等離子體處理裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供在確保機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)，利用比較輕量的機(jī)構(gòu)安裝有金屬窗的等離子體處理裝置。在進(jìn)行了真空排氣的處理空間(100)內(nèi)對(duì)被處理基板(G)執(zhí)行等離子體處理的等離子體處理裝置(1)中，金屬制的處理容器(10)具有被處理基板(G)的載置臺(tái)，在封閉形成于其上表面的開口的位置隔著絕緣部件(31)設(shè)置有導(dǎo)電性的金屬窗(3)。上述金屬窗(3)被配置于等離子體產(chǎn)生用的等離子體天線(5)的上方側(cè)的頂板部(61)懸掛支承。并且，該頂板部(61)被具有橫架部(71、711)和腳柱部(72)的骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)(7)懸掛支承。
【專利說明】
等離子體處理裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及利用等離子體化的處理氣體進(jìn)行被處理基板的等離子體處理的等離子體處理裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示裝置(IXD)等平板顯示器(Fro)的制造工序中，存在對(duì)作為被處理基板的玻璃基板供給等離子體化了的處理氣體來進(jìn)行蝕刻處理和成膜處理等的等離子體處理的工序。這些等離子體處理中使用等離子體蝕刻裝置和等離子體CVD裝置等各種等離子體處理裝置。近年來，作為將處理氣體等離子體化的方法，具有能夠以高真空度獲得高密度的等離子體這樣的重大優(yōu)點(diǎn)的電感親合等離子體(Inductively Coupled Plasma:1CP)受到關(guān)注。
[0003]另一方面，玻璃基板的尺寸在逐步大型化。對(duì)于例如LCD用的狀玻璃基板，需要能夠處理短邊X長邊的長度為約2200mm X約2400mm、甚至約2800mm X約3000mm的尺寸的等離子體處理裝置。
[0004]伴隨等離子體處理裝置的大型化，配置于玻璃基板的上方側(cè)且與使上述電感耦合等離子體產(chǎn)生的等離子體天線相對(duì)地設(shè)置的電介質(zhì)窗也大型化。然而，構(gòu)成電介質(zhì)窗的石英等電介質(zhì)材料機(jī)械強(qiáng)度小而脆，因而不適合于大型化。因此，專利文獻(xiàn)I中記載了具有比石英剛性高的金屬制的金屬窗的等離子體處理裝置。
[0005]這里，為了隔著金屬窗使電感耦合等離子體產(chǎn)生，需要在與構(gòu)成等離子體處理裝置的主體的金屬制的處理容器絕緣的狀態(tài)下安裝金屬窗。此外，對(duì)構(gòu)成成為真空氣氛的處理空間的上述金屬窗，不僅施加其自身重量還施加大氣壓，因此必須支承金屬窗，使其能夠承受這些力。因而，伴隨金屬窗的大型化，存在連將該金屬窗安裝于處理容器的機(jī)構(gòu)也大型化、大重量化的問題。
[0006]這里，在專利文獻(xiàn)2中記載了一種激光退火裝置，其通過在對(duì)玻璃基板進(jìn)行照射激光的改性處理的處理腔室的上部蓋部件設(shè)置增強(qiáng)其機(jī)械強(qiáng)度的肋部件，抑制了使激光透過的窗部件的傾斜或撓曲的產(chǎn)生。此外，專利文獻(xiàn)3中記載了在進(jìn)行FPD用玻璃基板的處理的真空處理裝置的腔室部的外壁面設(shè)置包括肋部件和與肋部件接合的板狀接合部件的、通過螺栓能夠相對(duì)于上述外壁面拆卸的增強(qiáng)部件。
[0007]但是，這些專利文獻(xiàn)2、3均沒有公開在維持與處理容器絕緣的狀態(tài)的同時(shí)設(shè)置大型的金屬窗的方法。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本特開2012-227427號(hào)公報(bào):段落0018、圖1
[0011]專利文獻(xiàn)2:日本特許第3451478號(hào)公報(bào):段落0002、0018、圖1、2
