薄膜晶體管基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管基板，尤其是一種能達(dá)到同時(shí)增加像素的存儲(chǔ)電容且絕緣層的接觸面積的薄膜晶體管基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示器技術(shù)不斷進(jìn)步，所有的顯示設(shè)備均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢(shì)發(fā)展，故目前市面上主流的顯示器裝置已由以往的陰極射線管發(fā)展成平面顯示器，如液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備等。其中，液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備可應(yīng)用的領(lǐng)域相當(dāng)多，舉凡日常生活中使用的手機(jī)、筆記本電腦、攝影機(jī)、照相機(jī)、音樂(lè)播放器、行動(dòng)導(dǎo)航裝置、電視等顯示設(shè)備，大多數(shù)均使用所述顯示面板。
[0003]雖然液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備已為市面上常見(jiàn)的顯示設(shè)備，特別是液晶顯示設(shè)備的技術(shù)更是相當(dāng)成熟，但隨著顯示設(shè)備不斷發(fā)展且消費(fèi)者對(duì)顯示設(shè)備的顯示質(zhì)量要求日趨提高，各家廠商無(wú)不極力發(fā)展出具有更高顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備。其中，薄膜晶體管基板的結(jié)構(gòu)，也為影響顯示質(zhì)量的因素之一。
[0004]有鑒于此，即便目前液晶顯示設(shè)備或有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備已為市面上常見(jiàn)的顯示設(shè)備，但仍需針對(duì)薄膜晶體管基板提出改良以期能發(fā)展出具有更佳顯示質(zhì)量的顯示設(shè)備，以便符合消費(fèi)者需求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的主要目的在于提供一種薄膜晶體管基板，俾能達(dá)到同時(shí)增加像素的存儲(chǔ)電容且絕緣層的接觸面積的目的。
[0006]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的薄膜晶體管基板，包括:一基板；以及多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅；一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上；其中該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，且該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
[0007]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，所述薄膜晶體管單元還分別包括一金屬層，設(shè)置于該絕緣層上，且該金屬層具有多個(gè)第一凸起。
[0008]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該金屬層具有一第一厚度，所述第一凸起距離該金屬層的一平均表面的高度與該第一厚度比為10%?30%。
[0009]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有多個(gè)第二凸起。
[0010]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有一第二厚度，所述第二凸起距離該絕緣層的一平均表面的高度與該第二厚度比為30%?70%。
[0011]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有多個(gè)第二凸起，且至少部分所述第一凸起對(duì)應(yīng)所述第二凸起。
[0012]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該有源層具有一側(cè)邊，該絕緣層對(duì)應(yīng)該側(cè)邊處的曲率小于該側(cè)邊的曲率。
[0013]此外，本發(fā)明還提供另一薄膜晶體管基板，包括:一基板；以及多個(gè)薄膜晶體管單元，設(shè)置于該基板上且分別包括:一有源層，設(shè)置于該基板上且該有源層的材料為多晶硅；一絕緣層，設(shè)置于該有源層上；以及一源極及一漏極，設(shè)置于該絕緣層上；其中，該絕緣層具有多個(gè)第二凸起。
[0014]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該絕緣層具有一第二厚度，所述第二凸起距離該絕緣層的一平均表面的高度與該第二厚度比為30%?70%。
[0015]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，所述薄膜晶體管單元還分別包括一金屬層，設(shè)置于該絕緣層上，且該金屬層具有多個(gè)第一凸起。
[0016]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該金屬層具有一第一厚度，所述第一凸起距離該金屬層的一平均表面的高度與該第一厚度比為10%?30%。
[0017]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，至少部分該金屬層的所述第一凸起對(duì)應(yīng)該絕緣層的所述第二凸起。
[0018]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該絕緣層包括一第一區(qū)域及一第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域?qū)?yīng)該有源層，該第二區(qū)域?qū)?yīng)該有源層以外的區(qū)域，其中該第一區(qū)域的粗糙度大于該第二區(qū)域的粗糙度。
[0019]在本發(fā)明的薄膜晶體管基板中，該有源層具有一側(cè)邊，該絕緣層對(duì)應(yīng)該側(cè)邊處的曲率小于該側(cè)邊的曲率。
[0020]在本發(fā)明前述的薄膜晶體管基板中，通過(guò)將絕緣層的表面設(shè)計(jì)成具有第二凸起的凹凸起伏形狀，而可增加與絕緣層接觸的其他層別的接觸面積，使得絕緣層與其他層別的附著力提升，而減少兩者間有剝離的情形發(fā)生。此外，在本發(fā)明前述的薄膜晶體管基板中，還通過(guò)將絕緣層上的金屬層設(shè)計(jì)成具有第一凸起的凹凸起伏形狀，而可增加金屬層的面積，而使得金屬層能具有較高的電容值，進(jìn)而增加像素的存儲(chǔ)電容。
【附圖說(shuō)明】
[0021]圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備剖面示意圖。
[0022]圖2是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的電路布線示意圖。
[0023]圖3是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的剖面示意圖。
