像素結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明是有關(guān)于一種電子結(jié)構(gòu)及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種像素結(jié)構(gòu)及其 制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 顯示面板具有較陰極射線管（CRT)顯示器省電等優(yōu)異特性，因此已廣泛地被應(yīng)用 在各式電子裝置中。隨著科技的快速發(fā)展，消費(fèi)者不再滿足于省電的顯示面板，除了輕薄、 省電的特性外，消費(fèi)者更希望顯示面板兼具高解析度。舉例來(lái)說(shuō)，W中小尺寸的顯示面板 (例如：用于移動(dòng)電話、衛(wèi)星導(dǎo)航器上的顯示面板）而言，消費(fèi)者希望顯示面板的每一像素 結(jié)構(gòu)兼具高開(kāi)口率與小尺寸，W同時(shí)實(shí)現(xiàn)省電及高解析度。
[0003] W邊緣場(chǎng)切換化Tinge-FieldSwitching,FF巧顯示面板為例，其像素結(jié)構(gòu)包括具 有源極、柵極與漏極的主動(dòng)元件、覆蓋主動(dòng)元件的第一保護(hù)層、位于第一保護(hù)層上的第一電 極、覆蓋第一電極的第二保護(hù)層W及位于第二保護(hù)層上的第二電極。第二保護(hù)層具有位于 第一電極旁且暴露出漏極的一開(kāi)口。第二電極填入此開(kāi)口，而與主動(dòng)元件的漏極電性連接。 為使像素結(jié)構(gòu)具有高開(kāi)口率，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)省電的顯示面板。第一電極需盡量靠近主動(dòng)元件的 漏極。換言之，第一電極需盡量靠近暴露出漏極的第二保護(hù)層的開(kāi)口。然而，隨著解析度規(guī) 格的提高（即每一像素結(jié)構(gòu)尺寸的縮減），第一電極的邊緣與第二保護(hù)層的開(kāi)口之間的預(yù) 定距離被迫縮減。如此一來(lái)，第二保護(hù)層與第一電極之間的對(duì)位誤差便很容易超過(guò)預(yù)定距 離，使得第二保護(hù)層的開(kāi)口暴露出第一電極，而導(dǎo)致第二電極填入第二保護(hù)層的開(kāi)口時(shí)與 第一電極發(fā)生短路問(wèn)題，不利于像素結(jié)構(gòu)的良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，其可W提升傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)的良率。 陽(yáng)0化]本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其能夠制造出高良率的像素結(jié)構(gòu)。
[0006] 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)包括主動(dòng)元件、第一保護(hù)層、第一電極、隔離物、第二保 護(hù)層及第二電極。主動(dòng)元件包括柵極、源極與漏極。第一保護(hù)層覆蓋主動(dòng)元件且具有暴露出 漏極的第一開(kāi)口。第一電極位于第一保護(hù)層上。第一電極在對(duì)應(yīng)第一開(kāi)口處具有一側(cè)壁。 隔離物覆蓋第一電極的側(cè)壁。第二保護(hù)層覆蓋第一電極W及隔離物。第二電極位于第二保 護(hù)層上，且透過(guò)第一開(kāi)口與主動(dòng)元件的漏極電性連接。第二電極藉由第二保護(hù)層W及隔離 物而與第一電極電性隔離。
[0007] 本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括下列步驟：在基板上形成主動(dòng)元件，其 包括柵極、源極W及漏極；在主動(dòng)元件上形成第一保護(hù)層；在第一保護(hù)層上形成第一電極； 在第一電極上形成第二保護(hù)層；圖案化第二保護(hù)層W及第一電極，W形成一開(kāi)口，此開(kāi)口暴 露出漏極上方的第一保護(hù)層，其中第一電極于開(kāi)口處具有一側(cè)壁；在第一電極的側(cè)壁上形 成一隔離物；移除被開(kāi)口暴露的第一保護(hù)層，W于第一保護(hù)層中形成一第一開(kāi)口，W暴露出 漏極；W及于第二保護(hù)層上形成第二電極，且第二電極透過(guò)第一開(kāi)口與漏極電性連接，其中 第二電極藉由第二保護(hù)層W及隔離物而與第一電極電性隔離。
[0008] 基于上述，在本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)及其制造方法中，第一電極的開(kāi)口的側(cè) 壁上形成有隔離物，且位于第一電極上方的第二電極藉由第二保護(hù)層和隔離物與第一電極 電性隔離，因此第一電極與第二電極之間不易發(fā)生短路問(wèn)題，進(jìn)而使像素結(jié)構(gòu)的良率高。
