基板處理裝置以及基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一邊使基板旋轉(zhuǎn)一邊向基板供給處理液來對基板進行處理的基板處理技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]作為這樣的基板處理技術(shù)，在專利文獻I公開了一種基板處理裝置，該基板處理裝置將溫度預(yù)先被控制的流體向基板下表面的中心部和周邊部之間的多個部位供給，并且，向基板上表面噴射處理液來對基板進行處理。該裝置具有對從基板的下方的多個部位分別供給的各流體的溫度進行控制的各溫度控制部。并且，各流體的溫度被各溫度控制部控制為，隨著向基板供給的位置從基板的中心部接近周邊部，溫度變高。由此，該裝置能夠抑制由基板的中心部和周邊部的周速度之差引起的基板的溫度差，使利用處理液進行的基板處理均勻化。
[0003]另外，在專利文獻2中公開了一種基板處理裝置，該基板處理裝置具有:上噴嘴，位于在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的圓形基板的上方，并在基板的中央?yún)^(qū)和周邊區(qū)之間掃描；棒狀的下噴嘴，從基板的中央?yún)^(qū)的下方向周邊區(qū)的下方延伸設(shè)置。上噴嘴具有能夠?qū)⑾浞岬人幰合蚧宓纳媳砻鎳姵龅膰娮?、能夠?qū)⒓兯⒒蚣兯头腔钚詺怏w的混合流體等的沖洗液向基板的上表面噴出的噴嘴。下噴嘴具有與基板的下表面相向并能夠?qū)_洗液向基板的下表面噴出的多個噴出口。該裝置首先從上下兩個噴嘴將藥液向基板噴出，利用藥液進行處理(藥液處理)，接著，從兩個噴嘴噴出沖洗液，進行沖洗處理，在沖洗處理后，進行干燥處理，即，通過使基板高速旋轉(zhuǎn)，甩掉在基板上附著的液體，以使基板干燥。
[0004]在基板的下方，形成有橫穿下噴嘴并沿著基板的旋轉(zhuǎn)方向流動的氣流。與基板的徑向垂直的平面中的下噴嘴的剖面形狀為翼型。更詳細地說，下噴嘴的下表面是在基板的徑向上延伸的水平面。下噴嘴還具有:水平的上表面，與下表面平行地延伸設(shè)置，寬度比下表面窄；上游側(cè)連接面，使上表面和下表面各自的在寬度方向上的氣流的上游側(cè)的端部彼此連接；下游側(cè)連接面，使氣流的下游側(cè)的端部彼此連接。上游側(cè)連接面的寬度比下游側(cè)連接面的寬度充分寬，并且，上游側(cè)連接面的梯度也平緩。上游側(cè)連接面向下噴嘴的內(nèi)側(cè)凹陷而彎曲，下游側(cè)連接面向下噴嘴的外側(cè)突出而彎曲。通過基板的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的氣流當(dāng)與下噴嘴碰撞時，被整流為沿著上游側(cè)連接面流向基板下表面。此時，通過節(jié)流效應(yīng)，流速也增加。在藥液處理、沖洗處理中從下噴嘴噴出到基板的下表面的藥液和沖洗液借助該氣流沿著基板的下表面順利地擴散。
[0005]專利文獻1:日本特許第5123122號公報
[0006]專利文獻2:日本特開2012-151439號公報
[0007]在這樣的基板處理裝置中，通常，即使基板溫度(處理溫度)例如變化0.1°C?0.2°C左右，基板的厚度方向的處理量(例如蝕刻量等)也變動得大。在專利文獻I的基板處理裝置存在如下問題，即，基板溫度因向基板上表面噴射的處理液和向基板的下表面供給的流體之間的溫度差而發(fā)生變動，難以實現(xiàn)所希望的處理量。另外，在這樣的基板處理裝置中，因在基板上形成的膜質(zhì)的不同和處理液供給位置的掃描的有無，如果不使基板的徑向的溫度分布為不均勻的分布，有時處理液的蝕刻量等的處理量就不會變得均勻。但是，專利文獻I的基板處理裝置還存在如下問題，由于進行抑制基板的中心部和周邊部的溫度差的溫度控制，所以有時因基板的處理條件的不同而難以使基板處理均勻化。進而，專利文獻I的基板處理裝置還存在如下問題，即，溫度控制部的個數(shù)增加導(dǎo)致裝置的制造成本增大，并且使溫度控制復(fù)雜化。