[0024]圖4是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的部分剖面示意圖。
[0025]圖5是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的部分剖面示意圖。
[0026]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0027]11第一基板12第二基板
[0028]101緩沖層103有源層
[0029]1032 側(cè)邊104第一絕緣層
[0030]105第二絕緣層111第一金屬層
[0031]1111第一凸起112第三絕緣層
[0032]114 第四絕緣層115保護(hù)層
[0033]115a 保護(hù)層開(kāi)口116第二金屬層
[0034]117 平坦層117a平坦層開(kāi)口
[0035]13 封裝膠14支撐元件
[0036]15 有機(jī)發(fā)光二極管單兀151第一電極
[0037]152 有機(jī)發(fā)光層153第二電極
[0038]16 像素界定層161像素開(kāi)口
[0039]1041，1051，1121，1141第二凸起
[0040]104a, 105a, 112a, 114a, 11 la平均表面
[0041]1042，1052，1122，1142斜面
[0042]A 顯示區(qū)B非顯示區(qū)
[0043]C 電容區(qū)R1第一區(qū)域
[0044]R2 第二區(qū)域T1第一厚度
[0045]T2, T3, T4, T5第二厚度
[0046]HI, H2, H3, H4, H5高度
[0047]TFT1, TFT2薄膜晶體管元件區(qū)
【具體實(shí)施方式】
[0048]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0049]圖1是本發(fā)明一優(yōu)選實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備剖面示意圖。在有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的制作過(guò)程中，先提供一第一基板11及一第二基板12。其中，第一基板11上設(shè)置有一有機(jī)發(fā)光二極管單元15及一像素界定層16，其中每一像素界定層16設(shè)于兩相鄰的有機(jī)發(fā)光二極管單元15間。同時(shí)，第二基板12上則設(shè)置有多個(gè)支撐元件14，并在第二基板12的邊緣先形成有一封裝膠13 (在本實(shí)施例中，為一玻璃膠)，且封裝膠13通過(guò)點(diǎn)膠及加熱燒結(jié)工藝接合于第二基板12上。接著，將第一基板11及第二基板12進(jìn)行對(duì)組，其中第二基板12上的支撐元件14對(duì)應(yīng)于像素界定層16的未形成有像素開(kāi)口 161的區(qū)域。而后，以雷射加熱的方式，使封裝膠13與第一基板11進(jìn)行接合，而制得本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備。
[0050]在本實(shí)施例中，第一基板11及第二基板12均為玻璃基板。此外，本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示面板包括一顯示區(qū)A及一非顯示區(qū)B，而所謂的非顯示區(qū)B即走線分布的區(qū)域。再者，在本實(shí)施例中，每一有機(jī)發(fā)光二極管單元15可分別發(fā)出紅光、綠光及藍(lán)光，但其他實(shí)施例并不僅限于此；舉例來(lái)說(shuō)，有機(jī)發(fā)光二極管單元15可為一白光有機(jī)發(fā)光二極管單元，在此情形下，第一基板11或第二基板12的其中一側(cè)還需設(shè)置一彩色濾光元件(圖未示)Ο
[0051]圖2是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的一像素單元的電路布線示意圖。如圖2所示，在本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備中，每一像素單元分別包括:一掃描線、一數(shù)據(jù)線、一電容線、一電源供給線、一開(kāi)關(guān)薄膜晶體管元件(如圖2的開(kāi)關(guān)TFT所示)、一驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管元件(如圖2的驅(qū)動(dòng)TFT所示)、一存儲(chǔ)電容、及一分別與第一電極及第二電極極連接的有機(jī)發(fā)光二極管元件(如圖2的OLED所示)。
[0052]圖3是本實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光二極管顯示設(shè)備的薄膜晶體管基板的剖面示意圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1及圖3,本實(shí)施例的薄膜晶體管基板包括:一第一基板11及一與第一基板11相對(duì)設(shè)置的第二基板12。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管基板上的薄膜晶體管元件為低溫多晶硅薄膜晶體管。如圖3所示，在圖1的顯示區(qū)A中，首先，提供一第一基板11，其上方依序設(shè)置有一緩沖層101，而在緩沖層101還形成有一有源層103，其是由非晶硅雷射退火后所形成的多晶硅層。接著，在第一基板11上依序形成一第一絕緣層104、一第二絕緣層105、一第一金屬層111、一第三絕緣層112、及一第四絕緣層114。其中，位于薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2中的第一金屬層111作為一柵極；而第一絕緣層104及第二絕緣層105分別作為一柵極絕緣層，其材料為本技術(shù)領(lǐng)域常用的絕緣層材料，如氧化硅、氮化硅等；同樣的，第三絕緣層112及第四絕緣層114以可使用前述本技術(shù)領(lǐng)域常用的絕緣層材料。而后，再在第四絕緣層114上形成一第二金屬層116。其中，位于薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2中的第二金屬層116還貫穿第三絕緣層112及第四絕緣層114，且選擇性的貫穿第一絕緣層104及第二絕緣層10，而做為源極及漏極，以與有源層103電性連接。如此，則完成本實(shí)施例的薄膜晶體管基板。在本實(shí)施例中，薄膜晶體管基板包含有兩個(gè)薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2，其中薄膜晶體管元件區(qū)TFT1對(duì)應(yīng)于圖2的開(kāi)關(guān)TFT，薄膜晶體管元件區(qū)TFT2則對(duì)應(yīng)于圖2的驅(qū)動(dòng)TFT。此外，在本實(shí)施例中，除了薄膜晶體管元件區(qū)TFT1，TFT2外，還同時(shí)形成一電容區(qū)C，其對(duì)應(yīng)于圖2的存儲(chǔ)電容。
[0053]請(qǐng)同時(shí)參考圖1及圖3，在完成薄膜晶體管基板后，再依序形成保護(hù)層115、平坦層117、一第一電極151及像素界定層16，其中第一電極151除了設(shè)置于平坦層117上還設(shè)置于平坦層117的平坦層開(kāi)口 117a及保護(hù)層115的保護(hù)層開(kāi)口 115a中以與第二金屬層116電性連接，且像素界定層16還設(shè)有一像素開(kāi)口 161。而后,在像素界定層16與