一種用于x射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法，包括：至少一碳纖維板；至少一形成于所述碳纖維板表面的電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括厚膜漿料層，所述厚膜漿料層的厚度為5~20微米。本發(fā)明用于解決現(xiàn)有技術(shù)中X射線平板探測(cè)器正面電磁屏蔽防護(hù)能力不足的問題。
【專利說明】
一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及一種電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種解決X射線平板探測(cè)器正面電磁屏蔽的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在X線攝影中，數(shù)字化X線影像同普通X線影像相比具有圖像分辨率高、灰階度廣、圖像信息量大，有助于提高診斷準(zhǔn)確率。數(shù)字化攝片(Digital Rad1graphy，DR)中，X線轉(zhuǎn)換成電信號(hào)是通過平板探測(cè)器(Flat Plane Detector，F(xiàn)PD)來實(shí)現(xiàn)的，所以平板探測(cè)器的特性會(huì)對(duì)DR圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。
[0003]自然界，生活工作環(huán)境中，存在各種頻段的電磁波，會(huì)對(duì)電路中傳輸?shù)男盘?hào)產(chǎn)生干擾，形成噪聲。目前的DR設(shè)備自動(dòng)化程度高，各種轉(zhuǎn)動(dòng)部分所使用的電機(jī)都會(huì)產(chǎn)生電磁干擾，其中，平板探測(cè)器中場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)電路正面的電磁干擾防護(hù)能力比較薄弱，在磁場(chǎng)干擾下，DR圖像質(zhì)量會(huì)產(chǎn)生比較大的影響，從而影響客戶體驗(yàn)。
[0004]為了解決電磁干擾問題，多數(shù)廠家在平板探測(cè)器TFT電路正面會(huì)進(jìn)行電磁屏蔽設(shè)計(jì)，比如添加鋁薄膜。但是鋁薄膜對(duì)電場(chǎng)的屏蔽較好，對(duì)于磁場(chǎng)的干擾屏蔽效果一般。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中X射線平板探測(cè)器正面電磁屏蔽防護(hù)能力不足的問題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括:至少一碳纖維板;至少一形成于所述碳纖維板表面的電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括厚膜漿料層，所述厚膜漿料層的厚度為5?20微米。
[0007]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽層還包括至少一通過膠粘劑形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層，所述厚膜漿料層形成于所述高分子膜層表面。
[0008]優(yōu)選地，所述膠粘劑為壓敏膠或AB膠。
[0009]優(yōu)選地，所述高分子膜層厚度為45?55微米。
[0010]優(yōu)選地，所述高分子膜層的材料為PET或PP。
[0011]優(yōu)選地，所述厚膜漿料層包含以下組分:電磁屏蔽材料粉末及高分子粘合劑，所述厚膜漿料層的電磁屏蔽材料粉末含量為70% Wt?80% Wt，。
[0012]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽材料粉末為Mn-Zn體系鐵氧體粉末，N1-Zn體系鐵氧體粉末以及鎳合金納米粉末中的一種或兩種以上組合。
[0013]優(yōu)選地，所述高分子粘合劑為不同分子量的乙基纖維素以及不同分子量的PVB中的一種或兩種以上組合。
[0014]本發(fā)明還提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法包括:提供至少一碳纖維板;于所述碳纖維板表面形成至少一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括至少一厚度為5?20微米的厚膜漿料層。
[0015]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽層的形成方法如下:采用絲網(wǎng)印刷的方式，將厚膜漿料在所述碳纖維板表面直接形成至少一所述厚膜漿料層。
[0016]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽層的形成方法如下:提供至少一高分子膜層，采用絲網(wǎng)印刷的方式，將厚膜漿料在所述高分子膜層表面形成至少一所述厚膜漿料層，然后把高分子膜層通過膠粘劑復(fù)合到所述碳纖維板表面。
[0017]優(yōu)選地，所述厚膜漿料層的形成方法如下:將電磁屏蔽材料粉末，高分子粘合劑，分散劑，增塑劑以及溶劑一起預(yù)混合，然后采用三輥機(jī)分散混合，制成電磁屏蔽材料粉末含量在70% Wt?80% Wt的厚膜漿料層。