[0008]另外，在專利文獻2的基板處理裝置中，下噴嘴的下游側(cè)連接面梯度陡，因此，沿著下噴嘴的上游側(cè)連接面流向基板下表面的氣流在越過下噴嘴的上表面后，難以沿著下游側(cè)連接面流動。因此，即使在甩掉處理后，在下噴嘴的下游側(cè)連接面附著的沖洗液等的液體也未被甩掉而殘留下來。殘留的液體在更換藥液的種類進行處理的情況下或?qū)π碌幕暹M行處理的情況下，成為產(chǎn)生水印和顆粒的原因。
[0009]另外，在專利文獻2的基板處理裝置中，需要使下噴嘴中的位于基板的中央?yún)^(qū)的下方的一端部分與插入用于保持基板的旋轉(zhuǎn)卡盤的筒狀的旋轉(zhuǎn)支撐軸內(nèi)的支撐構(gòu)件通過螺釘?shù)裙潭āＴ谙聡娮斓囊欢瞬糠衷O(shè)置有螺釘?shù)鹊墓潭ㄓ媒Y(jié)構(gòu)。因此，在下噴嘴中特別是一端部分，在經(jīng)過沖洗處理后也容易殘留藥液。由此，在例如針對多種藥液依次進行藥液處理和沖洗處理的組合的情況下，產(chǎn)生新的藥液的作用因殘留的藥液而受到損害的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明是為了解決這樣的問題而提出的，其目的之一在于，提高一種能以低成本抑制基板的所希望的處理量與實際的處理量的差異和在基板的各部分的處理量的偏差的技術(shù)。另外，本發(fā)明的另一目的在于，在具有向基板的下表面噴出液體的棒狀的下噴嘴的基板處理裝置中，提供一種抑制在甩掉處理后液體殘留在下噴嘴的表面的技術(shù)。另外，本發(fā)明的又一目的在于，在具有向基板的下表面噴出藥液等的棒狀的下噴嘴的基板處理裝置中，提供一種能夠抑制在下噴嘴中的位于基板的中央?yún)^(qū)的下方的一端部分(基部)上殘留藥液的技術(shù)。
[0011]為了解決上述的問題，第一方式的基板處理裝置具有:旋轉(zhuǎn)保持部，將基板保持為水平并使基板旋轉(zhuǎn)；第一供給源，供給第一溫度的第一純水；第二供給源，供給比第一溫度高的第二溫度的第二純水；配管系統(tǒng)，將所述第一純水分配為一方第一純水和另一方第一純水并進行引導(dǎo)；處理液供給部，被從所述配管系統(tǒng)供給所述一方第一純水，并且將以主要包含所述一方第一純水的方式混合所述一方第一純水和藥液而成的處理液供給至所述基板的上表面的中央?yún)^(qū)；第一供給部，被從所述配管系統(tǒng)供給所述另一方第一純水，并且將主要包含所述另一方第一純水的第一液體供給至所述基板的下表面的中央?yún)^(qū)；第二供給部，將主要包含從所述第二供給源供給的所述第二純水的第二液體分別供給至所述基板的下表面的周邊區(qū)與該周邊區(qū)和中央?yún)^(qū)之間的下表面的中間區(qū)；熱量控制部，獨立控制所述第一供給部向所述基板的下表面的中央?yún)^(qū)供給的熱量和所述第二供給部向所述基板的下表面的周邊區(qū)以及中間區(qū)供給的熱量，以便能夠變更所述基板的徑向的溫度分布。
[0012]第二方式的基板處理裝置在第一方式的基板處理裝置的基礎(chǔ)上，所述配管系統(tǒng)是將一端與所述第一供給源連接并且在管路的途中進行分支的分支配管。
[0013]第三方式的基板處理裝置在第一方式的基板處理裝置的基礎(chǔ)上，所述第一供給部將所述另一方第一純水和溫度與所述藥液的溫度相同的溫度調(diào)整用的液體，以所述處理液中的所述一方第一純水和所述藥液的混合比與所述第一液體中的所述另一方第一純水和所述溫度調(diào)整用的液體的混合比相等的方式進行混合，來調(diào)制出所述第一液體。
[0014]第四方式的基板處理裝置在第一至第三方式中的任一個方式的基板處理裝置的基礎(chǔ)上，
