一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片。包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器，其中，單元電控液晶成像微透鏡用于對目標通過物鏡形成的壓縮光場執(zhí)行進一步的匯聚式壓縮，通過調(diào)變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號電壓的均方幅值，調(diào)變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進而調(diào)變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層，執(zhí)行成像視場在深度方向上的可尋址層析檢錄。該芯片易與其它功能性光學、光電及電子學結(jié)構(gòu)耦合，易于插入常規(guī)成像光路中替換傳統(tǒng)光敏成像芯片執(zhí)行尋址層析視場式的成像探測。
【專利說明】
一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片
技術(shù)領域
[0001]本發(fā)明屬于成像探測技術(shù)領域，更具體地，涉及一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，通過面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器，實現(xiàn)局域成像視場的可尋址層析成像。
【背景技術(shù)】
[0002]迄今為止，基于大面陣光敏芯片的成像探測技術(shù)已獲得廣泛應用，千萬像素規(guī)模的小/微型化圖像結(jié)構(gòu)隨著智能手機的普及已進入個人消費時代，對更高像質(zhì)乃至更強成像效能的追求已呈現(xiàn)只有更好和更強這一消費指向。一般而言，現(xiàn)有常規(guī)成像探測體制基于物鏡或成像光學系統(tǒng)，將目標光場進行大尺度壓縮并投射到置放在焦平面處的面陣光敏芯片上，通過光電轉(zhuǎn)換和數(shù)字圖像預處理獲得電子目標圖像并加以顯示與輸出。所能獲取的清晰圖像僅針對成像視場中某一個向著成像光學系統(tǒng)張開的，深度極為有限或可認為是幾乎無深度的平面景物其圖形化排布的電磁輻射波場。選擇清晰成像面這一操作由物鏡的對焦操作完成，極為有限的焦深對應著同樣極為有限的目標景深，對焦面以外的景物圖像均將模糊化。在對焦面前后距對焦面越遠的景物其模糊程度越高，更換對焦面則需要調(diào)變物鏡焦距，也就是說單次成像實際上所完成的僅是視場中基于物鏡焦距所選取的一個平面景物圖層的清晰成圖操作。通過物鏡的機械變焦執(zhí)行成像視場中由物距所劃分的平面景物圖層選取，其電子或機械控制信號、焦距與清晰的層化平面景物圖像間存在對應關(guān)系。在這一體制下，得到遠近不同的景物其清晰平面圖像的前提是有效配置與更換焦距。機械變焦已帶來成像裝置其光學系統(tǒng)以及輔助驅(qū)控裝置的復雜化，使成本增加、系統(tǒng)可靠性降低、成像探測的快速響應和適應能力下降。目前，針對上述問題在光敏層面也發(fā)展了多種基于折射、衍射或電控可變形液體微透鏡陣列與常規(guī)光敏芯片耦合的架構(gòu)方案，期望通過作用于壓縮光場的多焦長屬性或電調(diào)焦特征來更替和擴展可清晰成像的平面景物圖層數(shù)量。
[0003]目前，隨著微電子工藝技術(shù)的持續(xù)快速發(fā)展，光敏芯片的陣列規(guī)模仍在持續(xù)擴大，實驗室級的單片科研產(chǎn)品已突破億像素級，光敏元尺寸已縮至亞微米尺度，這一進展在進一步提高基于物鏡或光匯聚能力的成像清晰度、輻射分辨率以及擴展輻射響應范圍等方面，將產(chǎn)生明顯改善作用甚至會顯著增強成像探測效能，但在景物的層析成像方面的體制性約束依然存在，從而顯示能力不足這一缺陷。關(guān)鍵性的問題有:(一)現(xiàn)有成像光學系統(tǒng)的焦深其可擴展程度極為有限，通過昂貴手段所能獲得的焦深增量不足以支撐清晰圖層數(shù)量的顯著擴張；(二)機械調(diào)焦下的光學穩(wěn)態(tài)過渡期較長，響應相對遲緩，不適用于動態(tài)或迅變過程以及快速運動目標的圖像信息捕獲；(三)機械調(diào)焦因存在精度和機械慣性問題，僅能粗略劃分或確定相對穩(wěn)定或緩變的景物其清晰圖層位置，難以對視場執(zhí)行精細層析與可尋址精確檢錄；(四)基于電控可形變微透鏡陣列與光敏芯片集成這一架構(gòu)執(zhí)行可調(diào)焦操作，因存在結(jié)構(gòu)形變的順序性和形貌變動慣性，僅適用于穩(wěn)定或緩變景物且不能執(zhí)行快速跳躍式的圖像檢錄；(五)基于多焦長衍射微透鏡陣列與光敏芯片耦合執(zhí)行可調(diào)焦成像探測，其實質(zhì)仍是對視場進行粗略劃分，同樣存在無法精細層析化視場以及執(zhí)行精確檢錄等問題；(六)基于多焦長折射微透鏡陣列耦合并與光敏芯片匹配執(zhí)行可變焦成像探測，同樣存在采用多焦長衍射微透鏡所存在的類似問題?？