[0018]優(yōu)選地，所述電磁屏蔽材料粉末為Mn-Zn體系鐵氧體粉末，N1-Zn體系鐵氧體粉末以及鎳合金納米粉末中的一種或兩種以上組合。
[0019]優(yōu)選地，所述高分子粘合劑為不同分子量的乙基纖維素以及不同分子量的PVB中的一種或兩種以上組合。
[0020]如上所述，本發(fā)明的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法，具有以下有益效果:
[0021]I)本發(fā)明提高了平板探測(cè)器中場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)電路正面的抗電磁干擾能力。
[0022]2)解決了大面積薄膜材料的成型和加工問題，解決薄膜材料支撐體強(qiáng)度和韌性。
[0023]3)適當(dāng)?shù)碾姶牌帘螌雍穸仍诰哂须姶牌帘蔚男Ч耐瑫r(shí)，也盡可能減少了對(duì)X射線的吸收。
[0024]4)成本增加有限，可以使圖像質(zhì)量好，提升公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力。
【附圖說明】
[0025]圖1顯示為本發(fā)明的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026]圖2顯示為本發(fā)明的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)示意圖。
[0027]圖3顯示為本發(fā)明的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的厚膜漿料的制備方法示意圖。
[0028]圖4顯示為本發(fā)明的一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的厚膜漿料層的制備方法示意圖。
[0029]元件標(biāo)號(hào)說明
[0030]O平板區(qū)域標(biāo)識(shí)板[0031 ] I碳纖維板
[0032]21高分子膜層
[0033]22厚膜漿料層
[0034]2電磁屏蔽層
[0035]3閃爍體層
[0036]4 TFT非晶硅面板
[0037]5金屬結(jié)構(gòu)件
[0038]6電路板
[0039]7金屬機(jī)殼
【具體實(shí)施方式】
[0040]以下由特定的具體實(shí)施例說明本發(fā)明的實(shí)施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)及功效。
[0041]請(qǐng)參閱圖1至圖4。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的限定條件，故不具技術(shù)上的實(shí)質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下，均應(yīng)仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時(shí)，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實(shí)施的范圍，其相對(duì)關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實(shí)質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當(dāng)亦視為本發(fā)明可實(shí)施的范疇。
[0042]實(shí)施例一
[0043]如圖1所示，本發(fā)明提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu):至少一碳纖維板I;至少一形成于碳纖維板I表面的電磁屏蔽層2，所述電磁屏蔽層2包括厚膜漿料層22，所述厚膜漿料層22的厚度為5?20微米。本實(shí)施例中，優(yōu)選厚膜漿料層22的厚度為15微米。
[0044]其中，所述厚膜漿料層22由以下組分組成:電磁屏蔽材料粉末70?80%wt，高分子粘合劑8%wt，分散劑I %wt，增塑劑3 %wt，溶劑8?18%wt。其中，％wt為重量百分比。本實(shí)施例中的厚膜漿料作為一種高粘度，高固體含量的漿料，可以用于絲網(wǎng)印刷工藝。其中溶劑優(yōu)選為松油醇。本實(shí)施例中，優(yōu)選固體含量在75%wt?85%wt，最優(yōu)選為80%wt。
[0045]所述電磁屏蔽材料粉末優(yōu)選為Mn-Zn體系鐵氧體粉末，N1-Zn體系鐵氧體粉末以及商用鎳合金納米粉末中的一種或兩種以上組合。鐵氧體具有優(yōu)良的防護(hù)電磁干擾能力。其他實(shí)施例中，還可以使用其他具有抗電磁干擾功能的材料粉末作為厚膜漿料的主要材料，不局限于本實(shí)施例中的材料。
[0046]所述高分子粘合劑為不同分子量的乙基纖維素以及不同分子量的聚乙烯醇縮丁醛(PVB)中的一種或兩種以上組合，或者其他不同分子量的高分子材料混合。
[0047]本實(shí)施例中的X射線平板探測(cè)器至少包括:包括金屬機(jī)殼7內(nèi)的探測(cè)器電路板6，位于該探測(cè)器電路板6上的金屬結(jié)構(gòu)件5，位于金屬結(jié)構(gòu)件5上的TFT非晶硅面板4;形成于該TFT非晶硅面板4上表面的閃爍體層3;形成于所述閃爍體層3上的碳纖維板I，以及形成于所述碳纖維板I下表面的電磁屏蔽層2;形成于碳纖維板I上的平板區(qū)域標(biāo)識(shí)板O。
[0048]實(shí)施例二