[0015]該基板處理裝置還具有掃描部，所述掃描部通過使用于將所述處理液向所述基板的上表面供給的所述處理液供給部的噴嘴在所述基板的上表面的上方進行掃描，來使所述處理液在所述基板的上表面上的供給位置在所述基板的上表面的中央?yún)^(qū)和周邊區(qū)之間進行掃描，
[0016]所述熱量控制部根據(jù)由所述掃描部掃描的所述處理液供給部的噴嘴的位置，使所述第一供給部向所述基板供給的熱量和所述第二供給部向所述基板供給的熱量之比變動。
[0017]第五方式的基板處理裝置在第四方式的基板處理裝置的基礎(chǔ)上，
[0018]所述熱量控制部根據(jù)由所述掃描部掃描的所述處理液供給部的噴嘴的位置，使所述第一供給部供給的所述第一液體的流量和所述第二供給部供給的所述第二液體的流量之比變動。
[0019]第六方式的基板處理方法，包括:
[0020]旋轉(zhuǎn)保持步驟，將基板保持為水平并使基板旋轉(zhuǎn)；
[0021]分配步驟，從供給第一溫度的第一純水的供給源引導(dǎo)所述第一純水并將所述第一純水分配為一方第一純水和另一方第一純水；
[0022]處理液供給步驟，與所述旋轉(zhuǎn)保持步驟并行，將以主要包含所述一方第一純水的方式混合所述一方第一純水和藥液而成的處理液供給至所述基板的上表面的中央?yún)^(qū)；
[0023]第一供給步驟，與所述處理液供給步驟并行，將主要包含所述另一方第一純水的第一液體供給至所述基板的下表面的中央?yún)^(qū)；
[0024]第二供給步驟，與所述處理液供給步驟以及所述第一供給步驟并行，將主要包含比所述第一溫度高的第二溫度的第二純水的第二液體分別供給至所述基板的下表面的周邊區(qū)與該周邊區(qū)和中央?yún)^(qū)之間的下表面的中間區(qū)；
[0025]熱量控制步驟，獨立控制通過所述第一供給步驟向所述基板供給的熱量和通過所述第二供給步驟向所述基板供給的熱量，以便能夠變更所述基板的徑向的溫度分布。
[0026]第七方式的基板處理方法在第六方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0027]所述分配步驟是在從所述供給源引導(dǎo)所述第一純水的路徑的途中將所述第一純水分配為所述一方第一純水和所述另一方第一純水的步驟。
[0028]第八方式的基板處理方法在第六方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0029]所述第一供給步驟包括調(diào)制步驟，在所述調(diào)制步驟中，將所述另一方第一純水和溫度與所述藥液的溫度相同的溫度調(diào)整用的液體，以所述處理液中的所述一方第一純水和所述藥液的混合比與所述第一液體中的所述另一方第一純水和所述溫度調(diào)整用的液體的混合比相等的方式進行混合，來調(diào)制出所述第一液體。
[0030]第九方式的基板處理方法在第六至第八方式中的任一個方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0031]還包括掃描步驟，在所述掃描步驟中，使在所述處理液供給步驟中供給至所述基板的上表面的所述處理液的供給位置在所述基板的上表面的中央?yún)^(qū)和周邊區(qū)之間進行掃描，
[0032]所述熱量控制步驟是根據(jù)在所述掃描步驟中掃描的所述處理液的供給位置，使通過所述第一供給步驟向所述基板供給的熱量和通過所述第二供給步驟向所述基板供給的熱量之比變動的步驟。
[0033]第十方式的基板處理方法在第九方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0034]所述熱量控制步驟是根據(jù)在所述掃描步驟中掃描的所述處理液的供給位置，使在所述第一供給步驟中供給的所述第一液體的流量和在所述第二供給步驟中供給的所述第二液體的流量之比變動的步驟。
[0035]第十一方式的基板處理裝置，具有:
