一種基板處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基板處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，在諸如手機(jī)、掌上電腦、車(chē)載導(dǎo)航儀、筆記本電腦等電子產(chǎn)品上廣泛地應(yīng)用了觸摸屏。
[0003]現(xiàn)有的電容觸摸屏主導(dǎo)生產(chǎn)技術(shù)有兩種，一種是大片玻璃路線，其工藝是:大片玻璃一次強(qiáng)化一超聲波清洗一印制圖案一超聲波清洗一鍍?chǔ)│?膜一清洗一涂膠一光刻一去膠清洗一切割成小片一CNC成型一二次強(qiáng)化一FPC貼合一檢測(cè)一檢驗(yàn)包裝；另一種生產(chǎn)技術(shù)是小片玻璃路線，其工藝是:大片玻璃一次強(qiáng)化一切割成小片一CNC成型一二次強(qiáng)化一超聲波清洗一印制圖案一超聲波清洗一鍍?chǔ)│?膜一清洗一光刻一去膠清洗一鍍制防指紋膜一FPC貼合一檢測(cè)一檢驗(yàn)包裝。
[0004]然而，上述路線中的玻璃在整個(gè)過(guò)程中，由于CNC (Computer NumbericalControl，計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)控制)工藝之后，玻璃相關(guān)部位的壓應(yīng)力已去除或減小，會(huì)產(chǎn)生崩邊、崩角現(xiàn)象，因而均要經(jīng)過(guò)二次強(qiáng)化，以再次提高玻璃強(qiáng)度。因此，不利于生產(chǎn)工藝的簡(jiǎn)化及效率的提聞。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明提供一種有利于簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝、提高生產(chǎn)效率的基板處理方法。
[0006]本發(fā)明提供的所述基板處理方法，其至少包括以下步驟:提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位；對(duì)所述基板的加工部位進(jìn)行數(shù)控加工處理,對(duì)所述基板的加工部位進(jìn)行數(shù)控加工處理，所述數(shù)控加工處理至少包括對(duì)所述加工部位噴射一種冷卻液以進(jìn)行冷卻處理的步驟，所述冷卻液中至少含有第二堿離子，所述第二堿離子的離子半徑大于所述第一堿離子的半徑。
[0007]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述第二堿離子的濃度大于所述基板中第一堿離子的濃度。
[0008]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述第一堿離子為鈉離子，所述第二堿離子為鉀離子。
[0009]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述冷卻液中還含有一種蝕刻劑。
[0010]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，蝕刻劑為氫氟酸。
[0011]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述數(shù)控加工處理包括對(duì)所述加工部位進(jìn)行開(kāi)孔、倒邊或倒角。
[0012]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述基板處理方法還包括在對(duì)所述基板的加工部位進(jìn)行數(shù)控加工處理之后在所述基板上制作一功能層的步驟。
[0013]發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述基板處理方法還包括在對(duì)所述基板的加工部位進(jìn)行數(shù)控加工處理之前在所述基板上制作一功能層的步驟。
[0014]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述功能層為觸控電極層或者顯示層。
[0015]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述基板處理方法還包括在對(duì)所述基板的加工部位進(jìn)行數(shù)控加工處理過(guò)程之前，對(duì)所述基板進(jìn)行一次強(qiáng)化的步驟。
[0016]本發(fā)明提供的所述基板處理方法中，所述冷卻液中還含有催化劑。