[0012]專利文獻(xiàn)3:日本特許第5232801號(hào)公報(bào):段落0028?0029、圖3

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]發(fā)明想要解決的技術(shù)問題
[0014]本發(fā)明是在這種情形下完成的，其目的在于提供一種在保持機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)利用輕量的機(jī)構(gòu)安裝有金屬窗的等離子體處理裝置。
[0015]解決技術(shù)問題的技術(shù)方案
[0016]本發(fā)明的等離子體處理裝置是對(duì)進(jìn)行了真空排氣的處理空間內(nèi)的被處理基板執(zhí)行利用等離子體化了的處理氣體進(jìn)行的等離子體處理的等離子體處理裝置，上述等離子體處理裝置的特征在于，包括:
[0017]具有用于載置上述被處理基板的載置臺(tái)，與該載置臺(tái)相對(duì)的上表面開口并且電接地的金屬制的處理容器；
[0018]配置于封閉上述處理容器的開口的位置而形成上述處理空間，并且以隔著絕緣部件與上述處理容器絕緣的狀態(tài)設(shè)置的導(dǎo)電性的金屬窗；
[0019]在上述金屬窗的上方側(cè)以與該金屬窗相對(duì)的方式設(shè)置的，用于通過電感耦合將上述處理氣體等離子體化的等離子體天線；
[0020]金屬窗支承機(jī)構(gòu)，其包括:以與上述金屬窗相對(duì)的方式配置于等離子體天線的上方側(cè)的頂板部和設(shè)置于該頂板部的用于懸掛支承上述金屬窗的多個(gè)第一懸掛部;和
[0021]骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)，其包括:設(shè)置有用于從上方側(cè)懸掛支承上述頂板部的多個(gè)第二懸掛部的橫架部和用于支承上述橫架部的腳柱部。
[0022]上述等離子體處理裝置也可以具有以下的結(jié)構(gòu)。
[0023](a)上述金屬窗被分割為多個(gè)部分窗，相鄰的部分窗彼此隔著絕緣部件相互絕緣。將上述處理容器與金屬窗絕緣的絕緣部件和將該金屬窗的相鄰部分窗彼此絕緣的絕緣部件由上述處理容器支承。
[0024](b)上述腳柱部設(shè)置在上述開口的周圍的處理容器上。
[0025](C)上述頂板部是電接地的金屬制部件，上述第一懸掛部具有將上述金屬窗與頂板部絕緣的絕緣部件。上述頂板支承機(jī)構(gòu)的橫架部和腳柱部是與上述頂板部相比導(dǎo)電性低、機(jī)械強(qiáng)度高的金屬制部件。
[0026](d)上述橫架部形成為拱形形狀。
[0027](e)上述金屬窗兼作為向上述處理空間供給處理氣體的氣體噴頭。
[0028]發(fā)明效果
[0029]本發(fā)明將構(gòu)成處理空間的金屬窗懸掛支承于頂板部，進(jìn)一步用骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)懸掛支承該頂板部，因此能夠?qū)慕饘俅笆┘拥呢?fù)荷分散，在確保將金屬窗安裝于處理容器所必需的機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)，能夠使支承該金屬窗的機(jī)構(gòu)輕量化。
【附圖說明】
[0030]圖1是實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置的縱截側(cè)面圖。
[0031 ]圖2是上述等離子體處理裝置的一部分?jǐn)嗔迅┮晥D。
[0032]圖3是表示設(shè)置于上述等離子體處理裝置的金屬窗的安裝狀態(tài)的縱截側(cè)面圖。
[0033]圖4是比較例涉及的等離子體處理裝置的縱截側(cè)面圖。
[0034]圖5是表示設(shè)置于等離子體處理裝置的頂板支承機(jī)構(gòu)的變形例的一部分?jǐn)嗔迅┮晥D。
[0035]圖6是表示上述頂板支承機(jī)構(gòu)的另一個(gè)變形例的縱截側(cè)面圖。
[0036]圖7是表示上述頂板支承機(jī)構(gòu)的又一個(gè)變形例的縱截側(cè)面圖。
[0037]附圖標(biāo)記說明
