一種晶圓抓取系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種晶圓抓取系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓作為一種常用的半導(dǎo)體材料，在其制造過(guò)程中，實(shí)現(xiàn)晶圓的自動(dòng)取、放和自動(dòng)傳輸是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。
[0003]現(xiàn)有的生產(chǎn)設(shè)備中，常見(jiàn)的晶圓抓取裝置主要是采用真空吸盤吸附式進(jìn)行晶圓抓取。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的晶圓抓取裝置通過(guò)檢測(cè)抓取過(guò)程中裝置真空度的變化，判斷是否抓取到晶圓，很容易產(chǎn)生誤判斷。另外，當(dāng)沒(méi)有放置晶圓的時(shí)候，該裝置依然進(jìn)行吸附抓取動(dòng)作，必然會(huì)造成了真空泄露，從而引起整個(gè)系統(tǒng)真空度的下降，進(jìn)而影響設(shè)備的可靠性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服現(xiàn)有技術(shù)中晶圓抓取裝置容易產(chǎn)生誤判斷和真空度下降的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種晶圓抓取系統(tǒng)。
[0006]為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明提供了一種晶圓抓取系統(tǒng)，包括:
[0008]基板，包括兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的第一表面和第二表面；
[0009]所述基板的一端設(shè)置多個(gè)連通所述第一表面和所述第二表面的吸附孔，所述吸附孔與一外接抽真空裝置連通；
[0010]壓片，設(shè)置于所述第一表面上，覆蓋所述吸附孔于所述第一表面的一端；
[0011 ]光線傳感器，設(shè)置于所述第二表面，所述光線傳感器向晶圓放置位置發(fā)射探測(cè)光線，并得到晶圓放置位置有晶圓放置的第一信號(hào)，或得到晶圓放置位置沒(méi)有晶圓放置的第二信號(hào)；
[0012]移動(dòng)裝置，用于移動(dòng)所述基板；
[0013]控制裝置，與所述移動(dòng)裝置和所述抽真空裝置分別控制連接，所述控制裝置并與所述光線傳感器連接；
[0014]所述控制裝置獲取所述第一信號(hào)，控制所述移動(dòng)裝置移動(dòng)所述基板至晶圓放置位置后，并控制所述抽真空裝置將所述吸附孔抽成真空，所述吸附孔位于所述第二表面的一端吸附晶圓；或者，所述控制裝置獲取所述第二信號(hào)，控制所述移動(dòng)裝置停止向晶圓放置位置移動(dòng)所述基板，并控制所述抽真空裝置不將所述吸附孔抽成真空。
[0015]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，還包括:設(shè)置于所述第一表面上的導(dǎo)氣槽，所述導(dǎo)氣槽連通所述吸附孔;所述導(dǎo)氣槽的表面被所述壓片覆蓋;所述第二表面上開(kāi)設(shè)有連接孔連通所述導(dǎo)氣槽。
[0016]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，還包括:
[0017]連接塊，設(shè)置在所述基板的另一端，與所述抽真空裝置連通；
[0018]所述連接塊上開(kāi)設(shè)有氣孔，所述氣孔與所述連接孔導(dǎo)通連接。
[0019]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，所述第二表面上設(shè)置有一安裝槽，所述安裝槽內(nèi)鋪設(shè)一層膠帶，所述光線傳感器安裝于所述安裝槽內(nèi)并與膠帶粘結(jié)。
[0020]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，所述壓片為兩片，每片所述壓片為條形。
[0021]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，述基板的一端設(shè)置有減重孔，所述吸附孔圍繞所述減重孔設(shè)置。
[0022]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，所述基板的另一端設(shè)置有一卡槽，所述連接塊的--^接部分卡入所述卡槽內(nèi)。
[0023]進(jìn)一步來(lái)說(shuō)，所述的晶圓抓取系統(tǒng)中，所述基板的另一端設(shè)置有螺栓孔，所述連接塊上也設(shè)置有螺栓孔;所述基板通過(guò)螺栓與所述連接塊連接。
