陣列基板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體設(shè)及一種陣列基板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 在LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶顯示器）的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中，由多個(gè) CMOS(ComplementaryMetalOxideSemiconductor,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）反相器構(gòu)成 的CMOS環(huán)形振蕩器用于產(chǎn)生電路中的時(shí)鐘信號。與傳統(tǒng)的NMOS型反相器和PMOS型反相 器相比，CMOS反相器由一個(gè)P型MOS晶體管和一個(gè)N型MOS晶體管串聯(lián)組成，其中P型MOS 晶體管作為負(fù)載管，N型MOS晶體管作為輸入管，并且兩個(gè)MOS晶體管中的一個(gè)總是截止的， 因此運(yùn)種配置可W大幅降低功耗。另外，CMOS反相器的電阻較低，其處理速率也能得到很 好的提局。
[0003] 當(dāng)前，業(yè)界普遍義用IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,銅嫁鋒氧化物）制備 TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶體管）的非晶態(tài)氧化半導(dǎo)體圖案（Amo;rphous Oxide Semiconductor, AOS)，并且 OSC(Organic Semiconductor,有機(jī)半導(dǎo)體）是一種由小分子或 高分子聚合物組成的有機(jī)材料，具有可饒、制程成本低的特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于柔性顯示器、電 子皮膚等領(lǐng)域，因此如何基于IGZO和OSC制造CMOS反相器或CMOS環(huán)形振蕩器是業(yè)界在改 良LCD時(shí)需要解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法，能夠基于IGZO和OSC制造 CMOS反相器或CMOS環(huán)形振蕩器。 陽0化]本發(fā)明提供的一種陣列基板的制造方法，包括：在襯底基材上依次形成第一金屬 層和絕緣層，第一金屬層包括沿預(yù)定方向間隔排布的第一電極條和第二電極條；在絕緣層 上形成沿預(yù)定方向間隔排布的IGZO圖案，IGZO圖案位于第一電極條的上方；在絕緣層和 IGZO圖案層上形成第二金屬層，第二金屬層形成有沿預(yù)定方向交錯(cuò)排布的第一溝道和第二 溝道，第一溝道暴露其對應(yīng)區(qū)域的IGZO圖案，第二溝道暴露其對應(yīng)區(qū)域的絕緣層且位于第 二電極條的上方；在第二溝道的對應(yīng)區(qū)域形成OSC圖案；在絕緣層、第二金屬層、IGZO圖案 W及OSC圖案上形成一平坦純化層；其中，第一電極條、第一溝道及其對應(yīng)區(qū)域的第二金屬 層和IGZO圖案形成第一晶體管，第二電極條、第二溝道及其對應(yīng)區(qū)域的第二金屬層和所述 OSC圖案形成第二晶體管，且第一晶體管和第二晶體管串聯(lián)形成一 CMOS反相器。
[0006] 其中，第一電極條和第二電極條均為陣列基板的薄膜晶體管的柵極，第二金屬層 包括薄膜晶體管的源極和漏極，沿預(yù)定方向，在相鄰的源極和漏極之間形成第一溝道和第 二溝道，且同一漏極位于相鄰的第一溝道和第二溝道之間。