[0049]如圖2所示，本實(shí)施例提供了一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)。
[0050]本實(shí)施例和實(shí)施例一的不同之處在于，本實(shí)施例的電磁屏蔽層2還包括至少一高分子膜層21，所述高分子膜層21—表面通過膠粘劑(壓敏膠或AB膠)復(fù)合形成于所述碳纖維板I表面，所述厚膜漿料層22形成于所述高分子膜層21另一表面。其中，AB膠是兩液混合硬化膠的別稱，一液是本膠，一液是硬化劑，兩液相混才能硬化，是不須靠溫度來硬應(yīng)熟成的，所以是常溫硬化膠的一種。壓敏膠是一類對(duì)壓力有敏感性的膠粘劑。
[0051 ]其中，用于形成高分子膜層21的高分子膜的厚度為45?55微米，寬度為500?550毫米，形成的高分子膜層厚度與原高分子膜厚度一致。優(yōu)選本實(shí)施例中的高分子薄膜的厚度為50微米。所述高分子膜層的材料為PET，PP或其它柔韌性好的高分子薄膜材料。本實(shí)施例中的高分子薄膜，可對(duì)20微米以內(nèi)的無機(jī)薄膜層提供好的韌性和支撐，而且易加工和復(fù)合在剛性襯底上。
[0052]實(shí)施例三
[0053]如圖1所示，本發(fā)明提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法包括:提供至少一碳纖維板I;采用絲網(wǎng)印刷的方式，將預(yù)先制得的厚膜漿料在所述碳纖維板I表面形成至少一厚度為5?20微米的厚膜漿料層22，也就是電磁屏蔽層2。本實(shí)施中的電磁屏蔽層2為一厚度為15微米的厚膜漿料層22，既避免屏蔽膜對(duì)X射線的大量吸收，也可以起到一定的電磁屏蔽效果。
[0054]具體的，本實(shí)施例中碳纖維板I上的電磁屏蔽層2的形成方法如圖4所示，首先提供一碳纖維板I為襯底;將厚膜漿料鋪在絲網(wǎng)印刷機(jī)平臺(tái)上形成厚膜漿料層22，然后在絲網(wǎng)印刷機(jī)平臺(tái)上放碳纖維板I，碳纖維板I吸附在厚膜漿料層22上;然后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，在所述碳纖維板I表面直接形成一厚膜漿料層22。絲網(wǎng)印刷結(jié)束后，取下具有厚膜漿料層22的碳纖維板I，干燥后得到具有電磁屏蔽層2的碳纖維板I。絲網(wǎng)印刷是一種廣泛用于電子元器件制造，薄膜成型的工藝技術(shù)。絲網(wǎng)印刷工藝可以用于制作大面積尺寸的，膜厚20微米以下的膜層。
[0055]其中，厚膜漿料的形成方法如圖3所示，首先，將電磁屏蔽材料粉末70?80%wt，高分子粘合劑8 % wt，分散劑I % wt，增塑劑3 % wt，溶劑8?18 % wt—起預(yù)混合，然后用三棍機(jī)分散混合，制成所述厚膜漿料。其中溶劑優(yōu)選為松油醇。三輥機(jī)可以制成固體含量比較高的可供印刷的厚膜漿料，可以減少漿料中的高分子含量，減少成膜后膜層中的氣孔，高分子，提高膜層電磁屏蔽能力。本實(shí)施例中，優(yōu)選固體含量在75%wt?85%wt，最優(yōu)選為80%wt。
[0056]其中，所述固體粉末為Mn-Zn體系鐵氧體粉末，N1-Zn體系鐵氧體粉末以及商用鎳合金納米粉末中的一種或兩種以上組合。
[0057]所述高分子粘合劑為不同分子量的乙基纖維素以及不同分子量的聚乙烯醇縮丁醛(PVB)中的一種或兩種以上組合，或者其他不同分子量的高分子材料混合。
[0058]實(shí)施例四
[0059]如圖2所示，本實(shí)施例提供一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法。
[0060]本實(shí)施例和實(shí)施例一的不同之處在于，本實(shí)施例中的電磁屏蔽層2的制備方法還包括:提供一高分子膜層21為襯底，采用絲網(wǎng)印刷的方式，將預(yù)先制得的厚膜漿料在所述高分子膜層21—表面形成至少一厚膜漿料層22，然后把高分子膜層21另一表面通過膠粘劑復(fù)合到所述碳纖維板I表面。本實(shí)施中形成的電磁屏蔽層2包括一厚度為5?20微米的厚膜漿料層22和一高分子膜層21。
[0061]具體的，本實(shí)施例中碳纖維板I上的電磁屏蔽層2的形成方法如圖4所示:首先提供一高分子膜為襯底，將厚膜漿料鋪在絲網(wǎng)印刷機(jī)平臺(tái)上形成一層厚度均勻的厚膜漿料，然后在絲網(wǎng)印刷機(jī)平臺(tái)上放高分子膜，高分子膜吸附在厚膜漿料上，然后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷在所述高分子膜表面直接形成一層厚膜漿料。絲網(wǎng)印刷結(jié)束后，取下具有一層厚膜漿料的高分子膜，干燥后得到具有一層厚膜漿料的高分子膜。
[0062]本實(shí)施例中，用于形成高分子膜層21的高分子膜的厚度為45?55微米，寬度為500?550毫米。所述高分子膜的材料為PET，PP或其它柔韌性好的高分子薄膜材料。優(yōu)選本實(shí)施例中的高分子薄膜的厚度為50微米。
[0063]其中，本實(shí)施例中，高分子膜的寬度為550毫米，高分子膜表面的厚膜漿料面積為500mmX500mm，比產(chǎn)品所需要的厚膜漿料層尺寸大，便于之后根據(jù)產(chǎn)品尺寸不同，按需求裁剪。然后把按需求裁剪好的具有厚膜漿料層22的高分子膜層21通過膠粘劑(壓敏膠或AB膠)復(fù)合到碳纖維板I表面。