[0036]旋轉(zhuǎn)保持部，將基板保持為水平并使基板旋轉(zhuǎn)，
[0037]液體供給源，供給液體，
[0038]下噴嘴，位于所述基板的下表面和所述旋轉(zhuǎn)保持部之間，具有在與所述基板的下表面垂直的方向上的厚度薄的扁平的棒狀的形狀，并從所述基板的中央部的下方向所述基板的周邊部的下方延伸設(shè)置，用于將所述液體向所述基板的下表面噴出；
[0039]所述下噴嘴具有所述基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)端部、旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)端部以及具有水平的上表面和水平的下表面并與所述下游側(cè)端部和所述上游側(cè)端部分別連接的中央部，
[0040]在所述下噴嘴的所述下游側(cè)端部設(shè)置有薄壁部，該薄壁部以比所述上游側(cè)端部更平緩的傾斜梯度，越接近旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)則越薄。
[0041]第十二方式的基板處理裝置在第十一方式的基板處理裝置的基礎(chǔ)上，
[0042]所述薄壁部的上表面與下表面所成的角度為銳角。
[0043]第十三方式的基板處理裝置在第十一或第十二方式的基板處理裝置的基礎(chǔ)上，所述薄壁部中的所述基板的旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)的頂端尖。
[0044]第十四方式的基板處理方法，是基板處理裝置中的基板處理方法，
[0045]所述基板處理裝置具有:
[0046]旋轉(zhuǎn)保持部，將基板保持為水平并能夠使基板旋轉(zhuǎn)，
[0047]下噴嘴，具有與所述旋轉(zhuǎn)保持部所保持的所述基板的下表面的中央?yún)^(qū)相向的基部和從所述基部向所述基板的下表面的周邊區(qū)的下方延伸設(shè)置的延伸設(shè)置部，并且，能夠?qū)⒁?guī)定的液體向所述基板的下表面噴出；
[0048]所述下噴嘴在所述基部具有與所述基板的下表面的所述中央?yún)^(qū)相向并能夠?qū)⑺鲆后w向所述中央?yún)^(qū)噴出的中央噴出口，并且在所述延伸設(shè)置部具有與所述基板的下表面的除所述中央?yún)^(qū)以外的周邊側(cè)區(qū)域相向并能夠?qū)⑺鲆后w向所述周邊側(cè)區(qū)域噴出的周邊側(cè)噴出口，
[0049]該基板處理方法包括:
[0050]旋轉(zhuǎn)保持步驟，通過所述旋轉(zhuǎn)保持部將所述基板保持為水平并使基板旋轉(zhuǎn)；
[0051]藥液處理步驟，與所述旋轉(zhuǎn)保持步驟并行，從所述下噴嘴將包含藥液的處理液向所述基板的下表面噴出來處理所述基板；以及
[0052]下噴嘴清洗步驟，在所述藥液處理步驟之后，將第一流量的沖洗液從所述下噴嘴的所述中央噴出口向所述基板的下表面的所述中央?yún)^(qū)噴出，并將比第一流量大的第二流量的沖洗液從所述周邊側(cè)噴出口向所述基板的下表面的所述周邊側(cè)區(qū)域噴出，由此向所述下噴嘴的所述基部供給沖洗液來清洗所述基部。
[0053]第十五方式的基板處理方法在第十四方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0054]所述第二流量是能夠使從所述下噴嘴的所述周邊側(cè)噴出口向所述周邊側(cè)區(qū)域噴出的沖洗液經(jīng)由所述周邊側(cè)區(qū)域向所述下噴嘴的所述基部供給的流量。
[0055]第十六方式的基板處理方法在第十四方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0056]所述下噴嘴清洗步驟是與所述旋轉(zhuǎn)保持步驟并行進行的步驟，
