發(fā)光裝置復(fù)合基板及具有該發(fā)光裝置復(fù)合基板的led模組的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED照明技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光裝置復(fù)合基板及具有該發(fā)光裝置復(fù)合基板的LED模組。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(Light Emitting D1de, LED)是一種能夠?qū)㈦娔苻D(zhuǎn)化成可見光的固態(tài)半導(dǎo)體器件，其可以直接把電能轉(zhuǎn)化為光。由于LED光源具有節(jié)能、壽命長、環(huán)保等特點，決定了 LED是替代傳統(tǒng)光源的較理想光源，具有廣泛的用途。
[0003]LED模組通常包括LED芯片、COB (Chip On Board)基板、電路板及散熱器；其中，LED芯片位于基板上并通過COB基板上的電極與電路板電性連接，散熱器位于COB基板的下方，用于將LED芯片發(fā)光時所產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。
[0004]現(xiàn)有的COB基板上的電極通常都只設(shè)置在COB基板的正面?zhèn)?，為減少焊接時出現(xiàn)異常，通常COB基板需要配合連接器(Connector) —起使用。然而，連接器一般具有較高的價格，因此其會造成LED模組成本的上升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，針對現(xiàn)有技術(shù)中的不足，本發(fā)明提出一種發(fā)光裝置復(fù)合基板及具有該發(fā)光裝置復(fù)合基板的LED模組。
[0006]具體地，本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光裝置復(fù)合基板，其包括金屬基底、絕緣載體與電極，所述金屬基底與所述絕緣載體分別具有相對的正面和背面，所述絕緣載體位于所述金屬基底外圍且與所述金屬基底固定連接，所述電極位于所述絕緣載體上，所述電極貫穿所述絕緣載體，所述電極具有相對的正面和背面，所述絕緣載體的背面及所述電極的背面的高度小于所述金屬基底的背面的高度。
[0007]在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極的背面的高度與所述金屬基底的背面的高度差大于0.2mm，優(yōu)選為0.25mm。
[0008]在本發(fā)明的一個實施例中，所述金屬基底優(yōu)選由銅形成。
[0009]在本發(fā)明的一個實施例中，所述金屬基底形成有多個孔洞，所述孔洞內(nèi)填充有絕緣材料，所述絕緣載體具有多個向所述金屬基底方向延伸的凸出結(jié)構(gòu)，所述凸出結(jié)構(gòu)與所述孔洞內(nèi)的絕緣材料相接。
[0010]在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體在靠近所述金屬基底處形成有防水結(jié)構(gòu)，其中所述防水結(jié)構(gòu)為防水槽。
[0011]在本發(fā)明的一個實施例中，所述防水結(jié)構(gòu)具有依次連接的內(nèi)側(cè)面、上表面、外側(cè)面及底面，所述內(nèi)側(cè)面靠近所述金屬基底側(cè)并形成光學(xué)反射面，所述外側(cè)面與所述內(nèi)側(cè)面相對，所述上表面連接于所述外側(cè)面與所述內(nèi)側(cè)面之間且構(gòu)成槽面，所述底面與所述上表面相對，所述上表面及所述底面上分別形成有粗化結(jié)構(gòu)。
[0012]在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體在與所述金屬基底的連接面形成有粗化結(jié)構(gòu)。
[0013]在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體在與所述電極的連接面形成有粗化結(jié)構(gòu)。
[0014]在本發(fā)明的一個實施例中，所述絕緣載體為一體成型結(jié)構(gòu)。
[0015]在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極包括正極與負(fù)極。
[0016]在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極在靠近所述金屬基底側(cè)形成有焊線區(qū)。
[0017]本發(fā)明實施例還提供的一種LED模組，其包括電路板、發(fā)光裝置復(fù)合基板、LED芯片及散熱器，其中發(fā)光裝置復(fù)合基板包括金屬基底、絕緣載體與電極，所述金屬基底與所述絕緣載體分別具有相對的正面和背面，所述絕緣載體位于所述金屬基底外圍且與所述金屬基底固定連接，所述電極位于所述絕緣載體上，所述LED芯片設(shè)于所述金屬基底的正面并與所述電極電性連接，所述電極貫穿所述絕緣載體，所述電極具有相對的正面和背面，所述絕緣載體的背面及所述電極的背面的高度小于所述金屬基底的背面的高度，所述電路板連接于所述絕緣載體的背面及所述電極的背面，所述電路板與所述電極形成電性連接，所述散熱器與所述金屬基底的背面熱性接觸。
[0018]在本發(fā)明的一個實施例中，所述電極的背面的高度與所述金屬基底的背面的高度差大于0.2mm，優(yōu)選為0.25mm。