[0038]G玻璃基板
[0039]1、Ia?Ic等離子體處理裝置
[0040]10容器主體[0041 ]100處理空間
[0042]11金屬框
[0043]13載置臺(tái)
[0044]3金屬窗
[0045]30部分窗
[0046]31絕緣部件
[0047]5高頻天線
[0048]61、61a 頂板部
[0049]62金屬窗懸掛部
[0050]7、7a?7c頂板支承機(jī)構(gòu)[0051 ]71橫桿部
[0052]711傾斜部
[0053]72腳柱部
[0054]721頂板支承部
[0055]73頂板懸掛部
[0056]8控制部
【具體實(shí)施方式】
[0057]以下，參照?qǐng)D1?圖3，說明本發(fā)明的實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置I的結(jié)構(gòu)。
[0058]等離子體處理裝置I能夠使用于各種等離子體處理，該各種等離子體處理包括在作為被處理基板的矩形基板例如FPD用的基板G上形成薄膜晶體管時(shí)的用于形成金屬膜、ITO膜、氧化膜等的成膜處理、對(duì)這些膜進(jìn)行蝕刻的蝕刻處理和抗蝕劑膜的灰化處理等。這里，作為FPD，可以示出液晶顯示器(IXD)、電致發(fā)光(Electro Luminescence:EL)顯示器、等離子體顯示器面板(PDP)等例子。此外，等離子體處理裝置I不限于使用于對(duì)FPD用的基板G進(jìn)行的上述各種等離子體處理，也可以使用于對(duì)太陽能電池面板用的基板G進(jìn)行的上述各種等離子體處理。
[0059]如圖1的縱截側(cè)面圖所示，等離子體處理裝置I具有由導(dǎo)電性材料、例如內(nèi)壁面被陽極氧化處理后的鋁構(gòu)成的方筒形狀的容器主體10，該容器主體10電接地。在容器主體10的上表面形成有開口，該開口被與該容器主體10絕緣地設(shè)置的矩形形狀的金屬窗3氣密地封閉。由容器主體10和金屬窗3包圍的空間成為基板G的處理空間100，金屬窗3的上方側(cè)的空間成為配置高頻天線(等離子體天線)5的天線室50。此外，在處理空間100的側(cè)壁設(shè)置有用于將玻璃基板(以下簡記為基板)G搬入搬出的搬入搬出口 101和用于使搬入搬出口 101開閉的閘閥102。
[0060]在處理空間100的下部側(cè)以與上述金屬窗3相對(duì)的方式設(shè)置有用于載置基板G的載置臺(tái)13。載置臺(tái)13由導(dǎo)電性材料、例如表面被陽極氧化處理后的鋁構(gòu)成。載置于載置臺(tái)13的基板G被未圖示的靜電卡盤吸附保持。載置臺(tái)13被收納在絕緣體框14內(nèi)，隔著該絕緣體框14設(shè)置在容器主體10的底面。
[0061]載置臺(tái)13通過匹配器151與第二高頻電源152連接。第二高頻電源152對(duì)載置臺(tái)13施加偏壓用的高頻電力、例如頻率為3.2MHz的高頻電力。利用該偏壓用的高頻電力所產(chǎn)生的自偏壓，能夠?qū)⑻幚砜臻g100內(nèi)產(chǎn)生的等離子體中的離子吸引至基板G。
[0062]另外，為了控制基板G的溫度，載置臺(tái)13內(nèi)設(shè)置有由陶瓷加熱器等加熱單元和制冷劑流路構(gòu)成的溫度控制機(jī)構(gòu)、溫度傳感器、用于向基板G的背面供給熱傳遞用的He氣體的氣體流路(均未圖示)。
[0063]此外，在容器主體10的底面形成有排氣口103，該排氣口 103與包含真空栗等的真空排氣部12連接。處理空間100的內(nèi)部被該真空排氣部12真空排氣到等離子體處理時(shí)的壓力。
[0064]金屬窗3例如為非磁性體，由導(dǎo)電性的金屬、鋁或含有鋁的合金等構(gòu)成。此外，為了提高金屬窗3的耐等離子體性，可以在金屬窗3的處理空間100側(cè)的面設(shè)置電介質(zhì)膜、電介質(zhì)罩。作為電介質(zhì)膜，能夠舉出陽極氧化膜或熱噴涂陶瓷膜。此外，作為電介質(zhì)罩，能夠舉出石英制或陶瓷制的電介質(zhì)罩。
