一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種藍(lán)寶石襯底隱形切割的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在LED芯片制備工藝中，切割就是將制好的晶圓片分割成符合所需尺寸的單一晶粒，這是半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片制造工藝中一道必不可少的工序。目前在LED芯片制備領(lǐng)域一般采用激光切割。激光切割主要有激光表切和隱切兩種。它是用一定能量密度和波長的激光束聚焦在晶圓片表面或內(nèi)部，通過激光在晶圓片表面或內(nèi)部灼燒出劃痕，然后再用裂片機(jī)沿劃痕裂開。激光切割具有產(chǎn)能高、成品率高、易于自動(dòng)化操作、成本低等優(yōu)勢(shì)。
[0003]隨著LED對(duì)亮度的要求不斷提高，隱形切割技術(shù)成為LED行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)。目前先進(jìn)的隱形切割技術(shù)成功地解決了 LED亮度低的問題。在不降低成品率的情況下，隱形切割技術(shù)成功控制了 LED亮度的降低，并適用于不同厚度的各種的外延片。
[0004]但是由于激光功率的不穩(wěn)定性以及藍(lán)寶石襯底自裂能力的差異，晶圓片無法完全自裂，導(dǎo)致劈裂時(shí)強(qiáng)行崩開、擴(kuò)膜后正面外觀較差、芯片邊緣出現(xiàn)不規(guī)則斷裂現(xiàn)象，部分芯片甚至出現(xiàn)無法劈開整面雙胞導(dǎo)致報(bào)廢，從而降低了芯片外觀良率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是:提供一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，該方法可以降低LED芯片正面不規(guī)則崩裂比例，得到外觀和質(zhì)量良好的芯片。
[0006]為了解決本發(fā)明的技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，包括準(zhǔn)備藍(lán)寶石襯底LED晶圓片，對(duì)晶圓片進(jìn)行隱形切割，該方法還包括將晶圓片置于烘箱內(nèi)烘烤，取出冷卻至常溫，用劈裂機(jī)進(jìn)行劈裂，使芯片完全分離。
[0007]優(yōu)選地，所述烘烤的溫度為60_120°C。
[0008]優(yōu)選地，所述烘烤時(shí)間為10_30min。
[0009]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，通過將被隱形切割的晶圓片置于烘箱內(nèi)烘烤，加速晶圓片自裂，從而避免因晶圓片無法完全自裂導(dǎo)致劈裂時(shí)強(qiáng)行崩開、擴(kuò)膜后正面外觀較差、芯片邊緣出現(xiàn)不規(guī)則斷裂現(xiàn)象等問題，提高了產(chǎn)品良率，降低生產(chǎn)成本。
【具體實(shí)施方式】
[0010]提供一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，步驟如下:
(1)準(zhǔn)備晶圓片:在藍(lán)寶石襯底上進(jìn)行外延，并經(jīng)過芯片工藝形成LED晶圓片，此時(shí)芯片已經(jīng)形成電極，切割道已經(jīng)形成，但是襯底沒有進(jìn)行切割；
(2)激光切割:將芯片有電極的一面貼在白膜上，利用隱形切割機(jī)從無電極的一面對(duì)芯片進(jìn)行隱形切割；
(3)烘烤:將沒有完全自裂開的晶圓片置于烘箱內(nèi)，在60-120°C烘烤10-30min，然后再取出冷卻至常溫；
(4)劈裂:將冷卻至常溫的芯片貼上PET透明薄膜，用劈裂機(jī)對(duì)晶圓片進(jìn)行劈裂，使得芯片完全分離。
[0011]用本發(fā)明生產(chǎn)LED芯片正面不規(guī)則崩裂比例明顯下降，良率顯著提高。
[0012]以上所述，僅為本發(fā)明中的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變換或替換都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，其特征在于包括如下步驟: 準(zhǔn)備藍(lán)寶石襯底LED晶圓片； 對(duì)晶圓片進(jìn)行激光隱形切割； 將沒有完全自裂開的晶圓片置于烘箱內(nèi)烘烤，取出冷卻至常溫； 用劈裂機(jī)進(jìn)行劈裂，使得芯片完全分離。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，其特征在于所述烘烤的溫度為60-120°C。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，其特征在于所述烘烤時(shí)間為10-30min。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種加速藍(lán)寶石襯底隱形切割自裂的方法，包括準(zhǔn)備藍(lán)寶石襯底LED晶圓片，對(duì)晶圓片進(jìn)行隱形切割，該方法還包括將晶圓片置于烘箱內(nèi)烘烤，取出冷卻至常溫，用劈裂機(jī)進(jìn)行劈裂，使芯片完全分離。
【IPC分類】H01L21/78, H01L33/00
【公開號(hào)】CN105405932
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410388208
【發(fā)明人】李青鑫, 胡嘉俊, 王召燦, 楊小東
【申請(qǐng)人】晶能光電（江西）有限公司
【公開日】2016年3月16日
【申請(qǐng)日】2014年8月8日