倒裝led芯片及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光源技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種倒裝LED芯片及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LED (Light Emitting D1de，發(fā)光二極管)作為一種新型的綠色照明光源，由于具有節(jié)能、環(huán)保、高效、抗靜電等諸多優(yōu)點，而被廣泛應(yīng)用于電子產(chǎn)品的指示燈、LCD顯示器的背光源、交通信號燈以及日常照明等各個領(lǐng)域。
[0003]現(xiàn)有的LED芯片包括正裝LED芯片和倒裝LED芯片。參考圖1，現(xiàn)有的一種倒裝LED芯片包括基底1、位于基底I 一側(cè)的反射層2、P面電極3、P型氮化鎵層4、有源層5、N型氮化鎵層6、N面電極7和透明襯底8。對P面電極3和N面電極7施加電流后，有源層5發(fā)出的一部分光會穿過N型氮化鎵層6和透明襯底8出射，另一部分光被反射層2反射后再穿過透明襯底8出射。
[0004]也就是說，倒裝LED芯片有源層5發(fā)出的光都會穿過透明襯底8出射，但是，由于光在透明襯底8與空氣相接觸的表面會發(fā)生全反射現(xiàn)象，因此，會導(dǎo)致倒裝LED芯片的出光效率較低，進而影響倒裝LED芯片的發(fā)光亮度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種倒裝LED芯片及其制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于光在透明襯底處的全反射現(xiàn)象導(dǎo)致的倒裝LED芯片的出光效率較低以及影響倒裝LED芯片亮度的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0007]一種倒裝LED芯片的制作方法，包括:
[0008]制作倒裝LED芯片的半成品，所述半成品至少包括透明襯底和位于所述透明襯底一側(cè)的氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層包括N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層；
[0009]將所述半成品固定在切割臺上，所述半成品的透明襯底一側(cè)背離所述切割臺；
[0010]對所述透明襯底進行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面。
[0011]優(yōu)選的，將所述半成品固定在切割臺上的過程，包括:
[0012]通過旋涂、噴涂或印刷的方式將粘結(jié)劑涂覆在所述切割臺的溝槽內(nèi)；
[0013]將所述半成品放置在所述溝槽內(nèi)，所述半成品的透明襯底一側(cè)背離所述切割臺；
[0014]通過加熱的方式使所述粘結(jié)劑固化，以使所述半成品固定在所述溝槽內(nèi)。
[0015]優(yōu)選的，所述切割臺具有多個溝槽；所述溝槽的形狀與所述半成品的形狀相同。
[0016]優(yōu)選的，對所述透明襯底進行圖形化切割的過程，包括:
[0017]通過機械切割的方式對所述透明襯底進行圖形化切割，以使所述透明襯底具有凹凸不平的表面。
[0018]優(yōu)選的，所述透明襯底的切割圖形是由所述機械切割的切割刀頭的形狀決定的。
[0019]優(yōu)選的，在對所述透明襯底進行圖形化切割之前，還包括:
[0020]對所述透明襯底進行掩膜減薄處理。
[0021]優(yōu)選的，對所述透明襯底進行圖形化切割之后，還包括:
[0022]通過濕法浸泡的方式將所述粘結(jié)劑溶解，以將所述半成品與所述切割臺分離開。
[0023]優(yōu)選的，所述透明襯底為藍寶石襯底。
[0024]一種倒裝LED芯片，包括基底以及位于所述基底一側(cè)的反射層、N面電極、氮化鎵外延層、P面電極和透明襯底，所述氮化鎵外延層包括N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層，其中，所述透明襯底背離所述氮化鎵外延層的一側(cè)的表面為凹凸不平的表面。
[0025]優(yōu)選的，所述透明襯底為藍寶石襯底。
[0026]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點:
[0027]本發(fā)明所提供的倒裝LED芯片及其制作方法，對透明襯底進行圖形化切割后，使得透明襯底具有凹凸不平的表面，從而能夠部分消除透明襯底與空氣相接觸的表面的全反射現(xiàn)象，進而能夠提高倒裝LED芯片的出光效率，提高倒裝LED芯片的亮度。
【附圖說明】
[0028]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0029]圖1現(xiàn)有的一種倒裝LED芯片的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為本發(fā)明的一個實施例提供的一種倒裝LED芯片的制作方法的流程圖；
[0031]圖3為本發(fā)明的一個實施例提供的一種倒裝LED芯片的半成品的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖4a為本發(fā)明的一個實施例提供的未放置半成品的托盤的俯視圖；
[0033]圖4b為本發(fā)明的一個實施例提供的未放置半成品的托盤的側(cè)視圖；
[0034]圖5a為本發(fā)明的一個實施例提供的放置半成品的托盤的俯視圖；
[0035]圖5b為本發(fā)明的一個實施例提供的放置半成品的托盤的側(cè)視圖；
[0036]圖6a為本發(fā)明的一個實施例提供的透明襯底的一種切割圖形；
[0037]圖6b為本發(fā)明的一個實施例提供的透明襯底的另一種切割圖形；
[0038]圖7為本發(fā)明的另一個實施例提供的一種倒裝LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0039]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040]本發(fā)明的一個實施例提供了一種倒裝LED芯片的制作方法，該方法的流程圖如圖2所示，包括:
[0041]S201:制作倒裝LED芯片的半成品；
[0042]其中，所述半成品至少包括透明襯底和位于所述透明襯底一側(cè)的氮化鎵外延層，所述氮化鎵外延層包括N型氮化鎵層、有源層和P型氮化鎵層。
[0043]所示半成品的制作過程具體包括:在透明襯底30如藍寶石襯底上依次生長N型氮化鎵層310、量子阱有源層311和P型氮化鎵層312，以形成氮化鎵外延層31 ;然后在氮化鎵外延層31上進行P型電極32、N型電極33以及反射層34的制作，并利用鈍化層35將P型電極32和N型電極33隔離開，以使二者絕緣，這樣就形成了圖3所示的倒裝LED芯片的半成品。
[0044]其中，在對所述透明襯底30進行圖形化切割之前，還包括:對所述透明襯底30如藍寶石襯底進行掩膜減薄處理。
[0045]S202:將所述半成品固定在切割臺上，所述半成品的透明襯底一側(cè)背離所述切割臺；
[0046]將所述半成品固定在切割臺上的過程，包括:
[0047]通過旋涂、噴涂或印刷的方式將粘結(jié)劑均勻涂覆在所述切割臺的溝槽內(nèi)；