傊l(fā)展適用于動態(tài)或迅變場景以及快速運動目標，執(zhí)行視場的可尋址圖像化層析、連續(xù)或跳躍檢錄，以及可與常規(guī)成像探測體制兼容的成像探測芯片，是目前進一步發(fā)展商用光敏芯片技術(shù)的熱點和難點問題，迫切需要新的突破。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對現(xiàn)有技術(shù)的以上缺陷或改進需求，本發(fā)明提供了一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，能基于電控方式層析化局域較近距離處的成像視場，目標的清晰成像圖層能通過加載在液晶結(jié)構(gòu)上的電信號執(zhí)行尋址式選擇與調(diào)變，并且能靈活運用于常規(guī)成像系統(tǒng)中。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器；
[0006]所述面陣電控液晶成像微透鏡包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始定向?qū)印D形化電極層和第一基片，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始定向?qū)?、平面電極層和第二基片;所述平面電極層由導電透光膜構(gòu)成，所述圖形化電極層由其上布有mX η元陣列分布的電極微孔的導電透光膜構(gòu)成，其中，m、n均為大于I的整數(shù);所述面陣電控液晶成像微透鏡被劃分成m X η元陣列分布的單元電控液晶成像微透鏡，所述單元電控液晶成像微透鏡與所述電極微孔--對應，每個電極微孔位于對應的單元電控液晶成像微透鏡的中心，形成單元電控液晶成像微透鏡的上電極，所有單元電控液晶成像微透鏡的下電極由所述平面電極層提供;所述面陣光敏探測器被劃分成mXn元陣列分布的子面陣光敏探測器，所述子面陣光敏探測器與所述單元電控液晶成像微透鏡一一對應；
[0007]所述單元電控液晶成像微透鏡用于對目標通過物鏡形成的壓縮光場執(zhí)行進一步的匯聚式壓縮，通過調(diào)變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號電壓的均方幅值，調(diào)變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進而調(diào)變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層，執(zhí)行成像視場在深度方向上的可尋址層析檢錄。
[0008]優(yōu)選地，所述電極微孔為規(guī)則圖形的孔結(jié)構(gòu)，定義電極微孔填充系數(shù)為單個電極微孔的面積占單元電控液晶成像微透鏡的通光面積的比率，所述電極微孔填充系數(shù)不低于65%。
[0009]優(yōu)選地，所述電極微孔為長方形、十字形、三角形、正方形、五邊形、六邊形、圓形或橢圓形。
[0010]優(yōu)選地，所述第一基片遠離所述圖形化電極層的一面還設有納米級厚度的保護膜，所述第二基片遠離所述平面電極層的一面還設有納米級厚度的電隔離層。
[0011]優(yōu)選地，上述探測芯片還包括陶瓷外殼，所述面陣電控液晶成像微透鏡與所述面陣光敏探測器被同軸順序排布耦合并封裝在所述陶瓷外殼中，所述陶瓷外殼的頂部設有光入射窗口，使所述面陣電控液晶成像微透鏡的受光面裸露在外，用于接收外界入射光場。
[0012]優(yōu)選地，所述陶瓷外殼上設有端口和指示燈，所述端口用于從外界向所述液晶基成像探測芯片輸入工作指令，以及向外界輸出電子圖像數(shù)據(jù)，所述指示燈用于指示所述液晶基成像探測芯片是否處在正常工作狀態(tài)。
[0013]總體而言，通過本發(fā)明所構(gòu)思的以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下有益效果:
[0014]1、通過集成面陣電控液晶成像微透鏡與面陣光敏探測器，構(gòu)成小/微型化的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片；