[0065]如圖1、圖2所示，在容器主體10的側(cè)壁的上表面?zhèn)仍O(shè)置有由鋁等金屬構(gòu)成的作為矩形形狀的框體的金屬框11。在容器主體10與金屬框11之間，設(shè)置有用于氣密地保持處理空間100的密封部件110。這里，容器主體10和金屬框11構(gòu)成本實(shí)施方式的處理容器。
[0066]進(jìn)一步，本例的金屬窗3被分割為多個(gè)部分窗30，這些部分窗30配置于金屬框11的內(nèi)側(cè)，整體構(gòu)成矩形形狀的金屬窗3。相互被分割的部分窗30因絕緣部件31而與金屬框11和其下方側(cè)的容器主體10電絕緣，并且相鄰的部分窗30彼此也因絕緣部件31而相互絕緣。
[0067]絕緣部件31例如由金屬框11支承。另一方面，因絕緣部件31而與金屬框11和相鄰的部分窗30絕緣的各部分窗30，與絕緣部件31分開設(shè)置，被從頂板部61懸掛支承。對(duì)于懸掛支承金屬窗3 (部分窗30)的機(jī)構(gòu)將在后文中詳細(xì)敘述。
[0068]另外，部分窗30的分割形狀不限定于矩形形狀。此外，為了增強(qiáng)絕緣部件31，也可以構(gòu)成為:以從上表面?zhèn)瓤磳⒔饘倏?1的內(nèi)表面分割的方式設(shè)置金屬梁，利用該金屬框支承絕緣部件31。
[0069]并且，本例的部分窗30兼作處理氣體供給用的噴頭。如圖1、圖3所示，在各部分窗30的內(nèi)部形成有使處理氣體擴(kuò)散的處理氣體擴(kuò)散室301。此外，在各部分窗30的下表面形成有用于從處理氣體擴(kuò)散室301向處理空間100供給處理氣體的多個(gè)處理氣體噴出孔302。而且，如圖1所示，各部分窗30的處理氣體擴(kuò)散室301通過氣體供給管41與處理氣體供給部42連接。從處理氣體供給部42供給上述的成膜處理、蝕刻處理、灰化處理等所需要的處理氣體。另外，為了便于圖示，圖1中示出在I個(gè)部分窗30上連接有處理氣體供給部42的狀態(tài)，但實(shí)際上，各部分窗30的處理氣體擴(kuò)散室301均與處理氣體供給部42連接。
[0070]并且，在天線室50的內(nèi)部以面向部分窗30的方式配置有高頻天線5。高頻天線5例如隔著由未圖示的絕緣部件構(gòu)成的間隔物與部分窗30分離地配置。例如高頻天線5以在與各部分窗30對(duì)應(yīng)的面內(nèi)沿著矩形形狀的金屬窗3的周方向環(huán)繞的方式形成為螺旋狀。另外，高頻天線5的形狀不限于螺旋狀，可以為使一條或多條天線形成為環(huán)狀的環(huán)狀天線。并且，還可以采用以一邊錯(cuò)開角度一邊卷繞多條天線而整體成為螺旋狀的方式設(shè)置的多重天線。像這樣，只要是在與金屬窗3或構(gòu)成金屬窗3的各部分窗30對(duì)應(yīng)的面內(nèi)，以沿著其周方向環(huán)繞的方式設(shè)置有天線，則無論高頻天線5的結(jié)構(gòu)如何均可。
[0071]各高頻天線5通過匹配器511與第一高頻電源512連接。從第一高頻電源512經(jīng)由匹配器511對(duì)各高頻天線5供給例如13.56MHz的高頻電力。由此，在等離子體處理期間，在部分窗30各自的表面誘發(fā)渦流，因該渦流而在處理空間100的內(nèi)部形成感應(yīng)電場(chǎng)。從氣體噴出孔302噴出的處理氣體因感應(yīng)電場(chǎng)而在處理空間100的內(nèi)部被等離子體化。
[0072]并且，如圖1所示，在該等離子體處理裝置I設(shè)置有控制部8?？刂撇?由包括未圖示的CPU(Central Processing Unit)和存儲(chǔ)部的計(jì)算機(jī)構(gòu)成，該存儲(chǔ)部中記錄有被編入步驟(命令)組的程序，該步驟(命令)組用于執(zhí)行下述動(dòng)作的信號(hào):將配置有基板G的處理空間100內(nèi)真空排氣，使用高頻天線5將處理氣體等離子體化而對(duì)基板G進(jìn)行處理的動(dòng)作。該程序例如被存儲(chǔ)在硬盤、光盤、磁光盤、存儲(chǔ)卡等存儲(chǔ)介質(zhì)中，從這些介質(zhì)安裝到存儲(chǔ)部中。
