用于基板處理的方法
【專利摘要】在本文中提供用于對基板進(jìn)行處理的方法。在一些實施方式中，所述方法包括：提供被支撐在起始模板上的基板；將第一覆層粘附到所述基板的第一側(cè)；將具有所述覆層的所述基板與所述起始模板分離；確定是否已經(jīng)到達(dá)使用過的模板的使用壽命；以及如果尚未達(dá)到所述使用壽命，那么繼續(xù)使用所述使用過的模板作為起始模板。
【專利說明】
用于基板處理的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開的實施方式總體涉及半導(dǎo)體制造工藝。
【背景技術(shù)】
[0002]—些用于半導(dǎo)體器件的基板通過將硅錠鋸切成基板制成。在鋸切工藝中，材料因鋸片厚度或者說是鋸槽(kerf)而發(fā)生損耗。這種損耗有時稱為鋸槽損耗(kerf loss)。使鋸槽損耗的量減小的基板生產(chǎn)工藝有時稱為無鋸槽工藝(kerf less process)，不過仍有可能出現(xiàn)一些鋸槽。
[0003]—種無鋸槽工藝包括在娃起始模板上形成起伏表面(relief surface)，使得一或多個硅層外延沉積在起伏表面上，并且將外延生長硅層(基板)與模板分離。基板在制造工藝中繼續(xù)，而模板被廢棄。一些使用這種工藝而形成的薄硅基板可能需要支撐結(jié)構(gòu)或者說是柄部，以促成進(jìn)一步的處理。
[0004]本發(fā)明人已注意到，利用以上工藝，廢棄晶片以及柄部的另外部件增加常規(guī)的硅基板制造中的材料成本。
[0005]因此，本發(fā)明人提供用于在硅基板處理中使用所選材料作為柄部以處理薄基板或晶片來減小制造成本的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]在本文中提供用于處理薄外延晶片的方法。在一些實施方式中，所述方法包括:提供被支撐在起始模板上的基板;將第一覆層(superstrate)粘附到所述基板的第一側(cè);將具有所述覆層粘附到其上的所述基板與所述起始模板在所述起始模板的分離層處分離，以提供粘附到所述基板的覆層以及使用過的模板；以及繼續(xù)使用所述使用過的模板作為起始模板。在一些方式中，所述方法還進(jìn)一步包括:確定已經(jīng)達(dá)到所述使用過的模板的使用壽命；以及在已經(jīng)達(dá)到所述使用壽命后，廢棄所述使用過的模板，使其成為廢棄模板。
[0007]在一些實施方式中，一種用于對單元(cell)進(jìn)行處理的方法包括:提供被支撐在起始模板上的基板;在所述基板被支撐在所述起始模板上的同時，處理所述基板的第一側(cè)；在對所述第一側(cè)進(jìn)行處理后，將模塊玻璃覆層粘附到所述基板的所述第一側(cè);將具有所述玻璃覆層粘附到其上的所述基板與所述起始模板分離；以及在所述基板被粘附到所述玻璃覆層的同時，處理所述基板的第二側(cè)。在一些實施方式中，可以根據(jù)先前所提到的方法制造多個單元，其中相鄰單元被定位成使得所述相鄰單元的所述模塊玻璃的邊緣被布置成邊緣對邊緣的關(guān)系(edge-to-edge relat1nship)并且所述模塊玻璃的第一側(cè)對準(zhǔn)。
[0008]以下描述本公開的其他和進(jìn)一步實施方式。
[0009]附圖簡述
[0010]可以參考附圖中描繪的本公開的例示性的實施方式來理解本公開的以上簡要概述并在以下更詳細(xì)描述的實施方式。然而，應(yīng)當(dāng)注意，附圖僅僅示出本公開的典型實施方式，并且因此不應(yīng)視為限制本公開的范圍，因為本公開可允許其他等效實施方式。
[0011]圖1A-1C描繪根據(jù)本公開的實施方式的用于處理硅基板的方法的流程圖。
[0012]圖2A-2I例示根據(jù)本公開的一些實施方式的在圖1的方法的不同階段期間的基板的示意圖。
[0013]圖3描繪根據(jù)本公開的一些實施方式的按照圖1的方法的實施方式而形成的太陽能電池陣列(soIar array)。
[0014]為了促進(jìn)理解，已盡可能使用相同元件符號指定各圖所共有的相同元件。附圖未按比例繪制，并且為了清楚起見，可以簡化。應(yīng)預(yù)見到，一個實施方式的要素和特征可有利地并入其他實施方式，而無需進(jìn)一步敘述。
