劃線結(jié)構(gòu)及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及劃線結(jié)構(gòu)及其形成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的封裝技術(shù)(諸如扇出封裝)的方面中，具有重分布線(RDL)的聚合物層可以形成在管芯上方并且電連接至管芯中的有源器件。然后，可以在凸塊下金屬(UBM)上形成諸如焊料球的輸入/輸出(I/O)焊盤，以通過RDL電連接至管芯。這種封裝技術(shù)的有利特征是形成扇出封裝件的可能性。這樣，可以將管芯上的I/O焊盤重分布至比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增加封裝到管芯的表面上的I/O焊盤的數(shù)量。
[0003]在典型的扇出RDL形成工藝中，可以將RDL同時(shí)形成在多個(gè)管芯上。例如，可以將多個(gè)管芯放置在載體上，并且可以將模塑料分配在管芯之間。然后，可以在管芯和模塑料上方形成RDL。在形成多個(gè)部件之后，可以沿著劃線切割管芯，其中，劃線可以是管芯之間的外圍區(qū)處的RDL中的圖案化的開口。
[0004]由于在先進(jìn)的封裝工藝中RDL的數(shù)量增加，所以劃線(RDL中的圖案化的開口 )的深度也可以直接增大。較深的劃線可以對(duì)在RDL上方的部件(例如，UMB)的形成產(chǎn)生不利影響。例如，典型的UBM的形成可以包括使用光刻膠層限定UBM的形狀。深劃線可以對(duì)光刻膠沉積工藝的均勻性產(chǎn)生不利影響，這將在隨后的UBM形成工藝中引起缺陷。這些缺陷可能在鄰近或靠近劃線形成的UBM中尤其普遍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供了一種器件，包括:管芯；模塑料，沿著所述管芯的側(cè)壁延伸；第一聚合物層，位于所述管芯和所述模塑料上方，所述第一聚合物層具有第一橫向尺寸；以及第二聚合物層，位于所述第一聚合物層上方，所述第二聚合物層具有第二橫向尺寸，其中，所述第二橫向尺寸小于所述第一橫向尺寸。
[0006]在上述器件中，其中，所述第二聚合物層比所述第一聚合物層更厚。
[0007]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的第三聚合物層，所述第三聚合物層具有第三橫向尺寸，其中，所述第三橫向尺寸小于所述第二橫向尺寸。
[0008]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的第三聚合物層，所述第三聚合物層具有第三橫向尺寸，其中，所述第三橫向尺寸小于所述第二橫向尺寸；所述第三聚合物層與所述第二聚合物層具有基本相同的厚度。
[0009]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的第三聚合物層，所述第三聚合物層具有第三橫向尺寸，其中，所述第三橫向尺寸小于所述第二橫向尺寸；還包括:位于所述第三聚合物層上方的第四聚合物層，所述第四聚合物層具有第四橫向尺寸，其中，所述第四橫向尺寸小于所述第三橫向尺寸。
[0010]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的第三聚合物層，所述第三聚合物層具有第三橫向尺寸，其中，所述第三橫向尺寸小于所述第二橫向尺寸；還包括:位于所述第三聚合物層上方的第四聚合物層，所述第四聚合物層具有第四橫向尺寸，其中，所述第四橫向尺寸小于所述第三橫向尺寸；其中，所述第四聚合物層比所述第三聚合物層更厚。
[0011]在上述器件中，其中，所述第一聚合物層的側(cè)壁相對(duì)于水平面具有介于約50°和約90°之間的角度。
[0012]在上述器件中，其中，所述第一聚合物層包括:聚苯并惡唑(ΡΒ0)、丙烯酸型聚合物、苯巴比妥基聚合物或它們的組合。
[0013]在上述器件中，還包括:位于所述第一聚合物層下方的一個(gè)或多個(gè)第五聚合物層，其中，所述一個(gè)或多個(gè)第五聚合物層的側(cè)壁與所述模塑料的側(cè)壁垂直對(duì)準(zhǔn)。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了一種器件，包括:管芯；第一聚合物層，位于所述管芯上方；第一重分布線(RDL)，位于所述第一聚合物層上方；以及第二聚合物層，位于所述第一 RDL和所述第一聚合物層上方，其中，所述第一聚合物層和所述第二聚合物層的第一側(cè)壁不垂直對(duì)準(zhǔn)。
[0015]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的第二 RDL，其中，所述第二RDL比所述第一 RDL更厚。