[0073]在具有以上說明的結(jié)構(gòu)的等離子體處理裝置I中，支承金屬窗3的機(jī)構(gòu)需要能夠承受金屬窗3的自重加上對(duì)金屬窗3施加的大氣壓的能力。然而，例如配置于各部分窗30的周圍的絕緣部件31機(jī)械強(qiáng)度小而脆，因此不適合作為支承被施加這樣大的力的部件的機(jī)構(gòu)使用。另一方面，如果利用金屬梁等來增強(qiáng)絕緣部件31，使得能夠用絕緣部件31支承部分窗30，則不僅對(duì)于等離子體的形成沒有幫助的金屬梁的面積增加，而且用于形成等離子體的感應(yīng)電場(chǎng)也會(huì)減弱。
[0074]作為金屬窗3的支承機(jī)構(gòu)，可以考慮例如如圖4的等離子體處理裝置Ia所示，利用側(cè)壁部63包圍天線室50的周圍，在其上表面?zhèn)扰渲庙敯宀?1a使金屬窗3與頂板部61a上下對(duì)置，通過金屬窗懸掛部62由頂板部61a將各部分窗30懸掛支承的機(jī)構(gòu)。這里，頂板部6 Ia采用導(dǎo)電性高的鋁等。于是，在通過鋁制的頂板部61a構(gòu)成支承機(jī)構(gòu)的前提下進(jìn)行強(qiáng)度設(shè)計(jì)，如上所述在處理約2200mm X約2400mm的尺寸的基板G的等離子體處理裝置Ia中，為了支承從金屬窗3側(cè)施加的負(fù)荷，頂板部61a的厚度為1cm以上。已知為了支承這么厚的頂板部61a，側(cè)壁部63的厚度尺寸也增大，金屬窗3的支承機(jī)構(gòu)大型化、大重量化。
[0075]為了解決上述問題，本實(shí)施方式的等離子體處理裝置I構(gòu)成為:如圖1所示，在維持利用頂板部61將金屬窗3懸掛支承的方式的同時(shí)，設(shè)置有增強(qiáng)并支承頂板部61的骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)7。通過利用頂板支承機(jī)構(gòu)7來增強(qiáng)頂板部61，將頂板部61的厚度減小到1cm以下，進(jìn)一步通過使頂板支承機(jī)構(gòu)7為骨架結(jié)構(gòu)，省略圖4的等離子體處理裝置Ia所示的側(cè)壁部63的設(shè)置。
[0076]以下，詳細(xì)地對(duì)金屬窗3的支承機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。
[0077]如圖1所示，例如頂板部61由大小與金屬窗3大致相同的鋁制板材構(gòu)成，以隔著天線室50使其下表面與金屬窗3相對(duì)的方式配置。如圖1所示，該頂板部61電接地。此外，在頂板部61的下表面與部分窗30的上表面之間安裝有作為第一懸掛部的多個(gè)金屬窗懸掛部62，金屬窗3(部分窗30)由這些金屬窗懸掛部62懸掛支承。另外，這里部分窗30與金屬窗懸掛部62電絕緣，使得成為相對(duì)于該金屬窗懸掛部62電浮置的狀態(tài)。這些頂板部61和金屬窗懸掛部62相當(dāng)于本實(shí)施方式的金屬窗支承機(jī)構(gòu)。
[0078]例如如圖3所示，金屬窗懸掛部62是上端部形成有凸緣部621的金屬制的桿狀部件。該金屬窗懸掛部62的凸緣部621通過螺栓622緊固于頂板部61的下表面。
[0079]此外，也可以通過將各金屬窗懸掛部62配置于相鄰的部分窗30的邊界，由I根金屬窗懸掛部62懸掛支承2個(gè)部分窗30，來抑制金屬窗懸掛部62的設(shè)置數(shù)的增大。并且，也可以在該金屬窗懸掛部62形成對(duì)部分窗30的處理氣體擴(kuò)散室301供給處理氣體的上述的氣體供給管41。
[0080]如用圖4的等離子體處理裝置Ia進(jìn)行說明的那樣，如果僅利用頂板部61a支承整個(gè)面被施加較強(qiáng)的拉伸負(fù)荷的金屬窗3，則只能使用較厚的板材，金屬窗3的支承機(jī)構(gòu)大重量化。因此，在本例的等離子體處理裝置I中，采用利用骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)7來進(jìn)一步懸掛支承頂板部61的結(jié)構(gòu)。
