵的生長處設(shè)置有一個過刻蝕的下凹陷區(qū)，則硅氧化柵生長位置相對于源極和漏極處更靠下方，則在相同的尺寸下，需要加更高的柵極電壓，源極和漏極才可導(dǎo)通，由于柵極電壓更高，則其在相同的柵極尺寸下，電壓控制的靈敏度更大。
【附圖說明】
[0009]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0011]圖2是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明包括硅襯底21，硅襯底21之上設(shè)置有經(jīng)N型摻雜的源極221和漏極222;源極221和漏極222之上都生長有一層鈦硅化物23;源極221和漏極222之間有一下凹的刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)上生長有多晶硅柵25;多晶硅柵25和硅襯底21之間有一層氧化硅隔離層24;多晶硅柵25的上表面覆蓋有一層鈦多晶硅化物27;多晶硅柵25的左右兩側(cè)有側(cè)墻26;在源極221和漏極222的外側(cè)有下凹狀的隔離氧化硅29;隔離氧化硅29和硅襯底21之間設(shè)置有一層襯墊氧化硅28。
[0012]本發(fā)明所述的結(jié)構(gòu)的制作流程如下:
[0013]步驟1、在硅片上注入硼離子以形成P阱；
[0014]步驟2、在P阱之上沉積一層厚度為150nm的隔離氧化層，，之后再隔離氧化層之上生長一層氮化硅;之后使用干法例子刻蝕機刻蝕隔離槽與多晶硅柵處的下凹槽；
[0015]步驟3、使用化學(xué)氣相沉積的方式，在隔離區(qū)上淀積氧化硅填充隔離槽；
[0016]步驟4、使用化學(xué)機械拋光的方式，對步驟3所沉積的氧化硅進行拋光；
[0017]步驟5、將硅片進入熱磷酸槽以去除氮化硅；
[0018]步驟6、在多晶硅柵的下凹槽處生長多晶硅柵；
[0019]步驟7、在多晶硅柵之上沉積10nm厚度的二氧化硅，并進行刻蝕，形成側(cè)墻。
[0020]步驟8、注入坤離子，以形成源極和漏極。
[0021]通過以上的步驟，形成了本發(fā)明所述的多晶硅柵下凹式的結(jié)構(gòu)。
[0022]以上所述的僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，本發(fā)明不限于以上實施例?？梢岳斫?，本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和構(gòu)思的前提下直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的其他改進和變化，均應(yīng)認為包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種多晶娃柵過分刻蝕的N型MOS管結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括娃襯底(21)，娃襯底(21)之上設(shè)置有經(jīng)N型摻雜的源極(221)和漏極(222);所述源極(221)和所述漏極(222)之上都生長有一層鈦硅化物(23);所述源極(221)和所述漏極(222)之間有一下凹的刻蝕區(qū)，刻蝕區(qū)上生長有多晶硅柵(25);所述多晶硅柵(25)和所述硅襯底(21)之間有一層氧化硅隔離層(24);所述多晶硅柵(25)的上表面覆蓋有一層鈦多晶硅化物(27);所述多晶硅柵(25)的左右兩側(cè)有側(cè)墻(26);在所述源極(221)和所述漏極(222)的外側(cè)有下凹狀的隔離氧化硅(29);所述隔離氧化硅(29)和所述硅襯底(21)之間設(shè)置有一層襯墊氧化硅(28)。
【文檔編號】H01L29/423GK106057901SQ201610539062
【公開日】2016年10月26日
【申請日】2016年7月8日
【發(fā)明人】呂耀安
【申請人】無錫宏納科技有限公司