[0019]在本發(fā)明的一個實施例中，所述電路板的厚度小于或等于所述電極背面與所述金屬基底背面的高度差。
[0020]本發(fā)明上述實施例的LED模組及發(fā)光裝置復(fù)合基板，由于發(fā)光裝置復(fù)合基板的電極貫穿絕緣載體，電極的背面可以用于和電路板直接電性連接，因此可以不需使用連接器，從而節(jié)省使用連接器的成本。
[0021]通過以下參考附圖的詳細(xì)說明，本發(fā)明的其它方面和特征變得明顯。但是應(yīng)當(dāng)知道，該附圖僅僅為解釋的目的設(shè)計，而不是作為本發(fā)明的范圍的限定，這是因為其應(yīng)當(dāng)參考附加的權(quán)利要求。還應(yīng)當(dāng)知道，除非另外指出，不必要依比例繪制附圖，它們僅僅力圖概念地說明此處描述的結(jié)構(gòu)和流程。
【附圖說明】
[0022]下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0023]圖1為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光裝置復(fù)合基板的俯視示意圖。
[0024]圖2為圖1所示發(fā)光裝置復(fù)合基板的仰視示意圖。
[0025]圖3為圖1所示發(fā)光裝置復(fù)合基板沿II1-1II’線剖開的示意圖。
[0026]圖4為圖2所示發(fā)光裝置復(fù)合基板沿IV-1V’線剖開的示意圖。
[0027]圖5為圖2所示發(fā)光裝置復(fù)合基板沿V-V’線剖開的示意圖。
[0028]圖6為圖2所示發(fā)光裝置復(fù)合基板的剖面示意圖，且所述發(fā)光裝置復(fù)合基板與LED芯片組合并用封裝膠封裝。
[0029]圖7為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光裝置復(fù)合基板的剖面示意圖。
[0030]圖8為圖7所不發(fā)光裝置復(fù)合基板的局部VIII的放大不意圖。
[0031]圖9為本發(fā)明第三實施例LED模組的剖面示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。
[0033]【第一實施例】
[0034]請參見圖1與圖2，所示為本發(fā)明第一實施例的一種發(fā)光裝置復(fù)合基板10，其包括金屬基底11、絕緣載體13與電極15。金屬基底11與絕緣載體13分別具有相對的正面和背面。絕緣載體13位于金屬基底11外圍且與金屬基底11固定連接。電極15位于絕緣載體13上，電極15貫穿絕緣載體13。電極15具有相對的正面和背面。絕緣載體13的背面及電極15的背面的高度都小于金屬基底11的背面的高度。換而言之，絕緣載體13的背面及電極15的背面向外凸出的程度都小于金屬基底11的背面向外凸出的程度。
[0035]由于電極15貫穿絕緣載體13，電極15的背面可以用于和電路板(PrintedCircuit Board)直接電性連接，因此可以不需使用連接器，從而節(jié)省使用連接器的成本。
[0036]請參見圖2與圖3，具體在本實施例中，電極15的背面與金屬基底11的背面的高度差D需大于0.2mm,最好為0.25mm ;而絕緣載體13的背面與金屬基底11的背面的高度差可相等外，絕緣載體13的背面與金屬基底11的背面的高度差還可略小于或大于電極15的背面與金屬基底11的背面的高度差D。
[0037]詳細(xì)來說，在本實施例中，金屬基底11可由銅形成。由于銅具有較高的導(dǎo)熱系數(shù)，因此可便于將熱量傳導(dǎo)出去。金屬基底11可形成有多個孔洞112，孔洞112內(nèi)填充有絕緣材料114。請再參見圖1與圖3，孔洞112內(nèi)填充的絕緣材料114可以是與絕緣載體13相分離的結(jié)構(gòu)，即絕緣載體13上具有向金屬基底11方向延伸出來的凸出結(jié)構(gòu)131，而孔洞112內(nèi)另外填充有絕緣材料114，凸出結(jié)構(gòu)131與絕緣材料114相接，如此，絕緣載體13所使用的材質(zhì)與孔洞112內(nèi)填充的絕緣材料114所使用的材質(zhì)可以相同也可以不同。通過在金屬基底11設(shè)置孔洞112，且在孔洞112內(nèi)填充有絕緣材料114，有利于增加耐電氣絕緣性及有利于絕緣材料114與絕緣載體13之間的連接作用，提升金屬基底11與絕緣載體13之間的連接強(qiáng)度，增強(qiáng)金屬基底11固定的牢靠性。此外，可以理解，在本發(fā)明的其他實施例中，若絕緣載體13所使用的材質(zhì)與孔洞112內(nèi)填充的絕緣材料114所使用的材質(zhì)是相同的，則凸出結(jié)構(gòu)131與孔洞112內(nèi)填充的絕緣材料114還可以形成一體結(jié)構(gòu)。
[0038]絕緣載體13位于金屬基底11的外圍，其可以起到圍壩的作用。絕緣載體13可由環(huán)氧樹脂模塑料(Epoxy molding compound，EMC)、娃膠樹脂模塑料(Silicone MoldingCompound, SMC)或陶瓷來形成。
[0039]在絕緣載體13上，形成一壩狀凸出結(jié)構(gòu)(Dam)132，如圖1所示，此壩狀凸出結(jié)構(gòu)132形成一封閉區(qū)域，此封閉區(qū)域用以設(shè)置LED芯片并且以摻雜波長轉(zhuǎn)換物質(zhì)的封裝膠將LED芯片密封，以形成發(fā)光裝置之發(fā)光區(qū)域。
[0040]此外，壩狀凸出結(jié)構(gòu)(Dam) 132上更設(shè)置有防水結(jié)構(gòu)。請參見圖6，防水結(jié)構(gòu)用于在發(fā)光裝置復(fù)合基板10形成