[0081]如圖1所示，頂板支承機(jī)構(gòu)7成為包括架設(shè)在頂板部61的上表面?zhèn)鹊亩喔鶛M桿部71和支承各橫桿部71的腳柱部72的骨架結(jié)構(gòu)。例如各腳柱部72是以向上方側(cè)伸出的方式配置的桿狀部件，為機(jī)械強(qiáng)度(彎曲強(qiáng)度、拉伸強(qiáng)度)比鋁高的鐵制。各腳柱部72通過形成于其下端部的凸緣部720緊固在金屬框11的上表面?zhèn)取?br>[0082]腳柱部72的上端通過從上表面?zhèn)瓤聪蛉萜髦黧w10的內(nèi)側(cè)朝斜上方彎曲的傾斜部711與在橫方向上延伸的桿狀的橫桿部71連接。這些橫桿部71和其兩端的傾斜部711也由鐵制的部件構(gòu)成。此外，通過由橫桿部71和傾斜部711形成由多條直線構(gòu)成的拱形(arch)結(jié)構(gòu)，使頂板支承機(jī)構(gòu)7的強(qiáng)度提高。橫桿部71和傾斜部711相當(dāng)于本實(shí)施方式的橫架部。另外，當(dāng)然也可以由曲線狀的拱形構(gòu)成該橫架部。
[0083]如圖2所示，各橫桿部71從金屬框11(容器主體10的側(cè)壁)的各邊的中央部和金屬框11的四角向頂板部61的上方側(cè)的中央部伸出，通過由金屬制的矩形形狀的框體構(gòu)成的連結(jié)部712相互連結(jié)。連結(jié)部712的開口 710除了使去往高頻天線5的供電線和氣體供給管41通過之外，在連結(jié)部712的上表面，還配置對(duì)各高頻天線5分配電極的未圖示的分配器和匹配器511等。
[0084]在橫桿部71和傾斜部711的下表面安裝有作為第二懸掛部的多個(gè)頂板懸掛部73，由這些頂板懸掛部73懸掛支承頂板部61。另外，在本例中，設(shè)置有從橫桿部71的下表面向下方側(cè)伸出的桿狀的柱部件73a和從傾斜部711的下表面向下方側(cè)伸出的板狀的肋部件73b這2種頂板懸掛部73。
[0085]如圖3所示，柱部件73a是在上端部和下端部設(shè)置有凸緣部731的鐵制的桿狀部件，上端部側(cè)的凸緣部731通過螺栓732緊固在橫桿部71的下表面。此外，柱部件73a的下端部側(cè)的凸緣部731通過螺栓732緊固在頂板部61的上表面。肋部件73b也通過凸緣部等緊固于傾斜部711的下表面和頂板部61的上表面，這一點(diǎn)相同，省略圖示。另外，柱部件73a、73b也可以構(gòu)成為通過焊接等與橫桿部71以及傾斜部711成為一體。
[0086]通過以上說明的結(jié)構(gòu)，懸掛支承金屬窗3(部分窗30)的頂板部61進(jìn)一步由頂板支承機(jī)構(gòu)7(橫桿部71、傾斜部711、腳柱部72)懸掛支承。
[0087]以下對(duì)上述實(shí)施方式涉及的等離子體處理裝置I的作用進(jìn)行說明。
[0088]首先，打開閘閥102，從相鄰的真空搬送室利用搬送機(jī)構(gòu)(均未圖示)經(jīng)搬入搬出口101將基板G搬入處理空間100內(nèi)。接著，在載置臺(tái)13上載置基板G，通過未圖示的靜電卡盤固定，另一方面，使上述搬送機(jī)構(gòu)從處理空間100退出，關(guān)閉閘閥102。
[0089]此后，從處理氣體供給部42經(jīng)各部分窗30的處理氣體擴(kuò)散室301向處理空間100內(nèi)供給處理氣體，另一方面，利用真空排氣部12將處理空間100內(nèi)真空排氣，將處理空間100內(nèi)調(diào)節(jié)為例如0.66?26.6Pa左右的壓力氣氛。此外，從未圖示的氣體流路向基板G供給熱傳遞用的He氣體。
[0090]接著，從第一高頻電源512向高頻天線5施加高頻電力，由此通過金屬窗3在處理空間100內(nèi)產(chǎn)生均勻的感應(yīng)電場(chǎng)。其結(jié)果是，通過感應(yīng)電場(chǎng)，在處理空間100內(nèi)處理氣體等離子體化，產(chǎn)生高密度的電感耦合等離子體。而且，通過從第二高頻電源152向載置臺(tái)13施加的偏壓用高頻電力，等離子體中的離子被向基板G吸引，進(jìn)行基板G的等離子體處理。
[0091]然后，進(jìn)行等離子體處理預(yù)先設(shè)定的時(shí)間后。停止來自各高頻電源512、152的電力供給、來自處理氣體供給部42的處理氣體供給和處理空間100內(nèi)的真空排氣，按照與搬入時(shí)相反的順序搬出基板G。