[0015]2、通過在面陣電控液晶成像微透鏡上加載能靈活調(diào)變頻率、幅度和占空比的時序電壓信號，改變在成像視場深度方向上的被清晰成像的目標平面圖層，具有層析成像其控制方式靈活，清晰成像的目標平面圖層可電控順序掃描、檢錄、任意圖層切入與靈活調(diào)換的特點；
[0016]3、通過加載及調(diào)變均方信號電壓，具有能執(zhí)行基于電信號均方幅度的空間尋址式層析化局域視場的成像探測的特點；
[0017]4、具有易與其它功能性光學、光電及電子學結(jié)構(gòu)耦合的特點；
[0018]5、具有易于插入常規(guī)成像光路中替換傳統(tǒng)光敏成像芯片執(zhí)行尋址層析視場式的成像探測的特點。
【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的光學應用配置示意圖，其中，(a)為光軸外物點的光學匯聚效應示意圖，(b)為光軸上物點的光學匯聚效應示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片不具備視場層析效能的光學應用配置示意圖；
[0022]圖4是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的詳細剖面結(jié)構(gòu)圖；
[0024]圖6是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的電極形態(tài)示意圖；
[0025]圖7是典型的電極微孔結(jié)構(gòu)。
[0026]在所有附圖中，相同的附圖標記用來表示相同的元件或結(jié)構(gòu)，其中:1_陶瓷外殼，2-指示燈，3-端口，4-面陣光敏探測器，5-面陣電控液晶成像微透鏡，6-光入射窗口。
【具體實施方式】
[0027]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。此外，下面所描述的本發(fā)明各個實施方式中所涉及到的技術(shù)特征只要彼此之間未構(gòu)成沖突就可以相互組合。
[0028]圖1是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，面陣電控液晶成像微透鏡5與面陣光敏探測器4被同軸順序排布耦合并封裝在陶瓷外殼I中，陶瓷外殼I的頂部設有光入射窗口 6，使面陣電控液晶成像微透鏡5的受光面裸露在外，用于接收外界入射光場。在陶瓷外殼I上設有指示燈2和端口 3，端口 3用于從外界向液晶基成像探測芯片輸入工作指令，以及向外界輸出電子圖像數(shù)據(jù)，指示燈2用于指示液晶基成像探測芯片是否處在正常工作狀態(tài)，在液晶基成像探測芯片處在正常工作狀態(tài)時，指示燈2接通閃爍。
[0029]圖2是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的光學應用配置示意圖，其中，圖(a)和圖(b)分別是光軸外物點與光軸上物點的光學匯聚效應示意圖。如圖
(a)所示，液晶基成像探測芯片被置于物鏡的焦面處，在正常加電態(tài)下，每單元電控液晶成像微透鏡對目標通過物鏡形成的局域壓縮光場分別執(zhí)行進一步的匯聚式壓縮，進而通過與其匹配的子面陣光敏探測器完成基于物鏡及電控液晶成像微透鏡聯(lián)合確定的，目標某一平面對焦面的光電轉(zhuǎn)換與清晰成圖操作，如圖中所示的B平面圖層的清晰成像情形(虛線框內(nèi))。所選定的對焦面前方A平面圖層中的局域物體(虛線框內(nèi))的出射光束，因在光敏芯片位置處仍未充分聚焦或仍處在亞聚焦態(tài)，圖像仍顯模糊。所選定的對焦面后方C平面圖層中的局域物體(虛線框外)的出射光束，因已在大面陣光敏探測器處散焦，圖像已模糊。A及C平面圖層中與B圖層中有相同物距的物體，如A圖層中的運輸車輛以及C圖層中的虛線框內(nèi)的人物，同樣顯示清晰圖像。如圖(b)所示，光軸上遠近不同的物點如a點、b點及c點分別發(fā)出的光線經(jīng)物鏡匯聚在像方光軸的a\點、b \點及c \點處。b \點為焦點，匯聚在a \點的光束在焦面上呈現(xiàn)較大面積的亞聚焦態(tài)，匯聚在c'點的光束則在焦面上也呈現(xiàn)較大面積的散焦態(tài)，軸上和軸外點顯示類似的光束匯聚趨勢。
[0030]圖3是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片不具備視場層析效能的光學應用配置示意圖。如圖所示，遠景處的物體隨物距改變其在焦面上的光斑尺寸的作用很弱，在這種情況下即使采用液晶微透鏡進一步壓縮物鏡所形成的匯聚光場，因成像基于目標在無窮遠處這一假設對光線進行處理，將無法基于微透鏡對圖像清晰度進行調(diào)變。