[0009] 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳 細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0010] 圖IA至圖IG為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的上視示意圖。
[0011] 圖2A至圖2G為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的剖面示意圖。
[0012] 圖3A至圖3G為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的上視示意圖。
[0013]圖4A至圖4G為本發(fā)明另一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的剖面示意圖。
[0014] 圖5A至圖甜為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的上視示意圖。
[0015]圖6A至圖細(xì)為本發(fā)明再一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的剖面示意圖。
[0016] 其中，附圖標(biāo)記：
[0017] 10:基板 陽(yáng)01引 100、100A、IOOB :像素結(jié)構(gòu)
[0019] 110:第一保護(hù)層
[0020] IlOa:第一開(kāi)口
[0021] 120 :平坦層
[0022] 120a:第二開(kāi)口
[0023] 120b :側(cè)壁表面
[0024]130:第一電極 陽(yáng)0巧]130曰、130e、140曰、150a:開(kāi)口
[0026]130b、130c、130f、140b :側(cè)壁
[0027]130d :底切結(jié)構(gòu) 陽(yáng)02引 140 :第二保護(hù)層
[0029]150 :光阻
[0030]160、160A、160B、160C :隔離物
[0031]162:第S保護(hù)層 陽(yáng)03引 170:第二電極
[0033]170a :狹縫
[0034]180:導(dǎo)電物
[0035] A-A'、B-B'、C-C':剖線
[0036]CH :通道 陽(yáng)〇37] D :漏極 陽(yáng)0測(cè) DL:數(shù)據(jù)線 陽(yáng)039] G :柵極 W40] GI :柵絕緣層 陽(yáng)OWS:源極 陽(yáng)0創(chuàng) SL:掃描線 陽(yáng)0創(chuàng) TFT:主動(dòng)元件
[0044] T1、T2:厚度
【具體實(shí)施方式】
[0045] 圖IA至圖IG為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的上視示意圖。圖2A至圖 2G為本發(fā)明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)制造流程的剖面示意圖。特別是，圖2A~圖2G是分別根 據(jù)圖IA~圖IG的剖線A-A^所繪制。W下搭配圖IA~圖IGW及圖2A~圖2G，說(shuō)明本發(fā) 明一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)的制造流程。
[0046] 請(qǐng)參照?qǐng)DIA及圖2A，首先，提供基板10?；?0用W承載像素結(jié)構(gòu)?；?0的 材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、不透光/反射材料（例如：導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷等）或是 其它可適用的材料。
[0047] 接著，在基板10上形成主動(dòng)元件TFT。詳言之，在本實(shí)施例中，可先形成柵極GW 及與柵極G電性連接的掃描線化（標(biāo)示于圖1A)。柵極G與掃描線化一般是使用金屬材 料，但本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，柵極G與掃描線化亦可使用其他導(dǎo)電材料，例如： 合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或者金屬材料與其它 導(dǎo)電材料的堆迭層。接著，在柵極G上形成柵絕緣層GI(標(biāo)示于圖2A)。柵絕緣層GI覆蓋 柵極G與基板10。