[0024]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的晶圓抓取系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)在有晶圓的位置進(jìn)行吸附，不會(huì)像傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)在無(wú)晶圓的位置進(jìn)行吸附從而引起整個(gè)系統(tǒng)的真空下降，從而提高了設(shè)備的可靠性，同時(shí)，吸附晶圓的同時(shí)，可以從真空度以及光纖傳感器的大小判斷有無(wú)吸附到晶圓，可靠性更高。本發(fā)明用于對(duì)晶圓進(jìn)行傳輸?shù)陌雽?dǎo)體專用設(shè)備。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1表示本發(fā)明實(shí)施例中晶圓抓取系統(tǒng)的立體結(jié)構(gòu)圖一；
[0026]圖2表示本發(fā)明實(shí)施例中晶圓抓取系統(tǒng)的立體結(jié)構(gòu)圖二；
[0027]圖3表不本發(fā)明實(shí)施例中晶圓抓取系統(tǒng)的后視圖；
[0028]圖4表示本發(fā)明實(shí)施例中晶圓抓取系統(tǒng)的側(cè)視圖；
[0029]圖5表示本發(fā)明實(shí)施例中晶圓抓取系統(tǒng)的正視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0031]本發(fā)明提供了一種晶圓抓取系統(tǒng)，參照?qǐng)D1至圖5所示，包括:
[0032]基板1，基板1包括兩個(gè)相對(duì)設(shè)置的和第二表面102;基板1的一端設(shè)置多個(gè)連通第一表面101和第二表面102的吸附孔103，吸附孔103與一外接抽真空裝置連通;壓片2，設(shè)置于第一表面101上，覆蓋吸附孔103于第一表面101的一端;光線傳感器4，設(shè)置于第二表面102，光線傳感器4向晶圓放置位置發(fā)射探測(cè)光線，并得到晶圓放置位置有晶圓放置的第一信號(hào)，或得到晶圓放置位置沒(méi)有晶圓放置的第二信號(hào)；移動(dòng)裝置，用于移動(dòng)基板1;控制裝置，與移動(dòng)裝置和抽真空裝置分別控制連接，控制裝置并與光線傳感器4連接;控制裝置獲取第一信號(hào)，控制移動(dòng)裝置移動(dòng)基板1至晶圓放置位置后，并控制抽真空裝置將吸附孔103抽成真空，吸附孔103位于第二表面102的一端吸附晶圓；或者，控制裝置獲取第二信號(hào)，控制移動(dòng)裝置停止向晶圓放置位置移動(dòng)基板1，并控制抽真空裝置不將吸附孔103抽成真空。
[0033]具體來(lái)說(shuō)，基板1上設(shè)置的多個(gè)吸附孔103是通孔，由于吸附孔103位于第一表面101的一端被壓片2蓋住，與吸附孔103連通的抽真空裝置可以將吸附孔內(nèi)抽成真空，吸附孔103于第二表面102的一端產(chǎn)生吸力來(lái)吸取晶圓。基板1的第二表面102設(shè)置有光線傳感器4，當(dāng)光線傳感器通過(guò)向晶圓放置位置發(fā)出探測(cè)光線來(lái)判斷晶圓放置位置有無(wú)晶圓的放置。光線傳感器4獲取晶圓放置位置存在晶圓時(shí)的第一信號(hào)后，控制裝置會(huì)根據(jù)第一信號(hào)控制移動(dòng)裝置移動(dòng)基板1至晶圓放置位置，并控制抽真空裝置將吸附孔103抽成真空，吸附孔103于第二表面102的一端產(chǎn)生吸力來(lái)吸取晶圓?；蛘?，當(dāng)光線傳感器4獲取晶圓放置位置不存在晶圓時(shí)的第二信號(hào)后，控制裝置會(huì)根據(jù)第二信號(hào)控制移動(dòng)裝置停止移動(dòng)基板1，并控制抽真空裝置停止抽真空。光線傳感器4判斷晶圓放置位置有無(wú)晶圓，從而基板1就可以在有晶圓的位置進(jìn)行吸附；不會(huì)像現(xiàn)有技術(shù)的裝置在無(wú)晶圓的位置同樣進(jìn)行吸附，從而引起整個(gè)系統(tǒng)的真空下降。本發(fā)明的晶圓抓取系統(tǒng)的可靠性大大增強(qiáng)。
[0034]下面來(lái)詳細(xì)介紹該晶圓抓取系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)。
[0035]該晶圓抓取系統(tǒng)還包括:設(shè)置于第一表面101上的導(dǎo)氣槽104，導(dǎo)氣槽104連通吸附孔103，這樣每個(gè)吸附孔103均能通過(guò)導(dǎo)氣槽104被抽成真空；導(dǎo)氣槽104的表面被壓片2覆蓋，從而形成一個(gè)密閉的道氣管路;第二表面102上開(kāi)