【具體實施方式】
[0015]本公開的實施方式總體涉及用于對基板進(jìn)行處理的方法，并且可以用于處理薄半導(dǎo)體基板。例如但非限制，所述方法可用于產(chǎn)生硅基板、硅鍺(SiGe)基板或砷化鎵(GaAs)基板。所公開方法的實施方式也可用于產(chǎn)生其他基板。在至少一些實施方式中，比起一些用于形成薄基板的常規(guī)工藝，本發(fā)明的方法可有利地通過減小或消除廢料來影響生產(chǎn)成本。出于本公開的目的，薄基板是具有約300μπι或更小的厚度的基板。雖然并不旨在限制范圍，但是本發(fā)明人已觀察到，在可有用于例如太陽能電池的單晶硅基板的制造中，本發(fā)明的方法可以是尤其有利的。
[0016]在用于制造半導(dǎo)體基板、例如硅基板的典型工藝中，晶片從硅錠上切割下來并進(jìn)一步處理。在切割操作中，來自所述錠的對應(yīng)于鋸片厚度或者說是鋸槽的硅作為廢料而損失了。這種情況有時稱為鋸槽損耗。減小與典型工藝相關(guān)聯(lián)的鋸槽損耗的基板制造工藝有時稱為無鋸槽工藝。
[0017]一些用于減小硅基板成本的努力已致力于盡可能地減小基板厚度，以此方式減小晶片成本。一些無鋸槽工藝可以具有生產(chǎn)薄基板的能力，并且可能能夠生產(chǎn)厚度小于160μπι的基板。這種基板可能至少部分因材料厚度減小而降低結(jié)構(gòu)完整性。在處理過程中支撐具有降低的結(jié)構(gòu)完整性的薄基板已對基板處理方法提出挑戰(zhàn)。
[0018]一種方法是提供柄部以在處理過程中將附加的結(jié)構(gòu)完整性或支撐提供給薄晶片。柄部在例如作為太陽能電池的晶片使用前去除，并且廢棄所述柄部。然而，作為一次性物件的柄部增加了制造成本。本發(fā)明所公開的方法可減小或消除當(dāng)前所使用的方法中的缺點。
[0019]在一些無鋸槽基板形成工藝中，基板通過將外延層沉積在起始模板表面上形成。表面可為起始模板的改性層，被處理成通過分離層與下層模板分離的連續(xù)單晶硅層。所述分離層促成將基板(即，連續(xù)單晶硅層和連續(xù)單晶硅層上的外延層)與下層模板分離。起始模板可由任何與工藝相容的材料形成，包括(作為非限制性實例)硅以及砷化鎵。起始模板可以具有任何合適的形狀。為了容易說明并且清楚起見，本公開將針對具有長度、寬度和厚度的矩形起始基板。
[0020]本發(fā)明人已觀察到，以上所論述的工藝中形成的基板在通過下層起始基板支撐時，可以在第一側(cè)進(jìn)行處理。在基板的第二側(cè)上進(jìn)行處理有時是有益的，在這種情況下，基板會與下層模板分離，以暴露第二側(cè)。在處理過程中，在將基板與下層模板分離后，一些基板、尤其是薄基板可受益于支撐結(jié)構(gòu)或者說是覆層所提供的支撐。
[0021]圖1A-1C是根據(jù)本公開的一些實施方式的用于對基板進(jìn)行處理的方法100的流程圖。根據(jù)本公開的實施方式，所述方法100可以在適于處理半導(dǎo)體基板的任何裝置中執(zhí)行。
[0022]在102處，如2A所示提供被支撐在起始模板204上的基板202。在基板202與起始模板204之間的是分離層或剝離層206，以促成將基板202與起始模板204分離?；寰哂械谝粋?cè)208和第二側(cè)210，所述第二側(cè)210設(shè)置在剝離層206之上并由所述剝離層206支撐。起始模板204具有與基板202的邊緣大體相連的長度L和寬度W，還有厚度T。為了清楚起見，本公開示出的層的厚度以及相對厚度未按比例繪制并大體都放大。
[0023]在104處，可視情況處理基板202的第一側(cè)208。104處的處理可以包括將發(fā)射極擴(kuò)散到第一側(cè)208中(并且擴(kuò)散到基板202中)，或?qū)⒌谝粋?cè)208紋理化成第一紋理表面208a，如圖2B的側(cè)視圖所示。在104處，也可發(fā)生其他或者說是另外工藝。為了清楚起見，基板202在本公開中示為已視情況在104處經(jīng)處理以包括第一紋理表面208a。第一紋理表面208a代表在104處對基板202執(zhí)行的所有工藝。
