等離子體處理裝置及等離子體處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于對具備環(huán)狀框架和保持片的傳送載體所保持的基板進(jìn)行等離子體處理的裝置及方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在以具備環(huán)狀框架和保持片的傳送載體所保持的基板為處理對象的等離子體處理裝置中，需要抑制等離子體對框架及保持片的熱損傷。其理由是因?yàn)榘瑯渲牧系谋３制患訜釙r(shí)會產(chǎn)生保持片延伸(變形)等問題。因此，在專利文獻(xiàn)1中提出了一種利用中央部具有窗部的中空圓形的罩體來覆蓋框架和保持片的方案。由此，能夠遮蓋框架和保持片不受等離子體傷害。另一方面，從窗部露出的基板能夠被等離子體處理。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn):
[0005]專利文獻(xiàn)1:日本特開2009-94436號公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]保持基板的傳送載體被傳入等離子體處理裝置所具備的腔體內(nèi)，載置于在腔體內(nèi)設(shè)置的臺上。通常來說，在臺上設(shè)有冷卻機(jī)構(gòu)，能夠抑制等離子體對傳送載體的熱損傷。
[0007]框架一般由金屬和/或樹脂形成，具有剛性。因此，框架上存在微小的歪斜時(shí)，在載置于臺上時(shí)，會在框架和臺之間產(chǎn)生微小的間隙。在存在這種間隙的狀態(tài)下進(jìn)行等離子體處理時(shí)，會導(dǎo)致腔體內(nèi)的異常放電或傳送載體(尤其是框架)的冷卻不足。由此，會產(chǎn)生等離子體處理導(dǎo)致的加工不良，保持片的劣化導(dǎo)致的傳送問題等，降低處理工藝的穩(wěn)定性。
[0008]具備環(huán)狀框架和保持片的傳送載體不僅用于進(jìn)行等離子體處理的情況，還用于通過利用刮刀或激光的現(xiàn)有的切割方法來處理基板的情況?，F(xiàn)有的切割方法不需要考慮等離子體導(dǎo)致的加熱，并且在機(jī)械性地矯正了框架的歪斜的環(huán)境下執(zhí)行。因此，不會產(chǎn)生框架歪斜的問題。
[0009]本發(fā)明涉及一種等離子體處理裝置，對具備環(huán)狀框架和保持片的傳送載體所保持的基板實(shí)施等離子體處理，其中，所述等離子體處理裝置具備:腔體，具有能夠減壓的處理室；工藝氣體供給部，向所述處理室供給工藝氣體；減壓機(jī)構(gòu)，對所述處理室進(jìn)行減壓；等離子體激發(fā)裝置，使所述處理室內(nèi)產(chǎn)生等離子體；臺，載置有所述傳送載體并設(shè)置于所述腔體內(nèi)；冷卻機(jī)構(gòu)，用于對所述臺進(jìn)行冷卻；罩體，覆蓋載置于所述臺上的所述傳送載體的所述保持片的一部分和所述框架的至少一部分，并且具有使所述基板露出到等離子體的窗部；及移動裝置，使所述罩體相對于所述框架的相對位置移動，所述罩體具備:頂蓋部，與載置于所述臺上的所述框架相對；筒狀的周側(cè)部，從所述頂蓋部的周邊緣向所述臺側(cè)延伸；及矯正部件，從所述頂蓋部和/或所述周側(cè)部相對于載置于所述臺上的所述框架突出，并且將所述框架向所述臺推壓來矯正所述框架的歪斜。
[0010]本發(fā)明的另一方式涉及一種等離子體處理方法，對具備環(huán)狀框架和保持片的傳送載體所保持的基板實(shí)施等離子體處理，其中，所述等離子體處理方法具備如下工序:(i)將保持有所述基板的所述傳送載體傳入等離子體處理裝置所具備的腔體內(nèi)，并載置于設(shè)置在所述腔體內(nèi)的具備冷卻機(jī)構(gòu)的臺上；(ii)通過具備使所述基板露出到等離子體的窗部的罩體，覆蓋載置于所述臺上的所述傳送載體的所述保持片和所述框架；及(iii)使所述腔體內(nèi)產(chǎn)生等離子體，經(jīng)由所述窗部對所述基板實(shí)施等離子體處理，所述罩體具備:頂蓋部，與載置于所述臺上的所述框架相對；筒狀的周側(cè)部，從所述頂蓋部的周邊緣向所述臺側(cè)延伸；及矯正部件，從所述頂蓋部和/或所述周側(cè)部相對于載置于所述臺上的所述框架突出，并且將所述框架向所述臺推壓來矯正所述框架的歪斜，在所述工序(ii)中，通過所述矯正部件校正所述框架的歪斜。
[0011]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制環(huán)狀框架的歪斜導(dǎo)致的異常放電、傳送載體的冷卻不足。因此，能夠提高等離子體處理的工藝穩(wěn)定性。
【附圖說明】
[0012]圖1是概念性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的剖視圖。
[0013]圖2是傳送載體的俯視圖。
[0014]圖3(a)是保持基板的傳送載體的俯視圖，圖3(b)是其Illb-1IIb線剖視圖。
