半導體元件搭載用引線框及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及搭載半導體元件的引線框、特別是半導體元件搭載部和端子部的形狀。
【背景技術】
[0002]對于搭載半導體元件的引線框而言，提高密封用樹脂相對于與半導體元件連接并與外部連接的端子部的密合性，是提高產(chǎn)品的可靠性的重要的一點，為了提高與樹脂的密合性，從而防止端子部脫落，而提出有各種技術。具體而言，存在有在端子部的上表面?zhèn)刃纬赏黄鸩?檐部)的技術、使側(cè)面粗糙化的技術等。
[0003]例如，在專利文獻I中公開了一種這樣的技術，該技術是通過從正反面實施蝕刻而在側(cè)面形成凹凸的技術，對于該技術，能夠在以往的從正反面進行的蝕刻加工中，通過使正面?zhèn)鹊奈g刻掩膜和背面?zhèn)鹊奈g刻掩膜存在差異地形成來應對，在蝕刻與金屬板的厚度相同程度的厚度或小于等于金屬板的厚度的距離時，通過形成使正面?zhèn)容^小程度地開口且使背面?zhèn)容^大程度地開口的蝕刻掩膜來制造引線框，從而達成目的。
_4] 現(xiàn)有技術文獻_5] 專利文獻
[0006]專利文獻1:日本特開2011 - 151069號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

_7] 發(fā)明要解決的問題
[0008]然而，在利用上述以往技術的情況下，盡管是為了提高與樹脂之間的密合性而形成的突起部，但在其頂端成為銳角的情況下，會在密封樹脂產(chǎn)生裂紋，因此，需要使突起部的頂端為大致平面或者使其截面形成為具有圓弧狀的輪廓。
[0009]特別是在QFN(quad flat non 一 leaded package)、LED用的引線框的情況下，設計為元件搭載面的端面相對于安裝后露出的表面的端面擴展(日文:才一八'一/、>夕' )，而作為一個防止樹脂剝離的對策發(fā)揮功能，但將如下不良情況視為問題:在切成單片時，在與刮片之間摩擦時引起的、因較高的熱歷程而導致的膨脹/收縮、振動的影響下，樹脂自引線框剝離，而在市場上謀求進一步提高樹脂密合性。
[0010]于是，本發(fā)明即是鑒于上述問題點而做成的，其目的在于提供有效地滿足了與密封樹脂之間的密合性的半導體元件搭載用引線框。
[0011]用于解決問題的方案
[0012]為了達成上述目的，本發(fā)明的一實施方式的半導體元件搭載用引線框的特征在于，在半導體元件搭載部和端子部中的至少一者的一個側(cè)面或兩個側(cè)面具有突起部，該突起部突出到比該搭載部的上表面的緣和下表面的緣或端子部的上表面的緣和下表面的緣靠水平方向的部位，該突起部的頂端為大致平面或該突起部的頂端的截面呈具有圓弧狀的輪廓的形狀，并且該突起部為厚壁。
[0013]另外，本發(fā)明的一實施方式的半導體元件搭載用引線框的特征在于，在半導體元件搭載部和端子部中的至少一者的一個側(cè)面或兩個側(cè)面形成有突起部，該突起部的上表面?zhèn)韧怀龅奖壬鲜霭雽w元件搭載部的下表面的緣或端子部的下表面的緣靠水平方向的部位且在該突出的上表面?zhèn)鹊南路竭M一步向斜下方延伸，從而該突起部突出到比上述半導體元件搭載部的上表面的緣或端子部的上表面的緣靠水平方向的部位且自上述半導體元件搭載部的上表面或端子部的上表面向下方突出，該突起部的頂端具有25 μ m以上的厚度且?guī)в袌A角。
[0014]另外，本發(fā)明的一實施方式的半導體元件搭載用引線框的特征在于，在半導體元件搭載部和端子部中的至少一者的側(cè)面形成有突起部，該突起部的上表面?zhèn)韧怀龅奖壬鲜霭雽w元件搭載部的下表面的緣或端子部的下表面的緣靠水平方向的部位且在該突出的上表面?zhèn)鹊南路竭M一步突出到比上述半導體元件搭載部的上表面的緣或端子部的上表面的緣靠水平方向的部位，該突起部自其頂端部的下方側(cè)的角進一步向下表面延伸。
_5] 發(fā)明的效果
[0016]采用本發(fā)明的一實施方式，在半導體元件搭載部的側(cè)面或端子部的側(cè)面上不僅向水平方向形成突起部，向高度方向也形成突起部，從而能較強地應對來自所有方向的應力，且也增加了與樹脂之間的接觸面積，由此，能夠防止在切成單片時由因熱歷程而產(chǎn)生的膨脹/收縮引起的樹脂剝離及在切成單片時因振動而產(chǎn)生的樹脂剝離。