[0024]本發(fā)明人已注意到，基板202(尤其是由薄外延層構(gòu)成的情況下)可能在處理或搬運(yùn)期間經(jīng)受應(yīng)力，這個應(yīng)力超過基板202的強(qiáng)度并且折損(compromise)基板202的結(jié)構(gòu)完整性。在一些情況下，基板202在處理過程中可受益于支撐，例如由起始模板204通過剝離層206而提供的另外支撐。例如，本發(fā)明人已注意到，支撐結(jié)構(gòu)(包括剝離層206和下層起始模板204)可對基板202提供另外支撐，用以承受應(yīng)力并且維持基板202的完整性。支撐結(jié)構(gòu)還可提供各種其他益處。
[0025]在一些應(yīng)用中，處理基板202的第二側(cè)210可以是有益的。如上論述，一些基板在處理過程中可受益于支撐。柄部或者說是覆層可有利地添加到基板202的第一側(cè)208(或者說是第一紋理表面208a)，以便支撐基板202以供處理第二側(cè)210。
[0026]在106處，將覆層212粘附到第一側(cè)208(或者說是第一紋理表面208a)，如圖2C所繪。粘合劑214，例如透光硅氧烷粘合劑，可以用于將覆層212粘附到第一側(cè)208(或者208a)。在一些實施方式中，粘合劑214可為不透明的。或者，可以使用其他粘合劑或方法將覆層212粘附到第一側(cè)208。在一些實施方式中，蠟或蠟狀物質(zhì)可用作為基板202與覆層212之間的粘合劑214。在一些實施方式中，第一側(cè)208(或者說是第一紋理表面208a)以及覆層212的將粘附到基板202的表面均會氧化，并且可以形成氧化物到氧化物的鍵合。
[0027]覆層212可由任何具有足夠機(jī)械特性(諸如，例如強(qiáng)度、剛性等)的工藝相容材料形成，以在處理基板202的第二側(cè)210過程中對基板202提供另外支撐。覆層212可以提供與上文論述的提供用于處理基板202的第一側(cè)208的剝離層206和起始模板204相同或類似的用于處理第二側(cè)210的益處。
[0028]在一些實施方式中，覆層212可為先前使用過的起始模板204，以下將更詳細(xì)地論述。在其他實施方式中，覆層212可由玻璃，例如模塊玻璃形成。模塊玻璃包括適于用在太陽能電池的面對陽光側(cè)(有時稱為“向陽側(cè)”)，或者在用于布置成陣列的多個太陽能電池的面對陽光側(cè)。
[0029]覆層212大小可設(shè)定為對應(yīng)起始模板204的寬度W和長度L以及基板202的對應(yīng)尺寸。在一些實施方式中，覆層212可以大于起始模板204和基板202，其中覆層212延伸超過長度方向或?qū)挾确较虻倪吘壍囊徽呋蚨嗾?。在其他實施方式中，覆層可類似于、或基本類似于基?02的大小。
[0030]在108處，將具有覆層212粘附到其上的基板202與起始模板204分離，其中分離發(fā)生在剝離層206處。一旦分離，起始模板204就會稱為使用過的模板204a，如圖2D所示。在一些實施方式中，剝離層206的殘留物可留在使用過的模板204a和基板202上。例如，如圖2D所示，部分206a保留在使用過的模板204a上。類似地，部分206b保留在基板202的第二側(cè)210上。
[0031]在110處，根據(jù)本公開的實施方式，使用過的模板204a和基板202開始進(jìn)行分開處理。
[0032]在112處，可視情況回收使用過的模板204a，例如在清潔工藝中進(jìn)行所述回收，這種回收可以去除或者說是促成去除在分離后仍粘附到使用過的模板204a上的部分206a。在112處，還可以有益地去除使用過的模板204a的其他表面上的其他的沉積物。工藝可為蝕刻工藝，或者可用來使使用過的模板204準(zhǔn)備好繼續(xù)用作起始模板204的其他合適清潔工藝。
[0033]在一些實施方式中，使用過的模板204a可以使用多次(例如，繼續(xù)使用)，直到達(dá)到作為起始模板204的使用壽命的終點。使用壽命的終點可由使用過的模板204a的物理特征(諸如物理尺寸)提示。在許多情況下，起始模板204的厚度T將會隨每次使用而減小。當(dāng)達(dá)到起始模板204可用作起始模板的最小厚度T時，提示起始模板可用作起始模板的使用壽命的終點。使用過的模板204a在達(dá)到約250μπι至約350μπι、或例如約300μπι的厚度(例如，規(guī)定厚度)之前，可以是有用的?；蛘?，或而且，長度L和寬度W尺寸可以隨每次使用而減小，直到長度L和寬度W處于所確定的最小可接受的尺寸或低于所述所確定的最小可接受的尺寸。
