薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器逐漸向大尺寸、高畫質(zhì)和低能耗方向發(fā)展，其構(gòu)造包括在兩片平行的基板當中放置液晶層，下基板為陣列基板，上基板為彩膜基板，通過陣列基板上的電壓改變來控制液晶分子的轉(zhuǎn)動方向，從而達到控制每個像素點入射光的透過率而達到顯示的目的。
[0003]陣列基板包括襯底基板、數(shù)據(jù)線、源極、漏極、像素電極、柵極、柵線和柵絕緣層，各個電極和信號線主要通過構(gòu)圖工藝形成在陣列基板的襯底基板上，其中數(shù)據(jù)線和源極是在一次構(gòu)圖工藝中同時形成的，柵線和柵極是在一次構(gòu)圖工藝中同時形成的。
[0004]在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]現(xiàn)有的源極和數(shù)據(jù)線的材料會選擇導體化的金屬氧化物，而使用導體化金屬氧化物作為數(shù)據(jù)線會產(chǎn)生比較嚴重的信號延遲現(xiàn)象，從而影響液晶顯示器的顯示品質(zhì)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管、陣列基板、顯示裝置及制造方法。所述技術(shù)方案如下:
[0007]—種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極、漏極、有源層、柵絕緣層和柵極；
[0008]所述有源層和所述漏極位于同一層，所述有源層的材料包括金屬氧化物，所述漏極的材料包括導體化的金屬氧化物；
[0009]所述源極與所述柵絕緣層位于所述有源層的同一側(cè)，且所述源極和所述柵絕緣層與所述有源層的同一側(cè)面相接觸，所述柵絕緣層位于所述源極與所述漏極之間，所述柵絕緣層的厚度大于所述源極的厚度，所述源極的材料包括金屬；
[0010]所述柵極與所述柵絕緣層遠離所述有源層的一面相接觸。
[0011]—種陣列基板，所述陣列基板包括形成在襯底基板上的柵線、數(shù)據(jù)線及所述柵線和所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)線劃分成的多個像素單元，所述像素單元包括像素電極和所述薄膜晶體管，
[0012]所述像素電極、所述薄膜晶體管的有源層和漏極位于同一層，所述漏極與所述像素電極相連接，所述像素電極的材料包括導體化的金屬氧化物。
[0013]可選地，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述源極、所述柵極、所述漏極和所述像素電極。
[0014]可選地，所述薄膜晶體管的源極下方還設(shè)有緩沖金屬層，所述緩沖金屬層位于所述源極與所述有源層之間。
[0015]可選地，所述陣列基板還包括公共電極，所述公共電極位于所述鈍化層上。
[0016]—種顯示裝置，包括顯示面板，其特征在于，所述顯示面板包括所述陣列基板。
[0017]一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:
[0018]在襯底基板上形成金屬氧化物層，所述金屬氧化物層包括第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分為有源層，所述第二部分位于所述第一部分和第三部分之間，在所述金屬氧化物層上沉積源極層，所述源極層的材料包括金屬，
[0019]通過一次構(gòu)圖工藝將所述源極層圖案化，形成包括薄膜晶體管的源極的圖形；
[0020]在所述源極、所述有源層、所述第二部分和所述第三部分上沉積柵絕緣層和柵極層；
[0021]通過一次構(gòu)圖工藝將所述柵絕緣層和所述柵極層圖案化，形成包括所述薄膜晶體管的柵極和柵絕緣層的圖形，并將所述第二部分形成包括所述薄膜晶體管的漏極的圖形，以及將所述第三部分形成包括所述薄膜晶體管的像素電極的圖形。
[0022]可選地，所述將所述第二部分形成包括所述薄膜晶體管的漏極的圖形，以及將所述第三部分形成包括所述薄膜晶體管的像素電極的圖形包括:
[0023]采用真空等離子氣體轟擊所述第二部分和所述第三部分對應(yīng)的所述金屬氧化物層，在所述第二部分形成包括所述漏極的圖形，在所述第三部分形成包括所述像素電極的圖形。
[0024]可選地，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0025]在所述源極、所述柵極、所述漏極和所述像素電極上沉積鈍化層。
[0026]可選地，所述陣列基板的制造方法還包括:
[0027]在所述鈍化層上沉積公共電極層，通過一次構(gòu)圖工藝將所述公共電極層圖案化，形成公共電極的圖形。
[0028]可選地，所述金屬氧化物層的材料包括鋁鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物中任意一種組成的單層金屬氧化物，或鋁鋅氧化物、銦鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物、銦錫鋅氧化物中任意幾種組成的多層金屬氧化物。
[0029]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案帶來的有益效果是:
[0030]薄膜晶體管的有源層與漏極位于同一層，有源層的材料包括金屬氧化物，漏極的材料包括導體化的金屬氧化物，源極的材料包括金屬，源極位于有源層之上且與有源層的一側(cè)面接觸，源極和數(shù)據(jù)線是源極層通過一次構(gòu)圖工藝形成的，所以數(shù)據(jù)線的材料與源極相同，包括金屬，解決了信號延遲的問題。
【附圖說明】
[0031]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0032]圖1是本發(fā)明實施例一提供的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖4是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖5是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖6是本發(fā)明實施例二提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖7-圖21是本發(fā)明實施例四提供的陣列基板的制造過程示意圖。
[0039]其中，
[0040]I源極，2漏極，3有源層，4柵絕緣層，
[0041]5柵極，6襯底基板，7像素電極，8緩沖金屬層，
[0042]9鈍化層，10公共電極，11金屬氧化物層，12源極層，
[0043]13光刻膠，14柵極層，
[0044]A柵線，B數(shù)據(jù)線，C薄膜晶體管，
[0045]D第一部分，E第二部分，F(xiàn)第三部分，
[0046]G光刻膠完全保留區(qū)，
[0047]H光刻膠半保留區(qū)，Hl第一光刻膠半保留區(qū)，H2第二光刻膠半保留區(qū)。
【具體實施方式】
[0048]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0049]實施例一
[0050]如圖1所示，本發(fā)明實施例提供了一種薄膜晶體管，該薄膜晶體管包括源極1、漏極2、有源層3、柵絕緣層4和柵極5 ;
[0051]有源層3和漏極2位于同一層，有源層3的材料包括金屬氧化物，漏極2的材料包括導體化的金屬氧化物；
[0052]源極I與柵絕緣層4位于有源層3的同一側(cè)，且源極I和柵絕緣層4與有源層3的同一側(cè)面相接觸，柵絕緣層4位于源極I與漏極2之間，柵絕緣層4的厚度大于源極I的厚度，源極I的材料包括金屬；
[0053]柵極5與柵絕緣層4遠離有源層3的一面相接觸。
[0054]在本發(fā)明的實施例中，薄膜晶體管的有源層3與漏極2位于同一層，有源層3的材料包括金屬氧化物，漏極2的材料包括導體化的金屬氧化物，柵絕緣層4的厚度大于源極I的厚度，避免柵極5與源極I之間接觸發(fā)生短路，源極I的材料包括金屬，源極I位于有源層3之上且與有源層3的一側(cè)面接觸，源極I和數(shù)據(jù)線是源極層通過構(gòu)圖工藝形成的，所以數(shù)據(jù)線的