【附圖說明】
[0017]圖1是用于說明本發(fā)明的試驗例的突起部的形成工序的主要部位放大圖。
[0018]圖2是用于說明在圖1的工序中形成的突起部頂端的形狀及大小的主要部位放大圖。
[0019]圖3是用于說明本發(fā)明的一實施方式的突起部的形態(tài)的說明圖。
[0020]圖4是用于說明本發(fā)明的一實施方式的突起部的形成工序的主要部位放大圖。
[0021]圖5是表示用于形成本發(fā)明的一實施方式的突起部的蝕刻條件與突起部截面形狀及尺寸的變化之間的關系的一覽表。
[0022]圖6是用于說明本發(fā)明的其他實施方式的突起部的形成工序的主要部位放大圖。
[0023]圖7是用于說明本發(fā)明的實施例2的突起部的形狀及大小的主要部位放大照片。
[0024]圖8是用于說明本發(fā)明的實施例3的突起部的形狀及大小的主要部位放大照片。
[0025]圖9是為了表示本發(fā)明的一實施方式的粗糙面的狀態(tài)而從在樹脂密封后露出的表面?zhèn)?、詳細而言以正對突起的頂端部的角度拍攝突起部而得到的照片。
[0026]圖10是從正下方(從露出面?zhèn)纫耘c加工前的金屬板的表面垂直的角度)拍攝圖9所示的粗糙化的突起部的背面而得到的照片。
【具體實施方式】
[0027]本發(fā)明的一實施方式的引線框的圖案形成工序的特征在于:該圖案形成工序包括以下工序:在實施了堿/酸處理的引線框用金屬板I上施加感光性抗蝕層，使用包含用于形成突起物的圖案的引線框制造用掩模對感光性抗蝕層進行曝光從而轉(zhuǎn)印圖案，并在引線框用金屬板的表面形成半導體元件搭載部和端子部的工序；通過對該引線框用金屬板I實施蝕刻，從而在半導體元件搭載部的側(cè)面和端子部的側(cè)面中的一者或兩者上形成包含突起部的引線框形狀的工序。
[0028]作為形成突起部4的方法，例如嘗試了以下方法:在包含半導體元件搭載部的形狀側(cè)面附近形成了寬度極窄的抗蝕層的狀態(tài)下進行蝕刻，從而使形成有用于形成突起部的抗蝕層的部分其由蝕刻溶解金屬板的溶解時間慢于其他的部位，而在其他的部位的形狀形成完成了的狀態(tài)下，形成突起部。
[0029]如圖1所示，在利用上述方法形成突起部時，在包含半導體元件搭載部的表面形成抗蝕層2，并且在其背面?zhèn)燃丛跇渲芊夂舐冻龅谋砻鎮(zhèn)刃纬蓪挾葮O窄的抗蝕層3并進行蝕刻，其結(jié)果，能夠形成自半導體元件搭載部的表面(安裝面)朝向水平方向及其高度方向(下方)延伸的突起部4。但是，所形成的突起部4的厚度非常薄，為10 μπι?15 μπι，即使蝕刻條件略微的不同也會使得形狀的形成情況有較大程度地變動而導致突起部消失，從而難以維持突起部。另外，突起部4的頂端形狀銳利，而很可能成為樹脂密封后的裂紋的起點(參照圖2及圖3的左圖)。
[0030]為了避免該問題，如圖3的右圖所示，需要盡量保持突起部4的厚度，并創(chuàng)造一種即使蝕刻條件產(chǎn)生差異也能夠穩(wěn)定地形成突起部的狀態(tài)。作為該方法進行了如下試驗，如圖4所示，在安裝面?zhèn)纫彩┘觾H在樹脂密封后露出的表面?zhèn)仁┘拥膶挾葮O窄的抗蝕層3，使蝕刻后的突起部具有厚度。在此，金屬板I和抗蝕圖案層2、3的條件與后述的實施例1、4、5共用。其結(jié)果，能夠使突起部的厚度增加至50μπι(參照圖5中央欄的圖)。另外，還通過刻意地增加或減少蝕刻量而對突起部是否消失進行了確認，在增加了蝕刻量時突起部的厚度也能夠剩余地較厚，為30 μπι(參照圖5左欄的圖)。
[0031]另外，還確認到:突起部4的頂端部5也從銳利的形狀成為帶有圓角的形狀(參照圖5左欄的圖和中央欄的圖)或大致平面形狀(參照圖5右欄的圖)，從而能夠抑制自樹脂密封后的突起部頂端5發(fā)生樹脂裂紋。
[0032]以上，說明了突起部4形成于半導體元件搭載部的一側(cè)面的例子，不言而喻，該突起部也可以同樣地形成于半導體元件搭載部的兩側(cè)面或端子部的一側(cè)面和/或兩側(cè)面。
[0033]實施例1
[0034]引線框用金屬板I使用厚度為0.2_、寬度為180_的帶狀銅材料(株式會社神戶制鋼所制:KLF — 194)，在該金屬板的兩表面形成厚度為20 μ m的感光性抗蝕層(旭化成電