[0057]所述旋轉(zhuǎn)保持步驟是如下步驟，S卩，與所述藥液處理步驟并行，使所述基板以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，并且，與所述下噴嘴清洗步驟并行，使所述基板以比第一旋轉(zhuǎn)速度慢的第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。
[0058]第十七方式的基板處理方法在第十四方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0059]所述下噴嘴在所述基部具有與所述基板的下表面相向的水平面，
[0060]所述下噴嘴清洗步驟是使所述下噴嘴的所述水平面和所述基板的下表面之間的空間成為被包含從所述下噴嘴噴出的沖洗液的液體充滿的液密狀態(tài)，并清洗所述下噴嘴的所述基部的步驟。
[0061]第十八方式的基板處理方法在第十四至第十七方式中的任一個方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0062]所述下噴嘴還具有在上下方向上貫通所述基部的排液孔，
[0063]所述下噴嘴清洗步驟包括將在所述下噴嘴的所述基部上附著的藥液與供給至所述基部的沖洗液一起從所述排液孔向所述下噴嘴的外部排出的排出步驟。
[0064]第十九方式的基板處理方法在第五方式的基板處理方法的基礎(chǔ)上，
[0065]所述基板處理裝置還具有固定所述下噴嘴的所述基部的底座部，
[0066]所述下噴嘴在所述基部還具有用于安裝固定件的沉孔部，并且在所述沉孔部的底面具有所述排液孔，所述固定件用于將所述基部和所述底座部彼此固定，
[0067]所述下噴嘴清洗步驟的所述排出步驟是使殘留于所述沉孔部的藥液與經(jīng)由所述基板的下表面供給至所述基部的沖洗液一起從所述排液孔向所述下噴嘴的外部排出的步驟。
[0068]根據(jù)第一至第十方式中的任一個方式的發(fā)明，由于分別供給至基板的中央?yún)^(qū)的上表面以及下表面的處理液和第一液體主要包含從共用的供給源供給的第一純水，所以使處理液和第一液體的溫度差變小，容易使基板的中央?yún)^(qū)接近與基板的厚度方向上的所希望的處理量相應(yīng)的溫度。另外，向因基板的旋轉(zhuǎn)而使溫度比中央?yún)^(qū)更容易下降的基板的周邊區(qū)和中間區(qū)，供給主要包括溫度比第一純水更高的第二純水的第二液體，因此，容易使基板的徑向的溫度分布均勻化。進而，即使在所求出的基板的徑向的溫度分布不均勻的情況下，也能夠獨立控制經(jīng)由第一液體向基板下表面的中央?yún)^(qū)供給的熱量和經(jīng)由第二液體向基板下表面的中間區(qū)以及周邊區(qū)供給的熱量，來變更基板的徑向的溫度分布。因此，通過控制從第一液體的供給系統(tǒng)和第二液體的供給系統(tǒng)這兩個系統(tǒng)供給的熱量，能夠以低成本抑制所希望的處理量和實際的處理量的差異、在基板的各部分的處理量的偏差。
[0069]根據(jù)第二或第七方式的發(fā)明，由于在從供給源引導(dǎo)的路徑途中從第一純水分配出一方第一純水和另一方第一純水，所以能夠進一步抑制向第一供給部供給的一方第一純水和向第二供給部供給的另一方第一純水的溫度差。因此，能夠使處理液和第一液體的溫度差變得更小，更容易使基板的中央?yún)^(qū)接近與基板的厚度方向上的所希望的處理量相應(yīng)的溫度。
[0070]根據(jù)第三或第八方式的發(fā)明，以使處理液中的一方第一純水和藥液的混合比與第一液體中的另一方第一純水和溫度調(diào)整用的液體的混合比相等的方式，混合另一方第一純水和溫度與藥液的溫度相同的溫度調(diào)整用的液體來調(diào)制出第一液體。不管這些混合比的大小如何，都能使處理液和第一液體的溫度差更小。