[0092]進(jìn)行了以上動(dòng)作說明的處理空間100的內(nèi)部被如上所述真空排氣為高真空的狀態(tài)，處理空間100的上表面?zhèn)扰渲玫慕饘俅?(部分窗30)除了其自重以外還被施加大氣壓。金屬窗3抵抗這些力，由頂板部61懸掛支承，保持在與容器主體10之間形成有處理空間100的狀態(tài)。
[0093]這里，懸掛支承金屬窗3的頂板部61還被由機(jī)械強(qiáng)度的強(qiáng)度比頂板部61高的部件構(gòu)成的骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)7懸掛支承而被增強(qiáng)。另一方面，頂板支承機(jī)構(gòu)7的腳柱部72安裝在金屬框11的上表面?zhèn)?，因此金屬?的懸掛負(fù)荷通過頂板支承機(jī)構(gòu)7分散在其腳柱部72上，轉(zhuǎn)換為按壓金屬框11 (即容器主體10的側(cè)壁)的力。具有對(duì)于處理空間100內(nèi)的真空氣氛的耐壓性能的容器主體10具有能夠抵抗上述按壓力而穩(wěn)定地支承頂板支承機(jī)構(gòu)7的充分的強(qiáng)度。
[0094]根據(jù)本發(fā)明的等離子體處理裝置I，能夠獲得以下效果。由頂板部61懸掛支承構(gòu)成處理空間100的金屬窗3，進(jìn)一步用由機(jī)械強(qiáng)度高的部件構(gòu)成的骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)7懸掛支承頂板部61，因此能夠分散金屬窗3的懸掛負(fù)荷。
[0095]其結(jié)果是，與圖4的等離子體處理裝置Ia所示的利用鋁制的頂板部61a和設(shè)置在其周緣部的側(cè)壁部63懸掛支承金屬窗3的情況相比，能夠在保持安裝金屬窗3所必需的機(jī)械強(qiáng)度的同時(shí)，使支承該金屬窗3的機(jī)構(gòu)輕量化。
[0096]另外，與圖4的側(cè)壁部63比較時(shí)，本發(fā)明的頂板支承機(jī)構(gòu)7的“骨架結(jié)構(gòu)”是指，頂板支承機(jī)構(gòu)7由寬度分別短于金屬框11(容器主體10的側(cè)壁)的短邊和長邊的部件構(gòu)成的情況。例如骨架結(jié)構(gòu)的部件使用幾cm?十幾cm左右的寬度的部件。
[0097]這里，頂板支承機(jī)構(gòu)7的結(jié)構(gòu)不限于使用圖1?圖3表示的例子，能夠采用各種變形。
[0098]例如，在以下說明的圖5?圖7的各圖中，對(duì)于與圖1?圖3示出的結(jié)構(gòu)要素相同的結(jié)構(gòu)要素，標(biāo)注與這些圖中標(biāo)注的標(biāo)記相同的標(biāo)記。
[0099]頂板支承機(jī)構(gòu)7的俯視形狀不限于如圖2所示配置成各橫桿部71從容器主體10的中央部側(cè)放射狀地延伸的情況。例如也可以如圖5所示，構(gòu)成為沿著容器主體10的短邊方向相互平行地配置多根橫桿部71。
[0100]此外，支承頂板部61的不限于將其整個(gè)面僅通過懸掛支承來支承的情況。例如也可以如圖6所示的等離子體處理裝置Ib的頂板支承機(jī)構(gòu)7a那樣，由設(shè)置在腳柱部72的側(cè)面的頂板支承部721從下表面?zhèn)戎С许敯宀?1的周緣部。
[0101]并且，頂板支承機(jī)構(gòu)7也不是必須設(shè)置在金屬框11的上表面(容器主體10的側(cè)壁上)。例如也可以如圖7所示的等離子體處理裝置Ic的頂板支承機(jī)構(gòu)7b那樣，將腳柱部72設(shè)置在配置等離子體處理裝置Ic的地面和基座面等上。這里，固定腳柱部72的地面或基座面的高度位置可以不一定位于頂板部61的下方側(cè)。只要能夠穩(wěn)定地固定腳柱部72，則也可以將腳柱部72固定在位于與頂板部61相同高度或比該頂板部61高的位置的地面或基座面。
[0102]而且，頂板支承機(jī)構(gòu)7、7a、7b不是必須設(shè)置上下方向上延伸的桿狀的腳柱部72。例如也可以將拱形形狀的橫架部(由圖1所示的橫桿部71和傾斜部711或曲線狀的拱形構(gòu)成的橫架部)的下端部直接固定在金屬框11等的上表面。在此情況下，這些拱形的基端部成為腳柱部。