[0015]圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的剖視圖。
[0016]圖5是表示載置于臺上的傳送載體和矯正部件的位置關(guān)系的俯視圖。
[0017]圖6A是表示第二實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0018]圖6B是表示第二實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0019]圖6C是作為第二實(shí)施方式涉及的從罩體的頂蓋部內(nèi)表面突出的矯正部件的突起部的立體圖。
[0020]圖7A是表示第三實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0021]圖7B是表示第三實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0022]圖7C是作為第三實(shí)施方式涉及的從罩體的周側(cè)部內(nèi)表面突出的矯正部件的分支部的立體圖。
[0023]圖8A是表示第四實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0024]圖8B是表示第四實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0025]圖8C是作為第四實(shí)施方式涉及的從罩體的周側(cè)部內(nèi)表面突出的矯正部件的環(huán)狀凸緣部的剖切立體圖。
[0026]圖9A是表示第五實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0027]圖9B是表示第五實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0028]圖9C是作為第五實(shí)施方式涉及的從罩體的頂蓋部及周側(cè)部內(nèi)表面突出的矯正部件的突起部的立體圖。
[0029]圖10A是表示第六實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0030]圖10B是表示第六實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0031]圖11A是表示第七實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第一狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
[0032]圖11B是表示第七實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的第二狀態(tài)的主要部分放大剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面，參考【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。其中，以下的說明并不限定本發(fā)明的技術(shù)范圍。
[0034](第一實(shí)施方式)
[0035]圖1是概念性地表示作為本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的干蝕刻裝置1的構(gòu)造的剖視圖。
[0036]干蝕刻裝置1是對具備環(huán)狀框架7和保持片6的傳送載體4所保持的基板2實(shí)施等離子體蝕刻作為等離子體處理的裝置。所謂等離子體蝕刻是指，例如通過干蝕刻利用邊界線(路線)切斷形成有多個(gè)集成電路(1C)的硅晶片等基板2，將多個(gè)1C單片化的方法。
[0037]干蝕刻裝置1具備腔體(真空容器)3，該腔體3具有能夠減壓的處理室5。保持基板2的傳送載體4從腔體3具有的能夠開閉的出入口(未圖示)傳入處理室5。
[0038]從工藝氣體源12通過配管向腔體3所具備的氣體導(dǎo)入口 3a供給等離子體產(chǎn)生所需要的氣體。即，工藝氣體源12及配管構(gòu)成工藝氣體供給部的至少一部分。另一方面，腔體3具有用于將處理室5內(nèi)排氣并進(jìn)行減壓的排氣口 3b。排氣口 3b與包括真空栗的減壓機(jī)構(gòu)14連接。
[0039]在封鎖干蝕刻裝置1的腔體3的頂部的電介體壁8的上方配置有構(gòu)成等離子體激發(fā)裝置的上部電極(天線)9。上部電極9與第一高頻電源10A電連接。另一方面，在處理室5的底部側(cè)配置有臺11，臺11上載置有保持基板2的傳送載體4。傳送載體4以保持基板2的面朝向上部電極9的姿勢載置于臺11上。
[0040]臺11具備電極部15和保持電極部15的基臺16。電極部15及基臺16的外周被外裝部17包圍。電極部15由具有傳送載體4的載置面18的薄的電介體部15b和具有制冷劑流路15a的金屬部15c構(gòu)成。制冷劑流路15a與制冷劑循環(huán)裝置21連通，該制冷劑循環(huán)裝置21使進(jìn)行了溫度調(diào)節(jié)的制冷劑