2O3)、氧化硅(S12)、氧化鈦(T12)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙氧基硅烷(TE0S)。接觸層14用以傳導電流，其材料包括GaP、AlxGai—xAs(0 I)或AlaGabIn1-a-bP(0<a< l，0<b< l，0<a+b< I)。
[0015]實施例如圖2所示，發(fā)光裝置4具有載體40;第二粘結(jié)層42位于載體40之上;第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43位于第二粘結(jié)層42之上；電絕緣層44位于第二粘結(jié)層42、第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43之上；以及電連接結(jié)構(gòu)46位于電絕緣層44之上，電連接第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43。第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43與上述第一實施例的發(fā)光元件I類似，具有第一發(fā)光疊層2;隧穿層12;第二發(fā)光疊層3;以及接觸層14位于透明粘結(jié)層42之上。但第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43還分別具有第一電極16位于接觸層14之上與第二電極18位于第一發(fā)光疊層2之上；電連接結(jié)構(gòu)46可電連接第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41的第二電極18與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43的第一電極16。
[0016]載體40可用以生長及/或支持其上的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其材料可為透明材料，例如為藍寶石(Sapphire)、鉆石(Diamond)、玻璃(Glass)、石英(Quartz)、壓克力(AcryI )、氧化鋅(ZnO)或氮化鋁(AlN)等。載體40的材料亦可為導熱材料，包括銅(Cu)、鋁(Al)、類鉆碳薄膜(Diamond Like Carbon;DLC)、碳化娃(SiC)、金屬基復合材料(Metal Matrix Composite ；MMC)、陶瓷基復合材料(Ceramic Matrix Composite ； CMC)、娃(Si)、磷化鵬(IP)、砸化鋅(ZnSe),砷化鎵(GaAs)、鍺(Ge)、碳化硅(S i C)、磷化鎵(GaP)、磷砷化鎵(GaAsP)、砸化鋅(ZnSe)、磷化銦(InP)、鎵酸鋰(LiGaO2)或鋁酸鋰(LiAlO2)13其中可用以生長發(fā)光結(jié)構(gòu)的材料例如為藍寶石(Sapphire)、砷化鎵(GaAs)或碳化娃(SiC)等。
[0017]第二粘結(jié)層42用以粘結(jié)發(fā)光結(jié)構(gòu)與載體40，其材料可為透明粘結(jié)材料，例如Su8、苯并環(huán)丁稀(BCB)、過氟環(huán)丁燒(PFCB)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙稀酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)烯烴聚合物(COC)、聚亞酰胺(PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、氧化硅(S12)、氧化鈦(T12)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙基硅烷(TEOS)。第二粘結(jié)層42可同時為電絕緣材料以電絕緣第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43。另一實施例中，第二粘結(jié)層42可置換為用以生長發(fā)光結(jié)構(gòu)的緩沖層，其材料包括AlxGa1-xAs(0<x< l)、AlaGabIm-a-bP或AlaGabIm-a-bN(0<a< l，0<b< l，0<a+b< I)。
[0018]電絕緣層44用以保護與電絕緣第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43，其材料可為絕緣材料，例如Su8、苯并環(huán)丁烯(BCB)、過氟環(huán)丁烷(PFCB)、環(huán)氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環(huán)稀經(jīng)聚合物(COC)、聚甲基丙稀酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚亞酰胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亞胺(Polyetherimide )、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化招(AI2O3)、氧化娃(Si02)、氧化鈦(Ti02)、氮化硅(SiNx)、旋涂玻璃(SOG)或四乙基硅烷(TEOS)。電連接結(jié)構(gòu)46用以電連接第一發(fā)光結(jié)構(gòu)41與第二發(fā)光結(jié)構(gòu)43，其材料為透明導電材料，例如氧化銦錫(IT0)、氧化銦(InO)、氧化錫(SnO)、氧化鎘錫(CTO)、氧化銻錫(ΑΤΟ)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、砷化鋁鎵(AlGaAs)、氮化鎵(GaN)、磷化鎵(GaP)、氧化鋁鋅(AZ0)、氧化鋅錫(ZT0)、氧化鎵鋅(GZ0)、氧化銦鋅(IZ0)或氧化鉭(Ta205)，或金屬材料，例如鍺(Ge)、銅(Cu)、鋁(A1)、鉬(Mo)、銅-錫(Cu-Sn)、銅-鋅(Cu-Zn)、銅-鎘(Cu-Cd)、鎳-錫(N1-Sn)、鎳-鈷(Ni_Co)或金合金(Au alloy)。
[0019]本發(fā)明所列舉的各實施例僅用以說明本發(fā)明，并非用以限制本發(fā)明的范圍。任何人對本發(fā)明所作的任何顯而易知的修飾或變更皆不脫離本發(fā)明的精神與范圍。
【主權(quán)項】
1.一發(fā)光組件包含: 一第一發(fā)光疊層，包含一第一半導體層、一第二半導體層以及一第一發(fā)光層位于該第一半導體層及該第二半導體層之間，其中該第一半導體層與該第二半導體層的電性相異；以及 一第二發(fā)光疊層，位于該第一發(fā)光疊層之上且包含一第三半導體層、一第四半導體層以及一第二發(fā)光層位于該第三半導體層及該第四半導體層之間，其中該第三半導體層與該第四半導體層的電性相異； 其中該第一發(fā)光層發(fā)出一不可見光，且該第二發(fā)光層發(fā)出一可見光。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該第一發(fā)光層具有一第一能隙，該第二發(fā)光層具有一第二能隙，該第一能隙與該第二能隙之能隙差介于0.3eV與0.5eV之間。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包含一粘結(jié)層，該粘結(jié)層接合該第一發(fā)光疊層與該第二發(fā)光疊層。4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包括一基板，其中該第一發(fā)光疊層直接成長于該基板上。5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包括一基板以及一粘結(jié)層，該粘結(jié)層接合該第一發(fā)光疊層于基板之上。6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，還包含一隧穿層，該隧穿層位于該第一發(fā)光疊層與該第二發(fā)光疊層之間，其中該隧穿層之摻雜濃度大于8xl018/Cm3。7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該第一發(fā)光層由一第一量子阱與一第二量子阱交互堆棧形成，其中該第一量子阱具有一第一量子阱能隙，該第二量子阱具有一第二量子阱能隙，該第一量子阱能隙與該第二量子阱能隙相異。8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該第二發(fā)光層由一第三量子阱與一第四量子阱交互堆棧形成，其中該第三量子阱具有一第三量子阱能隙，該第四量子阱具有一第四量子阱能隙，該第三量子阱能隙與該第四量子阱能隙相異。9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該第一發(fā)光層發(fā)出之不可見光用以促進傷口愈合，該第二發(fā)光層發(fā)出之可見光用以消除細紋。10.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光組件，其中該第一發(fā)光層發(fā)出之不可見光具有一主波長小于400nm或大于780nm，且該第二發(fā)光層發(fā)出之可見光具有一主波長介于400nm與780nm之間。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件具有基板；第一發(fā)光疊層位于基板之上；隧穿層位于第一發(fā)光疊層之上；第二發(fā)光疊層位于隧穿層之上；以及接觸層位于第二發(fā)光疊層之上。
【IPC分類】H01L33/08
【公開號】CN105428480
【申請?zhí)枴緾N201510759572
【發(fā)明人】林義杰, 李榮仁
【申請人】晶元光電股份有限公司
【公開日】2016年3月23日
【申請日】2011年8月1日
【公告號】CN102916088A, CN102916088B