[0071]根據(jù)第四或第九方式的發(fā)明，根據(jù)在基板的上表面掃描的處理液的供給位置，來使向基板的下表面的中央?yún)^(qū)供給的熱量和向基板的下表面的周邊區(qū)以及中間區(qū)供給的熱量之比變動。由此，能使基板的徑向的溫度分布更接近根據(jù)處理液的供給位置求出的溫度分布。因此，即使在處理液的供給位置掃描(移動)的情況下，也能進一步抑制在基板的各部分的處理量的偏差。
[0072]根據(jù)第五或第十方式的發(fā)明，第一液體的流量和第二液體的流量之比根據(jù)掃描的處理液的供給位置變動。并且，由于這些流量能夠迅速變更，所以能夠提高基板的徑向的溫度分布的變動相對于處理液的供給位置的變動的響應(yīng)性，能夠進一步抑制在基板的各部分的處理量的偏差。
[0073]根據(jù)第十一方式的發(fā)明，在下噴嘴中的基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)端部設(shè)置的薄壁部以比旋轉(zhuǎn)方向的上游側(cè)的端部更平緩的傾斜梯度，越接近旋轉(zhuǎn)方向下游側(cè)則越薄。因此，因基板的旋轉(zhuǎn)而形成的氣流在沿著下噴嘴的上表面和下表面流動之后，容易沿著薄壁部的表面流動，因此，能夠抑制在甩掉處理后液體殘留于噴嘴表面。
[0074]根據(jù)第十二方式的發(fā)明，由于薄壁部的上表面和下表面所成的角度為銳角，所以能夠更容易使因基板的旋轉(zhuǎn)而形成的氣流沿著薄壁部的表面流動。因此，能夠進一步抑制在甩掉處理后液體殘留于噴嘴表面。
[0075]根據(jù)第十三方式的發(fā)明，由于薄壁部中的基板的旋轉(zhuǎn)方向的下游側(cè)的頂端尖，所以能夠抑制因基板的旋轉(zhuǎn)而形成的氣流在薄壁部的頂端形成漩渦。因此，即使在薄壁部的頂端，也能夠抑制用!掉處理后的液體的殘留。
[0076]根據(jù)第十四方式的發(fā)明，從設(shè)置于下噴嘴的基部的中央噴出口向基板的下表面的中央?yún)^(qū)噴出第一流量的沖洗液，并從周邊側(cè)噴出口向基板的下表面的周邊側(cè)區(qū)域噴出第二流量的沖洗液。從下噴嘴向基板的下表面噴出的沖洗液在沿著基板的下表面擴散之后，從基板的下表面落下供給至下噴嘴。就向基板的下表面噴出的沖洗液而言，其流量越多，則沿著基板的下表面擴散至越遠處。與中央噴出口相比，周邊側(cè)噴出口距下噴嘴的基部更遠，但第二流量比第一流量多。因此，就從中央噴出口噴出并沿著基板的下表面擴散的沖洗液和從周邊側(cè)噴出口噴出并沿著基板的下表面擴散的沖洗液這兩方的沖洗液而言，即使使各自的流量充分增加，兩方的沖洗液也在基板的下表面中的下噴嘴的基部的上方部分或其附近部分互相碰撞，一起落下至下噴嘴。由此，能夠?qū)⒋罅康膬煞降臎_洗液供給至下噴嘴的基部。因此，由于能夠通過沖洗液充分置換殘留于下噴嘴的基部的藥液，所以能夠抑制藥液殘留于下噴嘴的基部。
[0077]根據(jù)第十五方式的發(fā)明，第二流量是能夠?qū)南聡娮斓闹苓厒?cè)噴出口向基板的下表面的周邊側(cè)區(qū)域噴出的沖洗液經(jīng)由周邊側(cè)區(qū)域供給至下噴嘴的基部的流量。因此，由于能夠?qū)⒏嗟臎_洗液從周邊側(cè)噴出口向下噴嘴的基部供給，所以能夠進一步抑制藥液殘留于下噴嘴的基部。
[0078]根據(jù)第十六方式的發(fā)明，與藥液處理步驟并行地使基板以第一旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，與下噴嘴清洗步驟并行地使基板以比第一旋轉(zhuǎn)速度慢的第二旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)。因此，由于更多的沖洗液從周邊側(cè)噴出口經(jīng)由基板的周邊側(cè)區(qū)域到達至下噴嘴的基部，所以能夠進一步抑制藥液殘留于下噴嘴的基部。<