[0064]其他實(shí)施例中，所述電磁屏蔽層2可以包括多個(gè)電磁屏蔽層2，也可以根據(jù)需要藉由粘合材料以及多個(gè)高分子膜層21分別結(jié)合于碳纖維板I的上表面或者下表面，本實(shí)施例不限制電磁屏蔽層2和高分子膜層21的數(shù)量，以及放置位置和放置方式。
[0065]綜上所述，本發(fā)明的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)及制備方法，具有以下有益效果:
[0066]I)本發(fā)明提高了平板探測(cè)器中場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFT)電路正面的抗電磁干擾能力。
[0067]2)解決了大面積薄膜材料的成型和加工問題，解決薄膜材料支撐體強(qiáng)度和韌性。
[0068]3)適當(dāng)?shù)碾姶牌帘螌雍穸仍诰哂须姶牌帘蔚男Ч耐瑫r(shí)，也盡可能減少了對(duì)X射線的吸收。
[0069]4)成本增加有限，可以使圖像質(zhì)量好，提升公司產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力。
[0070]所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。
[0071]上述實(shí)施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此，舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)包括: 至少一碳纖維板； 至少一形成于所述碳纖維板表面的電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括厚膜漿料層，所述厚膜漿料層的厚度為5?20微米。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于: 所述電磁屏蔽層還包括至少一通過膠粘劑形成于所述碳纖維板表面的高分子膜層，所述厚膜漿料層形成于所述高分子膜層表面。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述膠粘劑為壓敏膠或AB膠。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述高分子膜層厚度為45?55微米。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述高分子膜層的材料為PET或PP。6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述厚膜漿料層包含以下組分:電磁屏蔽材料粉末及高分子粘合劑，所述厚膜漿料層的電磁屏蔽材料粉末含量為70 % wt?80 % wt。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述電磁屏蔽材料粉末為Mn-Zn體系鐵氧體粉末，N1-Zn體系鐵氧體粉末以及鎳合金納米粉末中的一種或兩種以上組合。8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述高分子粘合劑為不同分子量的乙基纖維素以及不同分子量的PVB中的一種或兩種以上組合。9.一種用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法包括: 提供至少一碳纖維板； 于所述碳纖維板表面形成至少一電磁屏蔽層，所述電磁屏蔽層包括至少一厚度為5?20微米的厚膜漿料層。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于: 所述電磁屏蔽層的形成方法如下: 采用絲網(wǎng)印刷的方式，將厚膜漿料在所述碳纖維板表面直接形成至少一所述厚膜漿料層。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述電磁屏蔽層的形成方法如下: 提供至少一高分子膜層，采用絲網(wǎng)印刷的方式，將厚膜漿料在所述高分子膜層表面形成至少一所述厚膜漿料層，然后將所述高分子膜層通過膠粘劑復(fù)合到所述碳纖維板表面。12.根據(jù)權(quán)利要求10或11所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述厚膜漿料的形成方法如下: 將電磁屏蔽材料粉末，高分子粘合劑，分散劑，增塑劑以及溶劑一起預(yù)混合，然后采用三輥機(jī)分散混合，制成電磁屏蔽材料粉末含量在70 % wt?80 % wt的厚膜漿料。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述電磁屏蔽材料粉末為Mn-Zn體系鐵氧體粉末，N1-Zn體系鐵氧體粉末以及鎳合金納米粉末中的一種或兩種以上組合。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的用于X射線平板探測(cè)器的電磁屏蔽結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于:所述高分子粘合劑為不同分子量的乙基纖維素以及不同分子量的PVB中的一種或兩種以上組合。
【文檔編號(hào)】G01T1/20GK105826342SQ201610284080
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年5月3日
【發(fā)明人】周作興, 程丙勛, 崔亞輝
【申請(qǐng)人】奕瑞影像科技（太倉）有限公司