[0034]在一些情況下，使用過的模板204a的使用壽命的終點可以通過使用過的模板204a中發(fā)生的污染程度(例如，預(yù)定污染程度)而提示。可能的污染源可以包括暴露在工藝氣體或工藝副產(chǎn)物下，或者在多次使用中搬運(yùn)使用過的模板204a。在一些情況下，使用過的模板204a的使用壽命可由工藝循環(huán)次數(shù)確定，其中考慮或不考慮使用過的模板204a的任何物理特征。作為非限制性實例，起始模板的使用壽命可為約100個循環(huán)。
[0035]在112處，使用過的模板204a可以經(jīng)歷可任選的準(zhǔn)備或回收操作，以使模板質(zhì)量為將進(jìn)行的工藝做好準(zhǔn)備。預(yù)先工藝準(zhǔn)備對于新的起始模板204而言是任選的，新的起始模板可以直接用于后續(xù)工藝。然而，使用過的模板204a可以除其他外還可經(jīng)歷化學(xué)機(jī)械平面化(CMP)或化學(xué)清潔/拋光步驟，以產(chǎn)生用于后續(xù)工藝的平坦且干凈的起始表面。
[0036]根據(jù)本公開的一些實施方式，在114處，使用過的模板204a的某些物理特性被認(rèn)為有助于確定使用過的模板204a作為起始模板204的可用性，也就是說，確定是否已經(jīng)達(dá)到使用過的模板204a的作為起始基板204的使用壽命。如上論述，使用過的模板204a的使用壽命的終點可由某些物理特性變化(諸如厚度T、長度L或?qū)挾萕達(dá)到了預(yù)定值)提示。在一些實施方式中，使用過的模板204a的使用壽命的終點可以通過使用過的模板204a中發(fā)生的污染程度、或者使用過的模板204a的工藝循環(huán)次數(shù)或使用次數(shù)提示。
[0037]在一些實施方式中，114可以在112前進(jìn)行。使用壽命的終點的提示中的一些可以在對使用過的基板204a執(zhí)行回收操作之前確定。在一些實施方式中，114可以在112后執(zhí)行。在一些實施方式中，114既可以在112之前執(zhí)行，也可以在112之后執(zhí)行。例如，在114處，可評估使用過的基板204a的工藝循環(huán)次數(shù)。如果循環(huán)次數(shù)小于發(fā)出壽命的終點的提示所需預(yù)定循環(huán)次數(shù)，那么使用過的基板204a轉(zhuǎn)到112以進(jìn)行清潔，并且隨后返回114以對例如尺寸特性進(jìn)彳丁評估。
[0038]如果在114處確定使用過的模板204a尚未達(dá)到起始模板204的使用壽命的終點，那么在115處，將使用過的模板204a分離為起始模板204(圖2E)并返回以進(jìn)行操作。
[0039]如果在114處確定使用過的模板204a已經(jīng)達(dá)到作為起始模板204的使用壽命的終點，那么在116處，使用過的模板204a變?yōu)閺U棄模板216 (圖2F)。
[0040]在118處，評估廢棄模板216作為覆層212的可用性?？纱_定廢棄模板216作為覆層212的可用性的因素可以包括厚度220、邊緣方向和長度方向的尺寸、污染程度或其他合適度量。如果廢棄模板216不可用作覆層212，那么在119處，將廢棄模板216處理掉。將廢棄模板216處理掉可以包括將其回收利用例如成為其他模板或覆層的原料。
[0041]如果廢棄模板216可用作為覆層212，那么在120處，廢棄模板216變?yōu)楦矊?12a，并且可提供來在106處或類似制造工藝中繼續(xù)使用。
[0042]與112至120分開或并行地，在122處，可以在任選清潔工藝中將部分206b從基板202去除。圖2G描繪在122處進(jìn)行清潔后的基板202和覆層212。部分206b可類似于以上所論述的部分206a并且在類似工藝中去除。在122處的清潔工藝可為蝕刻工藝，以去除部分206b以為任選另外處理做好準(zhǔn)備。在基板202被覆層212支撐的情況下，在124處可以進(jìn)行基板202的第二側(cè)210的任選處理。