[0017]本發(fā)明的基板處理方法過(guò)程中，由于制作所述基板的材料中含有第一堿離子，在所述冷卻液中添加有第二堿離子，所述第二堿離子的離子半徑大于所述第一堿離子的離子半徑，因而在進(jìn)行所述數(shù)控加工處理的同時(shí)，所述第一堿離子和第二堿離子進(jìn)行了離子交換，即對(duì)所述基板進(jìn)行了強(qiáng)化，因此簡(jiǎn)化了現(xiàn)有技術(shù)中在數(shù)控加工處理過(guò)程后還需要對(duì)所述基板進(jìn)行強(qiáng)化的步驟。即，本發(fā)明提供的基板處理方法有利于簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝和提高生產(chǎn)效率。
【附圖說(shuō)明】
[0018]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中:
[0019]圖1為本發(fā)明提供的一較佳實(shí)施方式的基板處理方法的流程示意圖；
[0020]圖2為本發(fā)明提供的另一較佳實(shí)施方式的基板處理方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為說(shuō)明本發(fā)明提供的基板處理方法，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖及文字說(shuō)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
[0022]請(qǐng)參考圖1，為本發(fā)明提供的一較佳實(shí)施方式的基板處理方法的流程示意圖。所述基板處理方法至少包括以下步驟:
[0023]步驟S01:提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一堿離子；
[0024]所述加工部位一般為所述基板的邊緣、邊角或者預(yù)定需要開(kāi)孔的位置。所述基板為玻璃或者其他材料，所述第一堿離子為鈉離子(Na+)。
[0025]步驟S02:對(duì)所述基板的加工部位進(jìn)行數(shù)控加工處理，所述數(shù)控加工處理至少包括對(duì)所述加工部位噴射一種冷卻液以進(jìn)行冷卻處理的步驟，所述冷卻液中至少含有第二堿離子，所述第二堿離子的離子半徑大于所述第一堿離子的離子半徑。
[0026]本實(shí)施方式中，所述第二堿離子為K+，所述冷卻液中含有ΚΝ03或者K2C03。所述第二堿離子的濃度大于所述第一堿離子的濃度。優(yōu)選的，所述第二堿離子濃度大于或等于99%。由于在所述冷卻液中添加有所述第二堿性離子，使得所述第二堿性離子與所述第一堿性離子進(jìn)行離子交換，因此在所述數(shù)控加工處理過(guò)程中即完成了基板的強(qiáng)化。
[0027]所述冷卻液中還可以添加有蝕刻劑，添加有所述蝕刻劑的冷卻液為酸液，在所述冷卻液中加蝕刻劑，一方面有利于加強(qiáng)數(shù)控加工處理速率，另一方面有利于將所述數(shù)控加工處理過(guò)程中壓應(yīng)力釋放的部分基板材質(zhì)去掉，因而進(jìn)一步加強(qiáng)了所述基板的強(qiáng)度。
[0028]所述酸液可以為氫氟酸(HF)，由于制成所述基板的主要材料為二氧化硅(Si02)，其與所述氫氟酸的反應(yīng)化學(xué)式為:
[0029]Si02+4HF = SiF4 ? +2Η20
[0030]所述冷卻處理的時(shí)間依所述基板的尺寸而定，所述數(shù)控加工處理(CNC)是指對(duì)玻璃進(jìn)行開(kāi)孔、倒邊、倒角等工藝，從而賦予玻璃特定的外形。所述冷卻處理過(guò)程中須用冷卻液持續(xù)沖洗，以使所述加工部位溫度降低，減少因溫度升高而造成基板崩裂、漲縮等問(wèn)題，且可將磨出的基板粉屑沖走，減少基板表面刮傷的幾率。又由于在數(shù)控加工處理過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生很高的溫度，因此，有利于加快所述離子交換速率以及上述氫氟酸與二氧化硅，即加快了基板強(qiáng)化速率。
[0031]由于所述氫氟酸有強(qiáng)腐蝕性，因此所述數(shù)控加工處理過(guò)程在密閉空間進(jìn)行，以防止所述酸液飛濺對(duì)人員或者其他設(shè)備造成損傷。
[0032]所述冷卻液中還可含有催化劑，例如三氧化二鋁(A1203)，其有利于所述第二堿離子與第一堿離子的離子交換速度，即有利于所述基板的強(qiáng)化速度。
[0033]步驟S03:在所述基板上制作一功能層。
[0034]本實(shí)施方式中，所述功能層為觸控電極層，所述基板至少具有一第一表面，所述觸控電極制作在所述第一表面上，所述基板用以制作觸控面板，所述