[0103]此外，關(guān)于金屬窗3的結(jié)構(gòu)，可以舉出各種變形。例如可以構(gòu)成為在金屬窗3設(shè)置使溫度調(diào)整用的流體流通的流路，進(jìn)行金屬窗3的溫度調(diào)整。在此情況下，也可以在金屬窗懸掛部62設(shè)置使上述溫度調(diào)整用的流體通流的流路。
[0104]而且，頂板部61不限定于由I塊板材構(gòu)成的情況，也可以被分割為多個(gè)板材。既可以將這些多個(gè)頂板部61由共用的頂板支承機(jī)構(gòu)7懸掛支承，也可以將各頂板部61由彼此不同的多個(gè)頂板支承機(jī)構(gòu)7支承。
[0105]另外，通過由導(dǎo)電性比鐵高的鋁制的I塊板構(gòu)成頂板部61，還具有接地的頂板部61的除電變得容易的效果。
[0106]并且，作為被處理基板，示出了使用Fro基板的例子，但如果是矩形基板，則也能夠應(yīng)用于對(duì)于太陽能電池面板用的基板等其它種類的基板的等離子體處理。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種等離子體處理裝置，其對(duì)進(jìn)行了真空排氣的處理空間內(nèi)的被處理基板執(zhí)行利用等離子體化了的處理氣體進(jìn)行的等離子體處理，所述等離子體處理裝置的特征在于，包括: 金屬制的處理容器，其具有用于載置所述被處理基板的載置臺(tái)，與該載置臺(tái)相對(duì)的上表面開口并且電接地； 導(dǎo)電性的金屬窗，其配置于封閉所述處理容器的開口的位置而形成所述處理空間，并且以隔著絕緣部件與所述處理容器絕緣的狀態(tài)設(shè)置； 在所述金屬窗的上方側(cè)以與該金屬窗相對(duì)的方式設(shè)置的，用于通過電感耦合將所述處理氣體等離子體化的等離子體天線； 金屬窗支承機(jī)構(gòu)，其包括:以與所述金屬窗相對(duì)的方式配置于等離子體天線的上方側(cè)的頂板部和設(shè)置于該頂板部的用于懸掛支承所述金屬窗的多個(gè)第一懸掛部;和 骨架結(jié)構(gòu)的頂板支承機(jī)構(gòu)，其包括:設(shè)置有用于從上方側(cè)懸掛支承所述頂板部的多個(gè)第二懸掛部的橫架部和用于支承所述橫架部的腳柱部。2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 所述金屬窗被分割為多個(gè)部分窗，相鄰的部分窗彼此隔著絕緣部件相互絕緣。3.如權(quán)利要求2所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 將所述處理容器與金屬窗絕緣的絕緣部件和將該金屬窗的相鄰部分窗彼此絕緣的絕緣部件由所述處理容器支承。4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 所述腳柱部設(shè)置在所述開口的周圍的處理容器上。5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 所述頂板部是電接地的金屬制部件，所述第一懸掛部具有將所述金屬窗與頂板部絕緣的絕緣部件部件。6.如權(quán)利要求5所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 所述頂板支承機(jī)構(gòu)的橫架部和腳柱部是與所述頂板部相比導(dǎo)電性低、機(jī)械強(qiáng)度高的金屬制部件。7.如權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 所述橫架部形成為拱形形狀。8.如權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的等離子體處理裝置，其特征在于: 所述金屬窗兼作為向所述處理空間供給處理氣體的氣體噴頭。
【文檔編號(hào)】H01J37/32GK105826155SQ201610055894
【公開日】2016年8月3日
【申請(qǐng)日】2016年1月27日
【發(fā)明人】出口新悟, 山田洋平
【申請(qǐng)人】東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社