[0043]在一些實施方式中，覆層212可有益地保持粘附到基板202以形成單元218。在一些實施方式中，覆層212是由玻璃(例如模塊玻璃)形成，并且單元218是太陽能電池。在此類實施方式中，覆層212的寬度方向和長度方向的邊緣可聯(lián)結(jié)到一或多個另外單元(類似單元218)的寬度方向和長度方向的邊緣，以便形成圖3所描繪的陣列302，例如太陽能電池陣列。為了容易說明，圖3僅描繪了形成陣列的兩個單元。任何數(shù)量單元可以下述方式聯(lián)結(jié)。
[0044]如圖所示，兩個單元218a和218b被定位成使得單元218a和218b的呈單元大小的模塊玻璃304和306分別處于邊緣對邊緣的關(guān)系，并且模塊玻璃304的第一側(cè)310和模塊玻璃306的第一側(cè)312對準(zhǔn)。密封元件308可以放于在模塊玻璃304、306相鄰的邊緣之間的界面處，以粘結(jié)邊緣。密封元件308可為具有密封特性的粘合劑，或者可為墊片(gasket)，用以分別密封單元218a、218b的第一側(cè)310、312使它們與第二側(cè)311、313隔離。密封可為防風(fēng)雨的(例如，防空氣和水分滲入)，或者可以阻擋灰塵和碎肩。在一些實施方式中，單元218a和218b可以放在夾具(fixture)(未示出)中，以便促成定位密封元件308，并且將密封元件308施加到單元218a、218b。
[0045]本發(fā)明人已注意到，在陣列302中，用于單元218a和218b的模塊玻璃304、306可以作用最終組裝好的陣列302的模塊玻璃。在一些當(dāng)前實踐中，使用對應(yīng)于最終陣列大小的另外模塊玻璃，并且單元218a、218b被粘附到另外模塊玻璃。通過粘結(jié)呈單元大小的模塊玻璃304、306的邊緣方向和長度方向的邊緣，不再必須使用額外呈陣列大小的模塊玻璃。
[0046]在一些實施方式中，有益的是，將覆層212從基板202的第一側(cè)208(或者說是第一紋理表面208a)去除。如上指出，一些基板(例如薄外延層)可受益于在處理或搬運(yùn)期間所添加的支撐。因此，在一些實施方式中，在去除覆層212前，基板202可有益地利用第二覆層213進(jìn)行支撐。
[0047]在126處，并且如圖2H所示，第二覆層213被粘附到基板202的第二側(cè)210。第二覆層213可由用于覆層212的材料中的任何材料形成。在一些實施方式中，例如，在太陽能電池中，第二覆層213可以是可促成多個太陽能電池集成到陣列中的金屬層。在使用金屬層作為第二覆層213的實施方式中，金屬層可通過電鍍或物理氣相沉積(PVD)形成。在一些實施方式中，第二覆層213可利用任何合適的粘合劑(例如硅氧烷粘合劑或蠟)或者其他粘合劑或粘合方法(諸如如上所述的氧化物到氧化物的鍵合)粘附到基板202。
[0048]在128處，將覆層212從基板202去除，如圖21所示，以暴露出基板202的第一側(cè)208(或者說是第一紋理表面208a)。覆層212可在與基板202分離后回收，并且在后續(xù)工藝中繼續(xù)使用作覆層。在一些情況下，在適當(dāng)時，可對覆層212的一或兩側(cè)進(jìn)行處理，例如清潔，以使覆層212為繼續(xù)使用做好準(zhǔn)備。
[0049]在130處，基板202的第一側(cè)208(或者說是第一紋理表面208a)可視情況在第二側(cè)已經(jīng)在124處處理后進(jìn)行處理。在130處的處理可為104處的視情況處理的附加或替代。在130處的處理后，在適當(dāng)時，可將設(shè)置在第二覆層213上的基板202結(jié)合到合適設(shè)備之中。
[0050]盡管上述內(nèi)容針對本公開的實施方式，但也可在不脫離本公開的基本范圍的情況下設(shè)計本公開的其他和進(jìn)一步實施方式。
【主權(quán)項】