[0016]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的至少一個(gè)第三聚合物層，其中，所述至少一個(gè)第三聚合物層的第二側(cè)壁與所述第一聚合物層和所述第二聚合物層的所述第一側(cè)壁不垂直對(duì)準(zhǔn)。
[0017]在上述器件中，還包括:第四聚合物層，位于所述第一聚合物層下方；以及第五聚合物層，位于所述第四聚合物層下方，其中，所述第四聚合物層和所述第五聚合物層的第三側(cè)壁垂直對(duì)準(zhǔn)。
[0018]在上述器件中，還包括:位于所述第二聚合物層上方的凸塊下金屬(UBM)和位于所述UBM上的連接件。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一個(gè)方面，提供了一種方法，包括:圖案化位于第一聚合物層中的劃線的第一部分；在所述第一聚合物層上方形成重分布線(RDL);在所述RDL和所述第一聚合物層上方形成第二聚合物層；以及圖案化位于所述第二聚合物層中的所述劃線的第二部分，其中，所述第一部分和所述第二部分是連接的，并且所述劃線的所述第二部分比所述劃線的所述第一部分更寬。
[0020]在上述方法中，其中，圖案化位于所述第一聚合物層中的所述劃線的所述第一部分包括光刻工藝。
[0021]在上述方法中，其中，圖案化位于所述第一聚合物層中的所述劃線的所述第一部分包括光刻工藝；其中，在所述光刻工藝之后，對(duì)所述第一聚合物層實(shí)施固化工藝，其中，在所述固化工藝之后，所述第一聚合物層不是光刻膠。
[0022]在上述方法中，其中，形成所述第二聚合物層包括:毯式沉積所述第二聚合物層，并且圖案化位于所述第二聚合物層中的所述劃線的所述第二部分包括:去除所述第二聚合物層在所述劃線的所述第一部分中的部分。
[0023]在上述方法中，其中，形成所述第二聚合物層包括:形成比所述第一聚合物層更厚的所述第二聚合物層。
[0024]在上述方法中，還包括:在第三聚合物層上方形成所述第一聚合物層，其中，所述劃線沒有延伸到所述第三聚合物層內(nèi)。
【附圖說明】
[0025]當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，通過以下詳細(xì)描述可以最佳地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件未按比例繪出并且僅用于示出的目的。事實(shí)上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意地增大或縮小。
[0026]圖1至圖12根據(jù)一些實(shí)施例示出了形成半導(dǎo)體器件的各個(gè)中間步驟的截面圖；
[0027]圖13根據(jù)一些可選的實(shí)施例示出了半導(dǎo)體器件的截面圖；
[0028]圖14至圖21根據(jù)一些實(shí)施例示出了形成器件封裝件的各個(gè)中間步驟的截面圖；以及
[0029]圖22根據(jù)一些實(shí)施例示出了器件封裝件的截面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下公開內(nèi)容提供了許多用于實(shí)施所提供的主題的不同特征的不同實(shí)施例或?qū)嵗?。以下描述部件和布置的具體實(shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然，這僅僅是實(shí)例，并不是用于限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，第一部件形成在第二部件上方或者上可以包括第一部件和第二部件以直接接觸的方式形成的實(shí)施例，并且還可以包括在第一部件和第二部件之間形成額外的部件，從而使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。此外，本公開可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。該重復(fù)是為了簡(jiǎn)明和清楚，而且其本身沒有規(guī)定所述各個(gè)實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。
[0031]而且，為了便于描述，諸如“在…下面”、“在…下方”、“下”、“在…之上”、“上”等空間相對(duì)位置術(shù)語(yǔ)在本文中可以用于描述如附圖所示的一個(gè)元件或部件與另一個(gè)(或另一些)元件或部件的關(guān)系。除了圖中描述的方位外，這些空間相對(duì)位置術(shù)語(yǔ)旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在其他方位上)，并且本文中使用的空間相對(duì)位置描述符可以同樣地進(jìn)行