柵絕緣層GI的材料可為無(wú)機(jī)材料（例如：氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、 或上述至少二種材料的堆迭層）、有機(jī)材料、或上述組合。接著，在柵絕緣層GI上形成通 道CH。通道CH的材質(zhì)可為非晶娃（Amo;rphoussilicon)、低溫多晶娃（XowTemperature PolyarstallineSilicon)、微晶娃、單晶娃、有機(jī)半導(dǎo)體材料、金屬氧化物半導(dǎo)體材料（例 如：氧化銅嫁鋒、氧化銅鋒、銅錯(cuò)鋒氧化物等）、或其它適當(dāng)?shù)牟牧?。之后，在通道CH二側(cè)， 形成與通道CH二側(cè)電性連接的源極S與漏極DW及與源極S電性連接的數(shù)據(jù)線化（標(biāo)示 于圖1A)，于此便完成了主動(dòng)元件TFT。源極S、漏極D與數(shù)據(jù)線化的可適用的材料如上述 柵極G的可適用的材料，于此便不再重述。需說(shuō)明的是，雖然，上述主動(dòng)元件TFT的制造方 法是W底部柵極化Ottomgate)型薄膜晶體管的制造方法為示例，但本發(fā)明不限于此，在其 他實(shí)施例中，亦可W頂部柵極（topgate)型薄膜晶體管的制造方法形成主動(dòng)元件TFT。
[0048] 請(qǐng)參照?qǐng)DIA及圖2A，接著，在主動(dòng)元件TFT上形成第一保護(hù)層110。第一保護(hù)層 110覆蓋主動(dòng)元件TFT及柵絕緣層GI。第一保護(hù)層110的材料可為無(wú)機(jī)材料（例如：氧化 娃、氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二種材料的堆迭層）、有機(jī)材料或上述組合。然后，在第一 保護(hù)層110上形成平坦層120。平坦層120具有第二開(kāi)口 120a。第二開(kāi)口 120a暴露出位 于漏極D上方的部份第一保護(hù)層110。平坦層120的材料可為無(wú)機(jī)材料（例如：氧化娃、氮 化娃、氮氧化娃、或上述至少二種材料的堆迭層）、有機(jī)材料、或上述組合。
[0049] 請(qǐng)參照?qǐng)DIB及圖2B，接著，在平坦層120上形成圖案化的第一電極130,并在第 一電極130上形成第二保護(hù)層140。第二保護(hù)層140共形地（con化rmalIy)覆蓋第一電極 130。第一電極130 W及第二保護(hù)層140皆覆蓋平坦層120的第二開(kāi)口120a。更進(jìn)一步地 說(shuō)，平坦層120的第二開(kāi)口120a具有側(cè)壁表面12化（標(biāo)示于圖2B)，第一電極130 W及第二 保護(hù)層140除了覆蓋第二開(kāi)口120a的側(cè)壁表面12化外，更向第二開(kāi)口120a的底部延伸， W覆蓋被第二開(kāi)口 120a暴露出的部份第一保護(hù)層110。第一電極130的材質(zhì)可為透光導(dǎo)電 材料、反光導(dǎo)電材料或其組合。透光導(dǎo)電材料例如為銅錫氧化物、銅鋒氧化物、侶錫氧化物、 侶鋒氧化物、銅錯(cuò)鋒氧化物、上述至少二者的堆迭層或其他適當(dāng)材料。反光導(dǎo)電材料可為金 屬（例如：侶等）或其他適當(dāng)材料。第二保護(hù)層140的材料可為無(wú)機(jī)材料（例如：氧化娃、 氮化娃、氮氧化娃、或上述至少二種材料的堆迭層）、有機(jī)材料、或上述組合。
[0050] 請(qǐng)參照?qǐng)DIC及圖2C，接著，在第二保護(hù)層140上形成光阻150。光阻150具有開(kāi) 口 150a。開(kāi)口 150a與平坦層120的第二開(kāi)口 120aW及主動(dòng)元件TFT的漏極D重迭。更 進(jìn)一步地說(shuō)，在本實(shí)施例中，光阻150的開(kāi)口 150a的尺寸小于平坦層120的第二開(kāi)口 120a 的尺寸。光阻150的開(kāi)口 150a的邊緣可完全地位于平坦層120的第二開(kāi)口 120a的邊緣W 內(nèi)。然而，本發(fā)明不W此為限。在其他實(shí)施例中，亦有可能是，部份的開(kāi)口 150a邊緣位于第 二開(kāi)口 120a的邊緣W內(nèi)，而另一部份的開(kāi)口 150a邊緣位于第二開(kāi)口 120a邊緣W外。本發(fā) 明并不特別加W限制。
[0051] 請(qǐng)參照?qǐng)DID及圖2D，接著，經(jīng)由開(kāi)口 150a移除位于第二開(kāi)口 120a底部的部份第 二保護(hù)層140W及部份第一電極130,且留下位于第二開(kāi)口 120a的側(cè)壁表面12化的部份第 一電極130與部份第二保護(hù)層140。詳言之，可W光阻150為罩幕，先去除被開(kāi)口 150a暴露 的部份第二保護(hù)層140,而使第二保護(hù)層140具有與開(kāi)口 150a切齊的開(kāi)口 140a。第二保護(hù) 層140開(kāi)口 140a的尺寸小于平坦層1