[0031]圖4是本發(fā)明實施例的一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，電控液晶成像微透鏡陣列與面陣光敏探測器混合集成，每單元液晶成像微透鏡與一個將面陣光敏結(jié)構(gòu)等面積區(qū)塊化后的子面陣探測器匹配，完成基于液晶成像微透鏡進行光匯聚操作的成像探測應用。液晶成像微透鏡的作用主要表現(xiàn)在如圖所示的與常規(guī)折射聚光微透鏡等效的光束變換效應，如圖示的將物鏡提供的近距離目標的匯聚光束進一步壓縮匯聚，將遠距離目標的物鏡散焦光束變換成匯聚光束以及將物鏡聚焦光束進一步壓縮等操作。
[0032]圖5是本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的詳細剖面結(jié)構(gòu)圖。如圖所示，面陣電控液晶成像微透鏡由圖形電極與平面電極構(gòu)造的微米深度微腔中充分填充微米厚度的液晶材料構(gòu)成，液晶分子被在圖形電極和平面電極表面上制作的由納米深度、寬度和周期的溝槽均勻排布所形成的液晶初始定向?qū)蛹s束。具體地，面陣電控液晶成像微透鏡包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始定向?qū)?、圖形化電極層、第一基片和保護膜，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始定向?qū)?、平面電極層、第二基片、電隔離層(光學介質(zhì)層)。保護膜和電隔離層的厚度均為納米級。保護膜通過陶瓷外殼I上的光入射窗口 6裸露在外，用于接收外界入射光場。
[0033]如圖6所示，平面電極層由納米級厚度的導電透光膜構(gòu)成，圖形化電極層由其上布有m Xn元陣列分布的電極微孔的納米級厚度的導電透光膜構(gòu)成，其中，m、n均為大于I的整數(shù)。面陣電控液晶成像微透鏡被劃分成m X η元陣列分布的單元電控液晶成像微透鏡，單元電控液晶成像微透鏡與電極微孔--對應，每個電極微孔位于對應的單元電控液晶成像微透鏡的中心，形成單元電控液晶成像微透鏡的上電極，所有單元電控液晶成像微透鏡的下電極由平面電極層提供。面陣光敏探測器為可見光譜域的光敏探測器，被劃分成mXn元陣列分布的子面陣光敏探測器，子面陣光敏探測器與單元電控液晶成像微透鏡一一對應。
[0034]定義電極微孔填充系數(shù)為單個電極微孔的面積占單元電控液晶成像微透鏡的通光面積的比率，電極微孔為規(guī)則圖形的孔結(jié)構(gòu)，其填充系數(shù)應不低于65%。如圖7所示，電極微孔可以為長方形、十字形、三角形、正方形、五邊形、六邊形、圓形或橢圓形。
[0035]下面詳細說明本發(fā)明實施例的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片的工作過程。首先將一組可提供供電、光敏結(jié)構(gòu)驅(qū)控信號、面陣電控液晶成像微透鏡的驅(qū)控和調(diào)變信號以及圖像數(shù)據(jù)傳輸?shù)牟⑿芯€接入端口，然后分別輸入驅(qū)控光敏器件及電控液晶成像微透鏡陣列的工作指令，此時成像探測芯片開始執(zhí)行可尋址層析視場的成像探測操作;在上述工作過程中，指示燈持續(xù)接通閃爍;通過調(diào)節(jié)電壓信號的頻率、幅度或占空比，調(diào)節(jié)液晶基成像探測芯片的視場層析化成像操作。
[0036]具體地，在正常加電態(tài)下，每單元電控液晶成像微透鏡對目標通過物鏡形成的壓縮光場分別執(zhí)行進一步的匯聚式壓縮，進而通過與其匹配的子面陣光敏探測器完成基于物鏡及電控液晶成像微透鏡聯(lián)合確定的目標某一平面對焦面的光電轉(zhuǎn)換與清晰成圖操作;調(diào)變加載在面陣液晶成像微透鏡上的均方信號電壓，或者說調(diào)變單元液晶成像微透鏡的光匯聚能力或焦長，等效于調(diào)變由物鏡和液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層;在某一正常加電狀態(tài)下的面陣液晶成像微透鏡與物鏡所確定的目標對焦面，一般僅具有極薄的可清晰成像的圖層厚度，即通常意義上的狹小景深，通過調(diào)變加載在面陣液晶成像微透鏡上的電壓信號，等效于對可清晰成像的目標對焦面進行層化掃描，即基于加載在液晶結(jié)構(gòu)上的電信號執(zhí)行成像視場在深度方向上的可尋址層析檢錄;其中，可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片在時序電壓信號作用下，對局域較近距離處的成像視場進行可尋址的層析式清晰成圖操作;所述可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片對成像視場的層析成像操作，由調(diào)變加載在電控液晶成像微透鏡陣列上的信號電壓的均方幅值完成。