1.一種用于對基板進(jìn)行處理的方法，所述方法包括: 提供被支撐在起始模板上的基板； 將第一覆層粘附到所述基板的第一側(cè)； 將具有所述第一覆層粘附到其上的所述基板與所述起始模板在所述起始模板的分離層處分離，以提供粘附到所述基板的第一覆層以及使用過的模板;以及繼續(xù)使用所述使用過的模板作為起始模板。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其進(jìn)一步包括: 確定已經(jīng)達(dá)到所述使用過的模板的使用壽命；以及 在已經(jīng)達(dá)到所述使用壽命后，廢棄所述使用過的模板，使其成為廢棄模板。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述使用壽命是由以下至少一者確定:所述使用過的模板的物理特性;所述使用過的模板的工藝循環(huán)次數(shù);或者所述使用過的模板的污染程度。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其進(jìn)一步包括: 確定所述廢棄模板是否可用作為覆層； 如果所述廢棄模板可用作為覆層，那么繼續(xù)使用所述廢棄模板作為所述覆層；以及 如果所述廢棄起始基板不可用作覆層，那么將所述廢棄模板處理掉。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，如果出現(xiàn)以下情況中的至少一者，那么所述廢棄模板可用作為覆層: 所述廢棄模板的厚度大于規(guī)定厚度;或者 所述廢棄模板的污染程度低于預(yù)定污染程度。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一覆層是廢棄模板。7.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一覆層是由具有與所述起始基板的長度尺寸和寬度尺寸對應(yīng)的長度和寬度的玻璃形成。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述玻璃是模塊玻璃。9.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在將具有所述第一覆層粘附到其上的所述基板與所述模板分離后，處理所述基板的第二側(cè)。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，對所述基板的所述第二側(cè)的所述處理包括清潔工藝。11.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在所述第一覆層粘附到所述第一側(cè)前，處理所述基板的所述第一側(cè)。12.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其進(jìn)一步包括: 在將所述基板與所述起始模板分離后，將第二覆層粘附到所述基板的第二側(cè)。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其進(jìn)一步包括以下至少一者: 將所述第一覆層與所述基板的所述第一側(cè)分離，使得所述第二覆層保持被粘附到所述基板的所述第二側(cè);或者 在將所述基板的所述第一側(cè)與所述第一覆層分離后，處理所述基板的所述第一側(cè)。14.一種用于對單元進(jìn)行處理的方法，所述方法包括: 提供被支撐在起始模板上的基板； 在所述基板被支撐在所述起始模板上的同時，處理所述基板的第一側(cè)； 在對所述第一側(cè)進(jìn)行處理后，將模塊玻璃覆層粘附到所述基板的所述第一側(cè)； 將具有所述玻璃覆層粘附到其上的所述基板與所述起始模板分離；以及 在所述基板被粘附到所述模塊玻璃覆層的同時，處理所述基板的第二側(cè)。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法制造的多個單元，其中相鄰單元被定位成使得所述相鄰單元的所述模塊玻璃的邊緣被布置成邊緣對邊緣的關(guān)系并且所述模塊玻璃的第一側(cè)對準(zhǔn)。
【文檔編號】H01L21/30GK105993063SQ201480065525
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2014年12月2日
【發(fā)明人】蘭斯·A·斯卡德, 查爾斯·蓋伊, 詹姆斯·M·吉, 卡什夫·馬克蘇德, 布萊恩·H·伯羅斯, 樸太俊
【申請人】應(yīng)用材料公司