[0007] 其中，第一電極條、第一溝道及其對應(yīng)區(qū)域的源極、漏極和IGZO圖案形成第一晶 體管，第二電極條、第二溝道及其對應(yīng)區(qū)域的源極、漏極和OSC圖案形成第二晶體管，且陣 列基板形成奇數(shù)個(gè)首尾相連的CMOS反相器。
[0008] 其中，第一晶體管為N溝道型MOS晶體管，第二晶體管為P溝道型MOS晶體管。
[0009] 其中，在襯底基材上形成第一金屬層之后，所述方法還包括：在襯底基材上形成沿 預(yù)定方向交錯(cuò)排布的公共電極，每一公共電極位于相鄰的第一電極條和第二電極條之間， 公共電極及其對應(yīng)區(qū)域的第二金屬層和絕緣層形成一電容。
[0010] 本發(fā)明提供的一種陣列基板，包括：襯底基材；形成于襯底基材上的第一金屬層 和絕緣層，第一金屬層包括沿預(yù)定方向間隔排布的第一電極條和第二電極條；形成于絕緣 層上且沿預(yù)定方向間隔排布的IGZO圖案，IGZO圖案位于第一電極條的上方；形成于絕緣層 和IGZO圖案層上的第二金屬層，第二金屬層形成有沿預(yù)定方向交錯(cuò)排布的第一溝道和第 二溝道，第一溝道暴露其對應(yīng)區(qū)域的IGZO圖案，第二溝道暴露其對應(yīng)區(qū)域的絕緣層且位于 第二電極條的上方；形成于第二溝道的對應(yīng)區(qū)域的OSC圖案；平坦純化層，形成于絕緣層、 第二金屬層、IGZO圖案W及OSC圖案上；其中，第一電極條、第一溝道及其對應(yīng)區(qū)域的第二 金屬層和IGZO圖案形成第一晶體管，第二電極條、第二溝道及其對應(yīng)區(qū)域的第二金屬層和 OSC圖案形成第二晶體管，且第一晶體管和第二晶體管串聯(lián)形成一 CMOS反相器。
[0011] 其中，第一電極條和第二電極條均為陣列基板的薄膜晶體管的柵極，第二金屬層 包括薄膜晶體管的源極和漏極，沿預(yù)定方向，在相鄰的源極和漏極之間形成有第一溝道和 第二溝道，且同一漏極位于相鄰的第一溝道和第二溝道之間。
[0012] 其中，第一電極條、第一溝道及其對應(yīng)區(qū)域的源極、漏極和IGZO圖案形成第一晶 體管，第二電極條、第二溝道及其對應(yīng)區(qū)域的源極、漏極和OSC圖案形成第二晶體管，且陣 列基板形成有奇數(shù)個(gè)首尾相連的CMOS反相器。
[0013] 其中，第一晶體管為N溝道型MOS晶體管，第二晶體管為P溝道型MOS晶體管。
[0014] 其中，陣列基板還包括形成于襯底基材上且沿預(yù)定方向交錯(cuò)排布的公共電極，每 一公共電極位于相鄰的第一電極條和第二電極條之間，公共電極及其對應(yīng)區(qū)域的第二金屬 層和絕緣層形成一電容。
[0015] 本發(fā)明的陣列基板及其制造方法，設(shè)計(jì)由IGZO圖案及其對應(yīng)區(qū)域的第一電極條、 第一溝道和第二金屬層形成CMOS反相器的第一晶體管、由OSC圖案及其對應(yīng)區(qū)域的第二電 極條、第二溝道和第二金屬層形成CMOS反相器的第二晶體管，從而實(shí)現(xiàn)基于IGZO和OSC制 造CMOS反相器或CMOS環(huán)形振蕩器。
【附圖說明】
[0016] 圖1是本發(fā)明的陣列基板的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖；
[0017] 圖2是根據(jù)圖1所示方法形成陣列基板的示意圖； 陽01引圖3是本發(fā)明的CMOS反相器一實(shí)施例的電路示意圖；
[0019] 圖4是由圖3所示CMOS反相器構(gòu)成的CMOS環(huán)形振蕩器的電路示意圖；
[0020] 圖5是圖4所不CMOS環(huán)形振蕩器輸出的時(shí)序f目號的不意圖；
[0021] 圖6是在IGZO上形成保護(hù)層一實(shí)施例的示意圖； 陽022] 圖7是本發(fā)明的液晶顯示面板一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視圖；