[0037]通過加載信號電壓均方幅值超過特定閾值的電信號，驅(qū)動圖形電極與平面電極間所填充的液晶分子形成陣列化聚光的特定折射率空間排布形態(tài)即形成液晶成像微透鏡，調(diào)變信號電壓的均方幅值對應于調(diào)變液晶成像微透鏡的聚光或聚焦能力;通過改變所加載的電壓信號的頻率、幅度或占空比，改變信號電壓的均方幅值。
[0038]本發(fā)明的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，具有基于電控方式層析化局域成像視場，目標的清晰成像圖層可通過加載在液晶結(jié)構(gòu)上的電信號執(zhí)行尋址式選擇與調(diào)變，以及可靈活運用于常規(guī)成像系統(tǒng)中的特點。
[0039]本領域的技術(shù)人員容易理解，以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，包括面陣電控液晶成像微透鏡和面陣光敏探測器； 所述面陣電控液晶成像微透鏡包括液晶材料層，依次設置在液晶材料層上表面的第一液晶初始定向?qū)?、圖形化電極層和第一基片，以及依次設置在液晶材料層下表面的第二液晶初始定向?qū)印⑵矫骐姌O層和第二基片;所述平面電極層由導電透光膜構(gòu)成，所述圖形化電極層由其上布有mx η元陣列分布的電極微孔的導電透光膜構(gòu)成，其中，m、n均為大于I的整數(shù);所述面陣電控液晶成像微透鏡被劃分成m X η元陣列分布的單元電控液晶成像微透鏡，所述單元電控液晶成像微透鏡與所述電極微孔--對應，每個電極微孔位于對應的單元電控液晶成像微透鏡的中心，形成單元電控液晶成像微透鏡的上電極，所有單元電控液晶成像微透鏡的下電極由所述平面電極層提供;所述面陣光敏探測器被劃分成mXn元陣列分布的子面陣光敏探測器，所述子面陣光敏探測器與所述單元電控液晶成像微透鏡一一對應； 所述單元電控液晶成像微透鏡用于對目標通過物鏡形成的壓縮光場執(zhí)行進一步的匯聚式壓縮，通過調(diào)變加載在所述面陣電控液晶成像微透鏡上的信號電壓的均方幅值，調(diào)變所述單元電控液晶成像微透鏡的光匯聚能力，進而調(diào)變由物鏡和所述單元電控液晶成像微透鏡共同確定的目標對焦平面，從而在深度方向上改變能清晰成像的目標圖層，執(zhí)行成像視場在深度方向上的可尋址層析檢錄。2.如權(quán)利要求1所述的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，所述電極微孔為規(guī)則圖形的孔結(jié)構(gòu)，定義電極微孔填充系數(shù)為單個電極微孔的面積占單元電控液晶成像微透鏡的通光面積的比率，所述電極微孔填充系數(shù)不低于65%。3.如權(quán)利要求2所述的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，所述電極微孔為長方形、十字形、三角形、正方形、五邊形、六邊形、圓形或橢圓形。4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，所述第一基片遠離所述圖形化電極層的一面還設有納米級厚度的保護膜，所述第二基片遠離所述平面電極層的一面還設有納米級厚度的電隔離層。5.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，還包括陶瓷外殼，所述面陣電控液晶成像微透鏡與所述面陣光敏探測器被同軸順序排布耦合并封裝在所述陶瓷外殼中，所述陶瓷外殼的頂部設有光入射窗口，使所述面陣電控液晶成像微透鏡的受光面裸露在外，用于接收外界入射光場。6.如權(quán)利要求5所述的可尋址層析視場的液晶基成像探測芯片，其特征在于，所述陶瓷外殼上設有端口和指示燈，所述端口用于從外界向所述液晶基成像探測芯片輸入工作指令，以及向外界輸出電子圖像數(shù)據(jù)，所述指示燈用于指示所述液晶基成像探測芯片是否處在正常工作狀態(tài)。
【文檔編號】H01L27/146GK105826341SQ201610145847
【公開日】2016年8月3日
【申請日】2016年3月15日
【發(fā)明人】張新宇, 信釗煒, 魏東, 袁瑩, 彭莎, 張波, 吳勇, 王海衛(wèi), 謝長生
【申請人】華中科技大學