[0023] 圖8是本發(fā)明的液晶顯示裝置一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明所提供的示例性的實(shí)施例的技術(shù)方 案進(jìn)行清楚、完整地描述。
[00巧]圖1是本發(fā)明的陣列基板的制造方法一實(shí)施例的流程示意圖。所述方法用于在形 成TFT的同時(shí)形成CMOS反相器或CMOS環(huán)形振蕩器。請參閱圖1和圖2所示，所述方法包 括W下：
[00%] Sll :在襯底基材上依次形成第一金屬層和絕緣層，第一金屬層包括沿預(yù)定方向間 隔排布的第一電極條和第二電極條；
[0027] 參閱圖2所示，襯底基材21用于形成前述陣列基板，所述襯底基材21可W為玻璃 基材、透明塑料基材或可曉式基材。
[0028] 本實(shí)施例可通過第一光罩制程W及第一黃光制程在襯底基材21上形成第一金屬 層22,即形成具有預(yù)定圖案的TFT的柵極，其中TFT的柵極包括沿圖中箭頭所示的預(yù)定方 向D間隔排布的第一電極條221和第二電極條222(圖中僅示出一個(gè)第一電極條221和一 個(gè)第二電極條222)，預(yù)定方向D為與每一柵極的延伸方向相垂直的水平方向。
[0029] 當(dāng)然，還可僅采用例如化學(xué)氣相沉積、真空蒸鍛、等離子化學(xué)氣相沉積、瓣射或低 壓化學(xué)氣相沉積等方法直接形成第一金屬層22。
[0030] 由于后續(xù)需要形成TFT的源極和漏極，因此本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)一步在第一金屬 層22 W及未形成第一金屬層22的襯底基材21上形成絕緣層23,即柵極絕緣層（Gate Insulation Layer，GI)。
[0031] 本發(fā)明實(shí)施例在形成第一金屬層22之后，還可W在襯底基材21上形成沿預(yù)定方 向D交錯(cuò)排布的公共電極24(圖中僅示出一個(gè)公共電極24)，且每一公共電極24位于相鄰 的第一電極條221和第二電極條222之間。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例也可W通過第一光罩制程 和第一黃光制程形成第一金屬層22和公共電極24,即，公共電極24和第一金屬層22由同 一光罩制程和同一黃光制程制得。
[0032] S12 :在絕緣層上形成沿預(yù)定方向間隔排布的IGZO圖案，所述IGZO圖案位于第一 電極條的上方；
[0033] 本發(fā)明實(shí)施例可通過第二光罩制程和第二黃光制程在絕緣層23上形成具有預(yù)定 圖案的IGZO圖案（層）25,其中，第二黃光制程可利用包括但不限于具有憐酸、硝酸、醋酸W 及去離子水的蝕刻液對形成于絕緣層23上的一整片半導(dǎo)體圖案層24進(jìn)行蝕刻，從而得到 所述IGZO圖案25,當(dāng)然其他實(shí)施例也可W采用干法蝕刻。
[0034] S13 :在絕緣層和IGZO圖案層上形成第二金屬層，第二金屬層形成有沿預(yù)定方向 交錯(cuò)排布的第一溝道和第二溝道，第一溝道暴露其對應(yīng)區(qū)域的IGZO圖案，第二溝道暴露其 對應(yīng)區(qū)域的絕緣層且位于第二電極條的上方。
[0035] 本發(fā)明實(shí)施例可通過第=光罩制程W及第=黃光制程在絕緣層23上形成具有預(yù) 定圖案的第二金屬層26,即形成TFT的源漏電極層，第二金屬層26包括源極261和漏極 262。沿預(yù)定方向D，在相鄰的源極261和漏極262之間形成第一溝道263和第二溝道264， 且同一漏極262位于相鄰的第一溝道263和第二溝道264之間，第一溝道263位于第一電 極條221的上方，第二溝道264位于第二電極條222的上方。
[0036] S14 :在第二溝道的對應(yīng)區(qū)域形成OSC圖案；
[0037] 本發(fā)明實(shí)施例可通過第四光罩制程W及第四黃光制程在第二溝道364的對應(yīng)區(qū)